JPH07162068A - ガスレーザ発振装置 - Google Patents
ガスレーザ発振装置Info
- Publication number
- JPH07162068A JPH07162068A JP5306592A JP30659293A JPH07162068A JP H07162068 A JPH07162068 A JP H07162068A JP 5306592 A JP5306592 A JP 5306592A JP 30659293 A JP30659293 A JP 30659293A JP H07162068 A JPH07162068 A JP H07162068A
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- Japan
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- capacitor
- peak
- main capacitor
- laser light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ガスレーザ光波形のテール部を抑制
してピーク出力が高く、短いパルス幅のガスレーザ光を
出力する。 【構成】主コンデンサ(3) に蓄積された電荷をサイラト
ロン(2) の導通によりピーキングコンデンサ(5) に移行
し、その充電電圧をガスレーザ管(6) に印加してレーザ
光を出力するとき、ガスレーザ管(6) に流れる電流波形
は、主コンデンサ(3) からピーキングコンデンサ(5) に
移行する電荷による１つ目の山と、主コンデンサ(3) に
残留する電荷による２つ目の山とであるが、この２つ目
の山が立ち上がるとき、つまりサイラトロン(2) の導通
時から所定時間経過後に、主コンデンサ(3) からピーキ
ングコンデンサ(5) に移行する電荷を電荷消費回路(10)
において消費する。
してピーク出力が高く、短いパルス幅のガスレーザ光を
出力する。 【構成】主コンデンサ(3) に蓄積された電荷をサイラト
ロン(2) の導通によりピーキングコンデンサ(5) に移行
し、その充電電圧をガスレーザ管(6) に印加してレーザ
光を出力するとき、ガスレーザ管(6) に流れる電流波形
は、主コンデンサ(3) からピーキングコンデンサ(5) に
移行する電荷による１つ目の山と、主コンデンサ(3) に
残留する電荷による２つ目の山とであるが、この２つ目
の山が立ち上がるとき、つまりサイラトロン(2) の導通
時から所定時間経過後に、主コンデンサ(3) からピーキ
ングコンデンサ(5) に移行する電荷を電荷消費回路(10)
において消費する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガスレーザ発振装置の改
良に関する。
良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５はガスレーザ発振装置の構成図であ
る。高圧直流電源１の一端側（高電圧側）には、スイッ
チング素子としてのサイラトロン２が接続されると共に
主コンデンサ３が接続され、さらにこの主コンデンサ３
に対して充電抵抗４が接続されている。なお、高圧直流
電源１の他端側（低電圧側）は接地されている。
る。高圧直流電源１の一端側（高電圧側）には、スイッ
チング素子としてのサイラトロン２が接続されると共に
主コンデンサ３が接続され、さらにこの主コンデンサ３
に対して充電抵抗４が接続されている。なお、高圧直流
電源１の他端側（低電圧側）は接地されている。
【０００３】そして、この充電抵抗４に対してピーキン
グコンデンサ５が並列接続され、このピーキングコンデ
ンサ５に対して並列にガスレーザ管６が接続されてい
る。このガスレーザ管６は、例えばＴＥＡＣＯ2 レーザ
等のガスレーザ媒質が封入されており、かつ均一な主放
電の発生を容易とするための予備電離電極（トリガ電
極）７が設けられている。
グコンデンサ５が並列接続され、このピーキングコンデ
ンサ５に対して並列にガスレーザ管６が接続されてい
る。このガスレーザ管６は、例えばＴＥＡＣＯ2 レーザ
等のガスレーザ媒質が封入されており、かつ均一な主放
電の発生を容易とするための予備電離電極（トリガ電
極）７が設けられている。
【０００４】かかる構成であれば、高圧直流電源１から
の電荷は、主コンデンサ３及び充電抵抗４により形成さ
れる回路を通して主コンデンサ３に蓄積される。この状
態に、サイラトロン２に対してトリガパルスが印加され
ると、このサイラトロン２は導通し、これによって主コ
ンデンサ３に蓄積された電荷はピーキングコンデンサ５
に移行する。この電荷の移行によりピーキングコンデン
サ５が充電され、この充電電圧はガスレーザ管６に印加
される。
の電荷は、主コンデンサ３及び充電抵抗４により形成さ
れる回路を通して主コンデンサ３に蓄積される。この状
態に、サイラトロン２に対してトリガパルスが印加され
ると、このサイラトロン２は導通し、これによって主コ
ンデンサ３に蓄積された電荷はピーキングコンデンサ５
に移行する。この電荷の移行によりピーキングコンデン
サ５が充電され、この充電電圧はガスレーザ管６に印加
される。
【０００５】かくして、ガスレーザ管６は、トリガ電極
７において予備放電が発生して予備電離が行われ、プラ
ズマパラメータにより決まる一定電圧に達すると、主放
電が発生してレーザ発振が行われる。
７において予備放電が発生して予備電離が行われ、プラ
ズマパラメータにより決まる一定電圧に達すると、主放
電が発生してレーザ発振が行われる。
【０００６】ところで、ガスレーザ管６の主電極間に流
れる電流波形は、図６に示すように通り、２つのピーク
（山）を有するものとなり、１つ目の山は主コンデンサ
３からピーキングコンデンサ５に移行する電荷による電
流であり、２つ目の山は主コンデンサ３に残った電荷に
よる電流である。
れる電流波形は、図６に示すように通り、２つのピーク
（山）を有するものとなり、１つ目の山は主コンデンサ
３からピーキングコンデンサ５に移行する電荷による電
流であり、２つ目の山は主コンデンサ３に残った電荷に
よる電流である。
【０００７】このような電流波形により発振するガスレ
ーザ光の波形は、図７に示すように電流波形の１つ目の
山により発生するピーク部と、２つ目の山により発生す
るテール部とから形成される。
ーザ光の波形は、図７に示すように電流波形の１つ目の
山により発生するピーク部と、２つ目の山により発生す
るテール部とから形成される。
【０００８】ここで、このようなガスレーザ光を、非線
形結晶に照射してＳＨＧ（第２次高調波）、ＴＨＧ（第
３次高調波）又はＦＨＧ（第４次高調波）を発生させる
場合、その高調波への変換効率は、ピーク部のピーク出
力が大きくなる程高くなるが、これに反してテール部で
は熱に変換されるために非線形結晶に対してダメージを
与える原因となる。
形結晶に照射してＳＨＧ（第２次高調波）、ＴＨＧ（第
３次高調波）又はＦＨＧ（第４次高調波）を発生させる
場合、その高調波への変換効率は、ピーク部のピーク出
力が大きくなる程高くなるが、これに反してテール部で
は熱に変換されるために非線形結晶に対してダメージを
与える原因となる。
【０００９】このような事からガスレーザ光波形のテー
ル部を小さくするために、充電抵抗４の抵抗値を小さく
し、主放電時にこの抵抗による電荷の消費を多くする事
が考えられるが、このように充電抵抗４の抵抗値を小さ
くすると、電流波形の１つ目の山の電流値も小さくな
り、ピーク部におけるレーザ光発振効率の低下してしま
う。
ル部を小さくするために、充電抵抗４の抵抗値を小さく
し、主放電時にこの抵抗による電荷の消費を多くする事
が考えられるが、このように充電抵抗４の抵抗値を小さ
くすると、電流波形の１つ目の山の電流値も小さくな
り、ピーク部におけるレーザ光発振効率の低下してしま
う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにレーザ光
波形は、ピーク部とテール部とを有するものとなり、例
えば高調波を発生させる場合には、そのテール部におけ
る熱への変換のために非線形結晶に対してダメージを与
える原因となる。
波形は、ピーク部とテール部とを有するものとなり、例
えば高調波を発生させる場合には、そのテール部におけ
る熱への変換のために非線形結晶に対してダメージを与
える原因となる。
【００１１】そこで本発明は、ガスレーザ光波形のテー
ル部を抑制してピーク出力が高く、短いパルス幅のガス
レーザ光を出力できるガスレーザ発振装置を提供するこ
とを目的とする。
ル部を抑制してピーク出力が高く、短いパルス幅のガス
レーザ光を出力できるガスレーザ発振装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、主コ
ンデンサに蓄積された電荷をスイッチング素子の導通に
よりピーキングコンデンサに移行し、このピーキングコ
ンデンサの充電電圧をガスレーザ管に印加してレーザ光
を出力するガスレーザ発振装置において、スイッチング
素子の導通時から所定時間経過後に、主コンデンサから
ピーキングコンデンサに移行する電荷を消費する電荷消
費回路を備えて上記目的を達成しようとするガスレーザ
発振装置である。
ンデンサに蓄積された電荷をスイッチング素子の導通に
よりピーキングコンデンサに移行し、このピーキングコ
ンデンサの充電電圧をガスレーザ管に印加してレーザ光
を出力するガスレーザ発振装置において、スイッチング
素子の導通時から所定時間経過後に、主コンデンサから
ピーキングコンデンサに移行する電荷を消費する電荷消
費回路を備えて上記目的を達成しようとするガスレーザ
発振装置である。
【００１３】
【作用】請求項１によれば、主コンデンサに蓄積された
電荷をスイッチング素子の導通によりピーキングコンデ
ンサに移行し、このピーキングコンデンサの充電電圧を
ガスレーザ管に印加してレーザ光を出力する。
電荷をスイッチング素子の導通によりピーキングコンデ
ンサに移行し、このピーキングコンデンサの充電電圧を
ガスレーザ管に印加してレーザ光を出力する。
【００１４】このときガスレーザ管に流れる電流波形
は、主コンデンサからピーキングコンデンサに移行する
電荷による１つ目の山と、主コンデンサに残留する電荷
による２つ目の山とであるが、この２つ目の山が立ち上
がるとき、つまりスイッチング素子の導通時から所定時
間経過後に、主コンデンサからピーキングコンデンサに
移行する電荷を電荷消費回路において消費する。これに
より、主コンデンサに残留する電荷は消費されてガスレ
ーザ管に印加される電位は、早い時間でゼロ電位とな
る。
は、主コンデンサからピーキングコンデンサに移行する
電荷による１つ目の山と、主コンデンサに残留する電荷
による２つ目の山とであるが、この２つ目の山が立ち上
がるとき、つまりスイッチング素子の導通時から所定時
間経過後に、主コンデンサからピーキングコンデンサに
移行する電荷を電荷消費回路において消費する。これに
より、主コンデンサに残留する電荷は消費されてガスレ
ーザ管に印加される電位は、早い時間でゼロ電位とな
る。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。なお、図４と同一部分には同一符号を付
してその詳しい説明は省略する。図１はガスレーザ発振
装置の構成図である。ピーキングコンデンサ５には、電
荷消費回路１０が接続されている。この電荷消費回路１
０は、サイラトロン２の導通時から所定時間経過後、つ
まりガスレーザ管６に流れる電流における主コンデンサ
３からピーキングコンデンサ５に移行する電荷のうち、
主コンデンサ３に残留する電荷による２つ目の山が立ち
上がるときに、主コンデンサ３からピーキングコンデン
サ５に移行する電荷を消費する機能を有するものであ
る。
して説明する。なお、図４と同一部分には同一符号を付
してその詳しい説明は省略する。図１はガスレーザ発振
装置の構成図である。ピーキングコンデンサ５には、電
荷消費回路１０が接続されている。この電荷消費回路１
０は、サイラトロン２の導通時から所定時間経過後、つ
まりガスレーザ管６に流れる電流における主コンデンサ
３からピーキングコンデンサ５に移行する電荷のうち、
主コンデンサ３に残留する電荷による２つ目の山が立ち
上がるときに、主コンデンサ３からピーキングコンデン
サ５に移行する電荷を消費する機能を有するものであ
る。
【００１６】具体的には、ピーキングコンデンサ５に対
して並列に、サイラトロン１１及び放電抵抗１２を接続
した構成となっている。このうち、放電抵抗１２の抵抗
値は、充電抵抗４の抵抗値と比べて十分小さい値に設定
されている。
して並列に、サイラトロン１１及び放電抵抗１２を接続
した構成となっている。このうち、放電抵抗１２の抵抗
値は、充電抵抗４の抵抗値と比べて十分小さい値に設定
されている。
【００１７】又、トリガ制御回路１３は、サイラトロン
２に対してトリガパルスを印加し、このときから所定時
間経過後にサイラトロン１１に対してトリガパルスを印
加して、各サイラトロン２、１１の導通制御を行う機能
を有している。
２に対してトリガパルスを印加し、このときから所定時
間経過後にサイラトロン１１に対してトリガパルスを印
加して、各サイラトロン２、１１の導通制御を行う機能
を有している。
【００１８】ここで、サイラトロン１１に対するトリガ
パルス印加のタイミングは、上記の如くガスレーザ管６
に流れる電流において、主コンデンサ３に残留する電荷
による２つ目の山が立ち上がるときであって、この時間
は予め測定することにより得られるものである。
パルス印加のタイミングは、上記の如くガスレーザ管６
に流れる電流において、主コンデンサ３に残留する電荷
による２つ目の山が立ち上がるときであって、この時間
は予め測定することにより得られるものである。
【００１９】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。高圧直流電源１から供給される電荷は、
主コンデンサ３及び充電抵抗４により形成される回路を
通して主コンデンサ３に蓄積される。
いて説明する。高圧直流電源１から供給される電荷は、
主コンデンサ３及び充電抵抗４により形成される回路を
通して主コンデンサ３に蓄積される。
【００２０】この状態に、サイラトロン２に対してトリ
ガ制御回路１３からトリガパルスが印加されると、この
サイラトロン２は導通し、これによって主コンデンサ３
に蓄積された電荷はピーキングコンデンサ５に移行す
る。この電荷の移行によりピーキングコンデンサ５が充
電されると、この充電電圧がガスレーザ管６に印加され
る。
ガ制御回路１３からトリガパルスが印加されると、この
サイラトロン２は導通し、これによって主コンデンサ３
に蓄積された電荷はピーキングコンデンサ５に移行す
る。この電荷の移行によりピーキングコンデンサ５が充
電されると、この充電電圧がガスレーザ管６に印加され
る。
【００２１】かくして、ガスレーザ管６は、トリガ電極
７において予備放電が発生して予備電離が行われ、プラ
ズマパラメータにより決まる一定電圧に達すると、主放
電が発生してガスレーザ発振が行われる。
７において予備放電が発生して予備電離が行われ、プラ
ズマパラメータにより決まる一定電圧に達すると、主放
電が発生してガスレーザ発振が行われる。
【００２２】ここで、ガスレーザ管６に流れる主放電の
電流は、上記の如く主コンデンサ３からピーキングコン
デンサ５に移行した電荷による１つ目の山の電流波形が
発生し、次に主コンデンサ３に残留する電荷による２つ
目の山の電流波形とが発生しようとする。
電流は、上記の如く主コンデンサ３からピーキングコン
デンサ５に移行した電荷による１つ目の山の電流波形が
発生し、次に主コンデンサ３に残留する電荷による２つ
目の山の電流波形とが発生しようとする。
【００２３】このように２つ目の山の電流波形が立ち上
がるとき、サイラトロン１１に対してトリガ制御回路１
３からトリガパルスが印加される。このトリガパルス印
加によりサイラトロン１１が導通すると、主コンデンサ
３に残留する電荷は、サイラトロン１１から放電抵抗１
２に流れる。
がるとき、サイラトロン１１に対してトリガ制御回路１
３からトリガパルスが印加される。このトリガパルス印
加によりサイラトロン１１が導通すると、主コンデンサ
３に残留する電荷は、サイラトロン１１から放電抵抗１
２に流れる。
【００２４】これにより、この電荷は、放電抵抗１２及
び主コンデンサ３により決まる時定数に従って消費さ
れ、ガスレーザ管６に流れる２つ目の山の電流は、図２
に示すように抑制されて無くなる。なお、放電抵抗１２
の抵抗値は、充電抵抗４の抵抗値と比べて十分小さい値
に設定されているので、短い時定数により電荷が消費さ
れる。
び主コンデンサ３により決まる時定数に従って消費さ
れ、ガスレーザ管６に流れる２つ目の山の電流は、図２
に示すように抑制されて無くなる。なお、放電抵抗１２
の抵抗値は、充電抵抗４の抵抗値と比べて十分小さい値
に設定されているので、短い時定数により電荷が消費さ
れる。
【００２５】この２つ目の山の電流が抑制されることに
より、ガスレーザ管６の主電極間の印加電圧も低下し、
主放電の発生も抑えられる。従って、ガスレーザ発振光
は、電流波形の１つ目の山にのみで発生し、２つ目の山
では発生しなくなる。
より、ガスレーザ管６の主電極間の印加電圧も低下し、
主放電の発生も抑えられる。従って、ガスレーザ発振光
は、電流波形の１つ目の山にのみで発生し、２つ目の山
では発生しなくなる。
【００２６】この結果、ガスレーザ光は、図３に示すよ
うにピーク出力が高く、かつパルス幅の短い発振とな
る。ここで、かかるＣＯ2 ガスレーザ光の高調波を発生
させるために、非線形結晶に対してガスレーザ光を入射
する場合について説明する。
うにピーク出力が高く、かつパルス幅の短い発振とな
る。ここで、かかるＣＯ2 ガスレーザ光の高調波を発生
させるために、非線形結晶に対してガスレーザ光を入射
する場合について説明する。
【００２７】高調波の発生は、非線形結晶に入射するガ
スレーザ光のピーク部の強度（Ｗ／ｃｍ2 ）に依存し、
ガスレーザ光波形のテール部はピーク部に比べてピーク
パワーが弱く、殆ど高調波発生に寄与しない。そればか
りか、テール部は、低いエネルギーが長時間続くために
非線形結晶を発熱させるてダメージを与える原因とな
る。以下、実験結果を表に示すと、
スレーザ光のピーク部の強度（Ｗ／ｃｍ2 ）に依存し、
ガスレーザ光波形のテール部はピーク部に比べてピーク
パワーが弱く、殆ど高調波発生に寄与しない。そればか
りか、テール部は、低いエネルギーが長時間続くために
非線形結晶を発熱させるてダメージを与える原因とな
る。以下、実験結果を表に示すと、
【００２８】
【表１】 となる。
【００２９】この表から分るように、従来例Ａでは、入
力エネルギー９０ｍＪに対してピーク部のエネルギー比
は５０％であるため、同ピーク部のエネルギーは４５ｍ
Ｊとなり、パルス幅は１５０ｎｓとなり、ピーク出力は
０．３ＭＷとなる。このようなガスレーザ光により発生
する高調波は、１．６ｍＪとなり、その変換効率は５．
３％となる。
力エネルギー９０ｍＪに対してピーク部のエネルギー比
は５０％であるため、同ピーク部のエネルギーは４５ｍ
Ｊとなり、パルス幅は１５０ｎｓとなり、ピーク出力は
０．３ＭＷとなる。このようなガスレーザ光により発生
する高調波は、１．６ｍＪとなり、その変換効率は５．
３％となる。
【００３０】又、従来例Ｂでは、入力エネルギーを３０
０ｍＪとした場合で、その変換効率は８．０％に止まっ
ている。これに対して本実施例では、入力エネルギーを
１０５ｍＪとした場合、従来例Ｂの入力エネルギーと比
べて３分の１程度であるものの、ピーク部のエネルギー
比が大きく、パルス幅が短いので、ピーク出力は２．６
ＭＷとなるとともに高調波の発生エネルギーは、１０ｍ
Ｊと高くなる。この結果、発生エネルギーは従来例Ａと
比べて６．２５倍となり、かつ変換効率は１７．３％と
なり、従来例Ｂと比べても倍以上の値を示す。
０ｍＪとした場合で、その変換効率は８．０％に止まっ
ている。これに対して本実施例では、入力エネルギーを
１０５ｍＪとした場合、従来例Ｂの入力エネルギーと比
べて３分の１程度であるものの、ピーク部のエネルギー
比が大きく、パルス幅が短いので、ピーク出力は２．６
ＭＷとなるとともに高調波の発生エネルギーは、１０ｍ
Ｊと高くなる。この結果、発生エネルギーは従来例Ａと
比べて６．２５倍となり、かつ変換効率は１７．３％と
なり、従来例Ｂと比べても倍以上の値を示す。
【００３１】さらに、非線形結晶の結晶ダメージの限界
強度は、図４に示すように本実施例と従来例とを比較す
ると、本実施例が４倍程度高くなっている。このように
上記一実施例においては、ピーキングコンデンサ５に対
して、サイラトロン２の導通時から所定時間経過後、つ
まりガスレーザ管６に流れる電流波形における主コンデ
ンサ３からピーキングコンデンサ５に移行する電荷のう
ち、主コンデンサ３に残留する電荷による２つ目の山が
立ち上がるときに、主コンデンサ３からピーキングコン
デンサ５に移行する電荷を消費する電荷消費回路１０を
接続したので、主コンデンサ３からピーキングコンデン
サ５に移行する残留の電荷による２つ目の山を抑制し、
ピーク出力が高く、かつ短いパルス幅のガスレーザ光が
得られる。
強度は、図４に示すように本実施例と従来例とを比較す
ると、本実施例が４倍程度高くなっている。このように
上記一実施例においては、ピーキングコンデンサ５に対
して、サイラトロン２の導通時から所定時間経過後、つ
まりガスレーザ管６に流れる電流波形における主コンデ
ンサ３からピーキングコンデンサ５に移行する電荷のう
ち、主コンデンサ３に残留する電荷による２つ目の山が
立ち上がるときに、主コンデンサ３からピーキングコン
デンサ５に移行する電荷を消費する電荷消費回路１０を
接続したので、主コンデンサ３からピーキングコンデン
サ５に移行する残留の電荷による２つ目の山を抑制し、
ピーク出力が高く、かつ短いパルス幅のガスレーザ光が
得られる。
【００３２】このようなガスレーザ光を非線形結晶に入
射して高調波を発生させれば、電流波形のテール部によ
る熱のダメージを受けることなく、高い変換効率で高調
波を発生できる。
射して高調波を発生させれば、電流波形のテール部によ
る熱のダメージを受けることなく、高い変換効率で高調
波を発生できる。
【００３３】又、このようなガスレーザ光は、距離計測
等のリモートセンシング分野においても大変有効であ
り、又、低いピークエネルギーを含まないので熱による
影響の少ない高いピーク出力を利用したレーザ加工にも
有効である。
等のリモートセンシング分野においても大変有効であ
り、又、低いピークエネルギーを含まないので熱による
影響の少ない高いピーク出力を利用したレーザ加工にも
有効である。
【００３４】なお、本発明は、上記一実施例に限定され
るものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、電荷消費回路１０の構成は、サイラトロン
１１及び放電抵抗１２に限ることはなく、主コンデンサ
３に残っている電荷を消費するような回路構成であれば
よい。
るものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してもよ
い。例えば、電荷消費回路１０の構成は、サイラトロン
１１及び放電抵抗１２に限ることはなく、主コンデンサ
３に残っている電荷を消費するような回路構成であれば
よい。
【００３５】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、ガ
スレーザ光波形のテール部を抑制してピーク出力が高
く、短いパルス幅のガスレーザ光を出力できるガスレー
ザ発振装置を提供できる。
スレーザ光波形のテール部を抑制してピーク出力が高
く、短いパルス幅のガスレーザ光を出力できるガスレー
ザ発振装置を提供できる。
【図１】本発明に係わるガスレーザ発振装置の一実施例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】同装置のガスレーザ管に流れる電流波形を示す
図。
図。
【図３】同装置により発振されるガスレーザ光の波形
図。
図。
【図４】同装置及び従来装置により発振されるガスレー
ザ光を非線形結晶に入射した場合の結晶ダメージ限界強
度を示す図。
ザ光を非線形結晶に入射した場合の結晶ダメージ限界強
度を示す図。
【図５】従来装置の構成図。
【図６】同装置のガスレーザ管に流れる電流波形を示す
図。
図。
【図７】同装置により発振されるガスレーザ光の波形
図。
図。
１…高圧直流電源、２…サイラトロン、３…主コンデン
サ、４…充電抵抗、５…ピーキングコンデンサ、６…ガ
スレーザ管、７…予備電離電極（トリガ電極）、１０…
電荷消費回路、１１…サイラトロン、１２…放電抵抗、
１３…トリガ制御回路。
サ、４…充電抵抗、５…ピーキングコンデンサ、６…ガ
スレーザ管、７…予備電離電極（トリガ電極）、１０…
電荷消費回路、１１…サイラトロン、１２…放電抵抗、
１３…トリガ制御回路。
Claims (1)
- 【請求項１】 主コンデンサに蓄積された電荷をスイッ
チング素子の導通によりピーキングコンデンサに移行
し、このピーキングコンデンサの充電電圧をガスレーザ
管に印加してガスレーザ光を出力するガスレーザ発振装
置において、 前記スイッチング素子の導通時から所定時間経過後に前
記主コンデンサから前記ピーキングコンデンサに移行す
る電荷を消費する電荷消費回路を備えたことを特徴とす
るガスレーザ発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306592A JPH07162068A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | ガスレーザ発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5306592A JPH07162068A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | ガスレーザ発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07162068A true JPH07162068A (ja) | 1995-06-23 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306592A Pending JPH07162068A (ja) | 1993-12-07 | 1993-12-07 | ガスレーザ発振装置 |
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| JP (1) | JPH07162068A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107349A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Seidensha Electronics Co Ltd | 炭酸ガスレーザの励起媒質ガス、炭酸ガスレーザ装置、炭酸ガスレーザを用いたマーキング装置、炭酸ガスレーザ発生方法、炭酸ガスレーザを用いたマーキング方法、及び炭酸ガスレーザ光 |
| JP2017130680A (ja) * | 2017-03-14 | 2017-07-27 | 精電舎電子工業株式会社 | 炭酸ガスレーザの励起媒質ガス、炭酸ガスレーザを用いたマーキング装置、炭酸ガスレーザ発生方法、炭酸ガスレーザを用いたマーキング方法、及び炭酸ガスレーザ光源 |
| JP2017216463A (ja) * | 2017-07-10 | 2017-12-07 | 精電舎電子工業株式会社 | 炭酸ガスレーザ装置 |
-
1993
- 1993-12-07 JP JP5306592A patent/JPH07162068A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107349A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Seidensha Electronics Co Ltd | 炭酸ガスレーザの励起媒質ガス、炭酸ガスレーザ装置、炭酸ガスレーザを用いたマーキング装置、炭酸ガスレーザ発生方法、炭酸ガスレーザを用いたマーキング方法、及び炭酸ガスレーザ光 |
| JP2017130680A (ja) * | 2017-03-14 | 2017-07-27 | 精電舎電子工業株式会社 | 炭酸ガスレーザの励起媒質ガス、炭酸ガスレーザを用いたマーキング装置、炭酸ガスレーザ発生方法、炭酸ガスレーザを用いたマーキング方法、及び炭酸ガスレーザ光源 |
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