JP2002124765A - Manufacturing method for printed wiring board - Google Patents

Manufacturing method for printed wiring board

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JP2002124765A
JP2002124765A JP2000317746A JP2000317746A JP2002124765A JP 2002124765 A JP2002124765 A JP 2002124765A JP 2000317746 A JP2000317746 A JP 2000317746A JP 2000317746 A JP2000317746 A JP 2000317746A JP 2002124765 A JP2002124765 A JP 2002124765A
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film
conductive film
hole
wiring board
printed wiring
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JP2000317746A
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Masahiro Ikeda
正弘 池田
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NEC Toppan Circuit Solutions Toyama Inc
Original Assignee
NEC Toppan Circuit Solutions Toyama Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for printed wiring board with which the connection reliability of a via hole based on a build-up method is improved. SOLUTION: After a semi-through hole 4 is formed on an insulating layer 3 built up on a core substrate 50, a base metal layer 5 of Cu or the like is covered by sputtering or electroless plating. On the surface of such a base metal layer 5, a water-repellent film 6 is formed by first plasma gas treatment using fluorine gases. Next, after the water-repellent film 6 is removed except for the semi-through hole by second plasma gas treatment using oxygen gases or the like by a dry mask 8, a plating resist pattern 9a is patterned. Next, after the water-repellent film 6 of the semi-through hole is removed, the printed wiring board is produced by forming the via hole and a conductive circuit by plating and etching. The inflow of the plating resist to the semi-through hole 4 can be prevented by the water-repellent film 6, the resist is prevented from being remained in the semi-through hole 4, and plating depositing property can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板の製
造方法に関し、特に表面にバイアホールを有するプリン
ト配線板の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a printed wiring board having via holes on its surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】両面銅張り基板等のコア基材にビルドア
ップした絶縁層に半貫通ホールを形成し、この半貫通ホ
ールに導電層を形成してバイアホールを形成し、このバ
イアホールとコア基材に形成したコア回路と接続して多
層回路を形成する、所謂ビルドアップ法によるプリント
配線板の製造方法が広く使用されるようになっている。
ビルドアップ法では、絶縁層の表面に従来のような銅箔
を予め接着する必要がなく、絶縁層表面に直接めっき等
で導体層を形成するために、導電回路を形成するエッチ
ング工程でエッチングする導電層の厚さが薄いために導
電回路が高精度に形成できるためである。
2. Description of the Related Art A semi-through hole is formed in an insulating layer built up on a core base material such as a double-sided copper-clad substrate, a conductive layer is formed in the semi-through hole, and a via hole is formed. 2. Description of the Related Art A method of manufacturing a printed wiring board by a so-called build-up method for forming a multilayer circuit by connecting to a core circuit formed on a base material has been widely used.
In the build-up method, there is no need to previously bond a copper foil to the surface of the insulating layer as in the related art, and etching is performed in an etching step for forming a conductive circuit in order to directly form a conductive layer on the insulating layer surface by plating or the like. This is because a conductive circuit can be formed with high accuracy because the thickness of the conductive layer is small.

【0003】このビルドアップ法によるプリント配線板
の製造技術が特開平7―15139号公報等に開示され
ている。この技術によるプリント配線板の製造方法を図
4〜図5を参照して説明する。図4〜図5は、プリント
配線板の製造工程順を説明するための基板要部の断面図
である。まず、両面銅張り板のコア基材1をエッチング
してコア回路2を形成する。次にコア基材1上に絶縁層
3をビルドアップした後、コア回路2に達する半貫通ホ
ール4を形成する(図4(a))。
A technique for manufacturing a printed wiring board by this build-up method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-15139. A method of manufacturing a printed wiring board according to this technique will be described with reference to FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views of the main parts of the substrate for explaining the order of the manufacturing process of the printed wiring board. First, a core circuit 2 is formed by etching a core substrate 1 of a double-sided copper clad board. Next, after building up the insulating layer 3 on the core substrate 1, a semi-through hole 4 reaching the core circuit 2 is formed (FIG. 4A).

【0004】次に、図4(b)のように、半貫通ホール
4を含む絶縁層表面に下地金属層5を形成する。次にめ
っきレジスト9を塗布する(図4(c))。この際にめ
っきレジスト9は下地金属層5が形成された半貫通ホー
ル4内部にも流れ込む。続いて露光、現像を行い、図4
(d)のように、めっきレジストパターン9aを形成す
る。
Next, as shown in FIG. 4B, a base metal layer 5 is formed on the surface of the insulating layer including the semi-through hole 4. Next, a plating resist 9 is applied (FIG. 4C). At this time, the plating resist 9 flows into the inside of the semi-through hole 4 in which the base metal layer 5 is formed. Subsequently, exposure and development are performed.
As shown in (d), a plating resist pattern 9a is formed.

【0005】次に図5(e)のように、めっきレジスト
パターン9aが被覆されていない下地金属層5上に電気
銅めっき等によってめっき銅10を形成する。続いて、
図5(f)のように、めっきレジストパターン9aを剥
離した後、図5(g)のように、クイックエッチングし
て露出している下地金属層5を除去してバイアホール3
0と導電回路20を有するプリント配線板が製造され
る。
Next, as shown in FIG. 5E, plated copper 10 is formed on the underlying metal layer 5 not covered with the plating resist pattern 9a by electrolytic copper plating or the like. continue,
After the plating resist pattern 9a is peeled off as shown in FIG. 5F, the exposed underlying metal layer 5 is removed by quick etching as shown in FIG.
A printed wiring board having a zero and a conductive circuit 20 is manufactured.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記のビルドアップ法
によるプリント配線板にはつぎのような問題点がある。 (1)図4(d)のめっきレジストパターン9a形成の
現像工程において、めっきレジストが半貫通ホール内に
残りやすい。記号11は半貫通ホール4に現像時に残っ
たレジスト残渣を示す。 (2)このレジスト残渣11により、次の図5(e)の
めっき銅10を形成する際に、半貫通ホール4のめっき
銅10の付き回り性が低下する。そのために、図5
(g)のクイックエッチング工程で、バイアホール30
に断線やボイドの不具合が発生しやすい。符号12はク
イックエッチングでバイアホール30内に生じた断線部
を示す。特に、バイアホールが微小になるほどバアイホ
ールに断線が生じやすい。 (3)一方、半貫通ホール4内のレジストの現像性を重
視しすぎると、表面のめっきレジストパターン9aが現
像過剰になってめっきレジスト剥離やレジスト細りが生
じ、安定的なパターニングが行えないという欠点があ
る。
The printed wiring board by the above build-up method has the following problems. (1) In the developing step of forming the plating resist pattern 9a in FIG. 4D, the plating resist tends to remain in the semi-through hole. Symbol 11 indicates a resist residue remaining in the semi-through hole 4 during development. (2) Due to the resist residue 11, when the next plated copper 10 of FIG. 5E is formed, the throwing power of the plated copper 10 in the semi-through hole 4 is reduced. Therefore, FIG.
In the quick etching step (g), the via holes 30
Disconnection and voids are likely to occur. Reference numeral 12 indicates a broken portion generated in the via hole 30 by the quick etching. In particular, the smaller the via hole, the more likely it is for the via hole to break. (3) On the other hand, if too much emphasis is placed on the developability of the resist in the semi-through hole 4, the plating resist pattern 9a on the surface becomes excessively developed, and the plating resist is peeled off or the resist is thinned, so that stable patterning cannot be performed. There are drawbacks.

【0007】従って、本発明の目的は、上記の従来技術
の問題点を解決した、ビルドアップ法によるプリント配
線板の製造方法を提供することにある。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a printed wiring board by a build-up method, which solves the above-mentioned problems of the prior art.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のプリント配線板
の製造方法は、表面に少なくとも半貫通のホールが形成
された絶縁性の基板の前記ホール内を含む表面に第1の
導電膜を形成する工程と、第1のプラズマガス処理によ
り前記第1の導電膜表面に撥水性膜を形成する工程と、
前記ホールを第1のフォトレジスト膜でマスクして前記
ホール以外の前記第1の導電膜上の前記撥水性膜を第2
のプラズマガス処理で除去する工程と、前記第1のフォ
トレジスト膜を除去した後、前記基板上に第2のフォト
レジスト膜の逆版レジスト膜パターンを形成する工程
と、第2のプラズマガス処理で前記ホールの前記撥水性
膜を除去する工程と、前記ホールを含む前記基板上の前
記第1の導電膜の露出表面に第2の導電膜を形成する工
程と、前記基板上の前記第2のフォトレジスト膜の前記
逆版レジスト膜パターンを除去する工程と、前記基板上
の前記第2の導電膜が被覆されていない前記第1の導電
膜をエッチングし、前記ホールを含む前記基板上に前記
第1の導電膜と前記第2の導電膜を有する導電回路を形
成する工程とを含むことを特徴とする。
According to the method of manufacturing a printed wiring board of the present invention, a first conductive film is formed on a surface of an insulating substrate having at least a half-through hole formed on the surface thereof, including the inside of the hole. Forming a water-repellent film on the surface of the first conductive film by a first plasma gas treatment;
The hole is masked with a first photoresist film, and the water-repellent film on the first conductive film other than the hole is formed on the second conductive film.
Removing the first photoresist film, forming an inverse resist film pattern of a second photoresist film on the substrate after removing the first photoresist film, and performing the second plasma gas treatment. Removing the water-repellent film in the holes, forming a second conductive film on the exposed surface of the first conductive film on the substrate including the holes, and removing the second conductive film on the substrate. Removing the reverse resist film pattern of the photoresist film, etching the first conductive film that is not covered with the second conductive film on the substrate, and removing the first conductive film on the substrate including the holes. Forming a conductive circuit having the first conductive film and the second conductive film.

【0009】前記絶縁性の基板としては、エポキシ樹脂
基板またはポリイミド樹脂基板が使用され、前記第1の
導電膜は、蒸着(スパッタ)または無電解めっきで形成
される。
As the insulating substrate, an epoxy resin substrate or a polyimide resin substrate is used, and the first conductive film is formed by vapor deposition (sputtering) or electroless plating.

【0010】前記第1のプラズマガス処理としては、C
4,C26,C38,CHF3等のフッ素系プラズマガ
スが使用される。この処理によって、前記前記第1の導
電膜表面に前記撥水性膜が形成される。前記基板上に第
2のフォトレジスト膜の逆版レジスト膜パターンを形成
する工程において、液状めっきレジストが前記半貫通ホ
ールからはじかれ、前記半貫通ホール内への第2のフォ
トレジスト膜の現像残渣発生を防止できる。
The first plasma gas treatment includes C
Fluorine-based plasma gases such as F 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 and CHF 3 are used. By this processing, the water-repellent film is formed on the surface of the first conductive film. In the step of forming an inverse resist film pattern of a second photoresist film on the substrate, a liquid plating resist is repelled from the semi-through hole, and a residue of development of the second photoresist film into the semi-through hole. Occurrence can be prevented.

【0011】本発明によれば、現像時にビアホール内の
現像残渣課題を克服し、半貫通ホール内のめっき付き周
り性を著しく向上させ、極めて接続信頼性の高いバイア
ホールを形成することができる。
According to the present invention, it is possible to overcome the problem of the development residue in the via hole at the time of development, remarkably improve the plating coverage in the semi-through hole, and form a via hole with extremely high connection reliability.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に本発明のプリント配線板の製
造方法の実施の形態について図面を参照して詳細に説明
する。図1〜図3は本発明のプリント配線板の製造方法
を説明するための工程順に示した基板要部の断面図であ
る。まず、図1(a)のように、両面または片面銅張り
板をエッチングしてコア回路2を有するコア基板50を
準備する。例えば、コア回路2はドライフィルムを両面
または片面銅張り板にラミネートし、所望の回路形成部
が遮光されたマスクを用いて露光して現像し、塩化第二
銅水溶液等にてエッチングして形成される。なお、図
中、符号1はエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂からな
りガラス繊維等で強化されているコア基材を示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, an embodiment of a method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1 to 3 are cross-sectional views of a main part of a substrate shown in the order of steps for explaining a method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention. First, as shown in FIG. 1A, a double-sided or single-sided copper-clad board is etched to prepare a core substrate 50 having a core circuit 2. For example, the core circuit 2 is formed by laminating a dry film on a double-sided or single-sided copper-clad board, exposing and developing a desired circuit forming portion using a light-shielded mask, and etching with a cupric chloride aqueous solution or the like. Is done. In the drawings, reference numeral 1 denotes a core substrate made of an epoxy resin or a polyimide resin and reinforced with glass fibers or the like.

【0013】このコア基板50の両面または片面にエポ
キシ樹脂またはポリイミド樹脂からなる熱硬化性または
感光性の絶縁層3をカーテンコーター、スクリーン印
刷、スピンコーター、スロットコーター等例えばカーテ
ンコーターにて膜厚30μm程度に被覆した後、絶縁層
3にフォトリソグラフィ法(感光性の絶縁層の場合)ま
たはレーザ加工法(熱硬化性絶縁層の場合)で半貫通ホ
ール4を形成する。例えば、感光性の絶縁層の場合に
は、感光性の絶縁層3を、指触乾燥後、400mJ/c
2にて露光し、ジエタノールアミンを含む現像液(液
温:30℃)にて現像し、160℃60分で熱硬化して
半貫通ホール4を形成する。
A thermosetting or photosensitive insulating layer 3 made of an epoxy resin or a polyimide resin is coated on both surfaces or one surface of the core substrate 50 with a curtain coater, screen printing, spin coater, slot coater, etc. After the coating, the semi-through hole 4 is formed in the insulating layer 3 by photolithography (in the case of a photosensitive insulating layer) or laser processing (in the case of a thermosetting insulating layer). For example, in the case of a photosensitive insulating layer, the photosensitive insulating layer 3 is dried at 400 mJ / c after touch drying.
Exposure at m 2, development with a developer containing diethanolamine (liquid temperature: 30 ° C.), and thermosetting at 160 ° C. for 60 minutes to form the semi-through hole 4.

【0014】次に、更に下地金属層5を絶縁層3表面に
形成する(図1(b))。例えば、真空度1.6×10
-4Paにおいて電流値4Aでチタン(下地膜)/銅スパ
ッタ薄膜を約300nm厚に形成する。下地金属層5は
無電解銅めっきまたは無電解ニッケルめっき等の無電解
めっきで形成することができる。この場合には、アルカ
リ性過マンガン酸水溶液で絶縁層3の表面を粗化して無
電解めっきの密着性を向上させることができる。
Next, a base metal layer 5 is further formed on the surface of the insulating layer 3 (FIG. 1B). For example, the degree of vacuum is 1.6 × 10
A titanium (base film) / copper sputtered thin film is formed to a thickness of about 300 nm at a current value of 4 A at -4 Pa. The base metal layer 5 can be formed by electroless plating such as electroless copper plating or electroless nickel plating. In this case, the surface of the insulating layer 3 can be roughened with an aqueous alkaline permanganate solution to improve the adhesion of electroless plating.

【0015】次に、フッ素系ガスを用いてプラズマ処理
を行い、下地金属層5の表面に撥水性を付与する。符号
6は撥水性膜6である(図1(c))。撥水性膜6はC
u,C,Fを含む膜である。
Next, a plasma treatment is performed using a fluorine-based gas to impart water repellency to the surface of the base metal layer 5. Reference numeral 6 denotes a water-repellent film 6 (FIG. 1C). The water-repellent film 6 is C
It is a film containing u, C, and F.

【0016】フッ素系ガスとしては、CF4,C26
38,CHF3等のガスが使用できる。例えばCF4
スを用いて出力500W、処理時間10分、ガス圧力9
00mTorrでプラズマ処理を行う。
As the fluorine-based gas, CF 4 , C 2 F 6 ,
Gases such as C 3 F 8 and CHF 3 can be used. For example, using CF 4 gas, output 500 W, processing time 10 minutes, gas pressure 9
Plasma treatment is performed at 00 mTorr.

【0017】次に、感光性のドライフィルム7をラミネ
ートした後(図1(d))、露光、現像して、半貫通ホ
ール4部にドライフィルムマスク8を形成する(図2
(e))。
Next, after laminating the photosensitive dry film 7 (FIG. 1 (d)), it is exposed and developed to form a dry film mask 8 in the semi-through hole 4 (FIG. 2).
(E)).

【0018】次に酸素またはアルゴン等のフッ素系以外
のガスを用いたプラズマ処理を行い、半貫通ホール4部
以外の撥水性膜6を除去する(図2(f))。例えば酸
素ガスを用いて出力500W、処理時間5分、ガス圧力
900mTorrでプラズマ処理を行う。
Next, a plasma treatment using a gas other than fluorine, such as oxygen or argon, is performed to remove the water-repellent film 6 other than the semi-through hole 4 (FIG. 2 (f)). For example, plasma processing is performed using oxygen gas at an output of 500 W, a processing time of 5 minutes, and a gas pressure of 900 mTorr.

【0019】更にドライフィルムマスク8を剥離した
後、電気めっき用のめっきレジスト9を塗布する。めっ
きレジスト9は、カーテンコーター、スクリーン印刷、
スピンコーター、スロットコーター等、例えばスピンコ
ーターにて膜厚20μm塗布し、指触乾燥90℃30分
を行う(図2(g))。この際、撥水性膜を有する半貫
通ホール内部のめっきレジストは、はじかれる(図2
(g))。
After the dry film mask 8 is further removed, a plating resist 9 for electroplating is applied. The plating resist 9 is a curtain coater, screen printing,
A film having a thickness of 20 μm is applied by a spin coater, a slot coater or the like, for example, and a touch drying is performed at 90 ° C. for 30 minutes (FIG. 2 (g)). At this time, the plating resist inside the semi-through hole having the water-repellent film is repelled (FIG. 2).
(G)).

【0020】次に、所望のマスクを用いて露光した後、
現像し、逆版状のめっきレジストパターン9aを形成す
る(図2(h))。なお、めっきレジスト9は電着法に
よっても形成することができる。この場合には、めっき
レジストは半貫通ホールの下地金属層5表面には撥水性
膜6が存在するために、電着しない。
Next, after exposing using a desired mask,
Development is performed to form a reverse-plate-shaped plating resist pattern 9a (FIG. 2 (h)). Note that the plating resist 9 can also be formed by an electrodeposition method. In this case, the plating resist is not electrodeposited because the water-repellent film 6 exists on the surface of the base metal layer 5 in the semi-through hole.

【0021】次に、フッ素系以外のガス、例えば酸素ガ
スを用いて出力500W、処理時間5分、ガス圧力90
0mTorrでプラズマ処理を用いたプラズマ処理を行
い、半貫通ホール内の撥水性膜6を除去する。半貫通ホ
ールの表面は下地金属層5が露出して親水性となる
((図3(i))。
Next, using a gas other than a fluorine-based gas, for example, oxygen gas, output 500 W, processing time 5 minutes, gas pressure 90
Plasma treatment using plasma treatment is performed at 0 mTorr to remove the water-repellent film 6 in the semi-through hole. The surface of the semi-through hole becomes hydrophilic because the underlying metal layer 5 is exposed (FIG. 3 (i)).

【0022】次に、電気めっきまたは無電解めっきによ
り、めっき銅10をパターンめっきする(図3
(j))。例えば、電気銅めっきを使用した場合には、
銅濃度75g/L、光沢剤濃度2mL/Lのめっき液
で、電流密度2A/dm2でめっき銅10を10〜20
μmの厚さに被覆する。
Next, the plated copper 10 is patterned by electroplating or electroless plating (FIG. 3).
(J)). For example, when using electrolytic copper plating,
A plating solution having a copper concentration of 75 g / L and a brightener concentration of 2 mL / L, and plating copper 10 at a current density of 2 A / dm 2 for 10 to 20
Coat to a thickness of μm.

【0023】次に、めっきレジストを剥離(図3
(k))した後、めっき銅10が被覆されずに露出して
いる下地金属層5をエッチング除去し、バイアホール3
0と導電回路20形成されプリント配線板が製造される
(図3(l))。例えば、下地金属層をチタンと銅をス
パッタで形成した場合には、まず、膜過酸化水素83.
3g/L、硫酸80g/Lの液に20秒浸漬し、銅をエ
ッチングする。さらに硫酸塩化合物50g/Lの液に4
5秒浸漬し、チタンをエッチングする。
Next, the plating resist is peeled off (FIG. 3).
(K)), the underlying metal layer 5 that is exposed without being covered with the plated copper 10 is removed by etching, and the via hole 3 is removed.
0 and the conductive circuit 20 are formed to manufacture a printed wiring board (FIG. 3 (l)). For example, when the base metal layer is formed by sputtering titanium and copper, first, the film hydrogen peroxide is formed.
It is immersed in a solution of 3 g / L and sulfuric acid of 80 g / L for 20 seconds to etch copper. Further, 4 g of a sulfate compound at 50 g / L
Immerse for 5 seconds and etch titanium.

【0024】上記の本発明の実施の形態では、コア基板
50上に1層の絶縁層をビルドアップした場合を説明し
たが、バイアホール30と導電回路20が形成された基
板の表面に上記の方法によりさらに絶縁層をビルドアッ
プしてバイアホールと導電回路を形成することもできる
ことは言うまでもない。
In the above embodiment of the present invention, the case where one insulating layer is built up on the core substrate 50 has been described, but the surface of the substrate on which the via holes 30 and the conductive circuits 20 are formed is formed as described above. It goes without saying that the insulating layer can be further built up by the method to form via holes and conductive circuits.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、次の
効果が得られる。 (1)半貫通ホールを含む絶縁層上の下地金属層表面を
フッ素系ガスでプラズマ処理を行って、撥水性膜を形成
し、この撥水性膜を半貫通ホール内に選択的に残存させ
てことによって、めっきレジストの半貫通ホールへの流
れ込みと現像残り発生を防止することができる。 (2)その結果、半貫通ホールの電気めっき析出性が向
上し、バイアホールの接続信頼性が向上する。特に極小
径バイアホールやハイアスペクトの2層間接続バイアホ
ールや極小径スルホール基板でその効果は著しい。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) The surface of the underlying metal layer on the insulating layer including the semi-through hole is subjected to plasma treatment with a fluorine-based gas to form a water-repellent film, and the water-repellent film is selectively left in the semi-through hole. Thus, it is possible to prevent the plating resist from flowing into the semi-through hole and the occurrence of the undeveloped portion. (2) As a result, the electroplating property of the semi-through hole is improved, and the connection reliability of the via hole is improved. The effect is particularly remarkable in a via hole having a very small diameter, a via hole connecting two layers of high aspect ratio, and a through hole substrate having a very small diameter.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のプリント配線板の製造方法の実施の形
態を説明するための工程順に示した基板要部の断面図で
ある。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a substrate shown in the order of steps for describing an embodiment of a method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention.

【図2】図1(d)に続く、本発明のプリント配線板の
製造方法の実施の形態を説明するための工程順に示した
基板要部の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the essential part of the substrate, following FIG. 1 (d), for explaining the embodiment of the method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention in the order of steps;

【図3】図2(h)に続く、本発明のプリント配線板の
製造方法の実施の形態を説明するための工程順に示した
基板要部の断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the essential parts of the substrate, following FIG. 2 (h), for explaining the embodiment of the method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention in the order of steps;

【図4】従来のプリント配線板の製造方法の実施の形態
を説明するための工程順に示した基板要部の断面図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of a substrate shown in the order of steps for describing an embodiment of a conventional method of manufacturing a printed wiring board.

【図5】図4(d)に続く、本発明のプリント配線板の
製造方法の実施の形態を説明するための工程順に示した
基板要部の断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the essential part of the substrate, following FIG. 4 (d), for explaining the embodiment of the method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention in the order of steps;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コア基材 2 コア回路 3 絶縁層 4 半貫通ホール 5 下地金属層 6 撥水性膜 7 ドライフィルム 8 ドライフィルムマスク 9 めっきレジスト 9a めっきレジストパターン 10 めっき銅 11 レジスト残渣 12 断線部 20 導電回路 30 バイアホール REFERENCE SIGNS LIST 1 core base material 2 core circuit 3 insulating layer 4 semi-through hole 5 base metal layer 6 water repellent film 7 dry film 8 dry film mask 9 plating resist 9a plating resist pattern 10 plated copper 11 resist residue 12 disconnection part 20 conductive circuit 30 via hole

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に少なくとも半貫通のホールが形成
された絶縁性の基板の前記ホール内を含む表面に第1の
導電膜を形成する工程と、第1のプラズマガス処理によ
り前記第1の導電膜表面に撥水性膜を形成する工程と、
前記ホールを第1のフォトレジスト膜でマスクして前記
ホール以外の前記第1の導電膜上の前記撥水性膜を第2
のプラズマガス処理で除去する工程と、前記第1のフォ
トレジスト膜を除去した後、前記基板上に第2のフォト
レジスト膜の逆版レジスト膜パターンを形成する工程
と、第2のプラズマガス処理で前記ホールの前記撥水性
膜を除去する工程と、前記ホールを含む前記基板上の前
記第1の導電膜の露出表面に第2の導電膜を形成する工
程と、前記基板上の前記第2のフォトレジスト膜の前記
逆版レジスト膜パターンを除去する工程と、前記基板上
の前記第2の導電膜が被覆されていない前記第1の導電
膜をエッチングし、前記ホールを含む前記基板上に前記
第1の導電膜と前記第2の導電膜を有する導電回路を形
成する工程とを含むことを特徴とするプリント配線板の
製造方法。
A step of forming a first conductive film on a surface of the insulating substrate having at least a half-through hole formed in the surface thereof, the first conductive film being formed by a first plasma gas treatment; Forming a water-repellent film on the conductive film surface;
The hole is masked with a first photoresist film, and the water-repellent film on the first conductive film other than the hole is formed on the second conductive film.
Removing the first photoresist film, forming an inverse resist film pattern of a second photoresist film on the substrate after removing the first photoresist film, and performing the second plasma gas treatment. Removing the water-repellent film in the hole, forming a second conductive film on an exposed surface of the first conductive film on the substrate including the hole, and removing the second conductive film on the substrate. Removing the reverse resist film pattern of the photoresist film, etching the first conductive film that is not covered with the second conductive film on the substrate, and removing the first conductive film on the substrate including the holes. Forming a conductive circuit having the first conductive film and the second conductive film.
【請求項2】 前記撥水性膜がCu,CおよびFを含む
ことを特徴とする請求項1記載のプリント配線板の製造
方法。
2. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein said water-repellent film contains Cu, C and F.
【請求項3】 前記絶縁性の基板が有機樹脂基板である
請求項1記載のプリント配線板の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the insulating substrate is an organic resin substrate.
【請求項4】 前記有機樹脂基板がエポキシ樹脂基板ま
たはポリイミド樹脂基板である請求項3記載のプリント
配線板の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the organic resin substrate is an epoxy resin substrate or a polyimide resin substrate.
【請求項5】 前記第1の導電膜が蒸着または無電解め
っきで形成されることを特徴とする請求項1記載のプリ
ント配線板の製造方法。
5. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein said first conductive film is formed by vapor deposition or electroless plating.
【請求項6】 前記第1のプラズマガス処理がフッ素系
プラズマガスを使用して行われることを特徴とする請求
項1記載のプリント配線板の製造方法。
6. The method according to claim 1, wherein the first plasma gas treatment is performed using a fluorine-based plasma gas.
【請求項7】 前記フッ素系プラズマガスとしてC
4,C26,C38,CHF3の中から選択された一つ
のガスを使用する請求項6記載のプリント配線板の製造
方法。
7. The fluorine-based plasma gas as C
F 4, C 2 F 6, C 3 F 8, a manufacturing method of the printed wiring board according to claim 6, wherein the use of a gas selected from the CHF 3.
【請求項8】 前記第1のフォトレジスト膜としてドラ
イフィルム型フォトレジスト膜を使用することを特徴と
する請求項1記載のプリント配線板の製造方法。
8. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein a dry film type photoresist film is used as said first photoresist film.
【請求項9】 前記第2のプラズマガス処理および前記
第3のプラズマガス処理が酸素またはアルゴンガスを使
用して行われることを特徴とする請求項1記載のプリン
ト配線板の製造方法。
9. The method according to claim 1, wherein the second plasma gas treatment and the third plasma gas treatment are performed using oxygen or argon gas.
【請求項10】 前記第2のフォトレジスト膜が電着
法、カーテン法またはスピンコート法で形成されること
を特徴とする請求項1記載のプリント配線板の製造方
法。
10. The method according to claim 1, wherein the second photoresist film is formed by an electrodeposition method, a curtain method, or a spin coating method.
【請求項11】 前記第2の導電膜が無電解めっきまた
は電気めっきで形成されることを特徴とする請求項1記
載のプリント配線板の製造方法。
11. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein said second conductive film is formed by electroless plating or electroplating.
【請求項12】 前記半貫通のホールの底部に予め第3
の導電膜によって導電回路が形成されていることを特徴
とする請求項1記載のプリント配線板の製造方法。
12. The method according to claim 12, further comprising:
2. The method according to claim 1, wherein a conductive circuit is formed by the conductive film.
【請求項13】 前記第1の導電膜がCuまたはNiで
ある請求項1〜12のいずれかに記載のプリント配線板
の製造方法。
13. The method according to claim 1, wherein the first conductive film is made of Cu or Ni.
【請求項14】 前記第2の導電膜がCuである請求項
1〜13のいずれかに記載のプリント配線板の製造方
法。
14. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein said second conductive film is Cu.
【請求項15】 請求項5記載の前記蒸着で形成される
前記第1の導電膜がTi下地膜とCuの多層膜であるこ
とを特徴とするプリント配線板の製造方法。
15. A method for manufacturing a printed wiring board, wherein the first conductive film formed by the vapor deposition according to claim 5 is a multilayer film of a Ti base film and Cu.
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