JPH07153709A - ガス拡散装置 - Google Patents

ガス拡散装置

Info

Publication number
JPH07153709A
JPH07153709A JP32988693A JP32988693A JPH07153709A JP H07153709 A JPH07153709 A JP H07153709A JP 32988693 A JP32988693 A JP 32988693A JP 32988693 A JP32988693 A JP 32988693A JP H07153709 A JPH07153709 A JP H07153709A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction tube
boat
gas
wafer
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32988693A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Fukushima
浩 福島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP32988693A priority Critical patent/JPH07153709A/ja
Publication of JPH07153709A publication Critical patent/JPH07153709A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ面にガスが均一に接触できるガス拡散
装置を提供すること。 【構成】 このガス拡散装置1は、所定のガスが注入さ
れる筒状の反応管2と、ウエハ10の周縁を保持する少
なくとも3本の保持棒31および各保持棒31の両端を
つなぎ止める保持板32から構成されウエハ10を保持
した状態で反応管2の内部に挿入されるボート3と、反
応管2の周囲に配置されるヒータ4とから成るものであ
って、ボート3にて保持するウエハ10の略中央を回転
中心としてボート3を反応管2内で回転させる回転機構
5を備えたり、保持棒31に攪拌板33を備えたりす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程にお
いて用いられるウエハへのガス拡散装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】IC等の半導体装置の製造工程における
不純物拡散では、シリコン等から成るウエハを石英製の
ボートで保持した状態で石英製の管内に挿入し、この管
内に不純物源を含むガスを流入させることで熱拡散処理
が行われている。
【0003】図2は、この熱拡散処理を行うためのガス
拡散装置を説明する概略断面図であり、(a)はその
1、(b)はその2を示すものである。すなわち、図2
(a)に示すガス拡散装置1は、主として石英により形
成され例えば横長状に配置された筒状の反応管2と、反
応管2の一端側から内部に所定のガスを注入するための
ガスライン11と、複数枚のウエハ10を並べた状態で
保持し反応管2の他端側から内部に挿入される石英製の
ボート3と、反応管2の周囲に配置されるヒータ4とか
ら構成されるものである。
【0004】このガス拡散装置1を用いてウエハ10内
へ例えばリン(P)やボロン(B)から成る不純物を拡
散させるには、先ず、ヒータ4により反応管2を加熱し
ながらガスライン11から反応管2の内部へ窒素
(N2 )等のキャリアガスを注入する。そして、反応管
2内が所定の設定温度に達した後、反応管2の一方側
(例えばガスライン11と反対側)からウエハ10を保
持したボート3を石英製の棒6を用いて挿入し、キャッ
プ20にて反応管2の一方側を閉じる。
【0005】この状態で拡散させたいリン(P)やボロ
ン(B)等を含む不純物ガスをキャリアガスやその他の
ガスとともにガスライン11から反応管2内へ注入す
る。これにより注入したガスのうち所定のガスが反応管
2内で反応し、ウエハ10内へ不純物として拡散する。
ガスの注入は所定の拡散が終了するまで行われるが、こ
の際の余剰ガスはキャップ20に設けられた小穴20a
から外部へ排出される。そして、拡散が終了した後にキ
ャップ20を外し、棒6を用いてボート3を引き出すこ
とにより拡散処理が成されたウエハ10を反応管2内か
ら取り出す。
【0006】この図2(a)に示すガス拡散装置1にお
いては、注入した各ガスの熱膨張率の差によって反応管
2内でガスが層流となってしまい、各ガスの十分な混合
が成されないために反応が不十分となりウエハ10の面
内における不純物濃度のばらつきが生じてしまう。そこ
で、図2(b)に示すガス拡散装置1では、反応管2内
のガスライン11に近い位置に拡散板21が設けられて
おり、ガスライン11から注入されるガスがこの拡散板
21を通過する際に拡散してウエハ10の位置まで達す
るようになっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のガス拡散装置には次のような問題がある。すなわち、
いずれのガス拡散装置であっても反応管に注入されて反
応したガスが反応管内の上部近くを流れることになり、
ウエハの上部と下部ではガスとの接触に不均一が生じて
しまう。このため、ウエハの面内における不純物濃度の
ばらつきが発生し、これによって製造する半導体装置の
特性不均一や良品の歩留り低下を招くことになる。よっ
て、本発明はウエハ面にガスが均一に接触できるガス拡
散装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたガス拡散装置である。すなわ
ちこのガス拡散装置は、一端側から内部へ所定のガスが
注入される筒状の反応管と、ウエハの周縁を保持する少
なくとも3本の保持棒および各保持棒の両端をつなぎ止
める保持板から構成されウエハを保持した状態で反応管
の他端側から内部に挿入されるボートと、反応管の周囲
に配置されるヒータとから成り、ボートにて保持するウ
エハの略中央を回転中心としてボートを反応管内で回転
させる回転機構を備えた構成となっている。また、保持
棒に攪拌板を設けたガス拡散装置でもある。
【0009】
【作用】本発明のガス拡散装置に備えられた回転機構に
より、ウエハの略中央を回転中心としてボートが反応管
内で回転するため、反応管内においてガスの流れに偏り
があってもウエハの全面と効率よく接触することにな
る。また、ボートを構成する保持棒に攪拌板を備えるこ
とで、攪拌板がボートの回転と一体となり反応管の内面
に沿って移動し反応管内のガスを混ぜ合わせるようにな
る。
【0010】
【実施例】以下に、本発明のガス拡散装置の実施例を図
に基づいて説明する。図1は、本発明のガス拡散装置1
を説明する概略図で、(a)は側断面図、(b)は
(a)のA−A線矢視断面図である。なお、本実施例の
ガス拡散装置1において従来と同様な構成である例えば
反応管2、ガスライン11および拡散板21については
説明を省略し、新たな部分について説明する。
【0011】すなわち、このガス拡散装置1は従来のも
のに比べ特にボート3の部分に特徴がある。ボート3
は、ウエハ10の周縁を保持する少なくとも3本の保持
棒31、およびこれらの保持棒31の両端をつなぎ止め
る石英製の保持板32から構成されている。保持棒31
は保持板32から取り外しできるようになっており、例
えばウエハ10をボート3に着脱する際に取り外せるよ
うになっている。
【0012】また、ガスライン11と反対側の保持板3
2には軸51が取り付けられており、さらにこの軸51
を介して反応管2の外部にモータ52が取り付けられて
いる。つまり、この軸51とモータ52とによりボート
3の回転機構5が構成され、ボート3に保持したウエハ
10の略中央を回転中心としてボート3が反応管2内で
回転できるようになっている。
【0013】また、ボート3を構成する各保持棒31に
は石英製の攪拌板33が取り付けられており、ウエハ1
0の略中央を中心としたボート3の回転移動と一体とな
り反応管2の内面に沿って移動して反応管内2の各ガス
を混ぜ合わせることができるようになっている。
【0014】このようなガス拡散装置1を用いてウエハ
10へ所定の不純物を拡散させるには、先ず、ヒータ4
により反応管2を加熱しながらガスライン11からキャ
リアガスを注入する。また、予め反応管2の外部におい
てボート3の3本の保持棒31によりウエハ10を保持
しておく。ボート3を用いてウエハ10を保持するに
は、先に述べたように保持棒31を保持板32から取り
外して行い、ウエハ10を配置した後に保持棒31を取
り付けるようにする。
【0015】次に、反応管2の一端側(例えば、ガスラ
イン11の反対側)からウエハ10を保持したボート3
を反応管2内に挿入し、所定位置までボート3を押し込
んだ状態でキャップ20を閉める。そして、回転機構5
のモータ52を回転させ軸51を介してその回転運動を
反応管2内のボート3に伝達する。これにより、ボート
3は保持しているウエハ10の略中央を中心として反応
管2で回転移動することになる。
【0016】この状態で、ガスライン11から拡散させ
たい不純物ガス(リン(P)、ボロン(B)等を含むガ
ス)をキャリアガスやその他のガスとともに反応管2内
へ注入する。注入されたガスは、回転しているボート3
の保持棒31に取り付けられた攪拌板33によって反応
管2内で混ぜ合わされ、均一に分布するようになる。ま
た、ボート3の回転によって保持されているウエハ10
も回転するため、ウエハ10の表面にガスが効率よく接
触するようになる。これにより、ウエハ10面内におい
て均一な不純物拡散を行うことができるようになる。
【0017】反応管2内に注入したガスのうち余剰ガス
はキャップ20に設けられた小穴20aから外部に排出
される。そして、所定の拡散が終了した後にキャップ2
0を外し、ボート3を引き出すことによって拡散処理が
成されたウエハ10を反応管2内から取り出すようにす
る。
【0018】このようにしてウエハ10の面内において
均一な濃度で不純物を拡散させることができる。なお、
本実施例においては横長状の反応管2を用いた例を説明
したが、本発明はこれに限定されず縦長状の反応管2を
用いたガス拡散装置1であっても同様である。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明のガス拡散装
置によれば次のような効果がある。すなわち、ボートの
回転によって反応管内でウエハを回転させることでウエ
ハ面にガスを均一に接触させることが可能となる。さら
に、ボートの保持棒に取り付けた攪拌板によって反応管
内に注入されたガスを混ぜ合わせることができるため、
反応管内のガスを均一に分布させることが可能となる。
これらによってウエハ面内における不純物濃度の均一化
が図れ、製造する半導体装置の特性均一化および良品の
歩留り向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のガス拡散装置を説明する概略図で、
(a)は側断面図、(b)は(a)のA−A線矢視断面
図である。
【図2】従来のガス拡散装置を説明する概略断面図で、
(a)はその1、(b)はその2である。
【符号の説明】
1 ガス拡散装置 2 反応管 3 ボート 4 ヒータ 5 回転機構 10 ウエハ 11 ガスライン 31 保持棒 32 保持板 33 攪拌板 51 軸 52 モータ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端側から内部へ所定のガスが注入され
    る筒状の反応管と、ウエハの周縁を保持する少なくとも
    3本の保持棒および各保持棒の両端をつなぎ止める保持
    板から構成され該ウエハを保持した状態で該反応管の他
    端側から内部に挿入されるボートと、該反応管の周囲に
    配置されるヒータとから成るガス拡散装置であって、 前記ボートにて保持するウエハの略中央を回転中心とし
    て該ボートを前記反応管内で回転させる回転機構を備え
    たことを特徴とするガス拡散装置。
  2. 【請求項2】 前記保持棒は攪拌板を備えていることを
    特徴とする請求項1記載のガス拡散装置。
JP32988693A 1993-11-30 1993-11-30 ガス拡散装置 Pending JPH07153709A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32988693A JPH07153709A (ja) 1993-11-30 1993-11-30 ガス拡散装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32988693A JPH07153709A (ja) 1993-11-30 1993-11-30 ガス拡散装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07153709A true JPH07153709A (ja) 1995-06-16

Family

ID=18226357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32988693A Pending JPH07153709A (ja) 1993-11-30 1993-11-30 ガス拡散装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07153709A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5297956A (en) Method and apparatus for heat treating
JPS5588323A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH07153709A (ja) ガス拡散装置
US4016006A (en) Method of heat treatment of wafers
JPH04299828A (ja) 半導体基板処理装置
JP2859164B2 (ja) 半導体装置の製造装置
JPH1012536A (ja) 基板熱処理装置
JPS60130119A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS626646B2 (ja)
JPH01256120A (ja) 半導体基板の熱処理方法及びその装置
JP3330616B2 (ja) 流体容器内で基板を処理する装置および方法
JP2967895B2 (ja) 半導体ウェーハの保持装置
JPS586136A (ja) 半導体ウエ−ハの熱処理法
JPH11150077A (ja) 半導体ウエハの熱拡散装置
JPS63181315A (ja) 熱処理装置
JP2756777B2 (ja) 基板処理装置
JPS6020510A (ja) 不純物拡散方法
JPH04246176A (ja) Cvd装置
JPS63110632A (ja) 不純物拡散方法
JPH0783000B2 (ja) 処理装置
JP2001110731A (ja) 半導体製造装置の縦型炉
JPH02294023A (ja) 半導体装置の製造装置
JPH08321473A (ja) 半導体基板用熱処理装置
JPS62272526A (ja) 半導体装置の固相拡散方法
JPS6127625A (ja) 半導体物品の熱処理方法及びこれに使用する装置