JPH07150341A - 反応性イオンクラスタービーム蒸着法及びその装置 - Google Patents
反応性イオンクラスタービーム蒸着法及びその装置Info
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- JPH07150341A JPH07150341A JP5038906A JP3890693A JPH07150341A JP H07150341 A JPH07150341 A JP H07150341A JP 5038906 A JP5038906 A JP 5038906A JP 3890693 A JP3890693 A JP 3890693A JP H07150341 A JPH07150341 A JP H07150341A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応性イオンクラスタービーム蒸着法で基板
表面に蒸着膜を形成する際、加熱ルツボや加速電極部の
反応ガスによる劣化を防止し、且つ電子シャワー部のプ
ラズマによるクラスターの崩壊防止及び反応部での所要
ガス濃度の維持を図り、以って良質な蒸着膜の形成を図
る。 【構成】 真空領域を隔壁２で２室に分離し、隔壁２よ
り下方の第１の真空領域部３に密封加熱ルツボ５及びイ
オン化加速部７、８を配置し且つ隔壁２より上方の第２
の真空領域部４に基板を配置すると共に反応ガスを導入
し、両真空領域部の真空度を同じか又は異ならせて第２
の真空領域部内のガス濃度を高め、隔壁２に開口部９を
形成して、この開口部９からイオン化クラスタービーム
１６を第２の真空領域部４に導入して反応ガスと反応さ
せて基板に衝突させ、基板表面に蒸着膜を形成すること
を特徴とする。
表面に蒸着膜を形成する際、加熱ルツボや加速電極部の
反応ガスによる劣化を防止し、且つ電子シャワー部のプ
ラズマによるクラスターの崩壊防止及び反応部での所要
ガス濃度の維持を図り、以って良質な蒸着膜の形成を図
る。 【構成】 真空領域を隔壁２で２室に分離し、隔壁２よ
り下方の第１の真空領域部３に密封加熱ルツボ５及びイ
オン化加速部７、８を配置し且つ隔壁２より上方の第２
の真空領域部４に基板を配置すると共に反応ガスを導入
し、両真空領域部の真空度を同じか又は異ならせて第２
の真空領域部内のガス濃度を高め、隔壁２に開口部９を
形成して、この開口部９からイオン化クラスタービーム
１６を第２の真空領域部４に導入して反応ガスと反応さ
せて基板に衝突させ、基板表面に蒸着膜を形成すること
を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業状の利用分野】本発明は反応性イオンクラスタビ
ーム蒸着法及びその装置に関し、更に詳細には例えば合
成樹脂フイルム等を基板としてその表面に良質の薄膜を
蒸着形成する方法及び装置に関する。
ーム蒸着法及びその装置に関し、更に詳細には例えば合
成樹脂フイルム等を基板としてその表面に良質の薄膜を
蒸着形成する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば樹脂フイルム等の表面に金
属などの薄膜を蒸着により形成する技術は、例えば特開
昭５２ー１０８６９号公報等により紹介されている。こ
の公開公報で紹介されている従来の薄膜形成方法は、基
本的には、蒸着物質を密閉形ルツボ内で加熱して蒸気化
し、この蒸気化した蒸着物質をルツボ内の蒸気圧の少な
くとも１／１００以下で且つ約１０ー2Ｔｏｒｒ以下の真
空領域内に噴射ノズルから噴出させると共に基板上に衝
突させ、噴出時の噴射速度を変化させることにより、薄
膜形成時の微細構造を制御するようにしたものである。
属などの薄膜を蒸着により形成する技術は、例えば特開
昭５２ー１０８６９号公報等により紹介されている。こ
の公開公報で紹介されている従来の薄膜形成方法は、基
本的には、蒸着物質を密閉形ルツボ内で加熱して蒸気化
し、この蒸気化した蒸着物質をルツボ内の蒸気圧の少な
くとも１／１００以下で且つ約１０ー2Ｔｏｒｒ以下の真
空領域内に噴射ノズルから噴出させると共に基板上に衝
突させ、噴出時の噴射速度を変化させることにより、薄
膜形成時の微細構造を制御するようにしたものである。
【０００３】更に、金属酸化又は窒化物等のセラミック
薄膜を得るには上記のイオンクラスタビーム法に加えて
反応ガスの導入が必要となる反応性イオンクラスタービ
ーム蒸着法がある。ところで、通常の反応性イオンクラ
スタビーム法では、真空領域内の真空度が２×１０ー4〜
５×１０ー4で、この真空度を維持し得るようにルツボの
噴射ノズルの近くに反応ガスを供給して反応させてい
た。
薄膜を得るには上記のイオンクラスタビーム法に加えて
反応ガスの導入が必要となる反応性イオンクラスタービ
ーム蒸着法がある。ところで、通常の反応性イオンクラ
スタビーム法では、真空領域内の真空度が２×１０ー4〜
５×１０ー4で、この真空度を維持し得るようにルツボの
噴射ノズルの近くに反応ガスを供給して反応させてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の反応性
イオンクラスタビーム蒸着法では、例えば蒸発源から基
板までの距離を約５０ｃｍとした時、平均自由工程理論
で概算的に求めた式、λ≒１０ー2／Ｐｒ、（λ：平均自
由工程（ｃｍ）、Ｐｒ：圧力（Ｔｏｒｒ））より、真空
度が×１０ー4では蒸着物質が反応ガス原子と衝突して反
応するには、１０〜１００ｃｍ進む必要があり、従って
上述の設定では完全な反応を期し難い。
イオンクラスタビーム蒸着法では、例えば蒸発源から基
板までの距離を約５０ｃｍとした時、平均自由工程理論
で概算的に求めた式、λ≒１０ー2／Ｐｒ、（λ：平均自
由工程（ｃｍ）、Ｐｒ：圧力（Ｔｏｒｒ））より、真空
度が×１０ー4では蒸着物質が反応ガス原子と衝突して反
応するには、１０〜１００ｃｍ進む必要があり、従って
上述の設定では完全な反応を期し難い。
【０００５】そして、反応が十分に進行するに必要な衝
突進行距離１０ｃｍ以下となるような真空度、×１０ー3
Ｔｏｒｒにするように反応ガスの濃度を高めると、今度
は電子シャワーのイオン化部で反応ガスを原因とするグ
ロー放電が発生してプラズマによるクラスター（蒸着物
質が蒸発してその原子又は分子がぶどうの房状になった
塊状体）の崩壊を生じ、イオンクラスタービーム本来の
特徴が失われると共に反応ガスとの反応による加熱ルツ
ボの劣化並びに電極の劣化等の問題も発生した。
突進行距離１０ｃｍ以下となるような真空度、×１０ー3
Ｔｏｒｒにするように反応ガスの濃度を高めると、今度
は電子シャワーのイオン化部で反応ガスを原因とするグ
ロー放電が発生してプラズマによるクラスター（蒸着物
質が蒸発してその原子又は分子がぶどうの房状になった
塊状体）の崩壊を生じ、イオンクラスタービーム本来の
特徴が失われると共に反応ガスとの反応による加熱ルツ
ボの劣化並びに電極の劣化等の問題も発生した。
【０００６】このように、従来の反応性イオンクラスタ
ービーム蒸着法では、反応部での所要のガス濃度の維持
即ち蒸着物質と反応ガスの反応が十分進行し得る程度に
反応ガスの濃度を維持しようとすると、加熱ルツボ、イ
オン化及び加速電極部が反応ガスに侵され、また反応ガ
スに起因する電子シャワー部のプラズマによるクラスタ
ーの崩壊を生じるという不都合があった。
ービーム蒸着法では、反応部での所要のガス濃度の維持
即ち蒸着物質と反応ガスの反応が十分進行し得る程度に
反応ガスの濃度を維持しようとすると、加熱ルツボ、イ
オン化及び加速電極部が反応ガスに侵され、また反応ガ
スに起因する電子シャワー部のプラズマによるクラスタ
ーの崩壊を生じるという不都合があった。
【０００７】本発明の目的は、かかる従来の問題点を解
決するためになされたもので、反応性イオンクラスター
ビーム蒸着法で基板表面に蒸着膜を形成する際、加速電
極部の反応ガスによる劣化を防止し、且つ電子シャワー
部のプラズマによるクラスターの崩壊防止及び反応部で
の所要ガス濃度の維持を図り、以って結晶性の良い蒸着
膜を形成する反応性イオンクラスタービーム蒸着法及び
その装置を提供することにある。
決するためになされたもので、反応性イオンクラスター
ビーム蒸着法で基板表面に蒸着膜を形成する際、加速電
極部の反応ガスによる劣化を防止し、且つ電子シャワー
部のプラズマによるクラスターの崩壊防止及び反応部で
の所要ガス濃度の維持を図り、以って結晶性の良い蒸着
膜を形成する反応性イオンクラスタービーム蒸着法及び
その装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属蒸気クラ
スターを反応ガス中で反応させて基板の表面に蒸着膜を
形成する反応性イオンクラスタービーム蒸着法であり、
（ａ）噴射ノズルを備える密封加熱ルツボで蒸着物質を
加熱蒸気化し、（ｂ）この蒸気圧をＰ0とすると、Ｐ0／
Ｐ＞約１０4〜１０5（Ｐは前記密封加熱ルツボの外の圧
力）の条件を満足する真空領域中に噴射させ、（ｃ）噴
射直後電子シャワーによりイオン化し且つ加速電圧によ
り加速エネルギーを与えてイオン化クラスタービームと
し、（ｄ）前記真空領域を隔壁で前記密封加熱ルツボ及
びイオン化加速部が位置する第１の真空領域部と蒸着膜
形成部が位置する第２の真空領域部とに分離され、前記
第２の真空領域の真空度を前記第１の真空領域の真空度
と同じか又は低くし、（ｅ）前記隔壁に形成された開口
部を介して前記第２の真空領域部に前記イオン化クラス
タービームを導入し、（ｆ）前記第２の真空領域に導入
した反応ガスと反応させて前記第２の真空領域部におけ
る前記蒸着膜形成部の基板にイオン化クラスタービーム
を衝突させることから構成される。
スターを反応ガス中で反応させて基板の表面に蒸着膜を
形成する反応性イオンクラスタービーム蒸着法であり、
（ａ）噴射ノズルを備える密封加熱ルツボで蒸着物質を
加熱蒸気化し、（ｂ）この蒸気圧をＰ0とすると、Ｐ0／
Ｐ＞約１０4〜１０5（Ｐは前記密封加熱ルツボの外の圧
力）の条件を満足する真空領域中に噴射させ、（ｃ）噴
射直後電子シャワーによりイオン化し且つ加速電圧によ
り加速エネルギーを与えてイオン化クラスタービームと
し、（ｄ）前記真空領域を隔壁で前記密封加熱ルツボ及
びイオン化加速部が位置する第１の真空領域部と蒸着膜
形成部が位置する第２の真空領域部とに分離され、前記
第２の真空領域の真空度を前記第１の真空領域の真空度
と同じか又は低くし、（ｅ）前記隔壁に形成された開口
部を介して前記第２の真空領域部に前記イオン化クラス
タービームを導入し、（ｆ）前記第２の真空領域に導入
した反応ガスと反応させて前記第２の真空領域部におけ
る前記蒸着膜形成部の基板にイオン化クラスタービーム
を衝突させることから構成される。
【０００９】ここで、前記蒸着物質としては例えばイン
ジュウム、アルミニュウム、チタン等の金属及び一酸化
珪素等の中間化合物等がある。また、例えば、食品包装
分野の場合は透明で且つ防湿な酸素ハイバリヤーを有す
るプラスチックフイルムが有用であるので、蒸着膜形成
の基板としては樹脂フイルムが好ましい。その場合、２
軸延伸された樹脂フイルムの使用が更に好ましい。
ジュウム、アルミニュウム、チタン等の金属及び一酸化
珪素等の中間化合物等がある。また、例えば、食品包装
分野の場合は透明で且つ防湿な酸素ハイバリヤーを有す
るプラスチックフイルムが有用であるので、蒸着膜形成
の基板としては樹脂フイルムが好ましい。その場合、２
軸延伸された樹脂フイルムの使用が更に好ましい。
【００１０】更に、密封加熱ルツボ等が位置する第１の
真空領域の真空度は例えば約１０ー4〜１０ー7Ｔｏｒｒで
あることが好ましく、その場合第２の真空領域の真空度
はこれより若干低い×１０ー2〜１０ー4Ｔｏｒｒとするこ
とが好ましい。なお、密封加熱ルツボの材質としてはタ
ンタル、タングステン或はグラファイト等を使用した抵
抗加熱材とすることが好ましい。
真空領域の真空度は例えば約１０ー4〜１０ー7Ｔｏｒｒで
あることが好ましく、その場合第２の真空領域の真空度
はこれより若干低い×１０ー2〜１０ー4Ｔｏｒｒとするこ
とが好ましい。なお、密封加熱ルツボの材質としてはタ
ンタル、タングステン或はグラファイト等を使用した抵
抗加熱材とすることが好ましい。
【００１１】本発明の反応性イオンクラスタービーム蒸
着装置は、前記蒸着法を直接実施するためのもので、基
本的には、真空領域内に配置され、蒸着物質を密封加熱
ルツボで加熱蒸気化し、加熱蒸気をこのルツボの噴射ノ
ズルから噴出させ、噴出した加熱蒸気を電子シャワーで
イオン化し、更に加速電圧により加速エネルギーを与え
ると共に酸素、窒素等のガスと反応させ、基板表面に薄
膜を蒸着形成させるものである。
着装置は、前記蒸着法を直接実施するためのもので、基
本的には、真空領域内に配置され、蒸着物質を密封加熱
ルツボで加熱蒸気化し、加熱蒸気をこのルツボの噴射ノ
ズルから噴出させ、噴出した加熱蒸気を電子シャワーで
イオン化し、更に加速電圧により加速エネルギーを与え
ると共に酸素、窒素等のガスと反応させ、基板表面に薄
膜を蒸着形成させるものである。
【００１２】このような基本的な構成の反応性イオンク
ラスタービーム蒸着装置において、本発明の装置は、前
記密封加熱ルツボ及びイオン化加速部が位置する第１の
真空領域部と反応ガスが導入され且つ蒸着膜形成部が位
置する第２の真空領域部とに前記真空領域を分離する隔
壁を設置し、加速電圧により加速された蒸着物質を前記
第１の真空領域部から前記第２の真空領域部へ通過させ
る開口部をこの隔壁に形成したことを特徴とする。
ラスタービーム蒸着装置において、本発明の装置は、前
記密封加熱ルツボ及びイオン化加速部が位置する第１の
真空領域部と反応ガスが導入され且つ蒸着膜形成部が位
置する第２の真空領域部とに前記真空領域を分離する隔
壁を設置し、加速電圧により加速された蒸着物質を前記
第１の真空領域部から前記第２の真空領域部へ通過させ
る開口部をこの隔壁に形成したことを特徴とする。
【００１３】この構成において、隔壁の設置位置は、そ
の開口部でのクラスタービームの有する単位面積当りの
圧力を考慮して決定することが好ましい。これは、要す
るに第２の真空領域部から反応ガスが開口部を介して第
１の真空領域部へ流入することがないようにするためで
ある。
の開口部でのクラスタービームの有する単位面積当りの
圧力を考慮して決定することが好ましい。これは、要す
るに第２の真空領域部から反応ガスが開口部を介して第
１の真空領域部へ流入することがないようにするためで
ある。
【００１４】更に、本発明の反応性イオンクラスタービ
ーム蒸着装置の特徴は、前述の特徴に加えて前記第２の
真空領域部の真空度を反応ガスの導入により前記第１の
真空領域部の真空度と同じか又はそれより低くしたこと
にある。
ーム蒸着装置の特徴は、前述の特徴に加えて前記第２の
真空領域部の真空度を反応ガスの導入により前記第１の
真空領域部の真空度と同じか又はそれより低くしたこと
にある。
【００１５】この意味は、要するに、反応ガスが導入さ
れる第２の真空領域内のガス濃度を高めて蒸着物質と反
応ガスとが短い進行距離で完全な反応を起こすようにし
たことを意図している。
れる第２の真空領域内のガス濃度を高めて蒸着物質と反
応ガスとが短い進行距離で完全な反応を起こすようにし
たことを意図している。
【００１６】
【作用】本発明の反応性イオンクラスタービーム蒸着法
及びその装置によると、第１の真空領域部に配置された
密封加熱ルツボ内で蒸着物質を加熱し、噴射ノズルより
蒸着物質の蒸気を噴出させ、この時断熱膨張により原子
クラスターが形成される。このクラスターは電子シャワ
ー装置でイオン化されると共に加速電圧により加速エネ
ルギー即ち運動エネルギーがプラスされ、隔壁の開口部
から第２の真空領域部へ通過させられ、この第２の真空
領域部で反応ガスと反応して蒸着膜形成部である基板表
面に衝突する。
及びその装置によると、第１の真空領域部に配置された
密封加熱ルツボ内で蒸着物質を加熱し、噴射ノズルより
蒸着物質の蒸気を噴出させ、この時断熱膨張により原子
クラスターが形成される。このクラスターは電子シャワ
ー装置でイオン化されると共に加速電圧により加速エネ
ルギー即ち運動エネルギーがプラスされ、隔壁の開口部
から第２の真空領域部へ通過させられ、この第２の真空
領域部で反応ガスと反応して蒸着膜形成部である基板表
面に衝突する。
【００１７】基板表面に衝突した各クラスターはバラケ
て、あたかもプラスチックフイルムを２軸延伸したと同
様な効果を発現し、結晶性の良い蒸着膜相当の薄膜が基
板表面に形成される。その際、第２の真空領域部に導入
された反応ガスは、第１の真空領域部から運動エネルギ
ーを与えられて隔壁の開口部から吹き上げられてくるイ
オン化加速クラスターにより、この開口部から第１の真
空領域部へ進入することはできず、イオン化部でのグロ
ー放電によるクラスターの崩壊がなく、また電極の劣化
も生じない。
て、あたかもプラスチックフイルムを２軸延伸したと同
様な効果を発現し、結晶性の良い蒸着膜相当の薄膜が基
板表面に形成される。その際、第２の真空領域部に導入
された反応ガスは、第１の真空領域部から運動エネルギ
ーを与えられて隔壁の開口部から吹き上げられてくるイ
オン化加速クラスターにより、この開口部から第１の真
空領域部へ進入することはできず、イオン化部でのグロ
ー放電によるクラスターの崩壊がなく、また電極の劣化
も生じない。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の反応性イオンクラスタービー
ム蒸着法及びその装置の一例を図について更に詳細に説
明する。図１に概略的に示される本発明に係る一例の反
応性イオンクラスタービーム蒸着装置１は、真空領域を
隔壁２で仕切ってそれより下方の第１の真空領域部３と
上方の第２の真空領域部４との２室構造とされている。
第１の真空領域部３には蒸発物質を加熱して蒸発気化す
る密封加熱ルツボ５が配置されている。
ム蒸着法及びその装置の一例を図について更に詳細に説
明する。図１に概略的に示される本発明に係る一例の反
応性イオンクラスタービーム蒸着装置１は、真空領域を
隔壁２で仕切ってそれより下方の第１の真空領域部３と
上方の第２の真空領域部４との２室構造とされている。
第１の真空領域部３には蒸発物質を加熱して蒸発気化す
る密封加熱ルツボ５が配置されている。
【００１９】密封加熱ルツボ５は、蒸着材料供給部５ａ
と蒸発部５ｂとの２セクションで構成され、材質はタン
タル、タングステン或はグラファイト等を使用した抵抗
加熱とする。蒸発材料供給部５ａは、更に加熱源として
電子銃を併用し、蒸発材料の蒸発供給量を制御する。蒸
発部５ｂは一列に複数の噴射ノズル６を備え、これらの
噴射ノズル６の上部には電子シャワー装置７、更にその
上部に加速電極部８がそれぞれ設置されている。
と蒸発部５ｂとの２セクションで構成され、材質はタン
タル、タングステン或はグラファイト等を使用した抵抗
加熱とする。蒸発材料供給部５ａは、更に加熱源として
電子銃を併用し、蒸発材料の蒸発供給量を制御する。蒸
発部５ｂは一列に複数の噴射ノズル６を備え、これらの
噴射ノズル６の上部には電子シャワー装置７、更にその
上部に加速電極部８がそれぞれ設置されている。
【００２０】また、隔壁２にはクラスター通過用の開口
部９が形成されている。隔壁２の上部における第２の真
空領域部４には基板となる樹脂フイルムの走行装置１０
が設置され、この樹脂フイルム走行装置１０は２つのロ
ール１１、１２を含み、その一方のロール１１は基板で
ある樹脂フイルム１３が卷かれた供給ロールであり、ま
た他方のロール１２は供給ロール１１から繰り出された
樹脂フイルム１３を巻取る巻取りロールである。
部９が形成されている。隔壁２の上部における第２の真
空領域部４には基板となる樹脂フイルムの走行装置１０
が設置され、この樹脂フイルム走行装置１０は２つのロ
ール１１、１２を含み、その一方のロール１１は基板で
ある樹脂フイルム１３が卷かれた供給ロールであり、ま
た他方のロール１２は供給ロール１１から繰り出された
樹脂フイルム１３を巻取る巻取りロールである。
【００２１】隔壁２に形成された開口部９の上部には、
樹脂フイルム１３を開口部９上方の蒸着部に位置させる
ための位置決めロール１４が設置され、供給ロール１１
から繰り出された樹脂フイルム１３はこの位置決めロー
ル１４を介して巻取りロール１２へ巻き付けられて行
く。第２の真空領域部４には反応ガス導入管１５が引き
込まれており、この導入管１５の出口部は隔壁２の開口
部９と蒸着部である位置決めロール１４との間に位置し
ている。
樹脂フイルム１３を開口部９上方の蒸着部に位置させる
ための位置決めロール１４が設置され、供給ロール１１
から繰り出された樹脂フイルム１３はこの位置決めロー
ル１４を介して巻取りロール１２へ巻き付けられて行
く。第２の真空領域部４には反応ガス導入管１５が引き
込まれており、この導入管１５の出口部は隔壁２の開口
部９と蒸着部である位置決めロール１４との間に位置し
ている。
【００２２】第１の真空領域部３は約×１０ー4〜１０ー5
Ｔｏｒｒの真空度（Ｐ）にされ、また第２の真空領域部
４は反応ガスの導入により約×１０ー3〜１０ー4Ｔｏｒｒ
の真空度にされている。このように第１の真空領域部３
と第２の真空領域部４との真空度は第２の真空領域部４
の方が低く即ち第２の真空領域部４の方が高圧に設定さ
れている。これは、反応ガスを第２の真空領域部４に導
入して、この真空領域部４内の短い距離の間で蒸着物質
と反応ガスとの完全な反応を起こすようにするため、こ
の真空領域部内のガス濃度を高めるためである。
Ｔｏｒｒの真空度（Ｐ）にされ、また第２の真空領域部
４は反応ガスの導入により約×１０ー3〜１０ー4Ｔｏｒｒ
の真空度にされている。このように第１の真空領域部３
と第２の真空領域部４との真空度は第２の真空領域部４
の方が低く即ち第２の真空領域部４の方が高圧に設定さ
れている。これは、反応ガスを第２の真空領域部４に導
入して、この真空領域部４内の短い距離の間で蒸着物質
と反応ガスとの完全な反応を起こすようにするため、こ
の真空領域部内のガス濃度を高めるためである。
【００２３】このように構成された反応性イオンクラス
タービーム蒸着装置１によると、蒸着物質が密封加熱ル
ツボ５内でその蒸気圧Ｐ0が１〜１０Ｔｏｒｒになるよ
うに加熱される。この時、密封加熱ルツボ内の蒸気圧と
その外側における第１の真空領域部３の圧力との関係
は、Ｐ0／Ｐ＞約１０4〜１０5を満足するように選択す
る必要がある。
タービーム蒸着装置１によると、蒸着物質が密封加熱ル
ツボ５内でその蒸気圧Ｐ0が１〜１０Ｔｏｒｒになるよ
うに加熱される。この時、密封加熱ルツボ内の蒸気圧と
その外側における第１の真空領域部３の圧力との関係
は、Ｐ0／Ｐ＞約１０4〜１０5を満足するように選択す
る必要がある。
【００２４】そして、蒸着物質の蒸気は密封加熱ルツボ
５の各噴射ノズル６より真空度が×１０ー4〜１０ー5Ｔｏ
ｒｒの第１の真空領域部３へ噴射される。噴射ノズル６
から噴射された蒸気は断熱膨張により原子クラスターを
形成し、電子シャワー装置７によりイオン化された後加
速電極部８で加速され、ここでイオン化クラスタービー
ム１６とされる。
５の各噴射ノズル６より真空度が×１０ー4〜１０ー5Ｔｏ
ｒｒの第１の真空領域部３へ噴射される。噴射ノズル６
から噴射された蒸気は断熱膨張により原子クラスターを
形成し、電子シャワー装置７によりイオン化された後加
速電極部８で加速され、ここでイオン化クラスタービー
ム１６とされる。
【００２５】イオン化クラスタービーム１６は隔壁２の
開口部９を通過して第２の真空領域部４へ進入し、ここ
で反応ガスと反応して位置決めロール１４を介して開口
部９の上部を通過する樹脂フイルム１３の表面に衝突を
する。この衝突によりイオン化クラスターは各原子がバ
ラケて、あたかもプラスチックフイルムを２軸延伸した
と同様な効果が現出し、その微細構造を格段に向上させ
ることができる。
開口部９を通過して第２の真空領域部４へ進入し、ここ
で反応ガスと反応して位置決めロール１４を介して開口
部９の上部を通過する樹脂フイルム１３の表面に衝突を
する。この衝突によりイオン化クラスターは各原子がバ
ラケて、あたかもプラスチックフイルムを２軸延伸した
と同様な効果が現出し、その微細構造を格段に向上させ
ることができる。
【００２６】ところで、このような構成の反応性イオン
クラスタービーム蒸着装置１に関して、真空領域を隔壁
２でいくら仕切ったとしてもビーム通過路として開口部
９が隔壁２に形成されているため、反応ガスが容易に、
より真空度の高い第１の真空領域部３へ流入し、両真空
領域部３、４における夫々の真空度の維持ができないの
ではないかという疑問を生ずると思われる。しかし、こ
の点に関しては、隔壁２の開口部９におけるクラスター
ビーム１６の圧力が第１の真空領域部４へ流入しようと
する反応ガス圧以上あれば問題はない。
クラスタービーム蒸着装置１に関して、真空領域を隔壁
２でいくら仕切ったとしてもビーム通過路として開口部
９が隔壁２に形成されているため、反応ガスが容易に、
より真空度の高い第１の真空領域部３へ流入し、両真空
領域部３、４における夫々の真空度の維持ができないの
ではないかという疑問を生ずると思われる。しかし、こ
の点に関しては、隔壁２の開口部９におけるクラスター
ビーム１６の圧力が第１の真空領域部４へ流入しようと
する反応ガス圧以上あれば問題はない。
【００２７】この点について更に詳細に説明すると、隔
壁２の開口部９におけるクラスタービーム１６の有する
単位面積当りの圧力は、噴射直後のビーム総エネルギー
と開口部９のビーム総エネルギーとがほぼ等しいと判断
できることから開口部９でのビーム拡散面積と噴射ノズ
ル面積との比に反比例することになる。
壁２の開口部９におけるクラスタービーム１６の有する
単位面積当りの圧力は、噴射直後のビーム総エネルギー
と開口部９のビーム総エネルギーとがほぼ等しいと判断
できることから開口部９でのビーム拡散面積と噴射ノズ
ル面積との比に反比例することになる。
【００２８】今、密封加熱ルツボ５における各噴射ノズ
ル６の直径を２ｍｍとし、蒸着物質蒸気圧を１〜１０Ｔ
ｏｒｒ、噴射角度を±１０度とした時、噴射ノズルから
２０ｃｍ離れた部分のビーム拡散面積は、噴射ノズル面
積の約１０００倍であり、噴射方向への単位面積当りの
圧力を×１０ー3台に維持することは十分に可能である。
しかも、イオン化加速電圧により与えられた運動エネル
ギーがプラスされるのであるから、まったく問題はな
い。。
ル６の直径を２ｍｍとし、蒸着物質蒸気圧を１〜１０Ｔ
ｏｒｒ、噴射角度を±１０度とした時、噴射ノズルから
２０ｃｍ離れた部分のビーム拡散面積は、噴射ノズル面
積の約１０００倍であり、噴射方向への単位面積当りの
圧力を×１０ー3台に維持することは十分に可能である。
しかも、イオン化加速電圧により与えられた運動エネル
ギーがプラスされるのであるから、まったく問題はな
い。。
【００２９】このことから明らかなように、反応ガスが
第２の真空領域部４から開口部９を介して第１の真空領
域部３へ流入することはなく、従って、密封加熱ルツボ
５の劣化や加速電極部８の劣化等の発生もない。但し、
このように噴射ノズル６から開口部９までの距離が大き
くなると、急激にビーム１５の噴射圧力が低下し、反応
ガスの第１の真空領域部３への進入防止効果が低下する
ので、隔壁２の設置位置には十分な注意が必要である。
第２の真空領域部４から開口部９を介して第１の真空領
域部３へ流入することはなく、従って、密封加熱ルツボ
５の劣化や加速電極部８の劣化等の発生もない。但し、
このように噴射ノズル６から開口部９までの距離が大き
くなると、急激にビーム１５の噴射圧力が低下し、反応
ガスの第１の真空領域部３への進入防止効果が低下する
ので、隔壁２の設置位置には十分な注意が必要である。
【００３０】次に、本発明の反応性イオンクラスタービ
ーム蒸着法を実施例について説明する。 実施例 蒸着物質となる一酸化珪素（ＳｉＯ）を図１の装置に示
されるように第１の真空領域部３の最下部に配置された
タンタル性ヒータールツボ５に入れ、噴出部は、ＳｉＯ
の蒸気圧が１〜１０Ｔｏｒｒになるように温度を１６０
０〜１７００Ｋ（図２の温度と蒸気圧との関係図参照）
に維持し、密封加熱ルツボ５の蒸発材料供給部５ａより
電子ビーム加熱により噴出量に見合うＳｉＯ蒸気を連続
供給した。
ーム蒸着法を実施例について説明する。 実施例 蒸着物質となる一酸化珪素（ＳｉＯ）を図１の装置に示
されるように第１の真空領域部３の最下部に配置された
タンタル性ヒータールツボ５に入れ、噴出部は、ＳｉＯ
の蒸気圧が１〜１０Ｔｏｒｒになるように温度を１６０
０〜１７００Ｋ（図２の温度と蒸気圧との関係図参照）
に維持し、密封加熱ルツボ５の蒸発材料供給部５ａより
電子ビーム加熱により噴出量に見合うＳｉＯ蒸気を連続
供給した。
【００３１】密封加熱ルツボ５の蒸発部５ｂには穴径２
ｍｍの噴射ノズル６が３ｃｍ間隔で水平方向に７個形成
され、ＳｉＯ蒸気は、この各噴射ノズル６から真空度が
５×１０ー4〜１０ー5Ｔｏｒｒに維持された第１の真空領
域部３に噴射された。各噴射ノズル６より噴出したＳｉ
Ｏ蒸気を図１に示されるように噴出直後に電子シャワー
装置７（イオン化電圧０.５ＫＶ、イオン化電流２００
ｍＡ）によりイオン化し、ＳｉＯ蒸気濃度分布が水平方
向に均一化した時点で加速電圧５ＫＶで基板方向に加速
エネルギーを与え、噴射ノズル６の上部２０ｃｍに設置
した隔壁２の開口部９（１８ｃｍ×７ｃｍ）を通過さ
せ、第２の真空領域部４へ導入した。
ｍｍの噴射ノズル６が３ｃｍ間隔で水平方向に７個形成
され、ＳｉＯ蒸気は、この各噴射ノズル６から真空度が
５×１０ー4〜１０ー5Ｔｏｒｒに維持された第１の真空領
域部３に噴射された。各噴射ノズル６より噴出したＳｉ
Ｏ蒸気を図１に示されるように噴出直後に電子シャワー
装置７（イオン化電圧０.５ＫＶ、イオン化電流２００
ｍＡ）によりイオン化し、ＳｉＯ蒸気濃度分布が水平方
向に均一化した時点で加速電圧５ＫＶで基板方向に加速
エネルギーを与え、噴射ノズル６の上部２０ｃｍに設置
した隔壁２の開口部９（１８ｃｍ×７ｃｍ）を通過さ
せ、第２の真空領域部４へ導入した。
【００３２】隔壁２上部の第２の真空領域部４では反応
ガスとして酸素（Ｏ2）ガスを供給し、真空度を５×１
０ー3〜５×１０ー4Ｔｏｒｒの範囲になるように排気量を
コントロールし、ＳｉＯ蒸気と反応ガスとの反応が十分
進行するに必要な衝突距離１０ｃｍ以下が期待されるガ
ス濃度にする。蒸着基板としては図１に示されるような
樹脂フイルム走行装置１０によって、厚さ２０μ、幅２
０ｃｍ、スピード３０ｍ／ｍｉｎで走行中の２軸延伸ポ
リエステルフイルムを使用した。
ガスとして酸素（Ｏ2）ガスを供給し、真空度を５×１
０ー3〜５×１０ー4Ｔｏｒｒの範囲になるように排気量を
コントロールし、ＳｉＯ蒸気と反応ガスとの反応が十分
進行するに必要な衝突距離１０ｃｍ以下が期待されるガ
ス濃度にする。蒸着基板としては図１に示されるような
樹脂フイルム走行装置１０によって、厚さ２０μ、幅２
０ｃｍ、スピード３０ｍ／ｍｉｎで走行中の２軸延伸ポ
リエステルフイルムを使用した。
【００３３】以上の条件下で連続蒸着をルツボ内のＳｉ
Ｏが全量消費されるまで継続したが、隔壁で仕切られた
第１の真空領域部３及び第２の真空領域部４の真空度は
前述した設定範囲を容易に継続維持でき、またグロー放
電の発生もなく安定した蒸着ができた。
Ｏが全量消費されるまで継続したが、隔壁で仕切られた
第１の真空領域部３及び第２の真空領域部４の真空度は
前述した設定範囲を容易に継続維持でき、またグロー放
電の発生もなく安定した蒸着ができた。
【００３４】このようにして蒸着基板ポリエステル２軸
延伸フイルム上に蒸着された蒸着膜の特性は、外観は無
色透明、厚さは数点の測定平均値約４００オングストロ
ーム、ＩＲ吸収ピーク（図３参照）は約１０６５ｃｍー1
にあり、ほぼ完全なＳｉＯ2膜が蒸着されていると判断
された。なお、参考までに図３に酸素ガス濃度１×１０
ー4及び２×１０ー4Ｔｏｒｒの時の蒸着速度と酸化特性の
実験測定例を示す。
延伸フイルム上に蒸着された蒸着膜の特性は、外観は無
色透明、厚さは数点の測定平均値約４００オングストロ
ーム、ＩＲ吸収ピーク（図３参照）は約１０６５ｃｍー1
にあり、ほぼ完全なＳｉＯ2膜が蒸着されていると判断
された。なお、参考までに図３に酸素ガス濃度１×１０
ー4及び２×１０ー4Ｔｏｒｒの時の蒸着速度と酸化特性の
実験測定例を示す。
【００３５】この実施例は、あくまで工業生産を目的と
し、その蒸着速度は図３に示す実験条件の数百倍で行っ
ている。しかし、それにもかかわらずほぼ完全に且つ安
定した酸化反応が行われたと判断され、２室分離による
反応ガス濃度アップ効果の有効性が証明された結果とな
っている。
し、その蒸着速度は図３に示す実験条件の数百倍で行っ
ている。しかし、それにもかかわらずほぼ完全に且つ安
定した酸化反応が行われたと判断され、２室分離による
反応ガス濃度アップ効果の有効性が証明された結果とな
っている。
【００３６】この反応性イオンクラスタービーム蒸着法
によって表面に蒸着膜を形成した樹脂フイルムの用途と
しては、食品の包装用フイルムが挙げられる。すなわ
ち、本発明の蒸着法により形成された蒸着膜形成樹脂フ
イルムは、その蒸着膜が前述したようにプラスチクフイ
ルムを２軸延伸したと同様な効果を発現することから微
細構造が極めて良く、従って防湿性能並びに酸素バリヤ
性能に優れているからである。
によって表面に蒸着膜を形成した樹脂フイルムの用途と
しては、食品の包装用フイルムが挙げられる。すなわ
ち、本発明の蒸着法により形成された蒸着膜形成樹脂フ
イルムは、その蒸着膜が前述したようにプラスチクフイ
ルムを２軸延伸したと同様な効果を発現することから微
細構造が極めて良く、従って防湿性能並びに酸素バリヤ
性能に優れているからである。
【００３７】なお、樹脂フイルムに本発明の方法によっ
て酸化インジュウム蒸着膜を形成すれば、導電性に優れ
た透明導電性フイルムを提供でき、且つコストの安いも
のを提供することができる。
て酸化インジュウム蒸着膜を形成すれば、導電性に優れ
た透明導電性フイルムを提供でき、且つコストの安いも
のを提供することができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反応性イ
オンクラスタービーム蒸着法及びその装置によれば、基
板上面に蒸着された蒸着膜の性質が実に優れたものとな
り、その結果防湿性能及び酸素バリヤ性能に優れた蒸着
膜形成フイルムを提供することができ、このフイルムを
食品包装用として使用すれば、食品の保存に画期的な効
果を発揮する。
オンクラスタービーム蒸着法及びその装置によれば、基
板上面に蒸着された蒸着膜の性質が実に優れたものとな
り、その結果防湿性能及び酸素バリヤ性能に優れた蒸着
膜形成フイルムを提供することができ、このフイルムを
食品包装用として使用すれば、食品の保存に画期的な効
果を発揮する。
【００３９】更に、本発明の蒸着法により樹脂フイルム
に酸化インジュウム蒸着膜を形成すれば、導電性に優れ
た透明導電性フイルムを提供できるなど、本発明の利用
分野は極めて広いものである。
に酸化インジュウム蒸着膜を形成すれば、導電性に優れ
た透明導電性フイルムを提供できるなど、本発明の利用
分野は極めて広いものである。
【図１】本発明の反応性イオンクラスタービーム蒸着装
置の一例を概略的に示す構成説明図である。
置の一例を概略的に示す構成説明図である。
【図２】ルツボで蒸着物質を加熱して蒸発気化させる
時、噴出部での温度と蒸気圧との関係を複数の蒸着物質
について示す特性図である。
時、噴出部での温度と蒸気圧との関係を複数の蒸着物質
について示す特性図である。
【図３】酸素ガス濃度１×１０ー4及び２×１０ー4Ｔｏｒ
ｒの時の蒸着速度と酸化特性の実験測定例を示す特性図
である。
ｒの時の蒸着速度と酸化特性の実験測定例を示す特性図
である。
１ 反応性イオンクラスタービーム蒸着装置 ２ 隔壁 ３ 第１の真空領域部 ４ 第２の真空領域部 ５ 密封加熱ルツボ ５ａ 蒸着材料供給部 ５ｂ 蒸発部 ６ 噴射ノズル ７ 電子シャワー装置 ８ 加速電極部 ９ 開口部 １０ 基板樹脂フイルム走行装置 １２ 樹脂フイルム １５ 反応ガス導入管 １６ イオン化クラスタービム
Claims (3)
- 【請求項１】 基板に蒸着膜を形成する方法であり、 （ａ）噴射ノズルを備える密封加熱ルツボで蒸着物質を
加熱蒸気化し、 （ｂ）この蒸気圧をＰ0とすると、Ｐ0／Ｐ＞約１０4〜
１０5（Ｐは前記密封加熱ルツボの外の圧力）の条件を
満足する真空領域中に噴射させ、 （ｃ）噴射直後電子シャワーによりイオン化し且つ加速
電圧により加速エネルギーを与えてイオン化クラスター
ビームとし、 （ｄ）前記真空領域を隔壁で前記密封加熱ルツボ及びイ
オン化加速部が位置する第１の真空領域部と蒸着膜形成
部が位置する第２の真空領域部とに分離して、前記第２
の真空領域の真空度を前記第１の真空領域の真空度と同
じか又は低くし、 （ｅ）前記隔壁に形成された開口部を介して前記第２の
真空領域部に前記イオン化クラスタービームを導入し、 （ｆ）前記第２の真空領域に導入した反応ガスと反応さ
せて前記第２の真空領域部における前記蒸着膜形成部の
基板にイオン化クラスタービームを衝突させることから
なる反応性イオンクラスタービーム蒸着法。 - 【請求項２】 真空領域内に配置され、蒸着物質を密封
加熱ルツボで加熱蒸気化し、加熱蒸気をこのルツボの噴
射ノズルから噴出させ、噴出した加熱蒸気を電子シャワ
ーでイオン化し、更に加速電圧により加速エネルギーを
与えると共に酸素、窒素等のガスと反応させ、基板表面
に薄膜を蒸着形成させる反応性イオンクラスタービーム
蒸着装置において、 前記密封加熱ルツボ及びイオン化加速部が位置する第１
の真空領域部と反応ガスが導入され且つ蒸着膜形成部が
位置する第２の真空領域部とに前記真空領域内を分離す
る隔壁を設置し、 加速電圧により加速された蒸着物質を前記第１の真空領
域部から前記第２の真空領域部へ通過させる開口部を前
記隔壁に形成したことを特徴とする反応性イオンクラス
タービーム蒸着装置。 - 【請求項３】 前記第１の真空領域部の真空度を前記第
２の真空領域部の真空度と同じか又は高くしたことを特
徴とする請求項２に記載の反応性イオンクラスタービー
ム蒸着装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5038906A JP2766153B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 反応性イオンクラスタービーム蒸着法及びその装置 |
| US08/098,512 US5413820A (en) | 1993-02-26 | 1993-07-28 | Reactive ionized cluster beam deposition method |
| DE69314770T DE69314770T2 (de) | 1993-02-26 | 1993-08-03 | Reaktives Abscheidungsverfahren mittels ionisiertem Cluster-Strahl |
| EP93306142A EP0612860B1 (en) | 1993-02-26 | 1993-08-03 | Reactive ionized cluster beam deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5038906A JP2766153B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 反応性イオンクラスタービーム蒸着法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07150341A true JPH07150341A (ja) | 1995-06-13 |
| JP2766153B2 JP2766153B2 (ja) | 1998-06-18 |
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ID=12538244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5038906A Expired - Fee Related JP2766153B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 反応性イオンクラスタービーム蒸着法及びその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5413820A (ja) |
| EP (1) | EP0612860B1 (ja) |
| JP (1) | JP2766153B2 (ja) |
| DE (1) | DE69314770T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014559A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール用保護フィルム及び該保護フィルムを使用した太陽電池モジュール |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855950A (en) * | 1996-12-30 | 1999-01-05 | Implant Sciences Corporation | Method for growing an alumina surface on orthopaedic implant components |
| US6022598A (en) * | 1998-04-16 | 2000-02-08 | United Technologies Corporation | ICB method of forming high refractive index films |
| US7179508B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-02-20 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Conducting polymer films and method of manufacturing the same by surface polymerization using ion-assisted deposition |
| US8835880B2 (en) * | 2006-10-31 | 2014-09-16 | Fei Company | Charged particle-beam processing using a cluster source |
| JP4601076B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2010-12-22 | 株式会社マイクロマテリアルズジャパン | イオンクラスタービーム蒸着装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03153865A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物薄膜形成装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51101735A (ja) * | 1975-03-06 | 1976-09-08 | Sumitomo Bakelite Co | Kinzokuhakumakuhifukunetsukasoseijushifuirumunoseizohoho |
| KR890002747B1 (ko) * | 1983-11-07 | 1989-07-26 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 이온 빔에 의한 성막방법 및 그 장치 |
| WO1987005637A1 (en) * | 1986-03-12 | 1987-09-24 | Tobi Co., Ltd. | Continuous ion plating device for rapidly moving film |
| DE3634598C2 (de) * | 1986-10-10 | 1994-06-16 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum reaktiven Aufdampfen von Metallverbindungen |
| JP2915170B2 (ja) * | 1991-06-05 | 1999-07-05 | 三菱電機株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP5038906A patent/JP2766153B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-28 US US08/098,512 patent/US5413820A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-03 EP EP93306142A patent/EP0612860B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-03 DE DE69314770T patent/DE69314770T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03153865A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物薄膜形成装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014559A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール用保護フィルム及び該保護フィルムを使用した太陽電池モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0612860A1 (en) | 1994-08-31 |
| DE69314770D1 (de) | 1997-11-27 |
| EP0612860B1 (en) | 1997-10-22 |
| US5413820A (en) | 1995-05-09 |
| JP2766153B2 (ja) | 1998-06-18 |
| DE69314770T2 (de) | 1998-06-10 |
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