JPH07169120A - 高密度記録媒体及びその記録再生装置 - Google Patents

高密度記録媒体及びその記録再生装置

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JPH07169120A
JPH07169120A JP5316124A JP31612493A JPH07169120A JP H07169120 A JPH07169120 A JP H07169120A JP 5316124 A JP5316124 A JP 5316124A JP 31612493 A JP31612493 A JP 31612493A JP H07169120 A JPH07169120 A JP H07169120A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 STMを用いて高密度に信号を記録する方
法。記録した信号ピットとカンチレバー制御信号との干
渉を防げる信号記録再生装置。 【構成】 記録媒体上での信号記録再生部分と、プロー
ブ駆動用のSTM電流を検出する部分を分離し、互いの
信号が干渉し合わないようにし、それぞれの部分から独
立に信号を検出するようにしたもの。 【効果】 外部からの振動に影響を受けず、かつ制御信
号と情報信号の干渉のない再生信号を得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は探針の先端と基板表面と
の間に流れるトンネル電流により、基板表面に微細な記
録ビットを形成する極めて記録密度の高いメモリに記録
装置及びその記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、微細な探針を基板表面に極めて近
接させたときに流れるトンネル電流を検出して表面の凹
凸を検出する、いわゆるSTM(Scanning Tunnel Micr
oscope)が表面の微細な形状評価に用いられて来てい
る。さらに近年ではこのSTMを用いて基板表面に原子
オーダーの凹凸を形成して記録を行おうとする試みがな
されている。
【0003】STMは通常、図5に示すように、円筒型
に圧電素子27、28、29を配置したアクチュエータ
ー30の先端にチップ31を配置し、このチップを表面
に近接させたときに流れるトンネル電流を検出して、表
面の凹凸を測定する構造になっている。
【0004】そしてこのチップに大きな電流を流すと、
基板材料に微細なクレーター状の穴を明けることがで
き、記録を行うことが可能である。また記録はクレータ
ー状の穴を明けるだけでなく磁性状態の変化や誘電率の
変化などを利用して行うことが可能であるが、これらは
例えば文献(日経マイクロデバイス1991年7月号P
89)に詳しい。
【0005】また、このSTMの原理を用いて記録装置
を構成する試みが、特開平4−206536に示されて
いる。この例は、チップを複数個並べた構造体を圧電素
子に取り付け、並列的に駆動することで信号を記録再生
しようとするものである。
【0006】また、このSTMのチップを磁気ハードデ
ィスクの記録に用いられる浮上式スライダーに取り付け
て記録を行う方法が特開平4−157644に示されて
いる。また、我々はスライダーとカンチレバーを一体に
形成する方法を特願平4−328256で提案した。
【0007】ところで現在、STM信号を検出するには
通常2通りの方法が知られている。その一つは、STM
信号電流を一定に保って走査を行う方法である。即ちS
TM電流を検出し、その電流が一定になるようにプロー
ブの高さを圧電素子等で制御する。このとき、表面の凹
凸情報はその圧電素子の制御電圧から得られる。この方
法は測定のダイナミックレンジを大きく取れるという利
点があり広く用いられている。もう一つの方法は、プロ
ーブの高さを一定に保って走査を行う方法である。即ち
プローブと測定試料表面の高さを一定に保ったまま走査
を行い、その時のSTM電流の大きさから表面の凹凸情
報をえる方法である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記の2つの方法を、
STMを用いた記録装置に応用しようとした時には、以
下のような問題点が生じる。まず、前記2種類の方法で
は、外部からの振動に極めて弱いという欠点がある。こ
れはどちらも外部の振動によりプローブあるいは試料が
振動すると、それがそのまま凹凸情報として検出されて
しまうからである。
【0009】STM電流一定の方法であれば、外部振動
によってプローブもしくは試料が振動すると、これを補
正しようとする方向に圧電素子が駆動され、それが凹凸
情報として認識されるから、誤った凹凸情報が検出され
る。プローブ高さ一定の方法でも同じことで、外部の振
動が加わってプローブが振動するとこれによるSTM電
流の変化が直接凹凸として検出されるので、やはり誤っ
た凹凸情報が検出される。
【0010】従って従来はこれを防ぐため、外乱を極力
遮断するように、測定装置全体を除振装置上に設置する
必要があったため、装置全体が大きく、重くかつ高価に
ならざるを得なかった。
【0011】また、もう一つの問題点として、STM電
流一定の方法によって記録再生を行おうとすると、記録
信号が圧電素子駆動用の信号に外乱を与えるという点が
ある。即ちピットを記録するときにはプローブに大きな
電圧をかけて電流を流す。このときの電流は通常のST
M電流より大きな電流が流れる。またピットの信号のパ
ターンにともなって断続的に流れるために、記録を行っ
ている間はプローブと試料との間隙を一定に保つため
の、定常的なSTM電流を検出することができない。従
ってプローブと試料の間隙を一定に保っておくことが困
難となる。
【0012】再生の時は、ピットが記録されている領域
ではピットの凹凸によりSTM電流が変化する。STM
電流一定の方式の場合、この変化に応じてピットの凹凸
に追従してプローブが上下する必要があるが、記録信号
を非常に高密度で記録し、これを高速で再生しようとす
ると、再生信号の周波数は数MHz〜数GHzのオーダ
ーに達し、プローブがこれに追従するのは容易ではな
い。
【0013】プローブ高さ一定の方式ではSTM電流の
変化を検出すれば良いので、高速の再生は比較的容易で
あるが、この場合、プローブの高さがある一定の範囲に
ないとSTM電流を検出できないため、プローブと試料
の間隙がある一定の範囲に収まる領域に限られるという
欠点がある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では記録媒体上での信号記録再生部分と、プ
ローブ駆動用のSTM電流を検出する部分を分離し、互
いの信号が干渉し合わないようにし、それぞれの部分か
ら独立に信号を検出するようにしたものである。
【0015】
【実施例】図1に本発明の実施例を示す。1はシリコン
の単結晶で構成されたスライダーで、その先端にカンチ
レバー2が取り付けられている。カンチレバー2の先端
にはチップ3が形成され、このチップ3によってSTM
信号の記録、再生が行われる。基板4上には記録媒体5
が設けられ、記録媒体5にSTMによる信号が記録され
る。
【0016】基板4としてはAlまたはその合金、ガラ
ス、セラミックを用いることができる。また基板4の表
面は記録ビットの小ささ、及びSTMによる信号の記録
再生を考慮すると、極めて滑らかな面に仕上げておく必
要があるが、前述の基板材料に関して言えば、例えば、
研磨材を含んだ水溶液中で、基板表面に回転するポリウ
レタン球を押し付け、ポリウレタン球と基板との間に流
体及び研磨剤の流れを構成し、その研磨剤の流れによっ
て表面を研磨するEEM(Elastic Emission Machinin
g)を利用することができる。このような方法によれば、
加工面をおよそ数nm以下の面粗さに仕上げることが可
能である。ここでは基板4の表面の粗さはおおよそ10
nm以下に、さらに望ましくは1nm以下の面粗さに仕
上げておくのが望ましい。
【0017】記録媒体5としては金属薄膜、半導体薄
膜、アモルファス薄膜、磁性材料薄膜を用いることが可
能である。特に記録媒体5としてカーボン薄膜を用いる
と良好な記録膜を得ることが可能となる。これはカーボ
ン薄膜の表面が安定であり酸化されないことによる。ま
た仮に酸化しても酸化物はC02,またはCOとなって
表面から離脱し、表面に酸化物の層を形成しないからで
ある。またカーボン薄膜は電気伝導性があり、STM電
流を表面に流すのに都合が良い。金属薄膜を用いると、
電伝導性は有するが、多くは表面が酸化しやすく特に原
子オーダーで見た場合にはたやすく酸化されて酸化皮膜
が形成される場合が多い。酸化物(SiO,SiO2
Al23)や窒化物(AlN,SiN,TiN)などの
絶縁材料は表面が安定であるが電気伝導性を有さないた
めSTM信号を利用するのには適さない。
【0018】記録媒体5としてのカーボン薄膜を形成す
る方法としては、前述したような方法で石英、ガラス、
セラミック等の基板をまず研磨して表面の粗さを原子オ
ーダーまで低減させる。この場合、表面は粗さを低減さ
せるだけでよく、平面度まで矯正する必要はない。大き
なうねりは後述する方法でプローブが追随するからであ
る。表面粗さは1nm以下、望ましくは0.1nm以下
に仕上げるのが良い。次にこの表面にカーボン薄膜を蒸
着、あるいはスパッタで形成する。ここでSTMによる
記録によって、大きな電流を流してカーボン薄膜の底ま
で記録を行うような方法を用いることができるがこの場
合、厚さは1nm以下が望ましい。
【0019】それほど大きな電流を流さずに記録して、
カーボン薄膜の表面層のみにピットを形成するような方
法も用いることができ、この場合はカーボン薄膜の厚さ
は1nm以上より厚くて良く、たとえば10nm程度に
設定することができる。次にカーボン薄膜の表面を再度
研磨する。これは蒸着やスパッタで荒れた表面を整える
目的があり、場合によっては不要であるが、研磨を行っ
て表面の粗さを低減することにより、より良い信号品質
を得ることが可能である。
【0020】図2に本発明による記録領域の構造を示
す。プローブ6の先端にチップ7が形成され、チップ7
によって記録が行われるわけであるが、記録媒体8の表
面は、2種類の領域9と10に分けられる。領域9はS
TMによる記録を行わない無記録領域であり、領域10
は記録を行う記録領域である。記録媒体8の表面はこれ
ら2種類の領域に記録の方向に分割され、交互に配置さ
れる。無記録領域9には記録を行わず、この領域でST
M電流を検出する。記録領域10には信号のアドレス情
報、または情報信号そのものを記録する。
【0021】無記録領域9は記録領域10と交互に配置
されているので、無記録領域9で検出されたSTM電流
は離散的な値になる。これを逐次サンプルホールドし、
低周波フィルターを通すことで、連続的なSTM電流と
等価な信号を得ることができる。この信号が一定になる
ようにプローブ6を圧電素子(図示せず)を駆動する
と、チップ7が記録媒体8から常に一定の間隙を保って
いるように制御することが可能である。
【0022】ある無記録領域9−1と次の無記録領域9
−2の間隔は、記録媒体8のうねりの特性によって決定
される。すなわち無記録領域9−1から無記録領域9−
2にいたる間に生じる記録媒体8の垂直方向へのうねり
が、STM電流を正常に検出できる範囲に収まるように
無記録領域9−1と9−2の間隔を定める。通常基板に
は大きなうねりは存在するが微小な範囲でのうねりは小
さく、特に前述したように表面粗さを1nm以下に仕上
げるように研磨を行うと、これは非常に小さく押えられ
る。従ってSTM電流を離散的に検出しても、そのサン
プリング周波数を基板のうねりの空間周波数帯域より大
きく取ることでプローブを制御する事が可能となる。
【0023】図3に本発明による信号記録再生装置のブ
ロックダイアグラムを示す。図4にそのときプローブに
印加される電圧Vp及びプローブに流れる電流Ipを示
す。記録媒体に信号を記録するにはこれに先立ち、情報
のアドレス信号をまず記録しておく(フォーマットして
おく)必要がある。このためには図3のアドレス信号生
成部12からアドレス信号を発生させスイッチ23を切
り替えてアドレス信号を記録電圧生成部14に送る。記
録電圧Vpはスイッチ25を介して駆動アンプ18によ
りプローブ(図示せず)に印加される。記録を行う間の
STM信号のサンプリングタイミングはアドレス信号生
成部12と同期してタイミング発生部13で発生させら
れ、スイッチ24を介してサンプルホールド部20に与
えられ、この信号のタイミングによりサンプリングが行
われ、その電圧はローパスフィルター21を通って制御
回路22によりプローブの圧電素子(図示せず)駆動の
信号が生成され印加される。なお制御回路には、負帰還
の際の基準電圧生成部、基準電圧との差動増幅器、位相
補償回路、利得制御回路を含めることができる。
【0024】アドレス信号記録時の記録電圧Vp、及び
そのとき得られるSTM電流Ipの波形は図4の″アド
レス記録時″に示すことができる。アドレス信号は記録
領域24のアドレス部25に記録される。このとき記録
電圧Vpはアドレス部分25ではVp2とよりとそれよ
り低いレベルの間で、信号に従って変調される。ここで
図4ではより低いレベルは便宜的にVp1としてあるが
他の大きさでも良い。アドレス記録部分25では記録時
には記録信号に応じた大きな電流Ip2が流れる。アド
レス記録部分25以外では印加電圧Vpは正常なSTM
信号の得られるレベルVp1に保たれ、プローブの駆動
用のSTM電流は無記録領域23でサンプリングされた
電流Ip1により得られる。このようにして、記録媒体
上にアドレス信号を記録しておくことができる。
【0025】次に情報信号を記録する方法を説明する。
記録すべき記録データが図3のデータ変調部11に加え
られ、記録信号を発生させスイッチ23を切り替えて記
録信号を記録電圧生成部14に送る。記録電圧Vpはス
イッチ25を介して駆動アンプ18によりプローブ(図
示せず)に印加される。記録を行う間のSTM信号のサ
ンプリングタイミングは、STM電流検出器19からの
信号をデータ復調部16に与え、アドレス信号を復調
し、その信号をタイミング発生部17に与え、アドレス
信号のタイミングから発生させられ、スイッチ24を介
してサンプルホールド部20に与えられる。この信号の
タイミングによりサンプリングが行われ、その電圧はロ
ーパスフィルター21を通って制御回路22によりプロ
ーブの圧電素子(図示せず)駆動の信号が生成され印加
される。
【0026】データ信号記録時の記録電圧Vp、及びそ
のとき得られるSTM電流Ipの波形は図4の″データ
記録時″に示すことができる。データ信号は記録領域2
4のデータ記録部分26に記録される。このとき記録電
圧Vpはデータ記録部分26ではVp2とそれより低い
レベルの間で、信号に従って変調される。ここで図4で
はより低いレベルは便宜的にVp1としてあるが他の大
きさでも良い。データ記録部分26では記録時には記録
信号に応じた大きな電流Ip2が流れる。データ記録部
分26以外では印加電圧Vpは正常なSTM信号の得ら
れるレベルVp1に保たれ、プローブの駆動用のSTM
電流は無記録領域23でサンプリングされた電流Ip1
により得られる。アドレス信号はアドレス記録部分25
でSTM電流Ipを検出することにより得られる。この
ようにして、記録媒体上にデータ信号を記録することが
できる。
【0027】記録されたデータの再生は以下のようにし
て行うことができる。再生電圧が再生電圧生成部15で
生成されスイッチ25を介して駆動アンプ18に送られ
る。再生電圧は通常図4″再生時″に示すように、全領
域で一定の値Vp1をとる。再生を行う間のSTM信号
のサンプリングタイミングは、STM電流検出器19か
らの信号をデータ復調部16に与え、アドレス信号を復
調し、その信号をタイミング発生部17に与え、アドレ
ス信号のタイミングから発生させられ、スイッチ24を
介してサンプルホールド部20に与えられる。この信号
のタイミングによりサンプリングが行われ、その電圧は
ローパスフィルター21を通って制御回路22によりプ
ローブの圧電素子(図示せず)駆動の信号が生成され印
加される。
【0028】データ信号再生時の記録電圧Vp、及びそ
のとき得られるSTM電流Ipの波形は図4の″データ
再生時″に示すことができる。プローブの駆動用のST
M電流は無記録領域23でサンプリングされた電流Ip
1により得られる。アドレス信号はアドレス記録部分2
5でSTM電流Ipを検出することにより得られる。デ
ータ信号はデータ記録部分26でSTM電流Ipを検出
することにより得られる。このようにして、記録媒体上
からデータ信号を再生することができる。
【0029】なおデータ記録時、データ再生時には、S
TM電流のサンプリングのタイミングは再生したアドレ
ス信号から生成しているので、アドレスが再生されない
とサンプリングも行えず、サンプリングが行えないとア
ドレスの再生も行えないという矛盾が生じる。この場合
には図3には図示していないが、最初にプローブを接近
させてゆき、大まかにアドレス信号を検出してタイミン
グを発生させるようにすれば良い。このためにアドレス
信号は再生信号品質が悪い状態でも検出できるように、
冗長度の高い変調方法にしておくのが望ましい。
【0030】またここでは信号の記録再生に凹凸を形成
し、トンネル電流を用いて信号を再生する方法について
説明したが、記録再生の原理についてはこれに限る事な
く、他の原理を用いた記録再生方法に適用することが可
能である。例えば原子間力を用いたAFM(Atomic For
ce Microscope)や磁気力を用いたMFM(Magnetic For
ce Microscope)などに同じように応用することが可能で
ある。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、プローブと記録媒体の
間隙が、平均的にある一定量になるように制御されるの
で、外部の振動に対し極めて強固にロックされ、振動に
対して強くなる。もちろん無記録領域と次の無記録領域
の間ではプローブは、サンプリングされた駆動電圧で保
持されているのみであるが、この間隔を十分短く取るこ
とで振動の影響を受けないようにすることが可能であ
る。即ち図1に示したようなカンチレバーでプローブを
構成し、カンチレバー極めて短く作れば、その共振周波
数は極めて大きくなり、外部振動の影響を受けにくくな
る。
【0032】さらにデータ信号の検出はSTM電流の検
出によって行うので、高速な検出が可能であり、STM
電流一定の方法で検出する時のように、高速でプローブ
を動かす必要がない。また記録信号、再生信号の領域と
プローブ制御信号をサンプリングする領域とを分離して
いるのでこれらが干渉せず安定した制御系、信号検出系
を構成できる。このため、記録媒体の表面に原子オーダ
ーの大きさの微細な凹凸を形成し、その凹凸情報を信号
として再生することが安定的に可能となるため、極めて
大容量の情報記録装置を構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるスライダー、カンチレバーの構造
図である。
【図2】本発明による記録再生領域を示す図である。
【図3】本発明による信号制御回路ダイアグラム。
【図4】本発明による記録再生時の信号波形図である。
【図5】従来のSTM装置を示す図である。
【符号の説明】
1 スライダー 2 カンチレバー 3 チップ 4 基板 5 記録媒体 6 プローブ 7 チップ 8 記録媒体 9 無記録領域 10 記録領域
フロントページの続き (72)発明者 石井 頼成 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】微細なプローブにより記録媒体表面に凹凸
    を形成して情報を記録する記録媒体であって、前記記録
    媒体が凹凸を有さない無記録領域と、前記無記録領域に
    隣接した記録領域を有することを特長とする高密度記録
    媒体
  2. 【請求項2】微細なプローブにより記録媒体表面に凹凸
    を形成して情報を記録再生する装置であって、上記プロ
    ーブに流れるトンネル電流を離散的にサンプルホールド
    し、サンプルホールドした信号を用いてトンネル電流が
    一定になるようにプローブの高さを制御し、トンネル電
    流を離散的にサンプリングする間に、トンネル電流の増
    減を検出することによって記録された情報信号を検出す
    ることを特徴とする記録再生装置。
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