JP3246987B2 - マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置 - Google Patents

マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置

Info

Publication number
JP3246987B2
JP3246987B2 JP21312093A JP21312093A JP3246987B2 JP 3246987 B2 JP3246987 B2 JP 3246987B2 JP 21312093 A JP21312093 A JP 21312093A JP 21312093 A JP21312093 A JP 21312093A JP 3246987 B2 JP3246987 B2 JP 3246987B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
circuit
signal
recording
probes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP21312093A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06208735A (ja
Inventor
高弘 小口
明彦 山野
勝則 畑中
俊一 紫藤
邦裕 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP21312093A priority Critical patent/JP3246987B2/ja
Priority to US08/117,675 priority patent/US5471458A/en
Priority to DE69325860T priority patent/DE69325860T2/de
Priority to AT93114502T priority patent/ATE183012T1/de
Priority to EP93114502A priority patent/EP0587165B1/en
Publication of JPH06208735A publication Critical patent/JPH06208735A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3246987B2 publication Critical patent/JP3246987B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q70/00General aspects of SPM probes, their manufacture or their related instrumentation, insofar as they are not specially adapted to a single SPM technique covered by group G01Q60/00
    • G01Q70/06Probe tip arrays
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01QSCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q80/00Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86Scanning probe structure
    • Y10S977/861Scanning tunneling probe
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86Scanning probe structure
    • Y10S977/874Probe tip array
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/902Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/943Information storage or retrieval using nanostructure
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/902Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/953Detector using nanostructure

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は複数のプローブと記録媒
体との物理的相互作用により情報の書き込みまたは読み
出しを行う記録再生装置、あるいは走査型トンネル顕微
鏡(STM)あるいはSTMを応用した情報処理装置に
関し、より詳しくは、記録再生に用いられる複数のプロ
ーブの制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、導体の表面原子の電子構造を直接
観察できる走査型トンネル顕微鏡(以後、STMと略
す)が開発され[G. Binnig et al. Phys. Rev. Lett,
49, 57 (1982) ]、単結晶、非晶質を問わず実空間像の
高い分解能の測定ができるようになった。
【0003】STMは金属の探針(プローブ電極)と導
電性物質間に電圧を加えて1nm程度の距離まで近付け
るとトンネル電流が流れることを利用している。この電
流は両者の距離変化に非常に敏感である。トンネル電流
を一定に保つように探針を走査することにより実空間の
全電子雲に関する種々の情報をも読み取ることができ
る。このとき面内方向の分解能は0.1nm程度であ
る。
【0004】したがって、STMの原理を応用すれば十
分に原子オーダー(サブ・ナノメートル)での高密度記
録再生を行うことが可能である。例えば、特開昭61−
80536号公報に開示されている記録再生装置では、
電子ビーム等によって媒体表面に吸着した原子粒子を取
り除く書き込み動作を行い、STMによりこのデータを
再生している。
【0005】また記録層として電圧電流のスイッチング
特性に対してメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有
機化合物やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録
・再生をSTMで行う方法が以下に提案されている[特
開昭63−161552号公報、特開昭63−1615
53号公報]。
【0006】上記の方法によれば、記録のビットサイズ
を10nmとして、1012bit/cm2もの大容量記
録再生が可能である。さらに、小型化を目的として複数
のプローブを半導体基板上に形成し、これと対向する記
録媒体を変位させて記録を行う装置が以下に提案されて
いる(特開平1−196751号公報)。
【0007】複数のプローブによって、記録,再生を行
う装置においては、例えば、1cm 2角のシリコンチッ
プ上に、1プローブ当たり400Mbitの記録再生能
力を有する2500本のプローブを50×50のマトリ
ックス配置したマルチプローブヘッドと上述したメモリ
効果を持つ材料を組み合わせることにより、総記録容量
1Tbitのディジタルデータの記録再生が行える。
【0008】この時、プローブを長さ数100μm程度
のカンチレバー(片持ちばり)状に構成し、駆動する方
法が考えられている。従来このようなカンチレバーの作
製法としては、半導体プロセスを応用し、一つの基板上
に微細加工を施す加工技術を用いて圧電体薄膜、金属膜
等の多層構造を有するカンチレバーを作製する方法があ
った(T. R. Albrecht et al. "Microfabrication of in
tegrated scanning tunneling microscope" Procedding
s of 4th International Conference on scanning tunn
eling microscope/spectros copy 1990)。
【0009】このようなトンネル電流あるいは電界放射
電流を用いた情報処理装置は、プローブと試料間の距離
を一定に保つ機能を有していた。この機能を有する情報
処理装置の信号処理回路としては、たとえば日経マイク
ロデバイス1986年11月号81頁から97頁に述べ
られている。このような信号処理回路ではトンネル電流
が、
【0010】
【数1】 (但し、I:トンネル電流、z:プローブ−試料間の距
離、k:定数)の関係式で表せることを用いて、検出ト
ンネル電流を対数変換してサーボ回路に入力し、トンネ
ル電流を一定にするようなサーボ回路出力によりプロー
ブと試料間の間隔制御を行っていた。この式でkとして
一定とされている値はプローブ先端のTipと試料の仕
事関数を反映した値であり、STMプローブの汚染等に
より変化することが知られている(Journal of microsc
opy Vol. 152 .pti 1988 .p129-135)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
複数のプローブを有するマルチプローブヘッドとこれに
対向する媒体を組み合わせて記録再生等の情報処理を行
うためには以下の問題点があった。
【0012】(1)記録再生等の情報処理時には、マル
チプローブヘッドの各プローブと対向する媒体間の距離
(Z方向)を精度よく制御する必要がある。このため
に、例えば各プローブ毎にプローブと媒体間のZ方向制
御を行う制御系をそれぞれ設け、各制御系からなる制御
部をプローブヘッドの外に設けることが考えられる。こ
の場合には、マルチプローブヘッドを小さく構成するこ
とができても装置外部に置かれる制御部がプローブの本
数分だけ大型となり、STMの特徴を生かした小型の情
報処理装置の実現が困難になるという問題点がある。
【0013】(2)また複数本のプローブをICプロセ
ス等の微細加工で作製する場合、加工プロセスのばらつ
きを避けることはできない。このプロセスばらつきは、
例えば圧電体カンチレバー等のアクチュエータの変位感
度のばらつきやプローブ先端のTip(ティップ)の感
度すなわち、仕事関数値のばらつきを招き、トンネル電
流あるいは電界放射電流を用いた情報処理装置で情報処
理を行う上で障害になっていた。すなわちプローブ毎の
表面凹凸信号の明度変化ばらつきを引き起こし、記録再
生装置においては再生信号振幅のプローブ毎ばらつきを
招き、再生エラーを引き起こすという問題点がある。
【0014】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、小型で高精度
のマルチプローブの制御回路を提案し、これを具備する
各種情報処理装置を実現することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の情報処理装置
は、複数本のプローブからなるマルチプローブと、前記
複数のプローブのそれぞれに設けられ、各プローブを移
動させて前記媒体との距離を変える複数のアクチュエー
タと、プローブと媒体との間の物理現象により生じる信
号を検出すると共に、前記信号に基づいて前記アクチュ
エータを制御する単一の制御回路と、前記複数のプロー
ブのうちの一つとそれに対応するアクチュエータを順次
選択し、前記制御回路と接続する選択回路と、からなる
マルチプローブ制御回路と、 前記検出信号より媒体上の
情報を示す再生信号を生成する単一の再生回路と、前記
選択したプローブに対応した前記再生回路の出力を補正
する補正回路とを有することを特徴とする
【0016】この場合、前記補正回路は、各プローブ毎
の補正値をストアするメモリを有することとしてもよ
い。
【0017】また、前記プローブに記録信号を供給する
記録回路と、前記記録回路と前記複数のプローブのうち
の一つとを順次接続する切り替え回路と、前記選択した
プローブに応じて前記記録信号を補正することとしても
よい。
【0018】さらに、前記補正回路は、各プローブ毎の
補正値をストアするメモリを有していることとしてもよ
い。
【0019】
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【作用】媒体と各プローブとの間の距離等の制御につい
て、各プローブ毎に異なる補正が補正回路によって共通
になされるので、各プローブの仕事関数値にばらつきが
あっても、各プローブの制御性能にばらつきが生じるこ
とがない。
【0028】上記のような各プローブについての補正
は、選択回路および切り替え回路によって順次切り替
え、共通の補正回路によって行われるので、各プローブ
のそれぞれに制御系を設ける必要がなく、装置が大型化
することはない。
【0029】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0030】実施例1 図1は、本発明の第1の実施例におけるマルチプローブ
の制御回路の構成例を示す図である。
【0031】本実施例に示す制御回路は、トンネル電流
を検出する複数本のプローブを対向する媒体との間の距
離を制御する回路に関するものである。
【0032】本実施例では制御CPU114を用いて、
各プローブからのトンネル電流信号をデジタル信号に変
換し、この信号から制御CPU114からのタイミング
により各プローブを順次Z方向制御する制御信号を発生
するデジタルサーボ系を構成した。
【0033】図1を用いてマルチプローブのZ方向制御
について詳細に説明する。
【0034】マルチプローブ101を構成する複数のプ
ローブ1011,1012,・・・,101nのそれぞれ
は、選択回路102と接続されている。選択回路102
は制御CPU114からのタイミングにしたがい各マル
チプローブ1011〜101nのうちのいずれか一本、例
えばn番目のプローブを選択する。選択されたn番目の
プローブにて検出されたトンネル電流信号Inは電圧値
変換された後に、A/D変換器103にてデジタル値I
n(t)に変換される(tは、所定のサンプリング時
刻)。
【0035】デジタル化されたトンネル電流信号は、対
数変換回路104により、プローブ−媒体間の距離に対
する線形化信号に変換される〔図中:logIn
(t)〕。対数変換回路104の出力は、サーボ回路の
設定値との比較器105に入力され、誤差信号〔図中:
errn(t)〕となる。このとき、制御CPU114
は選択しているプローブの番号メモリ111をアドレッ
シングし、メモリ111はプローブ番号に応じた補正量
(g1〜gn)を補正回路106に出力する。
【0036】補正回路106は、比較器105出力er
rn(t)にメモリ111からの補正係数gnを乗じ、
補正誤差信号〔図中:en(t)〕とする。107はこ
の補正誤差信号をゼロとする距離制御信号〔図中:Un
(t)〕を生成する制御回路で、具体的にはPI(Prop
ortional+Integral)制御回路である。このPI制御回
路107はメモリ112,113にストアされたサンプ
リング時刻(t−1)における距離制御信号及び補正誤
差信号データと、サンプリング時刻(t)における補正
誤差信号en(t)から時刻(t)における新たな距離
制御信号Un(t)を生成する。同時にメモリ112,
113の値を更新する。
【0037】距離制御信号Un(t)は、D/A変換器
108で再びアナログ信号に変換された後、切り替え回
路109により対応する番号のプローブをZ方向に駆動
するアクチュエータ(不図示)に印加される。制御CP
U114は順次選択するプローブを切り替え、全てのプ
ローブのZ方向制御をする。なお、一度アクチュエータ
に信号が印加された後、再び同じアクチュエータに信号
が印加されるまでの間、アクチュエータはフローティン
グ状態になる。この間はアクチュエータの電極間の容量
により制御電圧が保持されており、アクチュエータの変
位は保たれる。
【0038】上記の103〜108までのディジタル演
算/変換回路は、サンプリング周期に対し、それぞれ十
分に速い速度で動作させてもよいが、それぞれの各演算
毎にデータ保持メモリを設ける、いわゆるパイプライン
処理を行ってもよい。パイプライン処理を用いることに
よって103〜108の各演算/変換回路は動作周波数
をサンプリング周波数まで低速化できるため、回路の小
型化、低コスト化が図られる。
【0039】図2は、図1に示した制御回路構成図の制
御系をブロック線図表示したものである。
【0040】ここで図1のサーボ制御系はディジタルサ
ーボ系であるものの、通常サンプリング間隔が数μse
cと制御信号帯域に比べて十分低いためアナログサーボ
系と近似して考えてもよい。図2により図1の補正回路
の動作を詳細に説明する。
【0041】Ga(s):200は、マルチプローブの
変位→トンネル電流変換特性を示すブロック、Gb
(s):201は対数変換回路特性を示すブロック、G
c(s):202は補正回路を示すブロック、Gd
(s):203はPI制御回路を示すブロック、Ge
(s):204はマルチプローブのZ駆動素子の電圧→
変位変換特性を示すブロックである。ただしVBはプロ
ーブ媒体間のバイアス電圧、φ1〜φnは各プローブの
仕事関数値、G1(s)〜Gn(s)は各マルチプロー
ブのZ駆動素子の電圧→変位変換特性を示すブロック、
a,Kp,Kiは定数である。
【0042】前述した通り、プローブが複数本ある場
合、Z駆動素子の変位感度やプローブ先端のティップの
感度すなわち仕事関数値はばらつき、仕事関数値φ1〜
φn及びZ駆動素子の電圧→変位変換特性G1(s)〜
Gn(s)は各プローブ毎に異なる。
【0043】このとき図2の閉ループにおいてPI制御
回路23出力Unから対数変換回路21出力のVnへの
伝達特性を考えると、 Vn=Gb(s)×Ga(s)×Ge(s)×Un =log10{VB・exp(−a・φn1/2・Gn・Un)} =A・φn1/2・Gn・Un+B (A,Bは定数) と表される。
【0044】すなわち、プローブ毎のφ及びGのばらつ
きは、閉ループ伝達特性のゲインばらつきになり、この
ままPI制御回路203でサーボがかけられると個々の
プローブによってサーボの応答周波数が異なってしま
う。そこで、本実施例では補正回路202によりこのゲ
インばらつきを補正し、補正後の誤差信号をPI制御回
路203に入れることで全てのプローブを同程度の精度
でサーボ制御を行った。
【0045】前述のように補正回路202では、比較器
出力にプローブ毎異なる係数(:gn)を乗じている。
この係数の測定方法について説明する。
【0046】全てのプローブからトンネル電流が検出で
きる状態で制御CPU104は、Z駆動素子の応答周波
数以下のZ変調信号を発生し、全てのプローブをZ方向
を変調する(ΔUn)。このとき各プローブからの対数
変換回路出力(ΔVn)をモニタし、各プローブについ
てPI制御出力Unから対数変換回路出力の伝達特性G
multi=ΔVn/ΔUnを測定した。これが全てのプロ
ーブで一定になるように補正回路の係数を決定した。
【0047】図3は上記のような制御回路およびマルチ
プローブを備え、STMを用いた情報処理装置の一つの
実施形態の構成を示す図である。
【0048】301はマルチプローブヘッドであり、マ
ルチプローブヘッド301の作製について図4を用いて
説明する。
【0049】図4(a)は、マルチプローブヘッドの一
本のプローブ構造であり、図4(b)は、図4(a)中
A−Bの断面図である。
【0050】図中、401はSi基板、402,408
はSiNx層、403,405,407は駆動用電極、
404,406は圧電体薄膜、409はプローブ先端の
ティップ、410のティップ用電極である。
【0051】このカンチレバーは、バイモルフ構造を有
し逆圧電効果により電圧印加で変位する。以下にその作
製工程を記す。
【0052】まず、Si(100)基板(厚さ0.5μ
m)上に、CVD法によりSi34膜を0.15μmの
厚さに成膜した。使用した原料ガスはSiH212:N
3(1:9)であり、基板温度800℃であった。次
に、フォトリソグラフィー及びCF4ドライエッチング
により、Si34を所望の形状にパターニングした。続
いてCr0.0lμm,Au0.09μmを成膜し、フ
ォトリソグラフィー及びウェットエッチングによりパタ
ーニングした。
【0053】次に、スパッタ法で圧電体薄膜AlNを
0.3μm成膜した。ターゲットはAlを用い、Ar+
2雰囲気でスパッタした。さらにフォトリソグラフィ
ーとAl用エッチング液によるウェットエッチングでパ
ターニングした。その後上記工程を繰り返し、結局Si
基板−Au/Cr−AlN−Au/Cr−AlN−Au
/Crのバイモルフ構造を形成した。さらに保護層とし
てアモルファスSiNを0.15μmCVD法により成
膜した。その後、タングステン(W)ティップを蒸着法
で作製した後、KOHによるSiの異方性エッチングを
用いて、Si34がついていない部分を除去し、カンチ
レバーを作製した。最後にWティップをPtコーティン
グした。一本のカンチレバーの寸法は、長さ700×幅
230μmでZ方向の共振周波数3.3kHz,1V印
加時のバイモルフの平均変位量は1.75μmであっ
た。このカンチレバー型プローブを5×5ケ、計25個
マトリックス状に作製し、さらにSiウェハ上のカンチ
レバー型プローブ近傍にICプロセスを用いてトンネル
電流検出アンプを構成しマルチプローブヘッド301と
した。このとき光学的手法で25本のプローブの変位感
度を測定したところ約20%のばらつきがあった。
【0054】再び図3にもどりSTMについて説明す
る。302は観察する試料であり、これに接近してマル
チプローブヘッド301が対向している。マルチプロー
ブヘッド301は微動機構であるアクチュエータ30
3、さらに構造体309に取り付けられている。アクチ
ュエータ303は制御回路305が発生するアクチュエ
ータ制御信号S31によって制御される。
【0055】表面観察時、マルチプローブヘッド301
と試料302の間にバイアス電圧を印加した状態でアク
チュエータ303を傾きを補正しながら動かし、全ての
プローブからトンネル電流が流れる程度までマルチプロ
ーブヘッド301を試料302に近づける。さらに、図
1で詳細を説明したZ方向制御回路304により全ての
プローブと対向する試料302間の距離を一定とするよ
うにサーボをかける。この状態で制御回路305はXY
走査信号S32を発生する。XY走査信号S32は、構
造体309に取り付けられたXY走査機構310に印加
され、試料302の載った基台307を二次元に走査す
る。このとき、試料302の表面の微小な凹凸により変
化するトンネル電流が検出される。検出されたトンネル
電流を制御回路305に取り込み、XY走査信号S32
に同期させて処理することで25本のプローブからのS
TM像が得られた。
【0056】さらに、STM像に二次元FFT等の画像
処理を行い、25全画面分を合成してディスプレイ30
8に表示した。また観察場所を変えるときには、図示せ
ぬXY粗動機構により試料をXY方向に移動させ、所望
の領域にマルチプローブヘッド301を移動して観察を
行った。
【0057】本実施例においてZ方向制御回路304で
マルチプローブヘッド301からのトンネル電流信号を
補正してZ方向制御を行った。Z方向制御を行うための
補正データはメモリ311に格納し、図1で説明したよ
うなZ方向制御を行った。本実施例においては補正デー
タを得るために、試料の表面観察に先立って、広い面積
にわたって平坦なHOPG,Si等の標準試料にマルチ
プローブを対向させた。この標準試料上で全てのプロー
ブをZ方向に変調する(ΔUn)。このとき各プローブ
からのトンネル電流信号、さらに対数変換回路出力(Δ
Vn)をモニタし、各プローブからPI制御出力Unか
ら対数変換回路出力の伝達特性Gmulti=ΔVn/ΔU
nを測定し、補正量を決定した。この結果、約20%の
変位感度ばらつきが影響することなく、全てのプローブ
から同じようにSTM像が得られた。
【0058】本発明の走査型トンネル顕微鏡を用いるこ
とにより、複数本のプローブを有するマルチプローブヘ
ッドを小型制御回路で制御し、広い面積の試料を短時間
で表面観察を行うことが可能となった。
【0059】本発明で用いたカンチレバーはAlN,Z
nO等の圧電体薄膜、金属膜の薄膜を積層しているた
め、数Vの電圧印加により電圧破壊を起こしやすく、容
易に静電気や帯電等で圧電体薄膜の破壊を招いていた。
本実施例のようにサーボ系の入力部でゲイン補正を行う
場合、アクチュエータを絶縁破壊させることなく複数の
プローブを制御できるという実施例特有の効果がある。
【0060】なお、本実施例では、Z方向アクチュエー
タとして圧電体の逆圧電効果を利用したカンチレバー型
アクチュエータを用いたが、アクチュエータは、これに
限定されることなく、例えば静電力を用いたものでもよ
い。またSTMに代わり、マルチプローブを有する原子
間力顕微鏡(AFM)を用いて、プローブの弾性定数ば
らつきを補正する回路を有するプローブ−試料間の距離
制御回路に応用してもよい。
【0061】さらに、本発明では、補正回路としてZサ
ーボ回路の閉ループゲインを調整する回路を構成した
が、単なるゲイン調整だけでなく、制御対象であるアク
チュエータの機械的Q値のばらつきによる変位の過渡特
性を補正するフィルタ回路、位相補償等の補正回路を構
成してもよい。また、カンチレバーの反りのばらつきを
補正するため108のD/A変換器の入力に各カンチレ
バーの反り量に対応するオフセット値を重畳し補正して
する回路を設けてもよい。
【0062】実施例2 図5は、本発明による情報処理装置である記録再生装置
の第2の実施例の概略図である。
【0063】図中、501は記録媒体であり、これに接
近して実施例1と同様のマルチプローブヘッド502が
対向している。マルチプローブヘッド502は図示せぬ
積層型圧電素子等の微動機構に取り付けられ、微動機構
はマルチプローブヘッド502を記録媒体501に接近
させる。
【0064】また、503はXY走査回路、504,5
05は記録媒体501の載ったステージ506をそれぞ
れX方向,Y方向にそれぞれ駆動するアクチュエータで
ある。507は各プローブ毎のデータ入出力とZ方向制
御を行う制御回路である。
【0065】記録媒体501として、電圧電流のスイッ
チ特性に対し、メモリ効果をもつ材料を基板上に形成し
たものを用いた。本実施例では、ガラスや雲母等の平坦
な基板上に金をエピタキシャル成長させた基板を用意
し、この基板上に電圧電流のスイッチング特性に対しメ
モリ効果をもつ材料としてスクアリウム−ビス−6−オ
クチルアズレンを用い、ラングミュア・プロジェット法
(LB法)により、単分子膜2層の累積膜を基板電極上
に形成した。また記録媒体501上には凹状の溝もしく
は表面電子状態の異なるトラッキングパターン508が
刻まれている。そしてプローブのトンネル電流変化から
トラッキングパターンエッジ位置をトラッキング制御回
路509で検出し、トラッキングずれをトラッキングア
クチュエータ510で補正する。
【0066】この記録再生装置を用い、以下のように記
録再生の実験を行った。
【0067】マルチプローブヘッド502と試料の間に
バイアス電圧を100mV印加し、この状態で図示せぬ
積層型圧電素子等の微動機構により全てのプローブから
トンネル電流が流れる程度までマルチプローブヘッド5
02を記録媒体501に近づける。さらに制御回路50
7中にあり図1で詳細を説明したZ方向制御回路により
全てのプローブと対向する試料間の距離を一定とするよ
うにサーボをかけておく。この状態でXY走査回路50
3はXY走査信号S51を発生する。XY走査信号S5
1はアクチュエータ504,505に印加され、記録媒
体501が載置されたステージ506を二次元に走査す
る。
【0068】記録は以下のように行った。全てのプロー
ブから1nAのトンネル電流が流れる程度までサーボを
かけ、近づけておく。この状態で記録媒体501の所望
の位置までプローブを移動後、バイアス電圧を変調し、
6Vのパルス電圧をプローブ1と記録媒体3の間に印加
すると、瞬間的に約0.1μAの電流が流れる大きさ1
0nmφのビットが形成(記録)され、パルス電圧の印
加後、走査を行ったところ、その状態を保持した(再
生)。そこでこの低抵抗状態にあるビットを“1”に対
応づけ、高抵抗状態の“0”と区別する。そして記録デ
ータに符号器で“0”“1”のデータへのコード化を行
い2値化記録再生を行った。
【0069】本実施例でもマルチプローブからのトンネ
ル電流信号を補正してZ方向制御を行っている。このた
めの補正データはメモリ511に格納されている。本実
施例においては補正データを得るために、記録再生に先
立って記録媒体501上で全てのプローブをZ方向に変
調する(ΔUn)。このとき各プローブからのトンネル
電流信号、さらに対数変換回路出力(ΔVn)をモニタ
し、各プローブからPI制御出力Unから対数変換回路
出力の伝達特性Gmulti=ΔVn/ΔUnを測定し、補
正量を決定した。
【0070】実施例3 図6は、本発明の第3の実施例におけるマルチプローブ
の制御回路の構成例を示す図である。
【0071】本実施例に示す制御回路は、複数本のプロ
ーブにより検出されたトンネル電流を補正するものであ
る。
【0072】本実施例では制御CPU612を用いて、
各プローブからのトンネル電流信号をデジタル信号に変
換し、この信号から制御CPU612からのタイミング
により各プローブを順次Z方向制御する制御信号を発生
するデジタルサーボ系を構成し、各プローブの位置制御
を行いながらトンネル電流信号を検出した。
【0073】図6を用いて、まずマルチプローブのZ方
向制御について詳細に説明する。
【0074】プローブ番号6011〜601nで示される
マルチプローブヘッド601からのトンネル電流信号
は、選択回路602へ出力される。選択回路602は制
御CPU612からのタイミングにしたがいマルチプロ
ーブヘッド1から1本、例えばn番目のプローブを選択
する(図中601n)。選択されたn番目のプローブか
ら検出されたトンネル電流信号は電圧値変換された後、
A/D変換器603でA/D変換される〔In(t),
tはあるサンプリング時刻〕。
【0075】デジタル化されたトンネル電流信号は、対
数変換回路604により、プローブ−媒体(ないしはサ
ンプル)間の距離に対する線形化信号に変換される〔図
中:logIn(t)〕。対数変換回路604の出力
は、サーボ回路の設定値との比較器605に入力され、
誤差信号〔図中:en(t)〕となる。この誤差信号が
ゼロとなるようにPI(Proportional+Integral)制御
回路606は距離制御信号Un(t)を生成する。この
とき、PI制御回路606は、サンプリング時刻(t−
1)における距離制御信号Un(t−1)および誤差信
号データen(t−1)から時刻(t)における新たな
距離制御信号Un(t)を生成する。
【0076】距離制御信号Un(t)は、D/A変換器
607で再びアナログ信号に変換された後、切り替え回
路608により対応する番号のプローブをZ方向に駆動
するアクチュエータに印加される。制御CPU612
は、順次選択するプローブを切り替え、全てのプローブ
のZ方向制御をする。なお、一度アクチュエータに信号
が印加された後、再び同じアクチュエータに信号が印加
されるまでの間、アクチュエータはフローティング状態
になる。この間はアクチュエータの電極間の容量により
制御電圧が保持されており、アクチュエータの変位は保
たれる。上記のデジタル演算/変換回路は、サンプリン
グ周期に対してそれぞれ十分に速い速度で動作させても
よいが、それぞれの各演算毎にデータ保持メモリを設け
る、いわゆるパイプライン処理を行ってもよい。
【0077】一方、各プローブからのトンネル電流信号
は補正回路609により補正され、補正電流信号610
となる。この補正回路609の動作について説明する。
【0078】各プローブから検出されるトンネル電流信
号の対数変換出力は前述のようにプローブとこれに対向
する媒体ないしはサンプルの距離に比例する。STMで
はこれを検出信号として取り出して処理している。
【0079】このとき、対数変換回路604の出力は、 log In=log10{VB・exp(−a・φn1/2
z) =A・・φn1/2・z+B (a、A、Bは定数)と表される(ただし、VBはプロ
ーブ−サンプル間のバイアス電圧、φ1〜φnは各プロー
ブの仕事関数値、zはプローブ−媒体間の距離であ
る。)。
【0080】即ち、プローブ毎のφのばらつきは、対数
変換回路604の出力の振幅ばらつきになり、このまま
検出信号を取り出すとプローブ毎に検出信号のレベル差
が観測されてしまう。そこで、補正回路609は対数変
換回路604の出力のゲイン補正を行って、補正電流信
号610としてディスプレイに表示する。このためにメ
モリ611にプローブ毎に異なる係数(gn)をストア
し、各プローブからの対数変換回路604の出力に係数
を乗じて補正電流信号610とした。
【0081】この係数の測定方法について説明する。全
てのプローブからトンネル電流が検出できる状態で、制
御CPU612は、プローブヘッド全体をZ方向に並進
させるZ変調信号を発生し、全てのプローブをZ方向に
変調する(ΔZ)。このとき、各プローブからの対数変
換回路604出力(ΔVn)をモニタし、各プローブに
ついて高さZ変化に対する対数変換回路604出力の伝
達特性Gmulti=ΔVn/Zを測定した。これが全ての
プローブで一定となるように補正回路の定数gnを決定
した。
【0082】実施例4 次に、本発明の第4の実施例について説明する。
【0083】本実施例に示す制御回路は、複数本のプロ
ーブによる記録信号および再生信号を補正するものであ
る。
【0084】本実施例は、図5に示した第2の実施例の
記録再生装置のうち、制御回路を異なるものしたもので
ある。このため、図7には制御回路の構成のみを示し、
記録再生装置の構成および動作の説明は省略する。
【0085】本実施例でもマルチプローブからのトンネ
ル電流信号を補正して信号再生記録を行っている。図7
を用いてこの制御回路を説明する。
【0086】本実施例でも制御CPU718を用いて、
各プロ−ブからのトンネル電流信号をデジタル信号に変
換し、この信号から制御CPU718からのタイミング
によリ各プロ−プを順次Z制御する制御信号を発生する
デジタルサーボ系を構成し、各プロ―ブの位置制御を行
いながらトンネル電流信号を検出した。プローブ番号7
011〜701nで構成されるマルチプロ−ブヘッド70
1からのトンネル電流信号は、選択回路702に出力さ
れている。選択回路702は制御CPU718からのタ
イミングに従いマルチプローブヘッド701から―本、
例えばn番目のプロ−ブを選択する(図中:70
n)。Inは、A/D変換器703、対数変換回路7
04により、プローブ−媒体間の距離変化に対して線形
な信号となる〔図中:log In(t)〕。そして対
数変換回路704の出力は、サーボ回路の設定値との比
較器705に入り、誤差信号〔:en(t)〕となる。
この誤差信号をゼロとするようにPI制御回路506は
距離制御信号Un(t)を生成する。距離制御信号Un
(t)は、D/A変換器707で再びアナログ信号に変
換された後、切り替え回路708により対応する番号の
プローブをZ方向に駆動するアクチュエータに印加され
る。制御CPU718は、順次選択するプロ−ブを切り
替え、全てのプローブのZ制御をする。
【0087】一方、各プローブからのトンネル電流信号
は補正回路709により補正され、補正電流信号719
となる。実施例3と同様にプローブ毎のφばらつきは、
対数変換回路704出力の振幅ばらつきになり、このま
ま検出信号を取り出すとプローブ毎に検出信号のレベル
差が観測されてしまう。このようなレベル差が生じる
と、情報記録青生装置においては再生信号のレベル差に
より信号再生エラーが生じる。そこで補正回路709は
対数変換回路704出力のゲイン補正を行って補正電流
信号719とする。さらにレベル差を無くした補正電流
信号を復調器710に入れ、再生信号712を得た。こ
のためにメモリ711にプローブ毎に異なる係数(g
n)をストアし、各プローブからの出力に係数を乗じ
た。
【0088】この係数の測定方法は実施例3と同様であ
る。即ち全てのプローブからトンネル電流が検出できる
状態で、プローブヘッド全体をZ方向に並進するZ変調
信号を発生し、全てのプローブをZ方向に変調する(△
Z)。この時各プローブからの対数変換回路出力(△V
n)をモニタし、各プローブについて高さZ変化に対す
る対数変換回路出力の伝達特性Gmulti=△Vn/Zを
測定し、補正回路の係数gnを決定した。
【0089】また、制御CPU718は記録時も、プロ
ーブばらつきの影響をなくすように補正回路715で記
録制御を行ったので説明する。前述のようにプローブの
仕事関数値はプローブの汚染等により変化する。即ちテ
ィップの感度が低いプローブは先端が汚染層で覆われて
おリ、このプローブで記録電圧信号713を印加して
も、記録媒体の記録層に電圧が印加されなかったり、記
録層を流れる電流が制限されたりして記録エラーを引き
起こす。そこで、補正回路715はプロ―ブ毎に記録電
圧振幅を調整した。プローブの仕事関数ばらつきを反映
したGmulti=△Vn/Z特性に従って、通常の記録電
圧である6Vのバルス電圧高を最大10Vまで補正し、
これを補正記録電圧としてメモリ720にストアした。
そして記録信号713を変調器714で変調後、補正回
路715により各プローブに印加すべき電圧信号として
記録回路716に入れた。制御CPU718は各プロー
ブを切り替え回路717で順次選択し、選択したプロ−
ブに記録回路716は、記録データに従って記録電圧信
号を印加し、デジタルデータの記録を行った。
【0090】なお、本発明では、プローブ先端のティッ
プばらつきを補正するように記録電圧を補正したが、媒
体のマクロなばらつき(例えば記録媒体のLB膜の厚さ
ムラ)を相殺するように記録電圧値をプローブ毎に補正
する制御回路に応用しても良い。また、記録の際の電圧
値を補正するのでなく記録媒体に応じて記録のための印
加電流ないしは記録時間等をプローブ毎に異なるように
補正しても良い。
【0091】さらに、本発明に従った記録再生装置とし
ては、本実施例に示した様にプローブが記録媒体上を2
次元的にXYラスタ走査するものに限定されることな
く、例えば円周状に、また、スパイラル状にプローブを
動かしながら、円周のトラック方向にピット記録、信号
再生を行っても良い。
【0092】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【0093】複数のプローブの特性ばらつきの影響を廃
し、複数のプローブを用いて安定な位置制御を行うこと
ができる小型の情報処理装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるマルチプローブ
の制御回路の構成例を示す図である。
【図2】図1に示した制御回路構成図の制御系をブロッ
ク線図表示したものである。
【図3】図1および図2に示した制御回路およびマルチ
プローブを備え、STMを用いた情報処理装置の一つの
実施形態の構成を示す図である。
【図4】(a)は、マルチプローブヘッドの一本のプロ
ーブ構造であり、(b)は、(a)中A−Bの断面図で
ある。
【図5】本発明による情報処理装置である記録再生装置
の第2の実施例の概略図である。
【図6】本発明の第3の実施例におけるマルチプローブ
の制御回路の構成例を示す図である。
【図7】本発明の第4の実施例におけるマルチプローブ
の制御回路の構成例を示す図である。
【符号の説明】
101 マルチプローブ 102 選択回路 103 A/D変換器 104 対数変換回路 105 比較器 106 補正回路 107 PI制御回路 108 D/A変換器 109 切り替え回路 111〜113 メモリ 114 制御CPU 301 マルチプローブヘッド 302 試料 304 Z方向制御回路 305 制御回路 306 XY走査信号 307 基台 308 ディスプレイ 311 メモリ 501 記録媒体 502 マルチブローブヘッド 503 XY走査回路 507 制御回路 508 トラッキングパターン 509 トラッキング制御回路 601 マルチプローブ 602 選択回路 603 A/D変換器 604 対数変換回路 605 比較器 606 PI制御回路 607 D/A変換器 608 切り替え回路 609 補正回路 610 補正電流信号 611 メモリ 612 制御CPU 701 マルチプローブ 702 選択回路 703 A/D変換器 704 対数変換回路 705 比較器 706 PI制御回路 707 D/A変換器 708,717 切り替え回路 709 補正回路 711,720 メモリ 712 再生信号 713 記録信号 714 変調器 715,716 記録回路 714 制御CPU
フロントページの続き (72)発明者 紫藤 俊一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 酒井 邦裕 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−287006(JP,A) 特開 平4−205828(JP,A) 特開 昭63−71705(JP,A) 特開 昭59−94112(JP,A) 特開 昭47−4614(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 9/14

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数本のプローブからなるマルチプロー
    ブと、前記複数のプローブのそれぞれに設けられ、各プ
    ローブを移動させて前記媒体との距離を変える複数のア
    クチュエータと、プローブと媒体との間の物理現象によ
    り生じる信号を検出すると共に、前記信号に基づいて前
    記アクチュエータを制御する単一の制御回路と、前記複
    数のプローブのうちの一つとそれに対応するアクチュエ
    ータを順次選択し、前記制御回路と接続する選択回路
    と、からなるマルチプローブ制御回路と、 前記検出信号より媒体上の情報を示す再生信号を生成す
    る単一の再生回路と、前記選択したプローブに対応した
    前記再生回路の出力を補正する補正回路とを有すること
    を特徴とする情報処理装置
  2. 【請求項2】 前記補正回路は、各プローブ毎の補正値
    をストアするメモリを有していることを特徴とする請求
    に記載の情報処理装置。
  3. 【請求項3】 前記プローブに記録信号を供給する記録
    回路と、前記記録回路と前記複数のプローブのうちの一
    つとを順次接続する切り替え回路と、前記選択したプロ
    ーブに応じて前記記録信号を補正する補正回路とを有す
    ることを特徴とする請求項1に記載の情報処理装置。
  4. 【請求項4】 前記補正回路は、各プローブ毎の補正値
    をストアするメモリを有していることを特徴とする請求
    に記載の情報処理装置。
JP21312093A 1992-09-10 1993-08-27 マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置 Expired - Fee Related JP3246987B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21312093A JP3246987B2 (ja) 1992-09-10 1993-08-27 マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置
US08/117,675 US5471458A (en) 1992-09-10 1993-09-08 Multi-probe information recording/reproducing apparatus including a probe displacement control circuit
DE69325860T DE69325860T2 (de) 1992-09-10 1993-09-09 Informationsverarbeitungsgerät mit Multisondensteuerung
AT93114502T ATE183012T1 (de) 1992-09-10 1993-09-09 Informationsverarbeitungsgerät mit multisondensteuerung
EP93114502A EP0587165B1 (en) 1992-09-10 1993-09-09 Information processing apparatus having multiprobe control circuit

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-242246 1992-09-10
JP24224692 1992-09-10
JP21312093A JP3246987B2 (ja) 1992-09-10 1993-08-27 マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06208735A JPH06208735A (ja) 1994-07-26
JP3246987B2 true JP3246987B2 (ja) 2002-01-15

Family

ID=26519619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21312093A Expired - Fee Related JP3246987B2 (ja) 1992-09-10 1993-08-27 マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5471458A (ja)
EP (1) EP0587165B1 (ja)
JP (1) JP3246987B2 (ja)
AT (1) ATE183012T1 (ja)
DE (1) DE69325860T2 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69232806T2 (de) * 1991-07-17 2003-02-20 Canon Kk Informationsaufzeichnungs-/-wiedergabegerät oder -verfahren zur Informationsaufzeichnung/- wiedergabe auf/von einem Informationsaufzeichnungsmedium unter Verwendung einer Vielzahl von Sondenelektroden
JP2923190B2 (ja) * 1993-12-16 1999-07-26 シャープ株式会社 高密度記録媒体及びその記録再生装置
US6337479B1 (en) 1994-07-28 2002-01-08 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US6353219B1 (en) 1994-07-28 2002-03-05 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US5751683A (en) 1995-07-24 1998-05-12 General Nanotechnology, L.L.C. Nanometer scale data storage device and associated positioning system
US6339217B1 (en) * 1995-07-28 2002-01-15 General Nanotechnology Llc Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric, near-field, and scanning probe measurements
JP3716467B2 (ja) * 1995-07-19 2005-11-16 ソニー株式会社 記録媒体並びに情報再生装置、情報記録装置及び情報記録再生装置
US6014032A (en) * 1997-09-30 2000-01-11 International Business Machines Corporation Micro probe ring assembly and method of fabrication
US6802646B1 (en) 2001-04-30 2004-10-12 General Nanotechnology Llc Low-friction moving interfaces in micromachines and nanomachines
US6787768B1 (en) 2001-03-08 2004-09-07 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for tool and tip design for nanomachining and measurement
US6923044B1 (en) 2001-03-08 2005-08-02 General Nanotechnology Llc Active cantilever for nanomachining and metrology
US6752008B1 (en) 2001-03-08 2004-06-22 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for scanning in scanning probe microscopy and presenting results
US7196328B1 (en) 2001-03-08 2007-03-27 General Nanotechnology Llc Nanomachining method and apparatus
US7260051B1 (en) 1998-12-18 2007-08-21 Nanochip, Inc. Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit
EP1196939A4 (en) 1999-07-01 2002-09-18 Gen Nanotechnology Llc DEVICE AND METHOD FOR EXAMINING AND / OR CHANGING OBJECT
US6931710B2 (en) 2001-01-30 2005-08-23 General Nanotechnology Llc Manufacturing of micro-objects such as miniature diamond tool tips
US7253407B1 (en) 2001-03-08 2007-08-07 General Nanotechnology Llc Active cantilever for nanomachining and metrology
US7053369B1 (en) 2001-10-19 2006-05-30 Rave Llc Scan data collection for better overall data accuracy
US6813937B2 (en) 2001-11-28 2004-11-09 General Nanotechnology Llc Method and apparatus for micromachines, microstructures, nanomachines and nanostructures
EP1539637A4 (en) 2002-09-09 2010-07-28 Gen Nanotechnology Llc FLUID DELIVERY FOR MICROSCOPY PROBE SCAN
US7233517B2 (en) 2002-10-15 2007-06-19 Nanochip, Inc. Atomic probes and media for high density data storage
US20040150472A1 (en) * 2002-10-15 2004-08-05 Rust Thomas F. Fault tolerant micro-electro mechanical actuators
US6982898B2 (en) * 2002-10-15 2006-01-03 Nanochip, Inc. Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers
US6985377B2 (en) 2002-10-15 2006-01-10 Nanochip, Inc. Phase change media for high density data storage
KR100506094B1 (ko) * 2003-05-22 2005-08-04 삼성전자주식회사 탐침을 이용한 정보저장장치의 위치 검출 시스템 및 그 방법
US20050232061A1 (en) 2004-04-16 2005-10-20 Rust Thomas F Systems for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
US7379412B2 (en) 2004-04-16 2008-05-27 Nanochip, Inc. Methods for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
US7301887B2 (en) 2004-04-16 2007-11-27 Nanochip, Inc. Methods for erasing bit cells in a high density data storage device
KR100580651B1 (ko) * 2004-06-03 2006-05-16 삼성전자주식회사 프로브를 이용한 정보저장시스템의 위치오차 검출 장치 및방법, 이를 이용한 정보저장시스템의 정보 추종 장치 및방법
US7367119B2 (en) 2005-06-24 2008-05-06 Nanochip, Inc. Method for forming a reinforced tip for a probe storage device
US7463573B2 (en) 2005-06-24 2008-12-09 Nanochip, Inc. Patterned media for a high density data storage device
US7309630B2 (en) 2005-07-08 2007-12-18 Nanochip, Inc. Method for forming patterned media for a high density data storage device
US7797757B2 (en) * 2006-08-15 2010-09-14 Georgia Tech Research Corporation Cantilevers with integrated actuators for probe microscopy
US20090009906A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-08 Seagate Technology Llc Transducer Assembly and Data Storage Device Including the Transducer Assembly
US7889627B2 (en) * 2007-11-05 2011-02-15 Seagate Technology Llc Preload modulation to reduce head motion hysteresis
US9909993B2 (en) * 2014-12-15 2018-03-06 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Label-free detection of small and large molecule interactions, and activities in biological systems
AT519893B1 (de) * 2017-05-03 2020-01-15 Univ Linz Verfahren zum Kalibrieren eines heterodynen elektrostatischen Kraftmikroskops
PL234864B1 (pl) * 2017-11-08 2020-04-30 Kantoch Eliasz Sposób i urządzenie do pomiaru i sygnalizacji wartości biosygnałów
CN111491432A (zh) * 2020-05-22 2020-08-04 安徽理工大学 一种多通道切换朗缪尔探针测量系统

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6180536A (ja) * 1984-09-14 1986-04-24 ゼロツクス コーポレーシヨン 原子規模密度情報記緑および読出し装置並びに方法
DE3633679A1 (de) * 1986-10-03 1988-04-14 Bosch Gmbh Robert Schaltunganordung zur beeinflussung von signalen
DE3786645T2 (de) * 1986-12-10 1994-02-17 Accu Ray Corp Apparat zur Vorbehandlung von Messdaten.
JPH0798463B2 (ja) * 1986-12-15 1995-10-25 東急車輌製造株式会社 コンテナ自動車のコンテナ自力脱着装置
JP2556491B2 (ja) * 1986-12-24 1996-11-20 キヤノン株式会社 記録装置及び記録法
JP2557964B2 (ja) * 1988-01-22 1996-11-27 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン データ記憶装置
JP2936545B2 (ja) * 1988-06-24 1999-08-23 株式会社日立製作所 走査プローブ顕微鏡
JP2896794B2 (ja) * 1988-09-30 1999-05-31 キヤノン株式会社 走査型トンネル電流検出装置,走査型トンネル顕微鏡,及び記録再生装置
EP0363550B1 (en) * 1988-10-14 1994-08-03 International Business Machines Corporation Distance-controlled tunneling transducer and direct access storage unit employing the transducer
JPH02295050A (ja) * 1989-05-09 1990-12-05 Olympus Optical Co Ltd μ―STMを用いた回路パターン作製装置および回路パターン作製方法
DE69024571T2 (de) * 1989-09-07 1996-06-13 Canon Kk Informationsverarbeitungsverfahren und -vorrichtung
US5237859A (en) * 1989-12-08 1993-08-24 Digital Instruments, Inc. Atomic force microscope
JPH041948A (ja) * 1990-04-18 1992-01-07 Canon Inc 情報記録装置及び情報再生装置及び情報記録再生装置
JP2783672B2 (ja) * 1990-11-13 1998-08-06 キヤノン株式会社 情報記録及び/又は再生方法と情報記録及び/又は再生装置
JP3126409B2 (ja) * 1991-06-05 2001-01-22 キヤノン株式会社 情報記録再生方法
CA2076925C (en) * 1991-08-29 1999-08-31 Kunihiro Sakai Information processing apparatus and scanning tunnel microscope

Also Published As

Publication number Publication date
EP0587165A3 (en) 1995-01-25
JPH06208735A (ja) 1994-07-26
EP0587165B1 (en) 1999-08-04
ATE183012T1 (de) 1999-08-15
DE69325860D1 (de) 1999-09-09
DE69325860T2 (de) 2000-03-09
US5471458A (en) 1995-11-28
EP0587165A2 (en) 1994-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3246987B2 (ja) マルチプローブ制御回路を具備する情報処理装置
EP0529616B1 (en) Information processing apparatus and scanning tunnel microscope
JP3450349B2 (ja) カンチレバー型プローブ
JP3198355B2 (ja) 微小変位素子及びこれを用いた走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置
JP3073616B2 (ja) マルチプローブを具備する情報処理装置
US5717680A (en) Information processing apparatus with mechanism for adjusting interval between substrate for supporting a plurality of probes and recording medium
JPH05120742A (ja) カンチレバー型プローブ、これを用いた情報処理装置及び情報処理方法
EP0452851B1 (en) Information recording/reproducing apparatus
US5371727A (en) Scanning tunnel microscopy information processing system with noise detection to correct the tracking mechanism
US5978326A (en) Information processing apparatus using an offset signal to control the position of a probe
US5793040A (en) Information processing aparatus effecting probe position control with electrostatic force
JP3226424B2 (ja) 走査型プローブ顕微鏡ならびに該顕微鏡を用いた加工装置および情報処理装置
JPH06195774A (ja) 情報処理装置および走査型プローブ顕微鏡と複数プローブ制御方法
JP3217493B2 (ja) 情報記録再生装置
JP3118654B2 (ja) 情報処理装置及び走査型トンネル電子顕微鏡
JPH06195777A (ja) 情報処理装置および走査型プローブ顕微鏡
JPH06300513A (ja) プローブ位置制御方法,走査型トンネル顕微鏡および記録再生装置
JPH08249732A (ja) 情報処理装置のプローブ制御回路
JP3004823B2 (ja) 情報処理装置
JP2968613B2 (ja) 情報再生装置
JP3056901B2 (ja) 記録再生装置
JP2994833B2 (ja) 記録及び/又は再生装置、方法と情報検出装置
JPH06267120A (ja) マルチプローブヘッド及びこれを具備する記録再生装置
JPH04223203A (ja) カンチレバー型プローブ、これを用いた情報処理装置及び情報処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees