JPH08115935A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH08115935A
JPH08115935A JP6253258A JP25325894A JPH08115935A JP H08115935 A JPH08115935 A JP H08115935A JP 6253258 A JP6253258 A JP 6253258A JP 25325894 A JP25325894 A JP 25325894A JP H08115935 A JPH08115935 A JP H08115935A
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semiconductor device
pad
circuit board
printed circuit
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Yoshinori Kanno
義則 閑野
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板等の汎用化を図って部材在庫管理等を容
易にし、製造コストを下げて安価に提供することができ
る半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 先端にバンプ接続用のパッド15を有するワ
イヤーボンド用のパッド14をプリント基板13上に、
その基板中心方向に延ばして設け、同じプリント基板1
3を用いて、プリント基板13上のワイヤーボンド用の
パッド15とICチップ上のパッド間を金属細線で接続
してプリント基板上にICチップを搭載してなる半導体
装置と、プリント基板上のバンプ接続用のパッド15と
ICチップとの間をICチップの下面に設けられている
バンプを接続してICチップをプリント基板上に搭載し
てなる半導体装置とを得ることができるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、表面実装型で、かつパッケー
ジタイプの半導体装置として、一般にBGA(「Ball G
rid Array 」の略)、PBGA(「Plastic Ball Grid
Array」の略)等と呼ばれている半導体装置、すなわち
パッケージの下面に半田ボールをグリッド状に配置して
なるパッケージタイプの半導体装置が知られている。
【0003】図12及び図13は、従来におけるPBG
A形パッケージを適用した半導体装置の一例を示すもの
で、図12はその下面図、図13はその断面図である。
図12及び図13において、この半導体装置は、両面プ
リント基板1上の必要な部分に回路が形成されている。
また、プリント基板1の下面には、半田ボール2が形成
される位置にランド3が配置されているとともに、上面
にはICチップ4を搭載するためのパッド5及びワイヤ
ーボンド用のパッド6が配置されている。なお、プリン
ト基板1には、パッド6と、このパッド6と対応してい
る下面のランド3との間の電気接合が得られるようにす
るために、図示せぬ回路及びスルーホール8が形成され
ている。
【0004】そして、半導体装置を組み立てる場合は、
プリント基板1上において、まずICチップ4を有機系
接着材を用いてパッド5上に固着する。続いて、金属細
線(ボンディングワイヤ)7を用いてICチップ4上の
図示せぬパッド部とプリント基板1上のパッド6とを電
気的に接合する。次に、プリント基板1を金型で挟持
し、トランスファー成形法により樹脂部9を形成して、
この樹脂部9でプリント基板1上を封止する。その後、
ランド3に半田ボール2を形成すると、図13の断面図
に示す半導体装置が作られる。なお、この半導体装置で
は、パッケージ外形が約27ミリ角、半田ボール2は約
1.5ミリピッチであり、また半田ボール2はプリント
基板1の裏面全体に形成されている。
【0005】また、半田ボール2をランド3上に形成す
る方法としては、(1)まず、各種の方法により作成さ
れた半田ボール2を用意し、この半田ボール2を所定の
位置に供給した後、リフローして形成する方法、(2)
スクリーン印刷法にて所定の位置に半田ペーストを供給
した後、リフローして形成する方法等が採られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
のタイプの中には、ミラータイプの半導体装置すなわ
ち、同一半導体装置でピン(ホール)の配置だけがミラ
ーの関係にあるが、BGAおよびPBGAでは、ICチ
ップの下面に半田バンプを形成しておき、この半田バン
プをプリント基板上のパッドにリフロー半田付けして電
気的に接合する方法で実現されているものもある。この
ようなミラータイプ構造の半導体装置では、電気接続用
の金属細線(ボンディングワイヤ)を使用しないので、
プリント基板上のパッドが、このパッド上にICチップ
4の半田バンプを重ねることができる位置に形成されて
いないと適用できない。このため、電気接続用の金属細
線を使用する通常タイプの半導体装置を形成するための
プリント基板とミラータイプの半導体装置を形成するた
めのプリント基板とを別々に用意しておかなければなら
なかった。このため、製造コストが高くなり、また部材
在庫管理等も面倒であると言う問題点があった。
【0007】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はプリント基板等の汎用化を図って
部材在庫管理等を容易にし、製造コストを下げて安価に
提供することができる構造にした半導体装置及びその製
造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明にあ
っては、プリント基板上に搭載されたICチップを樹脂
材で封止してなる半導体装置において、先端にバンプ接
続用のパッドを有するワイヤーボンド用のパッドを前記
プリント基板上に、その基板中心方向に延ばして設けた
構成とすることによって達成される。
【0009】また、この目的は、本発明にあっては、対
向する面を互いに電気的に導通させて積層されていると
ともに、一方には上下方向に貫通している窓が設けられ
ている上下一対の半田ボール形成用のランドと、前記窓
を通して他方のランド上に配設されるICチップと、先
端にバンプ接続用のパッドを有して前記窓と対応された
前記他方のランド上に、そのランド中心方向に延ばして
形成されたワイヤーボンド用のパッドと、前記上下ラン
ドのうちの少なくとも一方の面に設けられた半田ボール
とを備えた構成とすることによっても達成することがで
きる。
【0010】また、この目的は、本発明にあっては、プ
リント基板上に搭載されたICチップを樹脂材で封止し
てなる半導体装置の製造方法において、先端にバンプ接
続用のパッドを有するワイヤーボンド用のパッドを前記
プリント基板上に、その基板中心方向に延ばして設けて
おき、前記同一プリント基板を使用して前記プリント基
板上の前記ワイヤーボンド用のパッドと前記ICチップ
上のパッド間を金属細線で接続したICチップの搭載方
式を用いた半導体装置と、前記ICチップの下面に設け
られているバンプを前記バンプ接続用のパッドに接続し
たICチップの搭載方式を用いた半導体装置を択一的に
形成できるようにしても達成することができる。
【0011】また、この目的は、本発明にあっては、先
端にバンプ接続用のパッドを有するワイヤーボンド用の
パッドをランド上に、そのランド中心方向に延ばして設
けておき、前記ランド上の前記ワイヤーボンド用のパッ
ドと前記ICチップ上のパッド間を金属細線で接続した
ICチップの搭載方式を用いた半導体装置と、前記IC
チップの下面に設けられているバンプを前記バンプ接続
用のパッドに接続したICチップの搭載方式を用いた半
導体装置を択一的にできるようにしても達成することが
できる。
【0012】
【作用】これによれば、先端にバンプ接続用のパッドを
有するワイヤーボンド用のパッドをプリント基板上に、
その基板中心方向に延ばして設けた構成とした場合で
は、同じプリント基板を用いて、プリント基板上のワイ
ヤーボンド用のパッドとICチップ上のパッド間を金属
細線で接続してプリント基板上にICチップを搭載して
なる半導体装置と、プリント基板上のバンプ接続用のパ
ッドとICチップとの間をICチップの下面に設けられ
ているバンプを接続してプリント基板上にICチップを
搭載してなる半導体装置とを得ることができる。
【0013】また、先端にバンプ接続用のパッドを有す
るワイヤーボンド用のパッドを半田ボール形成用のラン
ド上に、そのランド中心方向に延ばして設けた構成とし
た場合では、同じランドを用いて、ランド上のワイヤー
ボンド用のパッドとICチップ上のパッド間を金属細線
で接続してICチップをランド上に搭載してなる半導体
装置と、ランド上のバンプ接続用のパッドとICチップ
との間をICチップの下面に設けられているバンプを接
続してICチップをランド上に搭載してなる半導体装置
とを得ることができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図1乃至図7は本発明の第1の実施例
を示すもので、図4及び図5は第1の実施例に従って形
成された通常タイプの半導体装置を示し、図6及び図7
は第1の実施例装置に従って形成されたミラータイプの
半導体装置を示しており、また図1乃至図3は第1の実
施例を実施するために用意されるプリント基板及びIC
チップの一例を示したものである。
【0015】まず、第1の実施例で使用されるICチッ
プの構造について説明すると、図2は金属細線を使用し
てプリント基板上のパッドと接続される通常タイプのI
Cチップ11Aの側面図で、図3はチップの底面に形成
されているバンプ12をプリント基板上のパッドに半田
接続されるミラータイプのICチップ11Bの側面図で
ある。すなわち、この実施例では、通常タイプのICチ
ップ11AとミラータイプのICチップ11Bとが用意
されているものとする。
【0016】次に、図1に示すプリント基板の構成につ
いて説明すると、図1はプリント基板13の断面を示し
ている。このプリント基板13は、両面の必要な部分に
各々回路が形成されている両面プリント基板として作ら
れている。また、プリント基板13の一面側にはICチ
ップ11Aを搭載するためのワイヤーボンド用のパッド
14がプリント基板11の中心方向に延ばされて形成さ
れているとともに、ICチップ11Bのバンプ12と対
応する位置にICチップ11Bを搭載するための半田バ
ンプ接続用のパッド15が形成されている。さらに、プ
リント基板13の下面には、半田ボール18(図4乃至
図7参照)が形成される位置に図示せぬランドが配置さ
れている。加えて、プリント基板13には、その下面の
ランドと上面側のパッド14及び15との間の電気的な
接合が得られるようにするため、スルーホール19が形
成されている。
【0017】次に、プリント基板13にICチップ11
Aを搭載した半導体装置の製造方法と、ICチップ11
Bを搭載した半導体装置の製造方法について説明する。 (1)プリント基板13にICチップ11Aを搭載した
半導体装置20A(図4及び図5参照)を製造する場
合:この場合は、図8に示すように、プリント基板13
とICチップ11Aとが用意される。そして、ICチッ
プ11Aをプリント基板13上の所定の位置に配置す
る。このとき、ICチップ11Aの下面とプリント基板
13との間に絶縁ペーストあるいは絶縁フィルム等の有
機系絶縁材料でなる接着材を塗布し、この接着材で固定
する。続いて、金属細線(ボンディングワイヤ)16を
用いてICチップ11A上の図示せぬパッド部とプリン
ト基板13上のパッド14とを電気的に接合する。次
に、プリント基板13を金型で挟持し、トランスファー
成形法により樹脂部17を形成して、この樹脂部17で
プリント基板13上を封止する。その後、プリント基板
13の裏面側に配置されているランドに半田ボール18
を形成すると、図4及び図5に示す通常タイプの半導体
装置(PBGA)20Aが作られる。なお、この半導体
装置では、パッケージ外形が約27ミリ角、半田ボール
18は約1.5ミリピッチで、半田ボール18はプリン
ト基板1の裏面全体に形成されている。また、半田ボー
ル18を形成する方法としては、従来と同様に、a)ま
ず、各種の方法により作成された半田ボール18を用意
し、この半田ボール18を所定の位置に供給した後、リ
フローして形成する方法や、b)スクリーン印刷法にて
所定の位置に半田ペーストを供給した後、リフローして
形成する方法等が採られる。
【0018】(2)プリント基板13にICチップ11
Bを搭載した半導体装置20B(図6及び図7参照)を
製造する場合:この場合は、図9に示すように、プリン
ト基板13とICチップ11Bとが用意される。そし
て、ICチップ11Bをプリント基板13上の所定の位
置に配置する。すると、ICチップ11Bのバンプ12
がパッド15と対応する。次いで、バンプ12をリフロ
ーすると、バンプ12がパッド15にリフロー半田され
てICチップ11Bとプリント基板13との間が電気的
に接合された状態で固定される。続いて、プリント基板
13を金型で挟持し、トランスファー成形法により樹脂
部17を形成して、この樹脂部17でプリント基板13
上を封止する。その後、半導体装置20Aの場合と同様
にして、プリント基板13の裏面側に配置されているラ
ンドに半田ボール18を形成すると、図6及び図7に示
すミラータイプの半導体装置(PBGA)20Bが作ら
れる。
【0019】したがって、この第1の実施例の場合で
は、同じプリント基板13を使用して、通常の半導体装
置20Aとミラータイプの半導体装置20Bとを作るこ
とができ、プリント基板13の汎用化が図れる。これに
より部材在庫管理等が容易になるとともに、製造コスト
を下げて安価に提供することが可能になる。
【0020】図10乃至図11は本発明の第2の実施例
を示すもので、図10はその半導体装置の製造方法を説
明するための図、図11はその半導体装置の断面図であ
る。なお、図10乃至図11において図1乃至図9と同
一符号を付したものは図1乃至図9と同一のものを示し
ている。
【0021】そして、この第2の実施例では、図2に示
した通常タイプのICチップ11Aが用意され(図10
参照)、バンプを形成する面により通常タイプの半導体
装置(PBGA)とミラータイプの半導体装置(PBG
A)の異なるタイプの半導体装置が得られる。
【0022】そして、まず図10に示すプリント基板の
構成について説明すると、ここでのプリント基板23
は、対向する面を互いに電気的に導通させて積層されて
いる上基板23Aと下基板23Bとで構成されており、
上基板23Aの略中心にはプリント基板23の表面一部
を露出させた状態にして、上下に貫通している窓24が
形成されている。一方、下基板23Bには、窓24と対
応した位置に凹所25が形成されているとともに、この
凹所25の外側における周囲にワイヤーボンド用のパッ
ド26が形成されている。さらに、上基板23Aと下基
板23Bには、この上下の基板の対向したボール形成ラ
ンド部が電気的に接続されるようにスルーホール27が
形成されている。
【0023】次に、ICチップ11Aを搭載した通常タ
イプの半導体装置30Aの製造方法と、ミラータイプの
半導体装置30Bの製造方法について説明する。 (1)ICチップ11Aを搭載した通常タイプの半導体
装置30A(図11参照)を製造する場合について説明
する。この場合は、図10に示すように、プリント基板
23とICチップ11Aとが用意される。そして、IC
チップ11Aを窓24を通して下基板23Bの凹所25
内の所定の位置に配置する。このとき、ICチップ11
Aの下面と下基板23Bとの間にペーストあるいはフィ
ルム等の有機系絶縁材料でなる接着材を塗布し、この接
着材で固定する。続いて、金属細線(ボンディングワイ
ヤ)16を用いてICチップ11A上の図示せぬパッド
部と下基板23B上のパッド26とを電気的に接合す
る。次に、プリント基板23の窓24内に樹脂28を注
入し、この樹脂28で窓24内にICチップ11A上を
封止する。その後、プリント基板23の下の面に半田ボ
ール18を形成すると、図11に示す通常タイプの半導
体装置(PBGA)30Aが作られる。また、半田ボー
ル18を形成する方法としては、第1の実施例の場合と
同様に、a)まず、各種の方法により作成された半田ボ
ール18を用意し、この半田ボール18を所定の位置に
供給した後、リフローして形成する方法や、b)スクリ
ーン印刷法にて所定の位置に半田ペーストを供給した
後、リフローして形成する方法等が採られる。
【0024】(2)プリント基板23にICチップ11
Aを搭載してミラータイプの半導体装置30Bを製造す
る場合(図11参照)について説明する。前述した如
く、ICチップ11Aが接続された状態において、前記
同様プリント基板23の上基板面に半田ボール18を形
成する。これによってミラータイプの半導体装置(PB
GA)30Bが得られる。
【0025】したがって、この第2の実施例の場合で
は、同じICチップ11A及びプリント基板23を使用
して、通常の半導体装置30Aとミラータイプの半導体
装置30Bとを形成することができ、プリント基板23
の汎用化が図れる。これにより部材在庫管理等が容易に
なるとともに、製造コストを下げて安価に提供すること
が可能になる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したとおり、先端にバンプ接続
用のパッドを有するワイヤーボンド用のパッドをプリン
ト基板上に、その基板中心方向に延ばして設けた構成と
した場合では、同じプリント基板を用いて、プリント基
板上のワイヤーボンド用のパッドとICチップ上のパッ
ド間を金属細線で接続してプリント基板上にICチップ
を搭載してなる半導体装置と、プリント基板上のバンプ
接続用のパッドとICチップとの間をICチップの下面
に設けられているバンプを接続してプリント基板上にI
Cチップを搭載してなる半導体装置とを得ることができ
るので、プリント基板の汎用化が図れる。これにより部
材在庫管理等が容易になるとともに、製造コストを下げ
て安価に提供することが可能になる。
【0027】また、先端にバンプ接続用のパッドを有す
るワイヤーボンド用のパッドを半田ボール形成用のラン
ド上に、そのランド中心方向に延ばして設けた構成とし
た場合では、同じランドを用いて、ランド上のワイヤー
ボンド用のパッドとICチップ上のパッド間を金属細線
で接続してICチップをランド上に搭載してなる半導体
装置と、ランド上のバンプ接続用のパッドとICチップ
との間をICチップの下面に設けられているバンプを接
続してICチップをランド上に搭載してなる半導体装置
とを得ることができるので、ランドの汎用化が図れる。
これにより部材在庫管理等が容易になるとともに、製造
コストを下げて安価に提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例装置に用いるプリント基板の一
例を示す概略縦断側面図である。
【図2】本発明の実施例装置に用いるICチップの一例
を示す概略側面図である。
【図3】本発明の実施例装置に用いるICチップの他の
例を示す概略側面図である。
【図4】本発明の第1の実施例装置の概略縦断側面図で
ある。
【図5】本発明の第1の実施例装置の下面図である。
【図6】本発明の第1の実施例装置の概略縦断側面図で
ある。
【図7】本発明の第1の実施例装置の下面図である。
【図8】図4に示した実施例装置の製造方法説明図であ
る。
【図9】図6に示した実施例装置の製造方法説明図であ
る。
【図10】本発明の第2の実施例装置の製造方法説明図
である。
【図11】本発明の第2の実施例装置の概略縦断側面図
である。
【図12】従来装置の下面図である。
【図13】従来装置の概略縦断側面図である。
【符号の説明】
11A ICチップ 11B ICチップ 12 バンプ 13 プリント基板 14 ワイヤボンド用のパッド 15 バンプ接続用のパッド 16 金属細線(ボンディングワイヤ) 17 樹脂部 18 半田ボール 20A 通常の半導体装置 20B ミラータイプの半導体装置 23 プリント基板 23A 上基板 23B 下基板 24 窓 26 ワイヤボンド用のパッド 27 スルーホール 28 樹脂

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント基板上に搭載されたICチップ
    を樹脂材で封止してなる半導体装置において、 先端にバンプ接続用のパッドを有するワイヤーボンド用
    のパッドを前記プリント基板上に、その基板中心方向に
    延ばして設けたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記プリント基板の下面に半田ボールを
    設けた請求項1に記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 プリント基板上に搭載されたICチップ
    を樹脂材で封止してなる半導体装置の製造方法におい
    て、 先端にバンプ接続用のパッドを有するワイヤーボンド用
    のパッドを前記プリント基板上に、その基板中心方向に
    延ばして設けておき、 前記同一プリント基板を使用して前記プリント基板上の
    前記ワイヤーボンド用のパッドと前記ICチップ上のパ
    ッド間を金属細線で接続したICチップの搭載方式を用
    いた半導体装置と、前記ICチップの下面に設けられて
    いるバンプを前記バンプ接続用のパッドに接続したIC
    チップの搭載方式を用いた半導体装置を択一的に形成で
    きるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 対向する面を互いに電気的に導通させて
    積層されているとともに、一方には上下方向に貫通して
    いる窓が設けられている上下一対の半田ボール形成用の
    ランドと、 前記窓を通して他方のランド上に配設されるICチップ
    と、 先端にバンプ接続用のパッドを有して前記窓と対応され
    た前記他方のランド上に、そのランド中心方向に延ばし
    て形成されたワイヤーボンド用のパッドと、 前記上下ランドのうちの少なくとも一方の面に設けられ
    た半田ボールとを備えたことを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項5】 先端にバンプ接続用のパッドを有するワ
    イヤーボンド用のパッドをランド上に、そのランド中心
    方向に延ばして設けておき、 前記ランド上の前記ワイヤーボンド用のパッドと前記I
    Cチップ上のパッド間を金属細線で接続したICチップ
    の搭載方式を用いた半導体装置と、 前記ICチップの下面に設けられているバンプを前記バ
    ンプ接続用のパッドに接続したICチップの搭載方式を
    用いた半導体装置を択一的に形成できるようにしたこと
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909055A (en) * 1996-08-27 1999-06-01 Nec Corporation Chip package device mountable on a mother board in whichever of facedown and wire bonding manners

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909055A (en) * 1996-08-27 1999-06-01 Nec Corporation Chip package device mountable on a mother board in whichever of facedown and wire bonding manners
US5969417A (en) * 1996-08-27 1999-10-19 Nec Corporation Chip package device mountable on a mother board in whichever of facedown and wire bonding manners

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