JPH0715113A - Formation of printed wiring pattern - Google Patents

Formation of printed wiring pattern

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JPH0715113A
JPH0715113A JP15340093A JP15340093A JPH0715113A JP H0715113 A JPH0715113 A JP H0715113A JP 15340093 A JP15340093 A JP 15340093A JP 15340093 A JP15340093 A JP 15340093A JP H0715113 A JPH0715113 A JP H0715113A
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JP
Japan
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pattern
plating
copper
resist
wiring pattern
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JP15340093A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Yoshitomi
聰 吉富
Motoyo Wajima
元世 和嶋
Haruo Akaboshi
晴夫 赤星
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0715113A publication Critical patent/JPH0715113A/en
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Abstract

PURPOSE:To achieve the improvement of electric property and prevention of exfoliation by bringing the shape of the cross section of a copper wiring pattern close to a rectangle. CONSTITUTION:The shape of the cross section of a plated resist pattern 5, which is made on the surface of a laminate lined with copper, lying on an insulating substrate 1 is put in the shape of an over hang such as that the top juts out in an opening 6. Next, copper plating is performed in the opening, and etching resists 9 are formed on the head, where the copper plating is exposed, and the side face, and then the plating resist is exfoliated, and the base copper foil is etched off so as to form a copper wiring pattern 10 rectangular in cross section.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板の製造
に係り、特に、コンピュータ等に使用される高密度プリ
ント配線板の製造に好適なプリント配線パターン形成方
法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed wiring board manufacturing method, and more particularly to a printed wiring pattern forming method suitable for manufacturing a high density printed wiring board used in a computer or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のプリント配線板の製造方法には、
大きく分類して次の3通りの方法がある。
2. Description of the Related Art A conventional printed wiring board manufacturing method is
There are the following three methods, roughly classified.

【0003】(A)エッチングレジストを用いて導体パ
ターン部を保護し、パターン導体厚と同厚分の不要銅を
エッチングする方法で、”サブトラクティブ法”とい
う。本方法は、得られるパターン導体部の形状に関して
問題点がある。すなわち、パターン導体部の頭部に比べ
て裾部の幅が広く、しかも、この幅差はパターン導体厚
が大きくなるに従い増大する。
(A) A method of protecting the conductor pattern portion with an etching resist and etching unnecessary copper of the same thickness as the pattern conductor thickness, which is called "subtractive method". This method has a problem regarding the shape of the obtained pattern conductor portion. That is, the width of the skirt portion is wider than that of the head portion of the pattern conductor portion, and this width difference increases as the thickness of the pattern conductor portion increases.

【0004】(B)薄銅張積層板の表面に、配線パター
ン部を開口しためっきレジストパターンを形成し、該開
口部に厚付銅めっきと、エッチングレジスト形成とを順
次行う。その後、めっきレジストを剥離し、エッチング
レジストをマスクとして下地銅箔をエッチング除去し、
エッチングレジストを除去することより、プリント配線
パターンを積層板表面に形成する方法で、”セミアディ
ディブ法”という。本方法もパターン導体部の形状に関
して問題点がある。すなわち、エッチングレジストが厚
付銅めっきの側面を完全に被覆していないために、下地
銅箔のエッチング時に、厚付銅の側面もエッチングによ
って侵食される結果、パターンの裾部が小さくなる。
(B) A plating resist pattern having an opening in a wiring pattern portion is formed on the surface of the thin copper clad laminate, and thick copper plating and etching resist formation are sequentially performed in the opening portion. After that, the plating resist is peeled off, the underlying copper foil is removed by etching using the etching resist as a mask,
A method of forming a printed wiring pattern on the surface of a laminated board by removing the etching resist is called "semi-additive method". This method also has a problem regarding the shape of the pattern conductor portion. That is, since the side surface of the thick copper plating is not completely covered with the etching resist, the side surface of the thick copper is also eroded by the etching when the base copper foil is etched, and as a result, the bottom of the pattern becomes small.

【0005】(C)絶縁基材の表面に配線パターン部が
開口しためっきレジストパターンを形成し、該開口部に
厚付銅めっきすることよりプリント配線パターンを基材
表面に形成する方法で、”フルアディディブ法”とい
う。本方法により形成されるパターンの精度は良いが、
多層のプリント配線板の内層基板を形成する際に、現状
のめっきレジストの材料の性能(ガラス転移温度)に問
題がある。すなわち、めっきレジストが付いた状態で
は、内層基板の多層化接着時、ドリルによる穴明け時、
及び半田付け時の耐熱性に問題がある。また、このめっ
きレジストを剥離して多層基板を製造する場合、めっき
レジストの剥離が困難である。これらの問題の故に、フ
ルアディディブ法によって多層基板の内層基板を製造す
ることは困難である。
(C) A method of forming a printed resist pattern on the surface of a base material by forming a plating resist pattern having an opening of a wiring pattern portion on the surface of an insulating base material and plating thick copper on the opening. Full-additive method ". The pattern formed by this method has good accuracy,
When forming an inner layer substrate of a multilayer printed wiring board, there is a problem in the performance (glass transition temperature) of the current plating resist material. That is, in the state where the plating resist is attached, when the inner layer substrate is laminated in multiple layers, when drilling with a drill,
Also, there is a problem in heat resistance during soldering. Further, when the plating resist is peeled off to produce a multilayer substrate, it is difficult to peel off the plating resist. Due to these problems, it is difficult to manufacture the inner layer substrate of the multilayer substrate by the full-additive method.

【0006】近年のコンピュータの高速化に伴い、プリ
ント配線板の高密度化が要求されており、これを満たす
ためにパターン間隔及びパターン幅が狭く、パターン断
面積の大きいものが求められている。すなわち、矩形で
パターン導体厚が厚いものが求められている。これに対
して、現状のドライフィルムの材料の性能に問題があっ
て多層基板の内層基板の形成に困難なフルアディディブ
法を除いた、他の2方法に関して考察する。
With the recent increase in the speed of computers, there has been a demand for higher density of printed wiring boards, and in order to meet these demands, a pattern spacing and pattern width are narrow, and a pattern cross-sectional area is large. That is, a rectangular pattern conductor having a large thickness is required. On the other hand, two methods other than the full-additive method, which is difficult to form the inner layer substrate of the multilayer substrate due to the problem of the performance of the current dry film material, will be considered.

【0007】まず、サブトラクティブ法について述べ
る。前述のように、本方法により形成されたパターン導
体部の頭部と裾部を比較すると、後者が前者より幅広で
あり、パターンの導体厚が増加するに従い、この差も大
きくなる。このことから、アンダーカット及び裾幅の点
で、形成するパターンの幅及び導体厚に限度が有り、近
年のプリント配線板の高密度化に対応できない。
First, the subtractive method will be described. As described above, comparing the head and the hem of the pattern conductor portion formed by this method, the latter is wider than the former, and the difference becomes larger as the conductor thickness of the pattern increases. For this reason, the width of the pattern to be formed and the conductor thickness are limited in terms of undercut and hem width, and it is not possible to cope with the recent increase in density of printed wiring boards.

【0008】次に、セミアディディブ法について述べ
る。前述のように、本方法を用いてパターンを形成した
場合に、エッチングレジストが厚付銅めっきの側面を完
全に被覆していないために、下地銅箔のエッチング時に
このエッチングレジストが被覆していない厚付銅部を侵
食するために、パターンの裾部または下地金属とめっき
銅の境界面の幅はパターン頭部と比較し狭くなり、パタ
ーン幅が小さくなるに従い、パターン絶縁基板もしくは
下地銅から剥がれる問題が生じる。このことからエッチ
ング時のパターン側面侵食により矩形なパターンを得ら
れないため、近年のプリント配線板の高密度化に対応で
きない。
Next, the semi-additive method will be described. As described above, when a pattern is formed using this method, since the etching resist does not completely cover the side surface of the thick copper plating, this etching resist is not covered when the underlying copper foil is etched. In order to erode the thick copper part, the width of the hem of the pattern or the boundary surface between the base metal and the plated copper becomes narrower than the pattern head, and as the pattern width becomes smaller, it peels from the pattern insulating substrate or base copper. The problem arises. For this reason, a rectangular pattern cannot be obtained due to the side surface erosion during etching, which cannot cope with the recent increase in density of printed wiring boards.

【0009】さて、セミアディディブ法における上述の
問題を解決する為に、次の方法が知られている。
In order to solve the above-mentioned problems in the semi-additive method, the following method is known.

【0010】一つは、特開昭62−262489号公報
に記載のように、ドライフィルムフォトレジスト現像に
より開口した配線パターン部に厚付銅めっきを行った
後、再びドライフィルムフォトレジスト現像を施して厚
付銅めっきとドライフィルムフォトレジストとの間に隙
間を作り、半田めっき膜を厚付銅めっきパターンの側面
にも析出させる方法である。
First, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 62-262489, dry pattern photoresist development is performed again after performing thick copper plating on the open wiring pattern portion by dry film photoresist development. In this method, a gap is formed between the thick copper plating and the dry film photoresist to deposit the solder plating film on the side surface of the thick copper plating pattern.

【0011】もう一つは、特開昭63−69290号公
報に記載のように、第1のレジストにより銅配線パター
ン部が開口しためっきレジストパターンを形成後、該開
口部に第2のレジストを充填しパターンニングして、第
1のレジストによる開口部よりやや小さい開口部を形成
し、該開口部に厚付銅めっきを行い、その後、第2のレ
ジストパターンを除去して、厚付銅めっきと第1のレジ
ストとの間に隙間を作り、半田めっき膜を厚付銅パター
ンの側壁にも析出させる方法である。
The other is, as described in JP-A-63-69290, after forming a plating resist pattern in which a copper wiring pattern portion is opened by a first resist, a second resist is formed in the opening. Filling and patterning to form an opening slightly smaller than the opening formed by the first resist, performing thick copper plating on the opening, then removing the second resist pattern, and performing thick copper plating And a first resist, and a solder plating film is deposited on the side wall of the thick copper pattern.

【0012】三つめは、特開平3−222392号公報
に記載のように、ドライフィルムフォトレジストにより
配線パターン部が開口しためっきレジストパターンを形
成した後、該開口部に高温の銅めっき浴中でパターンめ
っきを行い、次に、常温の電気半田めっき浴中にて適正
電流と低電流の通電を交互に繰り返しながら半田めっき
を行い、半田めっき膜を厚付銅パターンの側壁にも析出
させる方法である。
Third, as described in JP-A-3-222392, after forming a plating resist pattern having a wiring pattern portion opened by a dry film photoresist, the opening is placed in a high temperature copper plating bath. Pattern plating is performed, and then solder plating is performed by alternately repeating appropriate current and low current in an electric solder plating bath at room temperature, and a solder plating film is also deposited on the side wall of the thick copper pattern. is there.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の3方法には、以下に述べるように、幾つかの制約も
しくは問題点がある。
However, the above-mentioned three conventional methods have some restrictions or problems as described below.

【0014】まず、特開昭62−262489号の方法
は、セミアディディブ法の厚付銅めっきを行う工程で、
銅めっき液中に、めっき反応疎外物質がフォトレジスト
の不完全露光部から溶出するために、これを防止する目
的で現像後のフォトレジストを再露光もしくはベーキン
グをして、不完全露光部を完全に硬化する場合が多くあ
り、不適切である。
First, the method of Japanese Patent Laid-Open No. 62-262489 is a step of performing thick copper plating by the semi-additive method.
In the copper plating solution, the plating reaction alienated substance elutes from the incompletely exposed area of the photoresist.To prevent this, the photoresist after development is reexposed or baked to completely remove the incompletely exposed area. It is not appropriate because it often hardens.

【0015】特開昭63−69290号の方法は、第1
レジストに溶剤可溶型を、第2レジストにアルカリ可溶
型とする方法が適切と思われるが、この場合に厚付銅め
っきに非アルカリ系のめっき浴とする必要がある。しか
し、平面の付き廻りの点で、また、パターンの粗密によ
るめっき厚のばらつきの点で、非アルカリ系のめっき浴
は不適切であって、本方法には制約がある。
The method of JP-A-63-69290 is the first
A method of using a solvent-soluble type for the resist and an alkali-soluble type for the second resist seems appropriate, but in this case, it is necessary to use a non-alkali plating bath for the thick copper plating. However, the non-alkali plating bath is unsuitable in terms of the distribution of the flat surface and the variation of the plating thickness due to the density of the pattern, and this method is limited.

【0016】また、特開平3−222392号の方法
は、銅めっき浴の温度と半田めっき浴の温度差によって
生じるドライフィルムレジストの収縮を利用し、ドライ
フィルムレジストと厚付銅パターンの隙間に半田めっき
を浸透させ、電気半田めっき浴中にて適正電流と低電流
の通電を交互に行う。しかし、この場合に、半田めっき
液の新液を常に、この隙間に供給することが困難である
点で、半田めっき液が隙間の深さ方向に浸透しない、ま
たは、ばらつきを生じる点で、さらに、作業時間も適正
電流のみ通電した場合より時間が2倍以上かかる等の点
で問題がある。
Further, the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-222392 utilizes shrinkage of the dry film resist caused by the temperature difference between the copper plating bath and the solder plating bath, and solder is applied to the gap between the dry film resist and the thick copper pattern. The plating is permeated and the appropriate current and low current are alternately applied in the electric solder plating bath. However, in this case, it is difficult to constantly supply a new solution of the solder plating solution to the gap, and the solder plating solution does not penetrate in the depth direction of the gap, or variation occurs. However, there is a problem in that the working time is more than twice as long as when only the appropriate current is supplied.

【0017】このように、従来の解決策は何れも、銅配
線パターンが絶縁基板から剥がれる現象や、パターンの
幅及び断面積が減少する現象を解決するための決定的な
手段とはなり得ない。
As described above, none of the conventional solutions can be a decisive means for solving the phenomenon that the copper wiring pattern is peeled off from the insulating substrate and the phenomenon that the width and cross-sectional area of the pattern are reduced. .

【0018】本発明の目的は、セミアディディブ法によ
る積層基板表面へのプリント配線パターンの形成にあた
り、上記従来方法の制約ないし問題を除去し、最小幅か
つ最小導体厚で最大の断面積のパターンを得る方法を提
供することにある。
It is an object of the present invention to eliminate the restrictions or problems of the above-mentioned conventional method in forming a printed wiring pattern on the surface of a laminated substrate by the semi-additive method, and to provide a pattern having a minimum width, a minimum conductor thickness and a maximum cross-sectional area. To provide a method of obtaining.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、薄銅箔張り積層板の表面に配線パターン
部が開口しためっきレジストパターンを形成し、該開口
部に厚付銅めっきとエッチングレジスト形成を順次行
い、その後、めっきレジストを剥離し、エッチングレジ
ストをマスクとして下地銅箔をエッチング除去、エッチ
ングレジストの除去することより、プリント配線パター
ンを積層板表面に形成するセミアディディブ法におい
て、現像後に残存するめっきレジストパターンの断面形
状を、銅張積層板と接した部分(裾部)の方が頭部と比
べて幅広のオーバーハングの形状になるように作成する
ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention forms a plating resist pattern in which a wiring pattern portion is opened on the surface of a thin copper foil-clad laminate, and a thick copper layer is formed in the opening. Plating and etching resist formation are performed sequentially, then the plating resist is peeled off, the underlying copper foil is removed by etching using the etching resist as a mask, and the etching resist is removed to form a printed wiring pattern on the surface of the laminate. In the method, the cross-sectional shape of the plating resist pattern remaining after development is created so that the part (hem) that is in contact with the copper clad laminate has a wider overhang than the head. And

【0020】なお、プリント回路板のパターン形成方法
に関する本発明発明とは、目的、製造方法、効果の点で
明確に異なるが、本発明によるオーバーハング形状のめ
っきレジスト形状に類似したものとして、半導体分野で
リフトオフの為の逆テーパー型レジストがある。これに
関しては『C.Li and J.Richards,IEDMTech
nical Digest,1980,412〜413』、『M.
Hatzakis,J.Vac.Sci.Technol.,16(6)1
984(1979)』、『M.Hatzakis,B.J.Ca
narello and J.M.Shaw.,IBM J.Res.Deve
lop.,24(4)452(1980)』、『S.P.L
yman,J.L.Jackel and P.L.Lin,J.Vac.
Sci.Technol.,19(4)1325(198
1)』、『S.P.Beaumont,etal.,Appl.Phys.
Lett.,38(6)436(1981)』、『Single
−step Lift-off Process,R.J.Bergeron,C.
J.Hamel and C.J.Matthewa』、『Lift−off T
echniques for Fine Line Metal Patterning,J.
M.Frary and P.Seese,MotorolaSemiconductor
Research and Development Labs.,Phoenix,Ari
zona』等々の多数の文献がある。
It should be noted that, although it is clearly different from the present invention relating to the method for forming a pattern on a printed circuit board in terms of the purpose, the manufacturing method and the effect, a semiconductor similar to the overhang-shaped plating resist shape according to the present invention There is a reverse taper type resist for lift-off in the field. Regarding this, "C. Li and J. Richards, IEDMTech
nical Digest, 1980, 412 to 413 ”,“ M.
Hatzakis, J.M. Vac. Sci. Technol., 16 (6) 1
984 (1979) ”,“ M. Hatzakis, B.A. J. Ca
narello and J. M. Shaw., IBM J. Res. Deve
lop., 24 (4) 452 (1980) "," S. P. L
yman, J.M. L. Jackel and P.M. L. Lin, J .; Vac.
Sci. Technol., 19 (4) 1325 (198
1) ”,“ S. P. Beaumont, et al., Appl. Phys.
Lett., 38 (6) 436 (1981) "," Single
-Step Lift-off Process, R.P. J. Bergeron, C.
J. Hamel and C. J. Matthewa ”,“ Lift-off T
echniques for Fine Line Metal Patterning, J.
M. Frary and P.F. Seese, Motorola Semiconductor
Research and Development Labs., Phoenix, Ari
There are many references such as zona.

【0021】[0021]

【作用】セミアディティブ法において、下地薄銅箔のエ
ッチング時の配線パターンのサイドエッチングは、エッ
チングレジストが導体部を100%被覆することが困難
であるため、その完全な抑止は不可能である。そこで本
発明は、上述のうよに、サイドエッチング量を前もって
見込み、現像後に残存するめっきレジストパターンの断
面形状を、銅張積層板と接した部分(裾部)の方が頭部
と比べて幅広のオーバーハングの形状になるように作成
した後に、厚付銅めっきを行ないパターンを形成し、下
地薄銅箔のエッチング時に配線パターンの側面に対し故
意に、予め見込まれたサイドエッチングを生じさせるこ
とによって、望ましい断面形状の、直流抵抗値、パター
ン強度、剥がれ等において優れたパターン導体を獲得す
る。したがって、本発明の方法によれば、高密度なプリ
ント配線板の製造が可能となり、近年のコンピュータの
高速化の要求を満足することができる。
In the semi-additive method, it is impossible to completely prevent the side etching of the wiring pattern during the etching of the underlying thin copper foil because it is difficult for the etching resist to completely cover the conductor portion. Therefore, in the present invention, as described above, the side etching amount is estimated in advance, and the cross-sectional shape of the plating resist pattern remaining after development is compared with the head in the portion in contact with the copper-clad laminate (hem portion). After creating a wide overhang shape, thick copper plating is performed to form a pattern, which intentionally causes side etching on the side surface of the wiring pattern when the underlying thin copper foil is etched. As a result, a pattern conductor having a desired cross-sectional shape and excellent in DC resistance value, pattern strength, peeling, etc. is obtained. Therefore, according to the method of the present invention, it is possible to manufacture a high-density printed wiring board, and it is possible to satisfy the recent demand for high-speed computers.

【0022】[0022]

【実施例】以下に図面を用いて、本発明を実施例により
具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings.

【0023】(実施例1)図1は、本実施例による配線
パターン形成の各工程における基板断面の一部形状を示
す図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram showing a partial shape of a substrate cross section in each step of forming a wiring pattern according to this embodiment.

【0024】図1(a)は、薄銅張積層板の断面図の一
部であり、絶縁基板1の上に12μm程度の厚さの薄銅
箔2が施してある。この薄銅張積層板を出発材料にし、
内層基板の配線パターンを形成する。
FIG. 1A is a part of a sectional view of a thin copper clad laminate, in which a thin copper foil 2 having a thickness of about 12 μm is provided on an insulating substrate 1. Using this thin copper clad laminate as the starting material,
A wiring pattern for the inner layer substrate is formed.

【0025】図1(b)に示すように、薄銅張積層板の
表面に厚さ30μm程度のドライフィルムレジスト
(A)3をラミネートし、フォトマスクを介して露光
し、現像することによって、パターンニングする。この
ドライフィルムレジスト3によるめっきレジストパター
ンの表面に、厚さ20μm程度のドライフィルムレジス
ト(B)4をラミネートし、フォトマスクを介して露光
し、現像することによりパターンニングする。このよう
にして2層のドライフィルムレジスト3,4のパターン
からなる、めっきレジストパターン5が形成される。こ
のめっきレジストパターン5の断面形状は、その開口部
6において、上層が下層より内側に張り出した(オーバ
ーハングの)形状、換言すれば、薄膜銅張積層板の薄銅
箔2に接した裾部のほうが頭部に比べて幅広の形状であ
る。
As shown in FIG. 1 (b), a dry film resist (A) 3 having a thickness of about 30 μm is laminated on the surface of the thin copper clad laminate, exposed through a photomask, and developed. Pattern. A dry film resist (B) 4 having a thickness of about 20 μm is laminated on the surface of the plating resist pattern formed by the dry film resist 3, exposed through a photomask, and developed for patterning. In this way, the plating resist pattern 5 composed of the two layers of dry film resists 3 and 4 is formed. The cross-sectional shape of the plating resist pattern 5 has a shape in which the upper layer projects more inward than the lower layer (overhang) in the opening 6, in other words, the hem portion in contact with the thin copper foil 2 of the thin film copper-clad laminate. Is wider than the head.

【0026】ここで、ドライフィルムレジスト(A)と
ドライフィルムレジスト(B)の組成を表1に示す。
The compositions of the dry film resist (A) and the dry film resist (B) are shown in Table 1.

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】表1に見られるように、ドライフィルム
(A),(B)は、ポリマー、モノマーの含有量は同じ
だが、光開始剤のミヒラーズケトンの含有量を異なら
せ、ドライフィルムレジスト(A)のほうを低感度にす
ることによって、露光の際に同じフォトマスクを用い
て、図1(b)に示されるようなオーバーハング断面形
状を持つめっきレジストパターン5を得ることができ
る。
As can be seen from Table 1, the dry films (A) and (B) have the same contents of polymer and monomer, but different contents of Michler's ketone as a photoinitiator, and dry film resists (A). By lowering the sensitivity, a plating resist pattern 5 having an overhang cross-sectional shape as shown in FIG. 1B can be obtained by using the same photomask at the time of exposure.

【0029】つぎに、図1(c)に示すように、めっき
レジストパターン5の開口部6に、電気めっき、また
は、化学めっきにより、銅めっきパターン7を形成す
る。銅めっきパターン7の形成後では、銅張積層板とめ
っきレジスト(5)の熱膨張率に差がある(めっきレジ
ストのほうが熱膨張率が大きい)ために、銅めっきパタ
ーン7とめっきレジストパターン5との界面に幅方向
0.5〜2μm、深さ方向20μm程度の隙間8が生じ
る。
Next, as shown in FIG. 1C, a copper plating pattern 7 is formed in the opening 6 of the plating resist pattern 5 by electroplating or chemical plating. After the copper plating pattern 7 is formed, there is a difference in the coefficient of thermal expansion between the copper clad laminate and the plating resist (5) (the plating resist has a higher coefficient of thermal expansion). A gap 8 of 0.5 to 2 μm in the width direction and about 20 μm in the depth direction is formed at the interface with and.

【0030】次に図1(d)に示すように、銅めっきパ
ターン7の露出箇所である頭部と側壁に、エッチングレ
ジストの半田めっき9を施す。そして、図1(e)に示
すように、ドライフィルムレジスト(5)を剥離除去す
る。
Next, as shown in FIG. 1 (d), solder plating 9 of etching resist is applied to the exposed portions of the copper plating pattern 7 and the side walls. Then, as shown in FIG. 1E, the dry film resist (5) is peeled and removed.

【0031】次に、下地銅箔2をエッチング液により湿
式除去する。この際、銅めっきパターン7の露出した側
面と下地銅箔2は同時にエッチングされるので、エッチ
ング後は図1(f)に示すような断面形状となる。最後
にエッチングレジストの半田レジストとしての半田めっ
き9を除去する。これによって、図1(g)に示すよう
な基板上に独立した銅配線パターン10が形成される。
Next, the base copper foil 2 is wet-removed with an etching solution. At this time, since the exposed side surface of the copper plating pattern 7 and the underlying copper foil 2 are simultaneously etched, the cross-sectional shape after etching is as shown in FIG. Finally, the solder plating 9 as the solder resist of the etching resist is removed. As a result, an independent copper wiring pattern 10 is formed on the substrate as shown in FIG.

【0032】図2は、最終的に形成した銅配線パターン
の寸法形状の詳細を示す。図2において、パターン頭部
の幅W、高さH、裾幅Bと頭部幅Wの比、下地銅箔とパ
ターン銅の境界のパターン幅Cと頭部幅Wの比、パター
ン断面積Sと矩形パターン断面関(W×H)の比は、実
際に形成したプリント配線板の銅配線パターン100本
を採取して測定したところ、下記の通りであった。
FIG. 2 shows details of the dimension and shape of the finally formed copper wiring pattern. In FIG. 2, the width W of the pattern head, the height H, the ratio of the hem width B to the head width W, the ratio of the pattern width C to the head width W at the boundary between the underlying copper foil and the pattern copper, and the pattern cross-sectional area S. The ratio of the rectangular pattern cross-sectional relationship (W × H) was as follows when 100 copper wiring patterns of the actually formed printed wiring board were sampled and measured.

【0033】 W≒60μm、 H≒60μm B/W=0.96±0.03 C/W=0.92±0.03 S/(W×H)=0.98±0.02 なお、この測定値の平均値と、記各実施例並びに後記比
較例についての同様の測定値の平均値を表2にまとめて
示す。
W≈60 μm, H≈60 μm B / W = 0.96 ± 0.03 C / W = 0.92 ± 0.03 S / (W × H) = 0.98 ± 0.02 Table 2 shows the average value of the measured values and the average value of the same measured values for each of the Examples and Comparative Examples described later.

【0034】[0034]

【表2】 [Table 2]

【0035】(実施例2)図1により本実施例を説明す
る。本実施例は、図1(b)に示すめっきレジストパタ
ーン5の形成方法が前記実施例1と相違する。すなわ
ち、図1(a)に示す薄銅張積層板の表面に、表1に示
した組成を持つ厚さ30μm程度のドライフィルムレジ
スト(A)と厚さ20μm程度のドライフィルムレジス
ト(B)を順にラミネートする。その後に、露光及び現
像を行なって、2層のドライフィルムレジストを一括し
てパターンニングし、図1(b)に示すめっきレジスト
パターン5を得る。
(Embodiment 2) This embodiment will be described with reference to FIG. This example is different from Example 1 in the method of forming the plating resist pattern 5 shown in FIG. That is, on the surface of the thin copper clad laminate shown in FIG. 1A, a dry film resist (A) having a composition shown in Table 1 and a thickness of about 30 μm and a dry film resist (B) having a thickness of about 20 μm were formed. Laminate in order. After that, exposure and development are performed, and the two layers of dry film resist are collectively patterned to obtain a plating resist pattern 5 shown in FIG. 1 (b).

【0036】この後に、前記実施例1と同様に、銅めっ
き、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔の
エッチング、半田膜の除去の各工程を行って図1(g)
に示す断面形状の銅配線パターンを得る。銅配線パター
ンの測定値は表2に示すとおりであった。
Thereafter, similarly to the first embodiment, copper plating, solder plating, plating resist peeling removal, underlying copper foil etching, and solder film removal are carried out to perform the steps shown in FIG.
A copper wiring pattern having a cross-sectional shape shown in is obtained. The measured values of the copper wiring pattern are shown in Table 2.

【0037】(実施例3)図1により本実施例を説明す
る。本実施例では、表1に示した組成の厚さ30μm程
度のドライフィルムレジスト(A)と厚さ20μm程度
のドライフィルムレジスト(B)を予め重ね合わしてな
る2層のドライフィルムレジストを用意する。そして、
この2層のドライフィルムレジストを、ドライフィルム
レジスト(B)側を下にして、図1(a)に示した薄銅
張積層板の表面にラミネートする。そして、露光及び現
像を行なうことによって、図1(b)に示す断面形状の
めっきレジストパターン5を得る。
(Embodiment 3) This embodiment will be described with reference to FIG. In this embodiment, a two-layer dry film resist is prepared by previously laminating a dry film resist (A) having a composition shown in Table 1 and a thickness of about 30 μm and a dry film resist (B) having a thickness of about 20 μm. . And
This two-layer dry film resist is laminated on the surface of the thin copper clad laminate shown in FIG. 1A with the dry film resist (B) side facing down. Then, by performing exposure and development, the plating resist pattern 5 having the cross-sectional shape shown in FIG. 1B is obtained.

【0038】この後は、前記実施例1と同様に銅めっ
き、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔の
エッチング、半田膜の除去の各工程を経て図1(g)に
示す断面形状の導体パターンを得る。導体パターンの測
定値は表2に示すとおりである。
Thereafter, as in the first embodiment, the steps of copper plating, solder plating, removal of plating resist, removal of the underlying copper foil, and removal of the solder film are performed, and the cross-sectional shape shown in FIG. Get the conductor pattern. The measured values of the conductor pattern are as shown in Table 2.

【0039】(実施例4)図3により本実施例を説明す
る。図3(a)に示す薄銅張積層板(前記実施例1のも
のと同様のもの)の表面に、厚さ50μm程度のドライ
フィルム11をラミネートした後、フォトマスクを介し
て露光し、現像することによって、めっきレジストパタ
ーンを得る。この露光工程において、露光量を通常より
減らすことによって、図(c)に示すような、開口部の
断面形状がオーバーハング形状のめっきレジストパター
ンを得る。
(Embodiment 4) This embodiment will be described with reference to FIG. After laminating a dry film 11 having a thickness of about 50 μm on the surface of the thin copper clad laminate shown in FIG. 3A (similar to that of the first embodiment), it is exposed through a photomask and developed. By doing so, a plating resist pattern is obtained. In this exposure step, the exposure amount is reduced from the usual amount to obtain a plating resist pattern with an opening having a cross-sectional shape that is overhanging as shown in FIG.

【0040】より具体的に言えば、ステップタブレット
(ST)段数を0にした時(露光量を最小に絞った時)
に光学密度0.05、ST段数を1つ上げると光学密度
0.15の分だけ露光量が増加し、ST段数を7に設定
してドライフィルムレジスト11を露光した場合に、図
3(b)に示すような矩形断面のめっきレジストパター
ンが得られるような露光装置を用いたとする。この場
合、ST段数を4.5から5.0に設定し露光量を絞っ
て露光し、現像をすれば、図3(c)に示すような断面
形状のめっきレジストパターンを得られる。
More specifically, when the number of steps of the step tablet (ST) is set to 0 (when the exposure amount is minimized)
When the optical density is increased to 0.05 and the number of ST steps is increased by 1, the exposure amount is increased by the optical density of 0.15. When the number of ST steps is set to 7 and the dry film resist 11 is exposed, It is assumed that an exposure apparatus that can obtain a plating resist pattern having a rectangular cross section as shown in FIG. In this case, if the number of ST steps is set to 4.5 to 5.0, the exposure amount is narrowed down for exposure, and development is performed, a plating resist pattern having a sectional shape as shown in FIG. 3C can be obtained.

【0041】このめっきレジストパターンを形成した後
は、前記実施例1と同様に、銅めっき、半田めっき、め
っきレジスト剥離除去、下地銅箔のエッチング、半田膜
の除去の各工程を行うことより、図3(d)に示す断面
形状の銅配線パターン10を得る。
After forming this plating resist pattern, as in the first embodiment, the steps of copper plating, solder plating, plating resist peeling removal, underlying copper foil etching, and solder film removal are performed. A copper wiring pattern 10 having a sectional shape shown in FIG.

【0042】(実施例5)図4により本実施例を説明す
る。図4(a)に示す薄銅張積層板(前記実施例1のも
のと同様のもの)の表面に、厚さ50μm程度のドライ
フィルム11をラミネートし、露光、現像を行なう。こ
の後に、四フッ化炭素(CF4 )、チッ素(N2)、酸
素(O2)から成るガスを用いて、出力2.2kWでプ
ラズマエッチング(アッシング)を40分間行なうこと
より、図4(b)に示すオーバーハング形状のめっきレ
ジストパターンを得る。
(Embodiment 5) This embodiment will be described with reference to FIG. A dry film 11 having a thickness of about 50 μm is laminated on the surface of the thin copper clad laminate shown in FIG. 4A (similar to that of the first embodiment), and exposed and developed. After that, plasma etching (ashing) is performed for 40 minutes at a power of 2.2 kW using a gas composed of carbon tetrafluoride (CF 4 ), nitrogen (N 2 ) and oxygen (O 2 ). An overhang-shaped plating resist pattern shown in (b) is obtained.

【0043】この後に前記実施例1と同様に、銅めっ
き、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔の
エッチング、半田膜の除去の各工程を行うことより図4
(c)に示す断面形状の銅配線パターン10を得る。
Thereafter, similarly to the first embodiment, the steps of copper plating, solder plating, plating resist peeling removal, etching of the underlying copper foil, and removal of the solder film are carried out.
A copper wiring pattern 10 having a cross-sectional shape shown in (c) is obtained.

【0044】(実施例6)図5により本実施例を説明す
る。図5(a)に示す薄銅張積層板(前記実施例1のも
のと同様のもの)の表面に、図5(b)に示すように、
波長400nm以下で光学吸収係数εがε≦1000の染
料であるp−アミノアゾベンゼン3を塗布する。次に、
ドライフィルムレジスト11をラミネートし、露光、現
像を行なってめっきレジストパターンを形成する。
(Embodiment 6) This embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5B, on the surface of the thin copper clad laminate shown in FIG. 5A (the same as that of the first embodiment),
P-aminoazobenzene 3, which is a dye having an optical absorption coefficient ε of 1000 or less at a wavelength of 400 nm or less, is applied. next,
The dry film resist 11 is laminated, exposed and developed to form a plating resist pattern.

【0045】この露光時に、薄銅張積層板からの電磁波
の反射がp−アミノアゾベンゼン3の塗膜によって吸収
されるため、この吸収がなされなければ、現像後のめっ
きレジストパターンが図5(c)に示すような断面形状
となるところ、図5(d)に示すようなオーバーハング
断面形状のめっきレジストパターンが得られる。
At the time of this exposure, the reflection of electromagnetic waves from the thin copper clad laminate is absorbed by the coating film of p-aminoazobenzene 3, so if this absorption is not achieved, the plating resist pattern after development is shown in FIG. 5), a plating resist pattern having an overhang cross-sectional shape as shown in FIG. 5D is obtained.

【0046】この後に前記実施例1と同様に銅めっき、
半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔のエッ
チング、半田膜の除去の各工程を行うことより、図5
(e)に示す断面形状の銅配線パターン10を得る。
After this, copper plating, as in the first embodiment,
By performing the steps of solder plating, removal of plating resist removal, etching of the underlying copper foil, and removal of the solder film, the process shown in FIG.
A copper wiring pattern 10 having a cross-sectional shape shown in (e) is obtained.

【0047】(比較例)ここで、前記実施例6との比較
例として、薄銅張積層板に電磁波吸収のためのp−アミ
ノアゾベンゼンを塗布せずに、処理した場合について図
6により説明する。
(Comparative Example) Here, as a comparative example with respect to Example 6, a case in which a thin copper clad laminate was treated without applying p-aminoazobenzene for absorbing electromagnetic waves will be described with reference to FIG. .

【0048】図6(a)に示す薄銅張積層板(前記実施
例1と同様のもの)の表面に、図6(b)に示すよう
に、厚さ50μm程度のドライフィルムレジスト11を
ラミネートし、フォトマスクを介して露光、現像してめ
っきレジストパターンを形成する。露光の条件は前記実
施例6同様であるが、露光時に薄銅箔2により反射され
た電磁波の作用により、図6(b)に示すように、めっ
きレジストパターンは裾部がテールを引きいた断面形状
となる。その結果、その後の前記実施例1と同様の銅め
っき、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔
のエッチングの工程により基板断面形状は図6(c)乃
至(f)に示す如く変化し、最後に半田膜の除去の工程
により、図6(g)に示すような断面形状の銅配線パタ
ーン12が得られる。
As shown in FIG. 6B, a dry film resist 11 having a thickness of about 50 μm is laminated on the surface of the thin copper clad laminate shown in FIG. 6A (the same as that of the first embodiment). Then, it is exposed to light through a photomask and developed to form a plating resist pattern. The exposure conditions were the same as in Example 6, but due to the action of the electromagnetic waves reflected by the thin copper foil 2 during exposure, the plating resist pattern had a cross-section with a tail tailed as shown in FIG. 6 (b). It becomes the shape. As a result, the substrate cross-sectional shape was changed as shown in FIGS. 6 (c) to 6 (f) by the subsequent steps of copper plating, solder plating, plating resist peeling removal, and etching of the underlying copper foil, which were the same as those in Example 1. Finally, by the step of removing the solder film, a copper wiring pattern 12 having a sectional shape as shown in FIG. 6G is obtained.

【0049】図6(g)に見られるように、銅配線パタ
ーン12の断面形状は、前記各実施例によって得られる
ものに比べ数段劣る。実際に形成したプリント配線板の
銅配線パターンを100本採取し、寸法を測定したとこ
ろ下記の通りであった(記号は前記実施例1を参照)。
また、その平均値を表2に示す。
As shown in FIG. 6G, the cross-sectional shape of the copper wiring pattern 12 is inferior to that obtained by each of the above-described embodiments by several steps. When 100 copper wiring patterns of the actually formed printed wiring board were sampled and the dimensions were measured, they were as follows (for the symbols, refer to Example 1 above).
The average value is shown in Table 2.

【0050】 W≒60μm、 H≒60μm B/W=0.76±0.03 C/W=0.52±0.04 S/(W×H)=0.72±0.03 なお、以上に説明した本発明によって実現可能な、一般
的に好適と考えられるプリント配線板の数値条件を以下
に示す。
W≈60 μm, H≈60 μm B / W = 0.76 ± 0.03 C / W = 0.52 ± 0.04 S / (W × H) = 0.72 ± 0.03 Numerical conditions of the printed wiring board, which are generally considered to be suitable and which can be realized by the present invention described in the above, are shown below.

【0051】(1)絶縁基材に接した第一銅層とその上
に積層された第二銅層から成る導体パターンを有し、導
体パターンの頭部の幅Wと高さHが2≧H/W≧0.9
の関係であり、さらに導体パターンの頭部の幅Wと裾幅
Bが1.2≧B/W≧0.8の関係であるプリント配線
板。
(1) It has a conductor pattern composed of a first copper layer in contact with an insulating base material and a second copper layer laminated thereon, and the width W and height H of the head of the conductor pattern are 2 ≧. H / W ≧ 0.9
And the width W of the head and the width B of the bottom of the conductor pattern are 1.2 ≧ B / W ≧ 0.8.

【0052】(2)絶縁基材に接した第一銅層とその上
に積層された第二銅層から成る導体パターンを有し、導
体パターンの頭部の幅Wと高さHが2≧H/W≧0.9
の関係であり、さらに第一銅層と第二銅層の境界部の導
体パターン幅Cと導体パターン頭部の幅Wが1.2≧C
/W≧0.8の関係であるプリント配線板。
(2) It has a conductor pattern composed of a first copper layer in contact with an insulating base material and a second copper layer laminated thereon, and the width W and height H of the head of the conductor pattern are 2 ≧. H / W ≧ 0.9
In addition, the conductor pattern width C at the boundary between the first copper layer and the second copper layer and the width W of the conductor pattern head are 1.2 ≧ C.
A printed wiring board having a relationship of /W≧0.8.

【0053】(3)絶縁基材に接した第一銅層とその上
に積層された第二銅層から成る導体パターンを有し、導
体パターンの頭部の幅Wが30μm≦W≦100μmの範
囲であり、かつ導体パターンの高さHが50μm≦H≦
150μmの範囲であるプリント配線板。
(3) It has a conductor pattern composed of a first copper layer in contact with an insulating base material and a second copper layer laminated thereon, and the width W of the head of the conductor pattern is 30 μm ≦ W ≦ 100 μm. And the height H of the conductor pattern is 50 μm ≦ H ≦
Printed wiring board in the range of 150 μm.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、導体パターンの断面形状を矩形に近づけること
ができるため、直流抵抗値が小さく剥がれ難い配線パタ
ーンを持つ高密度なプリント配線板を製造することが可
能となる。
As is apparent from the above description, according to the present invention, since the cross-sectional shape of the conductor pattern can be made close to a rectangle, a high-density printed wiring having a wiring pattern having a small DC resistance value and being hard to peel off. It becomes possible to manufacture a plate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1,2及び3における配線パターン形成
工程の説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a wiring pattern forming process in Examples 1, 2, and 3.

【図2】銅配線パターンの断面形状の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a cross-sectional shape of a copper wiring pattern.

【図3】実施例4における配線パターン形成工程の説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a wiring pattern forming process according to a fourth embodiment.

【図4】実施例5における配線パターン形成工程の説明
図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a wiring pattern forming process according to a fifth embodiment.

【図5】実施例6における配線パターン形成工程の説明
図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a wiring pattern forming process according to a sixth embodiment.

【図6】比較例における配線パターン形成工程の説明図
である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a wiring pattern forming process in a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 薄銅張積層板の絶縁基板 2 薄銅張積層板の薄銅箔 3 ドライフィルムレジスト(A) 4 ドライフィルムレジスト(B) 5 めっきレジストパターン 6 めっきレジストパターンの開口部 7 銅めっきパターン 8 めっきレジストと銅めっきパターンの隙間 9 半田めっき 10 銅配線パターン 11 ドライフィルムレジスト 1 Insulating substrate of thin copper clad laminate 2 Thin copper foil of thin copper clad laminate 3 Dry film resist (A) 4 Dry film resist (B) 5 Plating resist pattern 6 Plating resist pattern opening 7 Copper plating pattern 8 Plating Gap between resist and copper plating pattern 9 Solder plating 10 Copper wiring pattern 11 Dry film resist

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 銅張積層板の表面にめっきレジストをラ
ミネートし、露光、現像して配線パターン部が開口した
めっきレジストパターンを形成する第1工程と、該第1
工程により開口した配線パターン部に厚付銅めっきを行
う第2工程と、該第2工程後に生じるめっきレジストと
厚付銅パターンの隙間及び厚付銅パターンの頭部にエッ
チングレジストを形成する第3工程と、前記めっきレジ
ストパターンを剥離する第4工程と、前記エッチングレ
ジストをマスクとして下地銅箔をエッチング除去する第
5工程と、前記エッチングレジストを除去する第6工程
とを具備し、前記第1工程において、めっきレジストパ
ターンの断面形状を銅張積層板と接した裾部の方が頭部
と比べて幅広のオーバーハングの形状にすることを特徴
とするプリント配線パターン形成方法。
1. A first step of laminating a plating resist on the surface of a copper clad laminate, exposing and developing the same to form a plating resist pattern having an opening in a wiring pattern portion, and the first step.
A second step of performing thick copper plating on the wiring pattern portion opened by the step, and a third step of forming an etching resist on the gap between the plating resist and the thick copper pattern and the head of the thick copper pattern generated after the second step A first step of removing the plating resist pattern, a fifth step of removing the underlying copper foil by etching using the etching resist as a mask, and a sixth step of removing the etching resist. A method for forming a printed wiring pattern, characterized in that, in the step, the cross-sectional shape of the plating resist pattern is formed in an overhang shape in which the hem portion in contact with the copper clad laminate is wider than the head portion.
【請求項2】 第1工程において、めっきレジストパタ
ーンの形成のための露光を、めっきレジストパターンの
断面形状が矩形となる露光量より少ない露光量で行なう
ことを特徴とする請求項1記載のプリント配線パターン
形成方法。
2. The print according to claim 1, wherein, in the first step, the exposure for forming the plating resist pattern is performed with an exposure amount smaller than an exposure amount for forming a rectangular sectional shape of the plating resist pattern. Wiring pattern forming method.
【請求項3】 第1工程において、めっきレジストの露
光、現像の後にプラズマアッシングを行うことを特徴と
する請求項1記載のプリント配線パターン形成方法。
3. The printed wiring pattern forming method according to claim 1, wherein in the first step, plasma ashing is performed after exposure and development of the plating resist.
【請求項4】 第1工程において、銅張積層板に電磁波
を吸収する染料を塗布してから、めっきレジストをラミ
ネートすることを特徴とする請求項1記載のプリント配
線パターン形成方法。
4. The method for forming a printed wiring pattern according to claim 1, wherein in the first step, the copper clad laminate is coated with a dye that absorbs electromagnetic waves, and then a plating resist is laminated.
【請求項5】 第1工程において、めっきレジストパタ
ーンの裾部が狭まる傾向に有る成分を添加されためっき
レジストを用いることを特徴とする請求項1記載のプリ
ント配線パターン形成方法。
5. The printed wiring pattern forming method according to claim 1, wherein in the first step, a plating resist added with a component that tends to narrow the bottom of the plating resist pattern is used.
【請求項6】 第1工程において、感度の異なる2種類
以上のめっきレジストを、感度の悪いものから順に1種
類ずつラミネートして露光、現像する処理を繰り返すこ
とを特徴とする請求項1記載のプリント配線パターン形
成方法。
6. The process according to claim 1, wherein in the first step, two or more kinds of plating resists having different sensitivities are laminated one by one in order of insensitivity and exposure and development are repeated. Method for forming printed wiring pattern.
【請求項7】 第1工程において、感度の異なる2種類
以上のめっきレジストを感度の悪いものから順に重ねた
多層めっきレジストをラミネートして露光、現像するこ
とを特徴とする請求項1記載のプリント配線パターン形
成。
7. The print according to claim 1, wherein in the first step, a multi-layered plating resist in which two or more kinds of plating resists having different sensitivities are stacked in order from the one having poor sensitivity is laminated, exposed and developed. Wiring pattern formation.
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