JPH0714744B2 - 集積回路用トレー - Google Patents
集積回路用トレーInfo
- Publication number
- JPH0714744B2 JPH0714744B2 JP31507188A JP31507188A JPH0714744B2 JP H0714744 B2 JPH0714744 B2 JP H0714744B2 JP 31507188 A JP31507188 A JP 31507188A JP 31507188 A JP31507188 A JP 31507188A JP H0714744 B2 JPH0714744 B2 JP H0714744B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- tray
- water absorption
- weight
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
- B65D85/00—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials
- B65D85/30—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure
- B65D85/38—Containers, packaging elements or packages, specially adapted for particular articles or materials for articles particularly sensitive to damage by shock or pressure for delicate optical, measuring, calculating or control apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67333—Trays for chips
- H01L21/67336—Trays for chips characterized by a material, a roughness, a coating or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/04—Carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/24—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路もしくは大規模集積回路（以下、まと
めてICと略記する）用トレーに係り、さらに詳しくは吸
水率、表面抵抗および比重が小さく、しかも長期保存後
の経時変化の少ない耐熱性に優れたIC用トレーに関す
る。
めてICと略記する）用トレーに係り、さらに詳しくは吸
水率、表面抵抗および比重が小さく、しかも長期保存後
の経時変化の少ない耐熱性に優れたIC用トレーに関す
る。
従来、IC製造の最終工程で行なわれるエポキシ樹脂成形
材料等の封止材の焼成（加熱硬化）工程、及び該工程に
続く梱包工程において、ICを保持および搬送するため
に、例えば凹溝部からなる製造収容部を多数形成した板
状のトレーが使用されている。
材料等の封止材の焼成（加熱硬化）工程、及び該工程に
続く梱包工程において、ICを保持および搬送するため
に、例えば凹溝部からなる製造収容部を多数形成した板
状のトレーが使用されている。
このようなトレーにはステンレスやアルミニウム等の金
属製のものと導電性を付与したポリスチレンやポリプロ
ピレン等のプラスチック製のものとの二種類があり、前
者は前記封止材の加熱硬化工程において、また後者は製
品梱包工程で使用されている。
属製のものと導電性を付与したポリスチレンやポリプロ
ピレン等のプラスチック製のものとの二種類があり、前
者は前記封止材の加熱硬化工程において、また後者は製
品梱包工程で使用されている。
しかしながら、これらの従来技術においては、耐熱性や
工程上における作業能率の低下等の問題があった。これ
らの問題点を解決するために、フェノール樹脂を基本に
したIC用トレーの開発が進められるようになり、これら
の一部が特開昭61-285241号や特開昭61-287951号公報等
に開示されている。該公報に開示されているものは、耐
熱性については優れているものの、耐衝撃性や比重の点
での問題のあることがわかった。本出願人等は該問題点
に鑑み種々検討を行ない、該問題点を解決したIC用トレ
ーを開発し、先に特許出願を行った。（特願昭63-36511
号） 〔発明が解決しようとする課題〕 前記特許出願のIC用トレーは、レゾール型フェノール樹
脂およびアクリロニトリルブタジエン系ゴムとからなる
マトリックスに天然または再生繊維質充填材および導電
性カーボンブラックを添加してなるフェノール樹脂成形
材料で成形された、表面抵抗が小さく、また特に比重が
1.45以下と小さく、かつ加熱後の変形の少ない耐熱性に
優れたことを特徴としたものであった。
工程上における作業能率の低下等の問題があった。これ
らの問題点を解決するために、フェノール樹脂を基本に
したIC用トレーの開発が進められるようになり、これら
の一部が特開昭61-285241号や特開昭61-287951号公報等
に開示されている。該公報に開示されているものは、耐
熱性については優れているものの、耐衝撃性や比重の点
での問題のあることがわかった。本出願人等は該問題点
に鑑み種々検討を行ない、該問題点を解決したIC用トレ
ーを開発し、先に特許出願を行った。（特願昭63-36511
号） 〔発明が解決しようとする課題〕 前記特許出願のIC用トレーは、レゾール型フェノール樹
脂およびアクリロニトリルブタジエン系ゴムとからなる
マトリックスに天然または再生繊維質充填材および導電
性カーボンブラックを添加してなるフェノール樹脂成形
材料で成形された、表面抵抗が小さく、また特に比重が
1.45以下と小さく、かつ加熱後の変形の少ない耐熱性に
優れたことを特徴としたものであった。
しかしながら、この材料からなるIC用トレーは初期特性
に優れているものの、室温雰囲気下での長期保存後（例
えば、室温雰囲気下３ヶ月後）において反りの発生、膨
張による寸法の変化、すなわち経時変化が大きいという
新たな問題点のあることがわかった。IC用トレーにおい
て、該経時変化が大きいとロボット等によるICのトレー
へのセット等が困難となりIC用トレーが使用できなくな
ったり、又、ICをセットしたトレーを積重ねて保管して
いる場合に、トレーの経時変化が大きいと、トレー間に
間隙が生じ、ICの固定が不完全となり支障をきたす等の
問題が生じる。
に優れているものの、室温雰囲気下での長期保存後（例
えば、室温雰囲気下３ヶ月後）において反りの発生、膨
張による寸法の変化、すなわち経時変化が大きいという
新たな問題点のあることがわかった。IC用トレーにおい
て、該経時変化が大きいとロボット等によるICのトレー
へのセット等が困難となりIC用トレーが使用できなくな
ったり、又、ICをセットしたトレーを積重ねて保管して
いる場合に、トレーの経時変化が大きいと、トレー間に
間隙が生じ、ICの固定が不完全となり支障をきたす等の
問題が生じる。
本発明は、以上のような問題点に鑑みなされたもので、
その目的は吸水率、表面抵抗および比重が小さく、かつ
室温雰囲気下に長期保存しても反り、寸法等において経
時変化の少ないIC用トレーを提供することにある。
その目的は吸水率、表面抵抗および比重が小さく、かつ
室温雰囲気下に長期保存しても反り、寸法等において経
時変化の少ないIC用トレーを提供することにある。
本発明者等は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ね
た結果、IC用トレーの経時変化がIC用トレー自体の吸水
率に原因のあることをつきとめ、吸水率の小さい熱硬化
性樹脂および充填材をしようすることで目的とするIC用
トレーが得られることを見い出し、本発明をなすに至っ
た。
た結果、IC用トレーの経時変化がIC用トレー自体の吸水
率に原因のあることをつきとめ、吸水率の小さい熱硬化
性樹脂および充填材をしようすることで目的とするIC用
トレーが得られることを見い出し、本発明をなすに至っ
た。
すなわち、本発明は、吸水率0.45％以下の熱硬化性樹脂
100重量部に、吸水率0.45％以下の充填材20〜180重量部
および導電性カーボンブラック15〜45重量部を添加して
なる熱硬化性樹脂成形材料よりなり、かつ表面抵抗が10
2〜106Ω、吸水率が0.45％以下、ガラス転移温度が150
℃以上であるIC用トレーに関するものである。
100重量部に、吸水率0.45％以下の充填材20〜180重量部
および導電性カーボンブラック15〜45重量部を添加して
なる熱硬化性樹脂成形材料よりなり、かつ表面抵抗が10
2〜106Ω、吸水率が0.45％以下、ガラス転移温度が150
℃以上であるIC用トレーに関するものである。
さらには、比重1.45以下の充填材を使用して得られる比
重1.45以下のIC用トレー及びアクリロニトリルブタジエ
ン系ゴムを追加して得られる比重1.45以下のIC用トレー
で、かつ、表面抵抗が102〜106Ω、吸水率が0.45％以
下、ガラス転移温度が150℃以上の特性を有するIC用ト
レーに関するものである。
重1.45以下のIC用トレー及びアクリロニトリルブタジエ
ン系ゴムを追加して得られる比重1.45以下のIC用トレー
で、かつ、表面抵抗が102〜106Ω、吸水率が0.45％以
下、ガラス転移温度が150℃以上の特性を有するIC用ト
レーに関するものである。
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に使用される熱硬化性樹脂は吸水率0.45％以下の
ものが使用され、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラ
ミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂又は不飽和ポリエス
テル樹脂等が好適なものとして挙げられ、単独又は混合
して使用することができる。該熱硬化性樹脂の中でも、
ジアリルフタレート樹脂および不飽和ポリエステル樹
脂、特に水添ビスフェノール系不飽和ポリエステル樹脂
が好ましいものとして挙げられる。その理由は、加熱硬
化時にICに使用されている金属を腐食するハロゲンイオ
ン、アミン系ガス等の発生がなく、かつ硬化がラジカル
反応で進むためフェノール樹脂のような水等の揮発性成
分の発生を伴わないからである。該熱硬化性樹脂の吸水
率が0.45％より高いと得られるIC用トレーの吸水率が高
くなり、反り、寸法等の経時変化が大きくなるため好ま
しくない。
ものが使用され、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラ
ミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂又は不飽和ポリエス
テル樹脂等が好適なものとして挙げられ、単独又は混合
して使用することができる。該熱硬化性樹脂の中でも、
ジアリルフタレート樹脂および不飽和ポリエステル樹
脂、特に水添ビスフェノール系不飽和ポリエステル樹脂
が好ましいものとして挙げられる。その理由は、加熱硬
化時にICに使用されている金属を腐食するハロゲンイオ
ン、アミン系ガス等の発生がなく、かつ硬化がラジカル
反応で進むためフェノール樹脂のような水等の揮発性成
分の発生を伴わないからである。該熱硬化性樹脂の吸水
率が0.45％より高いと得られるIC用トレーの吸水率が高
くなり、反り、寸法等の経時変化が大きくなるため好ま
しくない。
なお、本発明における吸水率とは熱硬化性樹脂およびIC
用トレーに関しては、JIS K 6911に基づき、また充填材
に関してはJIS A 1109に基づいて測定された数値であ
り、上記各原料およびIC用トレーにおける吸水性の目安
を示すものである。
用トレーに関しては、JIS K 6911に基づき、また充填材
に関してはJIS A 1109に基づいて測定された数値であ
り、上記各原料およびIC用トレーにおける吸水性の目安
を示すものである。
本発明に使用される充填材は吸水率0.45％以下のものが
使用され、ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維等
の繊維質やマイカ粉末、炭酸カルシウム粉末、アルミナ
粉末、シリカ粉末、セラミックバルーン等の無機質およ
びフェノール樹脂硬化物、メラミン樹脂硬化物等の有機
質等が挙げられる。該充填材の吸水率が0.45％より高く
なると、得られるIC用トレーの吸水率が高くなり、反
り、寸法等の経時変化が大きくなるため好ましくない。
また比重1.45以下のIC用トレーを得る場合には、比重1.
45以下の充填材を使用するのが良く、セラミックバルー
ンやフェノール樹脂硬化物、メラミン樹脂硬化物等が好
適なものとして使用できる。比重1.45以下の充填材の中
では、フェノール樹脂硬化物が特に好ましく使用され、
その理由は熱硬化性樹脂とのぬれ性が良く、IC用トレー
の表面に析出しないため外観的にもすぐれているからで
ある。該各充填材は単独又は混合にて使用することがで
きる。
使用され、ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維等
の繊維質やマイカ粉末、炭酸カルシウム粉末、アルミナ
粉末、シリカ粉末、セラミックバルーン等の無機質およ
びフェノール樹脂硬化物、メラミン樹脂硬化物等の有機
質等が挙げられる。該充填材の吸水率が0.45％より高く
なると、得られるIC用トレーの吸水率が高くなり、反
り、寸法等の経時変化が大きくなるため好ましくない。
また比重1.45以下のIC用トレーを得る場合には、比重1.
45以下の充填材を使用するのが良く、セラミックバルー
ンやフェノール樹脂硬化物、メラミン樹脂硬化物等が好
適なものとして使用できる。比重1.45以下の充填材の中
では、フェノール樹脂硬化物が特に好ましく使用され、
その理由は熱硬化性樹脂とのぬれ性が良く、IC用トレー
の表面に析出しないため外観的にもすぐれているからで
ある。該各充填材は単独又は混合にて使用することがで
きる。
該充填材は、熱硬化性樹脂100重量部に対して、20〜180
重量部、また、比重1.45以下のIC用トレーを得る場合は
20〜120重量部の範囲で使用される。これらの範囲の下
限より少ないとIC用トレー成形時に気泡が発生しやす
く、一方、上限よりも多くなると成形加工性に劣るため
IC用トレーの強度が極端に低下する。
重量部、また、比重1.45以下のIC用トレーを得る場合は
20〜120重量部の範囲で使用される。これらの範囲の下
限より少ないとIC用トレー成形時に気泡が発生しやす
く、一方、上限よりも多くなると成形加工性に劣るため
IC用トレーの強度が極端に低下する。
以上のような原材料を主原料として、比重1.45以下のIC
用トレーを成形しても、該トレーの形状（例えばリブが
多い複雑なもの、あるいは寸法の大きい大型のもの等）
によっては、応力の分散が不均一になって、まだ反りの
発生するものがある。こういう場合には、該応力を緩和
して分散を均一にする目的でアクリロニトリルブタジエ
ン系ゴム（以下NBR系ゴムと略記する）を配合すると良
好な結果が得られる。該NBR系ゴムとしては一般的に公
知のものが使用できるが、特に部分架橋型NBR、カルボ
キシル化NBR等のベール状のもの、粉状のものあるいは
ラテックス状のものが好適なものとして挙げられ、単独
又は混合して使用することができる。これらのNBR系ゴ
ムが特に好ましいのは高温時において弾性率の保持率が
高いからである。
用トレーを成形しても、該トレーの形状（例えばリブが
多い複雑なもの、あるいは寸法の大きい大型のもの等）
によっては、応力の分散が不均一になって、まだ反りの
発生するものがある。こういう場合には、該応力を緩和
して分散を均一にする目的でアクリロニトリルブタジエ
ン系ゴム（以下NBR系ゴムと略記する）を配合すると良
好な結果が得られる。該NBR系ゴムとしては一般的に公
知のものが使用できるが、特に部分架橋型NBR、カルボ
キシル化NBR等のベール状のもの、粉状のものあるいは
ラテックス状のものが好適なものとして挙げられ、単独
又は混合して使用することができる。これらのNBR系ゴ
ムが特に好ましいのは高温時において弾性率の保持率が
高いからである。
NBR系ゴムは、前記熱硬化性樹脂100重量部に対して５〜
15重量部の範囲で使用される。５重量部より少ないとゴ
ム成分としての補強効果及び反り防止の効果が得られ
ず、15重量部を越えるとIC用トレーの曲げ及び引張強度
が低下し、またガラス転移温度が150℃以下となり、耐
熱性が低下するため好ましくない。
15重量部の範囲で使用される。５重量部より少ないとゴ
ム成分としての補強効果及び反り防止の効果が得られ
ず、15重量部を越えるとIC用トレーの曲げ及び引張強度
が低下し、またガラス転移温度が150℃以下となり、耐
熱性が低下するため好ましくない。
本発明に使用される導電性カーボンブラックは、一般的
に公知のものが使用されるが、特にアセチレングラッ
ク、ファーネスブラックECF等が好適なものとして挙げ
られ、単独又は混合して使用することができる。
に公知のものが使用されるが、特にアセチレングラッ
ク、ファーネスブラックECF等が好適なものとして挙げ
られ、単独又は混合して使用することができる。
該導電性カーボンブラックは、熱硬化性樹脂100重量部
に対して15〜45重量部使用される。15重量部より少ない
と表面抵抗が106Ωより大きくなり、帯電防止性能が劣
り、また45重量部を越えると表面抵抗は102Ω以下とな
り逆に低すぎて通電しやすくなる。また成形加工性に劣
り、IC用トレーの強度が低下するため好ましくない。
に対して15〜45重量部使用される。15重量部より少ない
と表面抵抗が106Ωより大きくなり、帯電防止性能が劣
り、また45重量部を越えると表面抵抗は102Ω以下とな
り逆に低すぎて通電しやすくなる。また成形加工性に劣
り、IC用トレーの強度が低下するため好ましくない。
本発明における熱硬化性樹脂成形材料は上記各原材料を
主要成分として構成されているが、該原材料以外に適
宜、硬化触媒、硬化促進剤、離型剤、流動性付与剤、難
燃剤あるいは染顔料等を添加して使用することができ
る。該熱硬化性樹脂成形材料は常法に従い、加熱混練
後、造粒あるは粉砕することにより得られる。
主要成分として構成されているが、該原材料以外に適
宜、硬化触媒、硬化促進剤、離型剤、流動性付与剤、難
燃剤あるいは染顔料等を添加して使用することができ
る。該熱硬化性樹脂成形材料は常法に従い、加熱混練
後、造粒あるは粉砕することにより得られる。
本発明のIC用トレーは、前記主要原料を配合して得られ
る熱硬化性樹脂成形材料を使用してコンプレッション成
形、トランスファー成形、又はインジエクション成形に
て得られるものであり、その表面抵抗が102〜106Ω、吸
水率が0.45％以下、かつ、ガラス転移温度が150℃以上
の特性を有するものである。さらには、原料の選択によ
り、該特性に加えて比重が1.45以下の特性を有するもの
である。
る熱硬化性樹脂成形材料を使用してコンプレッション成
形、トランスファー成形、又はインジエクション成形に
て得られるものであり、その表面抵抗が102〜106Ω、吸
水率が0.45％以下、かつ、ガラス転移温度が150℃以上
の特性を有するものである。さらには、原料の選択によ
り、該特性に加えて比重が1.45以下の特性を有するもの
である。
表面抵抗が106Ωより大きいとIC用トレーが静電気を帯
びることによりIC等に損傷を与え易くなり、一方、102
Ωより小さいと、IC用トレーが通電しやすくなり、IC等
に種々の悪影響を及ぼす。
びることによりIC等に損傷を与え易くなり、一方、102
Ωより小さいと、IC用トレーが通電しやすくなり、IC等
に種々の悪影響を及ぼす。
つぎに、吸水率が0.45％より高くなると、反り、寸法等
の経時変化が大きくなり、前記した問題発生の他の焼成
工程時、ICに損傷を与え易くなり、また、積み重ねて運
搬する際に支障を生ずるため好ましくない。
の経時変化が大きくなり、前記した問題発生の他の焼成
工程時、ICに損傷を与え易くなり、また、積み重ねて運
搬する際に支障を生ずるため好ましくない。
比重については特に限定されないが、比重が1.45より小
さくなるとIC用トレーの重量が減少し、特に運搬作業等
において作業者への負担が軽くなり、また、特に飛行機
輸送等において、製品輸送コストが安くなるという大き
な効果が得られる。
さくなるとIC用トレーの重量が減少し、特に運搬作業等
において作業者への負担が軽くなり、また、特に飛行機
輸送等において、製品輸送コストが安くなるという大き
な効果が得られる。
さらに、ガラス転移温度が150℃より低くなるとIC等の
封止材の加熱硬化工程において変形が生じやすく、IC用
トレーとしての用をなさなくなる。また、IC用トレーは
数回繰り返して該工程で使用されることもあるが、変形
が生じることにより繰り返し使用が不可能となる。
封止材の加熱硬化工程において変形が生じやすく、IC用
トレーとしての用をなさなくなる。また、IC用トレーは
数回繰り返して該工程で使用されることもあるが、変形
が生じることにより繰り返し使用が不可能となる。
また、本発明で得られたIC用トレーは、例えば160〜200
℃下２〜６時間のアフターキュア（後硬化）を行なうと
耐熱性を更に向上させることができる。
℃下２〜６時間のアフターキュア（後硬化）を行なうと
耐熱性を更に向上させることができる。
IC用トレーは、一般的には平板状の形状を有し、ICを固
定配置する凹溝や枠としてのリブ等が多数設けられてい
る。これらの形状を有するIC用トレーは当然吸湿性を有
しているため、大気中の水分を徐々に吸収することによ
り、寸法がわずかではあるが増加すると考えられる。従
って、IC用トレーの各部分に微妙な応力差が発生するこ
とにより、応力のバランスがくずれ、反りが発生するも
のと考えられる。
定配置する凹溝や枠としてのリブ等が多数設けられてい
る。これらの形状を有するIC用トレーは当然吸湿性を有
しているため、大気中の水分を徐々に吸収することによ
り、寸法がわずかではあるが増加すると考えられる。従
って、IC用トレーの各部分に微妙な応力差が発生するこ
とにより、応力のバランスがくずれ、反りが発生するも
のと考えられる。
本発明のポイントは、吸水率の低い、すなわち吸湿性に
劣る熱硬化性樹脂および充填材を使用することにより、
吸水率の低いIC用トレーを構成し、極力吸湿を押えるこ
とにした点にある。
劣る熱硬化性樹脂および充填材を使用することにより、
吸水率の低いIC用トレーを構成し、極力吸湿を押えるこ
とにした点にある。
IC用トレーの反りについては、各部分の密度バランスの
影響もあるが、これは成形法により大むね解決できるも
のと思われる。本発明のIC用トレーは吸水率0.45％以下
に押えてあるため、大気中の水分の吸収が低く、したが
って、特に寸法の変化が小さくなっている。該寸法変化
が小さいことから、IC用トレーの各部分に発生する応力
も小さく、そのバランスも大きく崩れることが防止され
るため、反りの発生が極力押えられるものと考えられ
る。
影響もあるが、これは成形法により大むね解決できるも
のと思われる。本発明のIC用トレーは吸水率0.45％以下
に押えてあるため、大気中の水分の吸収が低く、したが
って、特に寸法の変化が小さくなっている。該寸法変化
が小さいことから、IC用トレーの各部分に発生する応力
も小さく、そのバランスも大きく崩れることが防止され
るため、反りの発生が極力押えられるものと考えられ
る。
以下、実施例に基づき本発明を説明する。
なお、成形材料の物性及び板状トレーの反り、寸法変化
率は以下に示す方法に従って測定した。
率は以下に示す方法に従って測定した。
（１）曲げ強さ、シャルピー衝撃強さ、表面抵抗、吸水
率、比重JISK-6911に準ずる。
率、比重JISK-6911に準ずる。
（２）ガラス転移温度 熱分析装置（島津製作所製）を使用して伸び率（％）−
温度（℃）の相関図を作成し、グラフ上からガラス転移
温度（℃）を求めた。
温度（℃）の相関図を作成し、グラフ上からガラス転移
温度（℃）を求めた。
（測定条件）試験片 ５φ×10mmの丸棒 昇温速度 ５℃/min 測定温度 室温〜200℃ （３）反り（常態および室温雰囲気下３ヶ月後） 金型温度170℃、成形圧力300kg/cm2、硬化時間150秒で
コンプレッション成形により、300×200×5mmの板状ト
レーを成形し、常態および室温雰囲気下３ヶ月後の反り
をハイトゲージ（ミツトヨ製）にて測定した。
コンプレッション成形により、300×200×5mmの板状ト
レーを成形し、常態および室温雰囲気下３ヶ月後の反り
をハイトゲージ（ミツトヨ製）にて測定した。
（４）寸法変化率（室温雰囲気下３カ月後） 金型温度170℃、成形圧力300kg/cm2、硬化時間150秒で
コンプレッション成形により、300×200×5mmの板状ト
レーを成形し、常態および室温雰囲気下３ヶ月後の寸法
をダイヤル式ノギス（ミツトヨ製）にて測定し、常態か
ら室温雰囲気下３ヶ月後にいたる寸法変化率を求めた。
コンプレッション成形により、300×200×5mmの板状ト
レーを成形し、常態および室温雰囲気下３ヶ月後の寸法
をダイヤル式ノギス（ミツトヨ製）にて測定し、常態か
ら室温雰囲気下３ヶ月後にいたる寸法変化率を求めた。
〔実施例１〕 ジアリルフタレート樹脂（大阪曹達製） 100重量部 ガラス繊維（3m/m） 150 〃 アセチレンブラック（電気化学製） 30 〃 硬化触媒（化薬ヌーリー製） ５ 〃 上記原材料を適量の硬化促進剤、離型剤および溶剤とと
もにヘンシェルミキサーにて均一分散混合し、熱ロール
上（100/90℃）で５〜７分間混練を行ないシート状にし
て取り出した。このシート状材料を適当な大きさに粉砕
し、成形可能なジアリルフタレート樹脂成形材料を得
た。
もにヘンシェルミキサーにて均一分散混合し、熱ロール
上（100/90℃）で５〜７分間混練を行ないシート状にし
て取り出した。このシート状材料を適当な大きさに粉砕
し、成形可能なジアリルフタレート樹脂成形材料を得
た。
この成形材料を使用して、金型温度160〜180℃、成形圧
力200〜400kg/cm2、硬化時間120〜180秒の条件でコンプ
レッション成形を行ない、試験用のテストピースを作成
し、曲げ強さ、シャルピー衝撃強さ、表面抵抗、吸水
率、比重の各物性を測定した。
力200〜400kg/cm2、硬化時間120〜180秒の条件でコンプ
レッション成形を行ない、試験用のテストピースを作成
し、曲げ強さ、シャルピー衝撃強さ、表面抵抗、吸水
率、比重の各物性を測定した。
また、ガラス転移温度および板状トレーの反り（常態お
よび室温雰囲気下３ヶ月後）、寸法変化率（室温雰囲気
下３ヶ月後）についても前記条件で測定した。その結果
を第２表に示す。
よび室温雰囲気下３ヶ月後）、寸法変化率（室温雰囲気
下３ヶ月後）についても前記条件で測定した。その結果
を第２表に示す。
〔実施例２〜13〕 第１表に示す原料および配合割合で実施例１と同様にし
て成形材料を作成し、テストピース成形後、同様の物性
等の測定を行なった。その結果を第２表に示す。
て成形材料を作成し、テストピース成形後、同様の物性
等の測定を行なった。その結果を第２表に示す。
〔比較例１〜８〕 第３表に示す原料および配合割合で実施例１と同様にし
て成形材料を作成し、テストピース成形後、同様の物性
等の測定を行なった。その結果を第４表に示す。
て成形材料を作成し、テストピース成形後、同様の物性
等の測定を行なった。その結果を第４表に示す。
第２表および第４表に示された結果からわかるように、
実施例１〜13において常態から室温雰囲気下３ヶ月後に
いたる反りの変化量は0.2〜0.6mm、また寸法変化率は＋
0.05〜0.15％にとどまっているのに対し、比較例１〜８
の反りの変化量は0.9〜2.0mm、また寸法変化率は＋0.20
〜0.45％になっており、明らかに本発明のIC用トレーは
長期保存後の反りおよび寸法変化において優れているこ
とがわかる。
実施例１〜13において常態から室温雰囲気下３ヶ月後に
いたる反りの変化量は0.2〜0.6mm、また寸法変化率は＋
0.05〜0.15％にとどまっているのに対し、比較例１〜８
の反りの変化量は0.9〜2.0mm、また寸法変化率は＋0.20
〜0.45％になっており、明らかに本発明のIC用トレーは
長期保存後の反りおよび寸法変化において優れているこ
とがわかる。
以上説明したように、本発明のIC用トレーは導電性、耐
熱性、機械的強度（耐衝撃性）等に優れ、かつ、吸水率
が低いため長期保存後の反りや寸法において経時変化の
少ないものとなっている。
熱性、機械的強度（耐衝撃性）等に優れ、かつ、吸水率
が低いため長期保存後の反りや寸法において経時変化の
少ないものとなっている。
したがって、本発明のIC用トレーはICもしくはLSIの製
造工場において長期間保存後も何ら支障無く使用するこ
とができる。すなわち、ロボット等によるICのトレーへ
のセットが容易に行うことができ、またICを収納したト
レーを積み重ねて長期間保管することができる。
造工場において長期間保存後も何ら支障無く使用するこ
とができる。すなわち、ロボット等によるICのトレーへ
のセットが容易に行うことができ、またICを収納したト
レーを積み重ねて長期間保管することができる。
さらには、該トレーの反りが小さいことから、該加熱硬
化工程等で数回繰り返して使用することもでき、また、
製品の搬送、梱包を容易に行なうことができることか
ら、コストダウンや作業能率の向上を計ることができ
る。
化工程等で数回繰り返して使用することもでき、また、
製品の搬送、梱包を容易に行なうことができることか
ら、コストダウンや作業能率の向上を計ることができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 3/04 Ｃ０８Ｌ 101/00 ＬＳＹ Ｈ０１Ｌ 23/00 Ｚ (56)参考文献 特開 平１−212452（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−37040（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−138366（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】吸水率0.45％以下の熱硬化性樹脂100重量
部に、吸水率0.45％以下の充填材20〜180重量部および
導電性カーボンブラック15〜45重量部を添加してなる熱
硬化性樹脂成形材料よりなり、かつ表面抵抗が102〜106
Ω、吸水率が0.45％以下、ガラス転移温度が150℃以上
である集積回路用トレー。 - 【請求項２】吸水率0.45％以下の熱硬化性樹脂100重量
部に、吸水率0.45％以下、比重1.45以下の充填材20〜12
0重量部および導電性カーボンブラック15〜45重量部を
添加してなる熱硬化性樹脂成形材料よりなり、かつ表面
抵抗が102〜106Ω、吸水率が0.45％以下、比重が1.45以
下、ガラス転移温度が150℃以上である集積回路用トレ
ー。 - 【請求項３】吸水率0.45％以下の熱硬化性樹脂100重量
部に、吸水率0.45％以下、比重1.45以下の充填材20〜12
0重量部、アクリロニトリルブタジエン系ゴム５〜15重
量部および導電性カーボンブラック15〜45重量部を添加
してなる熱硬化性樹脂成形材料よりなり、かつ表面抵抗
が102〜106Ω、吸水率が0.45％以下、比重が1.45以下、
ガラス転移温度が150℃以上である集積回路用トレー。 - 【請求項４】熱硬化性樹脂がジアリルフタレート樹脂、
水添ビスフェノール系不飽和ポリエステル樹脂、又はこ
れらの混合樹脂である請求項1,2または３記載の集積回
路用トレー。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31507188A JPH0714744B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 集積回路用トレー |
| US07/415,781 US5104581A (en) | 1988-12-15 | 1989-10-02 | Tray for integrated circuit |
| KR1019890015492A KR950011862B1 (ko) | 1988-12-15 | 1989-10-27 | 집적 회로용 트레이 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31507188A JPH0714744B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 集積回路用トレー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166082A JPH02166082A (ja) | 1990-06-26 |
| JPH0714744B2 true JPH0714744B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=18061073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31507188A Expired - Lifetime JPH0714744B2 (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 集積回路用トレー |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5104581A (ja) |
| JP (1) | JPH0714744B2 (ja) |
| KR (1) | KR950011862B1 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3174271B2 (ja) * | 1995-07-27 | 2001-06-11 | 株式会社小糸製作所 | ランプ反射鏡用成形組成物、それを用いたランプ反射鏡の製造方法及びランプ反射鏡 |
| US6103818A (en) * | 1998-08-07 | 2000-08-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Resin composition and heat-resistant, returnable IC tray obtained by molding the same |
| US6174427B1 (en) | 1998-09-24 | 2001-01-16 | The Dow Chemical Company | Process for the preparation of electromotively coated filled thermoset articles |
| DE19927748C2 (de) * | 1999-06-17 | 2001-05-17 | Siemens Ag | Transportvorrichtung für elektronische Bauelemente mit kontaminationsverhindernder Beschichtung |
| US6453760B1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-09-24 | Advanced Micro Device, Inc. | Automated detection of unacceptable warpage of trays for holding integrated circuit packages |
| US20030201548A1 (en) * | 2000-09-25 | 2003-10-30 | Ryoichi Ikezawa | Epoxy resin molding material for sealing |
| JP4931294B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2012-05-16 | 電気化学工業株式会社 | Ｉｃ包装体 |
| TW200408693A (en) * | 2002-09-03 | 2004-06-01 | Entegris Inc | High temperature, high strength, colorable materials for use with electronics processing applications |
| US6926937B2 (en) * | 2002-09-11 | 2005-08-09 | Entegris, Inc. | Matrix tray with tacky surfaces |
| US7108899B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-09-19 | Entegris, Inc. | Chip tray with tacky surface |
| WO2004033103A2 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Entegris, Inc. | High temperature, high strength, colorable materials for device processing systems |
| KR100502562B1 (ko) * | 2003-03-21 | 2005-07-20 | 서광석 | 트레이에 부피전도성을 부여하는 방법 |
| MY137694A (en) * | 2004-07-06 | 2009-02-27 | Dainichi Can Co Ltd | Marking clip for ic tray |
| KR101064528B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-09-14 | 주식회사 티씨케이 | 솔라셀 트래이 및 그 제조방법 |
| JP5221731B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2013-06-26 | 電気化学工業株式会社 | Ｉｃ包装体 |
| JP6116881B2 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-04-19 | 株式会社カネカ | 絶縁ケース |
| US9824906B2 (en) * | 2013-09-03 | 2017-11-21 | Altera Corporation | Methods and structures for handling integrated circuits |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58214210A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-13 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 非帯電絶縁性組成物 |
| JPS61285241A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | フエノ−ル樹脂成形材料 |
| JPS61287951A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Toshiba Chem Corp | フエノ−ル樹脂組成物 |
| US4715989A (en) * | 1986-01-22 | 1987-12-29 | The B.F. Goodrich Company | Coating for EMI shielding |
| DE3619094A1 (de) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Bayer Ag | Kohlenstoff-haltige formkoerper |
| DE3626460A1 (de) * | 1986-08-05 | 1988-02-11 | Lehmann & Voss & Co | Kunststoffmischung mit elektromagnetischen abschirmeigenschaften |
| JPH0733430B2 (ja) * | 1987-05-30 | 1995-04-12 | 三井石油化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP31507188A patent/JPH0714744B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-02 US US07/415,781 patent/US5104581A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-27 KR KR1019890015492A patent/KR950011862B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02166082A (ja) | 1990-06-26 |
| KR900009397A (ko) | 1990-07-04 |
| US5104581A (en) | 1992-04-14 |
| KR950011862B1 (ko) | 1995-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0714744B2 (ja) | 集積回路用トレー | |
| JP3020974B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体用封止剤 | |
| JPH09137043A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| US6890678B2 (en) | Separator for fuel cell | |
| US3305514A (en) | Vinyl halide resin, epoxy or alkyd resin, monoalkenyl and polyalkenyl monomer reinforced thermoplastic composition | |
| US6103818A (en) | Resin composition and heat-resistant, returnable IC tray obtained by molding the same | |
| JPH0689220B2 (ja) | 集積回路用トレー | |
| JP2000063621A (ja) | フェノール樹脂成形材料 | |
| JP3407756B2 (ja) | フェノール樹脂成形材料 | |
| JPH1017636A (ja) | 難燃性熱硬化性樹脂組成物 | |
| JPH07242286A (ja) | 耐熱，導電性樹脂組成物、並びにこれを用いた耐熱ｉｃトレイ | |
| JPH0892470A (ja) | 半導体素子運搬容器用樹脂組成物 | |
| JPS6038459A (ja) | 高衝撃性ポリアミド樹脂組成物 | |
| JPH09181226A (ja) | ボール・グリッド・アレイ用樹脂組成物 | |
| JP2003176336A (ja) | ボール・グリッド・アレイ用樹脂組成物 | |
| JP3580527B2 (ja) | フェノール樹脂成形材料 | |
| JPH07238214A (ja) | 耐熱、導電性樹脂組成物並びにこれを用いた耐熱ｉｃトレイ | |
| JP4432408B2 (ja) | 電解コンデンサーの封口板用フェノール樹脂成形材料および封口板 | |
| JPH0892352A (ja) | プラスチックボールグリッドアレイ用封止樹脂組成物 | |
| JPS6126653A (ja) | フエノ−ル樹脂成形材料 | |
| JP2022114531A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物 | |
| Smith | Union Carbide cellular silicones. Final report | |
| JPH03103424A (ja) | マレイミド樹脂組成物 | |
| JPH03100020A (ja) | マレイミド樹脂組成物 | |
| JPH05230178A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料 |