JPH07169098A - 帯電防止が施された製品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 塵や埃が付着し難く、すなわち汚れが付き難
く、しかもその効果が長期間にわたって維持される技術
を提供することである。 【構成】 分子中に導電性基とカチオン性基（又はアニ
オン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる少なく
とも一つが基体の表面に介在させられてなる帯電防止が
施された製品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光ディスク等の
記録媒体といったような製品に関するものである。

【０００２】

【発明の背景】光ディスク基板やレンズ等の製品には、
成形性や透明性の観点からポリカーボネイトやアクリル
系の材料が多く用いられている。ところで、この種の材
料は耐擦傷性が十分でなく、かつ、高い絶縁性を示す為
に帯電が起き易く、表面にゴミが付着し易いと言った問
題が有る。この為、透明で耐擦傷性と帯電防止性とを兼
ね備えたハードコート膜を設ける検討が行われている。

【０００３】この種の技術における帯電防止性の処理に
は、表面を導電化処理することが必要であり、ハードコ
ート膜内に導電フィラーを添加する技術と、界面活性剤
を練り込み、表面に水分子を吸着させることにより電導
回路を形成すると言った技術とが考えられている。とこ
ろで、前者のフィラーを添加する技術では、十分な帯電
防止性を得る為には、その機構上フィラーを多量加えね
ばならず、光学特性、硬度、コーティング特性に問題が
生じると言われている。他方、後者の界面活性剤を添加
する技術では、帯電が最も起きがちな低湿時に効果が低
下したり、又、帯電防止剤をベースに何らかの方法で固
定しない限り、使用につれてブリード現象が起き、表面
に「濁り」が生じ、そして帯電防止性が失活すると言っ
た問題が生じると言われている。

【０００４】又、汚れの原因は帯電によるものだけでは
なく、表面に吸着した水分による液架橋力による汚れ、
あるいは油等の粘着力による汚れがある。従って、汚れ
を充分に防ぐ為には、表面を界面活性剤等による親水化
処理することなく、導電化することが望ましい。従っ
て、電子電導性の材料で表面を処理することが望まし
い。しかしながら、電子電導性材料は可視光領域におい
て光吸収を起こす為、出来る限り薄膜処理することが望
ましい。このような手法の一つとして、可溶性の導電性
高分子を塗布する手法、基体表面に導電性高分子を付着
させる方法が考えられるが、導電性高分子の層は基体と
の結合力が弱い為、溶剤で表面を強く拭き取ると、薄い
導電性高分子の層は剥がれてしまい、耐久性がなく、効
果が低下してしまう。

【０００５】

【発明の開示】本発明の目的は、塵や埃が付着し難く、
すなわち汚れが付き難く、しかもその効果が長期間にわ
たって維持される技術を提供することである。この本発
明の目的は、分子中に導電性基とカチオン性基（又はア
ニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる少な
くとも一つが基体の表面に介在させられてなることを特
徴とする帯電防止が施された製品によって達成される。

【０００６】又、分子中に導電性基とカチオン性基（又
はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
少なくとも一つで処理してなることを特徴とする帯電防
止が施された製品によって達成される。又、基体の表面
に介在させられた分子中に導電性基とカチオン性基（又
はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
少なくとも一つと、この剤Ａの上に介在させられた分子
中にアニオン性基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの
群の中から選ばれる少なくとも一つとを具備することを
特徴とする帯電防止が施された製品によって達成され
る。

【０００７】又、基体の表面に介在させられた分子中に
導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有す
る剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、この剤
Ａの上に介在させられた分子中にアニオン性基（又はカ
チオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれる少なく
とも一つと、この剤Ｂの上に介在させられた分子中に導
電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する
剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つとを具備する
ことを特徴とする帯電防止が施された製品によって達成
される。

【０００８】又、分子中に導電性基とカチオン性基（又
はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
少なくとも一つで処理されると共に、分子中にアニオン
性基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選
ばれる少なくとも一つで処理されてなることを特徴とす
る帯電防止が施された製品によって達成される。又、分
子中に導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）と
を有する剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つで処
理されると共に、分子中にアニオン性基（又はカチオン
性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれる少なくとも一
つで処理されてなり、分子中に導電性基とカチオン性基
（又はアニオン性基）とを有する剤Ａが二層以上にわた
って介在していることを特徴とする帯電防止が施された
製品によって達成される。

【０００９】又、基体の表面に介在させられた分子中に
導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有す
る剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、表面に
介在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニオン性
基（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中から選
ばれる少なくとも一つとを具備することを特徴とする帯
電防止が施された製品によって達成される。

【００１０】又、基体の表面に介在させられた分子中に
導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有す
る剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、表面に
介在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニオン性
基（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中から選
ばれる少なくとも一つとを具備してなり、前記剤Ａによ
って基体の表面に二層以上の導電性膜が構成されてなる
ことを特徴とする帯電防止が施された製品によって達成
される。

【００１１】又、分子中に導電性基とカチオン性基（又
はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
少なくとも一つで処理されると共に、分子中に撥水及び
撥油性基とアニオン性基（又はカチオン性基）とを有す
る剤Ｃの群の中から選ばれる少なくとも一つで処理され
てなることを特徴とする帯電防止が施された製品によっ
て達成される。

【００１２】又、基体の表面に介在させられた分子中に
導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有す
る剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、この剤
Ａの上に介在させられた分子中にアニオン性基（又はカ
チオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれる少なく
とも一つと、この剤Ｂの上に介在させられた分子中に導
電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する
剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、表面に介
在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニオン性基
（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中から選ば
れる少なくとも一つとを具備することを特徴とする帯電
防止が施された製品によって達成される。

【００１３】又、基体の表面に介在させられた分子中に
導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有す
る剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、この剤
Ａの上に介在させられた分子中にアニオン性基（又はカ
チオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれる少なく
とも一つと、この剤Ｂの上に介在させられた分子中に導
電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する
剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、表面に介
在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニオン性基
（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中から選ば
れる少なくとも一つとを具備してなり、前記剤Ｂと剤Ａ
とが複数にわたって介在させられてなることを特徴とす
る帯電防止が施された製品によって達成される。

【００１４】又、分子中に導電性基とカチオン性基（又
はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
少なくとも一つで処理されると共に、分子中にアニオン
性基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選
ばれる少なくとも一つで処理され、更に分子中に撥水及
び撥油性基とアニオン性基（又はカチオン性基）とを有
する剤Ｃの群の中から選ばれる少なくとも一つで処理さ
れてなることを特徴とする帯電防止が施された製品によ
って達成される。

【００１５】又、分子中に導電性基とカチオン性基（又
はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
少なくとも一つで処理されると共に、分子中にアニオン
性基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選
ばれる少なくとも一つで処理され、更に分子中に撥水及
び撥油性基とアニオン性基（又はカチオン性基）とを有
する剤Ｃの群の中から選ばれる少なくとも一つで処理さ
れてなり、前記剤Ｂによる処理と剤Ａによる処理が繰り
返して行われてなることを特徴とする帯電防止が施され
た製品によって達成される。

【００１６】尚、上記の帯電防止が施された製品におい
て、選ばれる剤Ａのカチオン性基（又はアニオン性基）
に対応して基体の表面にアニオン性基（又はカチオン性
基）が介在させられていることが好ましい。そして、上
記の帯電防止が施された製品において、剤Ａによる一層
の厚さは５〜５０Å、総厚さは５〜５０００Åであるこ
とが好ましい。又、剤Ｃによる総厚さは５〜１０００Å
であることが好ましい。

【００１７】本発明で使用される剤、すなわちカチオン
性基を持つ剤Ａ，Ｂ，Ｃとしては、正電荷を持つ、ある
いは正に分極した基を持つもの、特にアミン基（中でも
４級アンモニウム基）を持つものを挙げることが出来、
又、アニオン性基を持つ剤Ａ，Ｂ，Ｃとしては、負電荷
を持つ、あるいは負に分極した基を持つもの、特にスル
ホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、あるいはこれら
の基であって塩（エステルも含む）を形成したもの（中
でもスルホン酸基）を持つものを挙げることが出来る。

【００１８】又、剤Ａにおける導電性の基は電子伝導
性、イオン伝導性の如何を問わないが、電子伝導性のも
のであることが望ましく、特にπ共役系を構造中に少な
くとも有するものが望ましい。π共役鎖を主鎖とするπ
共役系骨格を有するものとしては、ポリピロール、ポリ
チオフェン、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリ
ピレン、ポリアズレン、ポリフラン、ポリセレノフェ
ン、ポリピペラジンと言った複素環、縮合環化合物、あ
るいはこれらの誘導体が挙げられる。

【００１９】従って、剤Ａは、π共役鎖を有し、このπ
共役鎖を主鎖とするポリイオンであることが好ましい。
このようなものとして、下記の構造を有するポリマーを
具体例として挙げることが出来る。

【００２０】

【化１】

【００２１】剤Ｃは、撥水及び撥油性を示すものである
ことから、炭化水素基、シリコーン鎖あるいはフッ化炭
素基、特に-CH₃，-(CH₂)_n - ，-CF₃あるいは-(CF₂)_n -
（但し、ｎは１又は２以上の整数）と言った基を分子中
に有するものであることが好ましい。従って、上記のよ
うな撥水及び撥油性を示す基を有し、剤Ａ等と強い結合
力を持つイオンであることが好ましい。尚、剤Ａとして
はポリマータイプのものを好ましい例として述べたが、
剤Ｃの場合にはモノマー、ポリマーいずれのタイプのも
のであっても良い。

【００２２】剤Ａを基体上に介在させる手法は、剤Ａを
溶かした溶液に基体を浸漬させて基体表面に吸着させて
も良く、又、基体表面で重合によりＡが形成されるよう
にしてもよい。剤Ａを基体上に介在させるに際して、基
体表面に極性基、望ましくは剤Ａと逆の表面電荷をもつ
アニオン性基またはカチオン性基を基体表面に導入して
おくことが好ましい。すなわち、このように構成させる
ことによって、剤Ａと基体との結合力が向上し、耐久性
が長期にわたって向上する。極性基の導入方法として
は、活性エネルギー線処理、紫外線処理、電子線処理、
放射線処理処理、プラズマ処理、コロナ放電処理等が挙
げられる。例えば、アニオン性基の導入方法としては、
アニオン性基と反応基とをもつ剤（例えば、２−アクリ
ルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ｐ−スチレ
ンスルホン酸塩) を上記のような処理技術により表面に
直接結合させたり、コーティング剤中に混合してコート
し、硬化・固定したりする方法がある。又、カチオン性
基の導入方法としては、カチオン性基と反応基とをもつ
剤（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリル
アミド、ジメチルアミノエチルメタクリレート、あるい
はこれらの４級化物) を上記のような処理技術により表
面に直接結合させたり、コーティング剤中に混合してコ
ートし、硬化・固定したりする方法がある。

【００２３】基体表面に剤Ａを一層吸着させるのみで
も、かなりの帯電防止性を発現させることが出来るが、
さらに帯電防止性を向上させる為には剤Ａを積層させる
ことが望ましい。剤Ａの積層方法としては正、負逆の電
荷をもつ剤Ａを交互に積層させれば良く、又、同じ電荷
の剤Ａを積層させる場合は、剤Ａの間に、剤Ａと逆のア
ニオン性基あるいはカチオン性基のみを分子構造中にも
ち、導電性を示さない剤Ｂ、例えばポリアクリルアミ
ン、ポリスチレンスルホン酸等を用いることによって剤
Ａを積層させることが出来る。

【００２４】剤Ｃを表面に介在させる手法は、表面に剤
Ａ（又は、剤ＡとＢ）が介在させられた基体を、例えば
剤Ａ（又は、剤Ａと剤Ｂ）を溶かした溶液中に浸漬さ
せ、引き上げ後、乾燥させ、必要に応じてドーピング処
理を行い、積層したい場合は、この操作を繰り返し、最
後に剤Ｃを溶かした溶液中に浸漬し、剤Ｃを最表面に一
層あるいはそれ以上吸着させる手法を採用できる。

【００２５】そして、上記の帯電防止技術は、その対象
が如何なるものであっても採用され得る。例えば透明基
材、光学製品はもとより、窯業製品、事務用品、アパレ
ル用部材、スポーツ用品、調理器、家電製品のカバー
類、水着、フィルム、音響機器、建材、石材、オーディ
オ、ビデオ機器、容器、磁気記録媒体、光記録媒体、そ
の他多くのものへの応用が可能である。尚、上記の技術
は、防汚処理が必要とされる樹脂、特にポリカーボネイ
ト、ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂といっ
た透明な樹脂基体に対して実施される場合に好適であ
る。そして、光磁気ディスク、ＭＤ、ＣＤ−ＲＯＭ等の
記録媒体に採用されると、特に優れた結果が奏される。
すなわち、上記の帯電防止技術が施されてなる光記録媒
体は特に優れた効果が奏される。

【００２６】尚、この種の記録媒体に本発明の帯電防止
技術を適用する場合には、鉛筆硬度Ｈ以上のハードコー
ト膜、例えば（メタ）アクリロイル基を有する重合性化
合物が重合されてなるハードコート膜の上に設けられる
ことが好ましい。ハードコート膜の材料としては、例え
ばシリケートグラスハードコート材料（例えば、東芝シ
リコーン（株）製トスガード５２０等）、放射線硬化型
ハードコート材料などが考えられるが、工程の簡便性を
考慮すると放射線硬化型、特に紫外線硬化型ハードコー
ト材料が望ましい。放射線硬化型ハードコート材料は、
大きく分けてラジカル重合型、カチオン重合型がある
が、現状ではラジカル重合型が一般的で種類も豊富であ
る。ラジカル重合型ハードコート膜は（メタ）アクリロ
イル基を含む重合性化合物を共重合させることにより得
られる。（メタ）アクリロイル基をもつ放射線共重合可
能な（メタ）アクリレート化合物Ｘをモノマーあるいは
オリゴマー状態でコーティングし、放射線照射あるいは
熱により硬化させる手法が望ましい。

【００２７】（メタ）アクリレート化合物Ｘとしては、
塗膜の耐擦傷性、基材の表面保護効果を発現させるもの
として、１分子中に２個以上の官能基を含む架橋性のあ
るものを含有するのが望ましく、以下に示す（メタ）ア
クリレート１種あるいは２種以上を適宜選んで使用する
ことが好ましい。架橋性のある多官能アクリル酸エステ
ルの例としては、３官能以上のものとしてトリメチロー
ルプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロール
エタントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプ
ロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセリントリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メ
タ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メ
タ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メ
タ）アクリレート、及びそのエチレンオキサイド、プロ
ピレンオキサイド変性物等が挙げられ、２官能のものと
して１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、
１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，
６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリ
コールジ（メタ）アクリレート、シクロペンタジエニル
アルコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前
記多官能エステル以外の（メタ）アクリレートとしては
ポリエステルポリ（メタ）アクリレート、エポキシ（メ
タ）アクリレート、ウレタンポリ（メタ）アクリレー
ト、ポリシロキサンポリ（メタ）アクリレート、ポリア
ミドポリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

【００２８】又、コーティングする時に、帯電防止性共
重合物の溶解性促進、粘度調節、基材との密着性向上等
の理由で単官能アクリレートを添加してもよい。このよ
うな単官能アクリレートとして、例えば２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）
アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレ
ート、２−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、
４−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、２−エ
チルヘキシル（メタ）アクリレート、エトキシエチル
（メタ）アクリレート、Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）
アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリル
アミド等が挙げられる。これら単官能アクリレートの使
用量としては０〜４０重量％、耐擦傷性等を考慮すると
０〜３０重量％である。

【００２９】尚、この鉛筆硬度Ｈ以上のハードコート膜
にアニオン性基などを持たせる為には、ハードコート膜
の素材が親水性の基を持つものであることが望ましい。
従って、ハードコート膜の構成成分として分子中に親水
基をもったモノマーやオリゴマーがあることが望まし
い。又、電子線、γ線等で硬化を行う場合は不必要であ
るが、実用性を考えて紫外線硬化型で行う場合は、光重
合開始剤を添加する。その例としては、４−フェノキシ
ジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチルジクロロアセ
トフェノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキ
シ−２−メチル−フェニルプロパン−１−オンなどのア
セトフェノン系光重合開始剤、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチ
ルケタールなどのベンゾイン系光重合開始剤、チオキサ
ンソン、２−クロルチオキサンソン、２，４−ジメチル
チオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン等の
チオキサンソン系光重合開始剤が挙げられる。光重合開
始剤は１種であっても２種以上であっても差し支えな
く、その使用量はＸ１００重量部に対して１０重量部以
下が望ましい。

【００３０】又、所望の膜厚を得るためにコーティング
時にメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール
等の溶媒で希釈し、コーティングを行う場合もある。
又、必要に応じて帯電防止剤、シリコーン等を適宜添加
して使用することもある。更に、その品質性能を満足さ
せる為、表面調整剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の添
加剤を適宜含有させても良い。

【００３１】本発明が光ディスクに適用される場合、ガ
ラスやポリカーボネイト等の樹脂基板に記録層としてＣ
Ｄ−ＲＯＭの場合にはアルミ膜を、光磁気ディスクやＭ
Ｄの場合には誘電体、記録膜、アルミ膜を成膜後、記録
面側にオーバーコート処理を行い、その後ディッピング
やスピンコート法等により本処理を行う。処理面は汚れ
防止の為には主としてピックアップサイド（基板上ある
いはハードコート上）である。しかしながら、磁界変調
型のＭＤのような光磁気ディスクを考えた場合、光磁気
ディスクの記録膜側、具体的には記録層の上にコートさ
れた有機保護膜を磁界ヘッドが走行することになり、こ
のため保護膜表面の表面エネルギーを低くすることが要
求される。すなわち、光変調方式で使用しているような
オーバーコートのみでは、ヘッドの吸着やクラッシュが
生じる恐れが有ることから、ピックアップサイドのみな
らず、記録膜サイドにも本処理を行うことが望ましい。

【００３２】又、光ディスクのドライブに用いられるレ
ンズの表面処理にも本技術は有効である。又、カートリ
ッジ等に挿入して使用する場合、カートリッジの表面処
理にも本技術は有効である。

【００３３】

【実施例】

〔実施例１〕出光石油化学（株）製の３．５インチ光磁
気ディスク用ポリカーボネイト上に記録層（誘電体／記
録膜／誘電体／アルミニウム膜）を成膜後、アルミニウ
ム膜面上に大日本インキ化学工業（株）製のＳＤ３０１
を８μｍ厚となるようにオーバーコートし、図１に示す
如くの光磁気ディスク本体Ａを得た。尚、図１中、１は
ポリカーボネイト基板、２は記録層、３はオーバーコー
ト層である。

【００３４】この光磁気ディスク本体Ａのピックアップ
サイド面上に、ペンタエリスリトールトリアクリレート
１００重量部、ヒドロキシアクリレート５０重量部、光
重合開始剤Ｉｒｇ．５００（日本チバガイギー社製）９
重量部の混合物を硬化膜厚が５μｍになるようコート
し、紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃ
ｍ²；１８００ｍＪ／ｃｍ² ）により硬化させ、ハード
コート層４を形成した。

【００３５】次に、この光磁気ディスクをジメチルアミ
ノエチルメタクリレート４級化合物１０ｗｔ％溶液（溶
媒は水とエタノールとの混合液）中に浸漬し、引き上げ
後、直ちに紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／
ｃｍ² ；１８００ｍＪ／ｃｍ ² ）し、表面にカチオン基
を導入した。この後、下記の〔化２〕で表される構造の
ポリアニオンの０．３Ｍ塩酸水溶液に５分間浸漬し、引
き上げ後、イオン交換水で水洗し、６０℃のオーブン中
で１時間乾燥させた。

【００３６】

【化２】

【００３７】〔但し、ｎは１又は２以上の整数〕尚、ハ
ードコート層４上の帯電防止層の模式図を図２に示す。 〔実施例２〕実施例１で得た光磁気ディスクを下記の
〔化３〕で表される構造のポリアリルアミンの０．２Ｍ
塩酸水溶液に５分間浸漬し、水洗、乾燥後、再度上記
〔化２〕で表される構造のポリアニオンの０．３Ｍ塩酸
水溶液に５分間浸漬し、引き上げ後、イオン交換水で水
洗し、６０℃のオーブン中で１時間乾燥させた。

【００３８】

【化３】

【００３９】尚、ハードコート層４上の帯電防止層の模
式図を図３に示す。 〔実施例３〕実施例２で得られた光磁気ディスクを〔化
２〕の０．３Ｍ塩酸溶液に５分間浸漬し、引き上げ後イ
オン交換水で水洗し、６０℃のオーブン中で１時間乾燥
させた。

【００４０】尚、ハードコート層４上の帯電防止層の模
式図を図４に示す。 〔実施例４〕実施例３の光磁気ディスクに実施例２と同
様な処理を行った。尚、ハードコート層４上の帯電防止
層の模式図を図５に示す。 〔実施例５〕実施例４の光磁気ディスクに実施例１，２
の処理を繰り返し１０回行い、最後に実施例１の処理を
行った。

【００４１】〔実施例６〕実施例２で得た光磁気ディス
クをパーフルオロアルキルカルボン酸のカリウム塩（住
友３Ｍ（株）製フロラードＦＣ−１２９（商品名））の
５ｗｔ％溶液（溶媒（水／エタノール／ブチルセルソル
ブ）に５分間浸漬し、引き上げ後、水洗、乾燥させた。

【００４２】尚、ハードコート層４上の帯電防止層の模
式図を図６に示す。 〔実施例７〕実施例４の光磁気ディスクに実施例６と同
様な処理を行った。 〔比較例１〕実施例１で得た光磁気ディスク本体Ａのピ
ックアップサイド面上に、ペンタエリスリトールトリア
クリレート１００重量部、ヒドロキシアクリレート５０
重量部、光重合開始剤Ｉｒｇ．５００（日本チバガイギ
ー社製）９重量部にＮ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルア
クリルアミドのジメチル硫酸の４級化物を９重量部加え
た混合物を硬化膜厚が５μｍになるようコートし、紫外
線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃｍ² ；１８０
０ｍＪ／ｃｍ² ）により硬化させ、ハードコート層４を
形成した。

【００４３】〔比較例２〕出光石油化学（株）製の３．
５インチ光磁気ディスク用ポリカーボネイト上に記録層
（誘電体／記録膜／誘電体／アルミニウム膜）を成膜
後、アルミニウム膜面上に大日本インキ化学工業（株）
製のＳＤ３０１を８μｍ厚となるようにオーバーコート
し、図１に示す如くの光磁気ディスク本体Ａを得た。

【００４４】この光磁気ディスク本体Ａのピックアップ
サイド面上に、ペンタエリスリトールトリアクリレート
１００重量部、ヒドロキシアクリレート５０重量部、光
重合開始剤Ｉｒｇ．５００（日本チバガイギー社製）９
重量部の混合物を硬化膜厚が５μｍになるようコート
し、紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／ｃ
ｍ²；１８００ｍＪ／ｃｍ² ）により硬化させ、ハード
コート層を形成した。

【００４５】次に、この光磁気ディスクをジメチルアミ
ノエチルメタクリレート４級化合物１０ｗｔ％溶液（溶
媒は水とエタノールとの混合液）中に浸漬し、引き上げ
後、直ちに紫外線照射（高圧水銀タイプ；６５０ｍＷ／
ｃｍ² ；１８００ｍＪ／ｃｍ ² ）し、表面にカチオン基
を導入した。この後、チオフェンの２量体の０．５Ｍ、
塩化第２鉄１．０Ｍアセトニトリル溶液中に約３０分浸
漬し、重合して表面にポリチオフェンを構成した。重合
後、表面をアセトニトリルで洗浄し、さらにエタノール
洗浄し、６０℃のオーブン中で１時間乾燥させた。

【００４６】〔特性〕上記各例で得た光磁気ディスクに
ついて、表面電気抵抗、親水性接触角、汚れ付着試験、
及びエラーレートを調べたので、その結果を下記の表−
１に示す。 表−１ 表面電気抵抗 親水性接触角 汚れ付着試験 エラーレート 50%RH 15%RH 15%RH 80%RH 実施例１ 5×10¹¹ 6×10¹¹ ４０ ○ △ ６×１０⁶ 実施例２ 5×10¹¹ 7×10¹¹ ３０ ○ × ８×１０⁶ 実施例３ 1×10¹¹ 1×10¹¹ ４０ ○ △ ６×１０⁶ 実施例４ 1×10¹¹ 2×10¹¹ ３０ ○ × ５×１０⁶ 実施例５ 1×10⁹ 2×10⁹ ４５ ○ △ ３×１０⁶ 実施例６ 6×10¹¹ 9×10¹¹ ９０ ○ ○ ６×１０⁶ 実施例７ 2×10¹¹ 2×10¹¹ ９３ ○ ○ ６×１０⁶ 比較例１ 5×10¹³ 6×10¹⁴ ３０ × △ ６×１０² 比較例２ 9×10¹¹ 9×10¹¹ ５５ ○ △ ６×１０⁴ ＊表面電気抵抗 24℃,50%RH(15%RH) 恒温、恒湿中に24
時間以上放置後測定 印加電圧500V(DC)、１分値、リング電極（JIS K-6911に
準拠）、単位はΩ／□。

【００４７】＊親水性接触角 24℃,50%RH恒温、恒湿中
に24時間以上放置後、0.1 μｌのイオン交換水を滴下
し、測定。単位は度。 ＊汚れ付着試験 23℃、15%RH(80%RH)の環境下でダート
チャンバー試験（ASTM D2741-68 、ゴミ：10μｍトナ
ー） 目視で判定 ○印 殆ど汚れ無し △印 汚れが少し付着 ×印 顕著な汚れ ＊エラーレート 23℃,15%RHの環境下でダートチャンバ
ー試験の後バイトエラーレートを測定 尚、比較例２のものについては、表面が均一でなく、ム
ラが有り、ゴミ付着前にあってもエラーが多かった。
又、表面を布で強く擦ると、表面電気抵抗が大きく劣化
した。

【００４８】

【効果】本発明になるものは、塵や埃が付着し難く、す
なわち汚れが付き難く、しかもその効果が長期間にわた
って維持され、そして光記録媒体などに適用されたもの
は再生特性に優れたものであることが窺える。

【図面の簡単な説明】

【図１】光磁気ディスク本体の断面図

【図２】ハードコート層上の帯電防止層の模式図

【図３】ハードコート層上の帯電防止層の模式図

【図４】ハードコート層上の帯電防止層の模式図

【図５】ハードコート層上の帯電防止層の模式図

【図６】ハードコート層上の帯電防止層の模式図

【符号の説明】 Ａ 光磁気ディスク本体 １ ポリカーボネイト基板 ２ 記録層 ３ オーバーコート層 ４ ハードコート層

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 分子中に導電性基とカチオン性基（又は
   アニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる少
   なくとも一つが基体の表面に介在させられてなることを
   特徴とする帯電防止が施された製品。
2. 【請求項２】 分子中に導電性基とカチオン性基（又は
   アニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる少
   なくとも一つで処理してなることを特徴とする帯電防止
   が施された製品。
3. 【請求項３】 基体の表面に介在させられた分子中に導
   電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する
   剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、 この剤Ａの上に介在させられた分子中にアニオン性基
   （又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれ
   る少なくとも一つとを具備することを特徴とする帯電防
   止が施された製品。
4. 【請求項４】 基体の表面に介在させられた分子中に導
   電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する
   剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、 この剤Ａの上に介在させられた分子中にアニオン性基
   （又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれ
   る少なくとも一つと、 この剤Ｂの上に介在させられた分子中に導電性基とカチ
   オン性基（又はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中
   から選ばれる少なくとも一つとを具備することを特徴と
   する帯電防止が施された製品。
5. 【請求項５】 分子中に導電性基とカチオン性基（又は
   アニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる少
   なくとも一つで処理されると共に、分子中にアニオン性
   基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ば
   れる少なくとも一つで処理されてなることを特徴とする
   帯電防止が施された製品。
6. 【請求項６】 分子中に導電性基とカチオン性基（又は
   アニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる少
   なくとも一つで処理されると共に、分子中にアニオン性
   基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ば
   れる少なくとも一つで処理されてなり、分子中に導電性
   基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する剤Ａ
   が二層以上にわたって介在していることを特徴とする帯
   電防止が施された製品。
7. 【請求項７】 基体の表面に介在させられた分子中に導
   電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する
   剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、 表面に介在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニ
   オン性基（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中
   から選ばれる少なくとも一つとを具備することを特徴と
   する帯電防止が施された製品。
8. 【請求項８】 基体の表面に介在させられた分子中に導
   電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有する
   剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、 表面に介在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニ
   オン性基（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中
   から選ばれる少なくとも一つとを具備してなり、 前記剤Ａによって基体の表面に二層以上の導電性膜が構
   成されてなることを特徴とする帯電防止が施された製
   品。
9. 【請求項９】 分子中に導電性基とカチオン性基（又は
   アニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる少
   なくとも一つで処理されると共に、分子中に撥水及び撥
   油性基とアニオン性基（又はカチオン性基）とを有する
   剤Ｃの群の中から選ばれる少なくとも一つで処理されて
   なることを特徴とする帯電防止が施された製品。
10. 【請求項１０】 基体の表面に介在させられた分子中に
    導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有す
    る剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、 この剤Ａの上に介在させられた分子中にアニオン性基
    （又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれ
    る少なくとも一つと、 この剤Ｂの上に介在させられた分子中に導電性基とカチ
    オン性基（又はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中
    から選ばれる少なくとも一つと、 表面に介在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニ
    オン性基（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中
    から選ばれる少なくとも一つとを具備することを特徴と
    する帯電防止が施された製品。
11. 【請求項１１】 基体の表面に介在させられた分子中に
    導電性基とカチオン性基（又はアニオン性基）とを有す
    る剤Ａの群の中から選ばれる少なくとも一つと、 この剤Ａの上に介在させられた分子中にアニオン性基
    （又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選ばれ
    る少なくとも一つと、 この剤Ｂの上に介在させられた分子中に導電性基とカチ
    オン性基（又はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中
    から選ばれる少なくとも一つと、 表面に介在させられた分子中に撥水及び撥油性基とアニ
    オン性基（又はカチオン性基）とを有する剤Ｃの群の中
    から選ばれる少なくとも一つとを具備してなり、 前記剤Ｂと剤Ａとが複数にわたって介在させられてなる
    ことを特徴とする帯電防止が施された製品。
12. 【請求項１２】 分子中に導電性基とカチオン性基（又
    はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
    少なくとも一つで処理されると共に、分子中にアニオン
    性基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選
    ばれる少なくとも一つで処理され、更に分子中に撥水及
    び撥油性基とアニオン性基（又はカチオン性基）とを有
    する剤Ｃの群の中から選ばれる少なくとも一つで処理さ
    れてなることを特徴とする帯電防止が施された製品。
13. 【請求項１３】 分子中に導電性基とカチオン性基（又
    はアニオン性基）とを有する剤Ａの群の中から選ばれる
    少なくとも一つで処理されると共に、分子中にアニオン
    性基（又はカチオン性基）を有する剤Ｂの群の中から選
    ばれる少なくとも一つで処理され、更に分子中に撥水及
    び撥油性基とアニオン性基（又はカチオン性基）とを有
    する剤Ｃの群の中から選ばれる少なくとも一つで処理さ
    れてなり、前記剤Ｂによる処理と剤Ａによる処理が繰り
    返して行われてなることを特徴とする帯電防止が施され
    た製品。
14. 【請求項１４】 選ばれる剤Ａのカチオン性基（又はア
    ニオン性基）に対応して基体の表面にアニオン性基（又
    はカチオン性基）が介在させられていることを特徴とす
    る請求項１〜請求項１３の帯電防止が施された製品。
15. 【請求項１５】 カチオン性基はアミン基であることを
    特徴とする請求項１〜請求項１４の帯電防止が施された
    製品。
16. 【請求項１６】 アニオン性基はスルホン酸基、カルボ
    キシル基、リン酸基、あるいはこれらの基であって塩を
    形成したものであることを特徴とする請求項１〜請求項
    １４の帯電防止が施された製品。
17. 【請求項１７】 剤Ａは、π共役鎖を有するものであ
    り、このπ共役鎖を主鎖とするポリイオンであることを
    特徴とする請求項１〜請求項１４の帯電防止が施された
    製品。
18. 【請求項１８】 剤Ａによる一層の厚さが５〜５０Å、
    剤Ａによる総厚さが５〜５０００Åであることを特徴と
    する請求項１〜請求項１３の帯電防止が施された製品。
19. 【請求項１９】 剤Ｃは、炭化水素基、シリコーン鎖あ
    るいはフッ化炭素基を有するものであることを特徴とす
    る請求項７〜請求項１３の帯電防止が施された製品。
20. 【請求項２０】 剤Ｃは、-CH₃，-(CH₂)_n - ，-CF₃ある
    いは-(CF₂)_n - （但し、ｎは１又は２以上の整数）を有
    するものであることを特徴とする請求項７〜請求項１３
    の帯電防止が施された製品。
21. 【請求項２１】 剤Ｃによる総厚さが５〜１０００Åで
    あることを特徴とする請求項７〜請求項１３の帯電防止
    が施された製品。
22. 【請求項２２】 基体が記録媒体であることを特徴とす
    る請求項１〜請求項２１の帯電防止が施された製品。
23. 【請求項２３】 基体が鉛筆硬度Ｈ以上のハードコート
    膜が設けられてなる記録媒体であることを特徴とする請
    求項１〜請求項２２の帯電防止が施された製品。
24. 【請求項２４】 ハードコート膜は（メタ）アクリロイ
    ル基を有する重合性化合物が重合されてなることを特徴
    とする請求項２３の帯電防止が施された製品。
25. 【請求項２５】 ハードコート膜は親水性の基を持つこ
    とを特徴とする請求項２３または請求項２４の帯電防止
    が施された製品。