JPH0715113A

JPH0715113A - プリント配線パターン形成方法

Info

Publication number: JPH0715113A
Application number: JP15340093A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Yoshitomi; 聰吉富; Motoyo Wajima; 元世和嶋; Haruo Akaboshi; 晴夫赤星
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-06-24
Filing date: 1993-06-24
Publication date: 1995-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】銅配線パターンの断面形状を矩形に近づけ、
電気的特性の向上と剥離防止を達成する。【構成】絶縁基板１の銅箔２が設けられた銅張積層板
の表面に形成するめっきレジストパターン５の断面形状
を、開口部６で上部が張り出すようなオーバーハング形
状とする。次に、開口部６に銅めっきを行い、銅めっき
パターン７の露出した頭部及び側面にエッチングレジス
ト９を形成した後に、めっきレジストの剥離除去、下地
銅箔のエッチング、エッチングレジスト除去を行なっ
て、略矩形断面の銅配線パターン１０を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板の製造
に係り、特に、コンピュータ等に使用される高密度プリ
ント配線板の製造に好適なプリント配線パターン形成方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のプリント配線板の製造方法には、
大きく分類して次の３通りの方法がある。

【０００３】（Ａ）エッチングレジストを用いて導体パ
ターン部を保護し、パターン導体厚と同厚分の不要銅を
エッチングする方法で、”サブトラクティブ法”とい
う。本方法は、得られるパターン導体部の形状に関して
問題点がある。すなわち、パターン導体部の頭部に比べ
て裾部の幅が広く、しかも、この幅差はパターン導体厚
が大きくなるに従い増大する。

【０００４】（Ｂ）薄銅張積層板の表面に、配線パター
ン部を開口しためっきレジストパターンを形成し、該開
口部に厚付銅めっきと、エッチングレジスト形成とを順
次行う。その後、めっきレジストを剥離し、エッチング
レジストをマスクとして下地銅箔をエッチング除去し、
エッチングレジストを除去することより、プリント配線
パターンを積層板表面に形成する方法で、”セミアディ
ディブ法”という。本方法もパターン導体部の形状に関
して問題点がある。すなわち、エッチングレジストが厚
付銅めっきの側面を完全に被覆していないために、下地
銅箔のエッチング時に、厚付銅の側面もエッチングによ
って侵食される結果、パターンの裾部が小さくなる。

【０００５】（Ｃ）絶縁基材の表面に配線パターン部が
開口しためっきレジストパターンを形成し、該開口部に
厚付銅めっきすることよりプリント配線パターンを基材
表面に形成する方法で、”フルアディディブ法”とい
う。本方法により形成されるパターンの精度は良いが、
多層のプリント配線板の内層基板を形成する際に、現状
のめっきレジストの材料の性能（ガラス転移温度）に問
題がある。すなわち、めっきレジストが付いた状態で
は、内層基板の多層化接着時、ドリルによる穴明け時、
及び半田付け時の耐熱性に問題がある。また、このめっ
きレジストを剥離して多層基板を製造する場合、めっき
レジストの剥離が困難である。これらの問題の故に、フ
ルアディディブ法によって多層基板の内層基板を製造す
ることは困難である。

【０００６】近年のコンピュータの高速化に伴い、プリ
ント配線板の高密度化が要求されており、これを満たす
ためにパターン間隔及びパターン幅が狭く、パターン断
面積の大きいものが求められている。すなわち、矩形で
パターン導体厚が厚いものが求められている。これに対
して、現状のドライフィルムの材料の性能に問題があっ
て多層基板の内層基板の形成に困難なフルアディディブ
法を除いた、他の２方法に関して考察する。

【０００７】まず、サブトラクティブ法について述べ
る。前述のように、本方法により形成されたパターン導
体部の頭部と裾部を比較すると、後者が前者より幅広で
あり、パターンの導体厚が増加するに従い、この差も大
きくなる。このことから、アンダーカット及び裾幅の点
で、形成するパターンの幅及び導体厚に限度が有り、近
年のプリント配線板の高密度化に対応できない。

【０００８】次に、セミアディディブ法について述べ
る。前述のように、本方法を用いてパターンを形成した
場合に、エッチングレジストが厚付銅めっきの側面を完
全に被覆していないために、下地銅箔のエッチング時に
このエッチングレジストが被覆していない厚付銅部を侵
食するために、パターンの裾部または下地金属とめっき
銅の境界面の幅はパターン頭部と比較し狭くなり、パタ
ーン幅が小さくなるに従い、パターン絶縁基板もしくは
下地銅から剥がれる問題が生じる。このことからエッチ
ング時のパターン側面侵食により矩形なパターンを得ら
れないため、近年のプリント配線板の高密度化に対応で
きない。

【０００９】さて、セミアディディブ法における上述の
問題を解決する為に、次の方法が知られている。

【００１０】一つは、特開昭６２−２６２４８９号公報
に記載のように、ドライフィルムフォトレジスト現像に
より開口した配線パターン部に厚付銅めっきを行った
後、再びドライフィルムフォトレジスト現像を施して厚
付銅めっきとドライフィルムフォトレジストとの間に隙
間を作り、半田めっき膜を厚付銅めっきパターンの側面
にも析出させる方法である。

【００１１】もう一つは、特開昭６３−６９２９０号公
報に記載のように、第１のレジストにより銅配線パター
ン部が開口しためっきレジストパターンを形成後、該開
口部に第２のレジストを充填しパターンニングして、第
１のレジストによる開口部よりやや小さい開口部を形成
し、該開口部に厚付銅めっきを行い、その後、第２のレ
ジストパターンを除去して、厚付銅めっきと第１のレジ
ストとの間に隙間を作り、半田めっき膜を厚付銅パター
ンの側壁にも析出させる方法である。

【００１２】三つめは、特開平３−２２２３９２号公報
に記載のように、ドライフィルムフォトレジストにより
配線パターン部が開口しためっきレジストパターンを形
成した後、該開口部に高温の銅めっき浴中でパターンめ
っきを行い、次に、常温の電気半田めっき浴中にて適正
電流と低電流の通電を交互に繰り返しながら半田めっき
を行い、半田めっき膜を厚付銅パターンの側壁にも析出
させる方法である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の３方法には、以下に述べるように、幾つかの制約も
しくは問題点がある。

【００１４】まず、特開昭６２−２６２４８９号の方法
は、セミアディディブ法の厚付銅めっきを行う工程で、
銅めっき液中に、めっき反応疎外物質がフォトレジスト
の不完全露光部から溶出するために、これを防止する目
的で現像後のフォトレジストを再露光もしくはベーキン
グをして、不完全露光部を完全に硬化する場合が多くあ
り、不適切である。

【００１５】特開昭６３−６９２９０号の方法は、第１
レジストに溶剤可溶型を、第２レジストにアルカリ可溶
型とする方法が適切と思われるが、この場合に厚付銅め
っきに非アルカリ系のめっき浴とする必要がある。しか
し、平面の付き廻りの点で、また、パターンの粗密によ
るめっき厚のばらつきの点で、非アルカリ系のめっき浴
は不適切であって、本方法には制約がある。

【００１６】また、特開平３−２２２３９２号の方法
は、銅めっき浴の温度と半田めっき浴の温度差によって
生じるドライフィルムレジストの収縮を利用し、ドライ
フィルムレジストと厚付銅パターンの隙間に半田めっき
を浸透させ、電気半田めっき浴中にて適正電流と低電流
の通電を交互に行う。しかし、この場合に、半田めっき
液の新液を常に、この隙間に供給することが困難である
点で、半田めっき液が隙間の深さ方向に浸透しない、ま
たは、ばらつきを生じる点で、さらに、作業時間も適正
電流のみ通電した場合より時間が２倍以上かかる等の点
で問題がある。

【００１７】このように、従来の解決策は何れも、銅配
線パターンが絶縁基板から剥がれる現象や、パターンの
幅及び断面積が減少する現象を解決するための決定的な
手段とはなり得ない。

【００１８】本発明の目的は、セミアディディブ法によ
る積層基板表面へのプリント配線パターンの形成にあた
り、上記従来方法の制約ないし問題を除去し、最小幅か
つ最小導体厚で最大の断面積のパターンを得る方法を提
供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、薄銅箔張り積層板の表面に配線パターン
部が開口しためっきレジストパターンを形成し、該開口
部に厚付銅めっきとエッチングレジスト形成を順次行
い、その後、めっきレジストを剥離し、エッチングレジ
ストをマスクとして下地銅箔をエッチング除去、エッチ
ングレジストの除去することより、プリント配線パター
ンを積層板表面に形成するセミアディディブ法におい
て、現像後に残存するめっきレジストパターンの断面形
状を、銅張積層板と接した部分（裾部）の方が頭部と比
べて幅広のオーバーハングの形状になるように作成する
ことを特徴とする。

【００２０】なお、プリント回路板のパターン形成方法
に関する本発明発明とは、目的、製造方法、効果の点で
明確に異なるが、本発明によるオーバーハング形状のめ
っきレジスト形状に類似したものとして、半導体分野で
リフトオフの為の逆テーパー型レジストがある。これに
関しては『Ｃ．Ｌi and Ｊ．Ｒichards，ＩＥＤＭＴech
nical Ｄigest，１９８０，４１２〜４１３』、『Ｍ．
Ｈatzakis，Ｊ．Ｖac．Ｓci．Ｔechnol.，１６（６）１
９８４（１９７９）』、『Ｍ．Ｈatzakis，Ｂ．Ｊ．Ｃa
narello and Ｊ．Ｍ．Ｓhaw.，ＩＢＭＪ．Ｒes．Ｄeve
lop.，２４（４）４５２（１９８０）』、『Ｓ．Ｐ．Ｌ
yman，Ｊ．Ｌ．Ｊackel and Ｐ．Ｌ．Ｌin，Ｊ．Ｖac．
Ｓci．Ｔechnol.，１９（４）１３２５（１９８
１）』、『Ｓ．Ｐ．Ｂeaumont，etal.，Ａppl．Ｐhys．
Ｌett.，３８（６）４３６（１９８１）』、『Ｓingle
−step Ｌift-off Ｐrocess，Ｒ．Ｊ．Ｂergeron，Ｃ.
Ｊ.Ｈamel and Ｃ．Ｊ．Ｍatthewa』、『Ｌift−off Ｔ
echniques for Ｆine Ｌine Ｍetal Ｐatterning，Ｊ．
Ｍ．Ｆrary and Ｐ．Ｓeese，ＭotorolaＳemiconductor
Ｒesearch and Ｄevelopment Ｌabs.，Ｐhoenix，Ａri
zona』等々の多数の文献がある。

【００２１】

【作用】セミアディティブ法において、下地薄銅箔のエ
ッチング時の配線パターンのサイドエッチングは、エッ
チングレジストが導体部を１００％被覆することが困難
であるため、その完全な抑止は不可能である。そこで本
発明は、上述のうよに、サイドエッチング量を前もって
見込み、現像後に残存するめっきレジストパターンの断
面形状を、銅張積層板と接した部分（裾部）の方が頭部
と比べて幅広のオーバーハングの形状になるように作成
した後に、厚付銅めっきを行ないパターンを形成し、下
地薄銅箔のエッチング時に配線パターンの側面に対し故
意に、予め見込まれたサイドエッチングを生じさせるこ
とによって、望ましい断面形状の、直流抵抗値、パター
ン強度、剥がれ等において優れたパターン導体を獲得す
る。したがって、本発明の方法によれば、高密度なプリ
ント配線板の製造が可能となり、近年のコンピュータの
高速化の要求を満足することができる。

【００２２】

【実施例】以下に図面を用いて、本発明を実施例により
具体的に説明する。

【００２３】（実施例１）図１は、本実施例による配線
パターン形成の各工程における基板断面の一部形状を示
す図である。

【００２４】図１（ａ）は、薄銅張積層板の断面図の一
部であり、絶縁基板１の上に１２μｍ程度の厚さの薄銅
箔２が施してある。この薄銅張積層板を出発材料にし、
内層基板の配線パターンを形成する。

【００２５】図１（ｂ）に示すように、薄銅張積層板の
表面に厚さ３０μｍ程度のドライフィルムレジスト
（Ａ）３をラミネートし、フォトマスクを介して露光
し、現像することによって、パターンニングする。この
ドライフィルムレジスト３によるめっきレジストパター
ンの表面に、厚さ２０μｍ程度のドライフィルムレジス
ト（Ｂ）４をラミネートし、フォトマスクを介して露光
し、現像することによりパターンニングする。このよう
にして２層のドライフィルムレジスト３，４のパターン
からなる、めっきレジストパターン５が形成される。こ
のめっきレジストパターン５の断面形状は、その開口部
６において、上層が下層より内側に張り出した（オーバ
ーハングの）形状、換言すれば、薄膜銅張積層板の薄銅
箔２に接した裾部のほうが頭部に比べて幅広の形状であ
る。

【００２６】ここで、ドライフィルムレジスト（Ａ）と
ドライフィルムレジスト（Ｂ）の組成を表１に示す。

【００２７】

【表１】

【００２８】表１に見られるように、ドライフィルム
（Ａ），（Ｂ）は、ポリマー、モノマーの含有量は同じ
だが、光開始剤のミヒラーズケトンの含有量を異なら
せ、ドライフィルムレジスト（Ａ）のほうを低感度にす
ることによって、露光の際に同じフォトマスクを用い
て、図１（ｂ）に示されるようなオーバーハング断面形
状を持つめっきレジストパターン５を得ることができ
る。

【００２９】つぎに、図１（ｃ）に示すように、めっき
レジストパターン５の開口部６に、電気めっき、また
は、化学めっきにより、銅めっきパターン７を形成す
る。銅めっきパターン７の形成後では、銅張積層板とめ
っきレジスト（５）の熱膨張率に差がある（めっきレジ
ストのほうが熱膨張率が大きい）ために、銅めっきパタ
ーン７とめっきレジストパターン５との界面に幅方向
０．５〜２μｍ、深さ方向２０μｍ程度の隙間８が生じ
る。

【００３０】次に図１（ｄ）に示すように、銅めっきパ
ターン７の露出箇所である頭部と側壁に、エッチングレ
ジストの半田めっき９を施す。そして、図１（ｅ）に示
すように、ドライフィルムレジスト（５）を剥離除去す
る。

【００３１】次に、下地銅箔２をエッチング液により湿
式除去する。この際、銅めっきパターン７の露出した側
面と下地銅箔２は同時にエッチングされるので、エッチ
ング後は図１（ｆ）に示すような断面形状となる。最後
にエッチングレジストの半田レジストとしての半田めっ
き９を除去する。これによって、図１（ｇ）に示すよう
な基板上に独立した銅配線パターン１０が形成される。

【００３２】図２は、最終的に形成した銅配線パターン
の寸法形状の詳細を示す。図２において、パターン頭部
の幅Ｗ、高さＨ、裾幅Ｂと頭部幅Ｗの比、下地銅箔とパ
ターン銅の境界のパターン幅Ｃと頭部幅Ｗの比、パター
ン断面積Ｓと矩形パターン断面関（Ｗ×Ｈ）の比は、実
際に形成したプリント配線板の銅配線パターン１００本
を採取して測定したところ、下記の通りであった。

【００３３】Ｗ≒６０μm、Ｈ≒６０μm Ｂ／Ｗ＝０．９６±０．０３Ｃ／Ｗ＝０．９２±０．０３Ｓ／（Ｗ×Ｈ）＝０．９８±０．０２なお、この測定値の平均値と、記各実施例並びに後記比
較例についての同様の測定値の平均値を表２にまとめて
示す。

【００３４】

【表２】

【００３５】（実施例２）図１により本実施例を説明す
る。本実施例は、図１（ｂ）に示すめっきレジストパタ
ーン５の形成方法が前記実施例１と相違する。すなわ
ち、図１（ａ）に示す薄銅張積層板の表面に、表１に示
した組成を持つ厚さ３０μｍ程度のドライフィルムレジ
スト（Ａ）と厚さ２０μｍ程度のドライフィルムレジス
ト（Ｂ）を順にラミネートする。その後に、露光及び現
像を行なって、２層のドライフィルムレジストを一括し
てパターンニングし、図１（ｂ）に示すめっきレジスト
パターン５を得る。

【００３６】この後に、前記実施例１と同様に、銅めっ
き、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔の
エッチング、半田膜の除去の各工程を行って図１（ｇ）
に示す断面形状の銅配線パターンを得る。銅配線パター
ンの測定値は表２に示すとおりであった。

【００３７】（実施例３）図１により本実施例を説明す
る。本実施例では、表１に示した組成の厚さ３０μｍ程
度のドライフィルムレジスト（Ａ）と厚さ２０μｍ程度
のドライフィルムレジスト（Ｂ）を予め重ね合わしてな
る２層のドライフィルムレジストを用意する。そして、
この２層のドライフィルムレジストを、ドライフィルム
レジスト（Ｂ）側を下にして、図１（ａ）に示した薄銅
張積層板の表面にラミネートする。そして、露光及び現
像を行なうことによって、図１（ｂ）に示す断面形状の
めっきレジストパターン５を得る。

【００３８】この後は、前記実施例１と同様に銅めっ
き、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔の
エッチング、半田膜の除去の各工程を経て図１（ｇ）に
示す断面形状の導体パターンを得る。導体パターンの測
定値は表２に示すとおりである。

【００３９】（実施例４）図３により本実施例を説明す
る。図３（ａ）に示す薄銅張積層板（前記実施例１のも
のと同様のもの）の表面に、厚さ５０μｍ程度のドライ
フィルム１１をラミネートした後、フォトマスクを介し
て露光し、現像することによって、めっきレジストパタ
ーンを得る。この露光工程において、露光量を通常より
減らすことによって、図（ｃ）に示すような、開口部の
断面形状がオーバーハング形状のめっきレジストパター
ンを得る。

【００４０】より具体的に言えば、ステップタブレット
（ＳＴ）段数を０にした時（露光量を最小に絞った時）
に光学密度０．０５、ＳＴ段数を１つ上げると光学密度
０．１５の分だけ露光量が増加し、ＳＴ段数を７に設定
してドライフィルムレジスト１１を露光した場合に、図
３（ｂ）に示すような矩形断面のめっきレジストパター
ンが得られるような露光装置を用いたとする。この場
合、ＳＴ段数を４．５から５．０に設定し露光量を絞っ
て露光し、現像をすれば、図３（ｃ）に示すような断面
形状のめっきレジストパターンを得られる。

【００４１】このめっきレジストパターンを形成した後
は、前記実施例１と同様に、銅めっき、半田めっき、め
っきレジスト剥離除去、下地銅箔のエッチング、半田膜
の除去の各工程を行うことより、図３（ｄ）に示す断面
形状の銅配線パターン１０を得る。

【００４２】（実施例５）図４により本実施例を説明す
る。図４（ａ）に示す薄銅張積層板（前記実施例１のも
のと同様のもの）の表面に、厚さ５０μｍ程度のドライ
フィルム１１をラミネートし、露光、現像を行なう。こ
の後に、四フッ化炭素（ＣＦ₄ ）、チッ素（Ｎ₂）、酸
素（Ｏ₂）から成るガスを用いて、出力２．２ｋＷでプ
ラズマエッチング（アッシング）を４０分間行なうこと
より、図４（ｂ）に示すオーバーハング形状のめっきレ
ジストパターンを得る。

【００４３】この後に前記実施例１と同様に、銅めっ
き、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔の
エッチング、半田膜の除去の各工程を行うことより図４
（ｃ）に示す断面形状の銅配線パターン１０を得る。

【００４４】（実施例６）図５により本実施例を説明す
る。図５（ａ）に示す薄銅張積層板（前記実施例１のも
のと同様のもの）の表面に、図５（ｂ）に示すように、
波長４００nm以下で光学吸収係数εがε≦１０００の染
料であるｐ−アミノアゾベンゼン３を塗布する。次に、
ドライフィルムレジスト１１をラミネートし、露光、現
像を行なってめっきレジストパターンを形成する。

【００４５】この露光時に、薄銅張積層板からの電磁波
の反射がｐ−アミノアゾベンゼン３の塗膜によって吸収
されるため、この吸収がなされなければ、現像後のめっ
きレジストパターンが図５（ｃ）に示すような断面形状
となるところ、図５（ｄ）に示すようなオーバーハング
断面形状のめっきレジストパターンが得られる。

【００４６】この後に前記実施例１と同様に銅めっき、
半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔のエッ
チング、半田膜の除去の各工程を行うことより、図５
（ｅ）に示す断面形状の銅配線パターン１０を得る。

【００４７】（比較例）ここで、前記実施例６との比較
例として、薄銅張積層板に電磁波吸収のためのｐ−アミ
ノアゾベンゼンを塗布せずに、処理した場合について図
６により説明する。

【００４８】図６（ａ）に示す薄銅張積層板（前記実施
例１と同様のもの）の表面に、図６（ｂ）に示すよう
に、厚さ５０μｍ程度のドライフィルムレジスト１１を
ラミネートし、フォトマスクを介して露光、現像してめ
っきレジストパターンを形成する。露光の条件は前記実
施例６同様であるが、露光時に薄銅箔２により反射され
た電磁波の作用により、図６（ｂ）に示すように、めっ
きレジストパターンは裾部がテールを引きいた断面形状
となる。その結果、その後の前記実施例１と同様の銅め
っき、半田めっき、めっきレジスト剥離除去、下地銅箔
のエッチングの工程により基板断面形状は図６（ｃ）乃
至（ｆ）に示す如く変化し、最後に半田膜の除去の工程
により、図６（ｇ）に示すような断面形状の銅配線パタ
ーン１２が得られる。

【００４９】図６（ｇ）に見られるように、銅配線パタ
ーン１２の断面形状は、前記各実施例によって得られる
ものに比べ数段劣る。実際に形成したプリント配線板の
銅配線パターンを１００本採取し、寸法を測定したとこ
ろ下記の通りであった（記号は前記実施例１を参照）。
また、その平均値を表２に示す。

【００５０】Ｗ≒６０μm、Ｈ≒６０μm Ｂ／Ｗ＝０．７６±０．０３Ｃ／Ｗ＝０．５２±０．０４Ｓ／（Ｗ×Ｈ）＝０．７２±０．０３なお、以上に説明した本発明によって実現可能な、一般
的に好適と考えられるプリント配線板の数値条件を以下
に示す。

【００５１】（１）絶縁基材に接した第一銅層とその上
に積層された第二銅層から成る導体パターンを有し、導
体パターンの頭部の幅Ｗと高さＨが２≧Ｈ／Ｗ≧０.９
の関係であり、さらに導体パターンの頭部の幅Ｗと裾幅
Ｂが１.２≧Ｂ／Ｗ≧０.８の関係であるプリント配線
板。

【００５２】（２）絶縁基材に接した第一銅層とその上
に積層された第二銅層から成る導体パターンを有し、導
体パターンの頭部の幅Ｗと高さＨが２≧Ｈ／Ｗ≧０.９
の関係であり、さらに第一銅層と第二銅層の境界部の導
体パターン幅Ｃと導体パターン頭部の幅Ｗが１.２≧Ｃ
／Ｗ≧０.８の関係であるプリント配線板。

【００５３】（３）絶縁基材に接した第一銅層とその上
に積層された第二銅層から成る導体パターンを有し、導
体パターンの頭部の幅Ｗが３０μm≦Ｗ≦１００μmの範
囲であり、かつ導体パターンの高さＨが５０μm≦Ｈ≦
１５０μmの範囲であるプリント配線板。

【００５４】

【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、導体パターンの断面形状を矩形に近づけること
ができるため、直流抵抗値が小さく剥がれ難い配線パタ
ーンを持つ高密度なプリント配線板を製造することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１，２及び３における配線パターン形成
工程の説明図である。

【図２】銅配線パターンの断面形状の説明図である。

【図３】実施例４における配線パターン形成工程の説明
図である。

【図４】実施例５における配線パターン形成工程の説明
図である。

【図５】実施例６における配線パターン形成工程の説明
図である。

【図６】比較例における配線パターン形成工程の説明図
である。

【符号の説明】

１薄銅張積層板の絶縁基板２薄銅張積層板の薄銅箔３ドライフィルムレジスト（Ａ）４ドライフィルムレジスト（Ｂ）５めっきレジストパターン６めっきレジストパターンの開口部７銅めっきパターン８めっきレジストと銅めっきパターンの隙間９半田めっき１０銅配線パターン１１ドライフィルムレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銅張積層板の表面にめっきレジストをラ
ミネートし、露光、現像して配線パターン部が開口した
めっきレジストパターンを形成する第１工程と、該第１
工程により開口した配線パターン部に厚付銅めっきを行
う第２工程と、該第２工程後に生じるめっきレジストと
厚付銅パターンの隙間及び厚付銅パターンの頭部にエッ
チングレジストを形成する第３工程と、前記めっきレジ
ストパターンを剥離する第４工程と、前記エッチングレ
ジストをマスクとして下地銅箔をエッチング除去する第
５工程と、前記エッチングレジストを除去する第６工程
とを具備し、前記第１工程において、めっきレジストパ
ターンの断面形状を銅張積層板と接した裾部の方が頭部
と比べて幅広のオーバーハングの形状にすることを特徴
とするプリント配線パターン形成方法。
【請求項２】第１工程において、めっきレジストパタ
ーンの形成のための露光を、めっきレジストパターンの
断面形状が矩形となる露光量より少ない露光量で行なう
ことを特徴とする請求項１記載のプリント配線パターン
形成方法。
【請求項３】第１工程において、めっきレジストの露
光、現像の後にプラズマアッシングを行うことを特徴と
する請求項１記載のプリント配線パターン形成方法。
【請求項４】第１工程において、銅張積層板に電磁波
を吸収する染料を塗布してから、めっきレジストをラミ
ネートすることを特徴とする請求項１記載のプリント配
線パターン形成方法。
【請求項５】第１工程において、めっきレジストパタ
ーンの裾部が狭まる傾向に有る成分を添加されためっき
レジストを用いることを特徴とする請求項１記載のプリ
ント配線パターン形成方法。
【請求項６】第１工程において、感度の異なる２種類
以上のめっきレジストを、感度の悪いものから順に１種
類ずつラミネートして露光、現像する処理を繰り返すこ
とを特徴とする請求項１記載のプリント配線パターン形
成方法。
【請求項７】第１工程において、感度の異なる２種類
以上のめっきレジストを感度の悪いものから順に重ねた
多層めっきレジストをラミネートして露光、現像するこ
とを特徴とする請求項１記載のプリント配線パターン形
成。