JPH07146457A - 光導波路素子の電極形成方法 - Google Patents
光導波路素子の電極形成方法Info
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- JPH07146457A JPH07146457A JP29496993A JP29496993A JPH07146457A JP H07146457 A JPH07146457 A JP H07146457A JP 29496993 A JP29496993 A JP 29496993A JP 29496993 A JP29496993 A JP 29496993A JP H07146457 A JPH07146457 A JP H07146457A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プロトン交換チャンネル光導波路に電圧を印
加する電極を、その縁部がチャンネル光導波路の縁部と
整合する位置に精度良く形成する。 【構成】 基板10の表面に成膜されて、プロトン交換時
のマスクとして使用された金属膜（Ｃｒ膜）20を、その
開口22の縁部の少なくとも一部を残して所定形状に加工
し、それをそのまま電極とする。
加する電極を、その縁部がチャンネル光導波路の縁部と
整合する位置に精度良く形成する。 【構成】 基板10の表面に成膜されて、プロトン交換時
のマスクとして使用された金属膜（Ｃｒ膜）20を、その
開口22の縁部の少なくとも一部を残して所定形状に加工
し、それをそのまま電極とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プロトン交換によりチ
ャンネル光導波路が形成された光導波路素子において、
チャンネル光導波路に電圧印加するための電極を形成す
る方法に関するものである。
ャンネル光導波路が形成された光導波路素子において、
チャンネル光導波路に電圧印加するための電極を形成す
る方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上にチャンネル光導波路
が形成された光導波路素子が種々提供されている。そし
て、チャンネル光導波路を形成する方法の１つとして、
プロトン交換法が知られている。このプロトン交換法に
よるチャンネル光導波路の作成は、基板表面に金属膜を
成膜し、この金属膜を所定形状の開口が残るようにエッ
チングし、この金属膜をマスクとして基板表面にプロト
ン交換処理を施す、という手順でなされる。
が形成された光導波路素子が種々提供されている。そし
て、チャンネル光導波路を形成する方法の１つとして、
プロトン交換法が知られている。このプロトン交換法に
よるチャンネル光導波路の作成は、基板表面に金属膜を
成膜し、この金属膜を所定形状の開口が残るようにエッ
チングし、この金属膜をマスクとして基板表面にプロト
ン交換処理を施す、という手順でなされる。
【０００３】ところで、上述のような光導波路素子にお
いては、チャンネル光導波路に近接させて、あるいは直
上に電極を配設し、該電極からチャンネル光導波路に電
圧を印加させることが多い。従来この種の電極は、図４
に示すような方法によって形成されていた。すなわち
（１）（この番号は図中の番号と対応している）まず基
板１上にＣｒ膜等の金属膜２を成膜し、（２）この金属
膜２の上にフォトリソ法により所定形状としたレジスト
３を残し、（３）このレジスト３をマスクとして金属膜
２を、所定形状の開口４が残るようにエッチングした
後、レジスト３を除去し、（４）次に、この金属膜２を
マスクとしてプロトン交換を行なって、基板１の表面部
分にチャンネル光導波路５を形成し、（５）金属膜２を
すべてエッチングにより除去し、また必要に応じてその
後アニールし、（６）その上にＡｌ等からなる導電性膜
７を成膜し、（７）この導電性膜７の上に、フォトリソ
法によりチャンネル光導波路５に対面する部分は除かれ
たレジスト８を残し、（８）次に上記レジスト８をマス
クとしてエッチングを行ない、導電性膜７のチャンネル
光導波路５に対面する部分を取り除く。
いては、チャンネル光導波路に近接させて、あるいは直
上に電極を配設し、該電極からチャンネル光導波路に電
圧を印加させることが多い。従来この種の電極は、図４
に示すような方法によって形成されていた。すなわち
（１）（この番号は図中の番号と対応している）まず基
板１上にＣｒ膜等の金属膜２を成膜し、（２）この金属
膜２の上にフォトリソ法により所定形状としたレジスト
３を残し、（３）このレジスト３をマスクとして金属膜
２を、所定形状の開口４が残るようにエッチングした
後、レジスト３を除去し、（４）次に、この金属膜２を
マスクとしてプロトン交換を行なって、基板１の表面部
分にチャンネル光導波路５を形成し、（５）金属膜２を
すべてエッチングにより除去し、また必要に応じてその
後アニールし、（６）その上にＡｌ等からなる導電性膜
７を成膜し、（７）この導電性膜７の上に、フォトリソ
法によりチャンネル光導波路５に対面する部分は除かれ
たレジスト８を残し、（８）次に上記レジスト８をマス
クとしてエッチングを行ない、導電性膜７のチャンネル
光導波路５に対面する部分を取り除く。
【０００４】以上の処理により、各チャンネル光導波路
５の左右両側部分において導電性膜７が残るので、これ
らの導電性膜７を電極として用いれば、各チャンネル光
導波路５に電圧を印加することができる。
５の左右両側部分において導電性膜７が残るので、これ
らの導電性膜７を電極として用いれば、各チャンネル光
導波路５に電圧を印加することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記の方法にお
いては、フォトリソ法により（７）のようにレジスト８
を残す際に、露光装置の精度や作業者の熟練度に起因す
るバラツキにより、フォトマスクを正確に所定位置に配
置することができない。そのため、電極（導電性膜）７
は図５に拡大して示すように、その縁部がチャンネル光
導波路５の縁部と整合する正規の位置から、アライメン
トエラーＬだけずれて形成され、これが性能のバラツ
キ、ひいては歩留まりの低下の原因となっていた。
いては、フォトリソ法により（７）のようにレジスト８
を残す際に、露光装置の精度や作業者の熟練度に起因す
るバラツキにより、フォトマスクを正確に所定位置に配
置することができない。そのため、電極（導電性膜）７
は図５に拡大して示すように、その縁部がチャンネル光
導波路５の縁部と整合する正規の位置から、アライメン
トエラーＬだけずれて形成され、これが性能のバラツ
キ、ひいては歩留まりの低下の原因となっていた。
【０００６】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、プロトン交換チャンネル光導波路に電圧
を印加する電極を、その縁部がチャンネル光導波路の縁
部と整合する位置に精度良く形成することができる光導
波路素子の電極形成方法を提供することを目的とするも
のである。
たものであり、プロトン交換チャンネル光導波路に電圧
を印加する電極を、その縁部がチャンネル光導波路の縁
部と整合する位置に精度良く形成することができる光導
波路素子の電極形成方法を提供することを目的とするも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の光導
波路素子の電極形成方法は、プロトン交換時に光導波路
パターンを設定するためのマスクとして用いられた金属
膜を残しておいて、それを電極として利用するようにし
たものであり、具体的には請求項１に記載の通り、基板
表面に金属膜を成膜し、この金属膜を所定形状の開口が
残るようにエッチングし、この金属膜をマスクとして基
板表面にプロトン交換処理を施し、チャンネル光導波路
を形成した後、上記金属膜を、上記開口の縁部の少なく
とも一部を残して所定形状に加工して、チャンネル光導
波路に電圧を印加するための電極とすることを特徴とす
るものである。
波路素子の電極形成方法は、プロトン交換時に光導波路
パターンを設定するためのマスクとして用いられた金属
膜を残しておいて、それを電極として利用するようにし
たものであり、具体的には請求項１に記載の通り、基板
表面に金属膜を成膜し、この金属膜を所定形状の開口が
残るようにエッチングし、この金属膜をマスクとして基
板表面にプロトン交換処理を施し、チャンネル光導波路
を形成した後、上記金属膜を、上記開口の縁部の少なく
とも一部を残して所定形状に加工して、チャンネル光導
波路に電圧を印加するための電極とすることを特徴とす
るものである。
【０００８】本発明による第２の光導波路素子の電極形
成方法は、請求項２に記載の通り、上記第１の方法にお
いて、チャンネル光導波路を形成した後、その上に光学
薄膜を成膜し、電極を形成した後、その上側から該電極
に接続する結線用パッド電極を形成して、このパッド電
極とチャンネル光導波路との間に、上記光学薄膜からな
るバッファ層を設けることを特徴とするものである。
成方法は、請求項２に記載の通り、上記第１の方法にお
いて、チャンネル光導波路を形成した後、その上に光学
薄膜を成膜し、電極を形成した後、その上側から該電極
に接続する結線用パッド電極を形成して、このパッド電
極とチャンネル光導波路との間に、上記光学薄膜からな
るバッファ層を設けることを特徴とするものである。
【０００９】一方本発明による第３の光導波路素子の電
極形成方法は、プロトン交換時に光導波路パターンを設
定するためのマスクとして用いられた金属膜を残してお
いて、それを電極形状を規定するためのフォトマスクと
して利用するようにしたものであり、具体的には請求項
３に記載の通り、基板表面に金属膜を成膜し、この金属
膜を所定形状の開口が残るようにエッチングし、この金
属膜をマスクとして基板表面にプロトン交換処理を施
し、チャンネル光導波路を形成した後、上記金属膜の開
口の縁部の少なくとも一部を残したまま基板上にフォト
レジストを塗布し、次いで上記金属膜をフォトマスクと
して基板側から上記フォトレジストに露光し、このフォ
トレジストの感光した部分を除去した後、残ったフォト
レジストをマスクとして基板上に導電性膜を成膜し、次
いで上記金属膜、フォトレジストおよびその上に堆積し
ている導電性膜を除去し、残った上記導電性膜をチャン
ネル光導波路に電圧を印加するための電極とすることを
特徴とするものである。
極形成方法は、プロトン交換時に光導波路パターンを設
定するためのマスクとして用いられた金属膜を残してお
いて、それを電極形状を規定するためのフォトマスクと
して利用するようにしたものであり、具体的には請求項
３に記載の通り、基板表面に金属膜を成膜し、この金属
膜を所定形状の開口が残るようにエッチングし、この金
属膜をマスクとして基板表面にプロトン交換処理を施
し、チャンネル光導波路を形成した後、上記金属膜の開
口の縁部の少なくとも一部を残したまま基板上にフォト
レジストを塗布し、次いで上記金属膜をフォトマスクと
して基板側から上記フォトレジストに露光し、このフォ
トレジストの感光した部分を除去した後、残ったフォト
レジストをマスクとして基板上に導電性膜を成膜し、次
いで上記金属膜、フォトレジストおよびその上に堆積し
ている導電性膜を除去し、残った上記導電性膜をチャン
ネル光導波路に電圧を印加するための電極とすることを
特徴とするものである。
【００１０】本発明による第４の光導波路素子の電極形
成方法は、請求項４に記載の通り、上記第３の方法にお
いて、上記フォトレジストの感光した部分を除去した
後、残ったフォトレジストをマスクとして基板上に光学
薄膜および導電性膜をこの順に成膜し、次いで上記金属
膜、フォトレジストおよびその上に堆積している光学薄
膜と導電性膜とを除去し、残った上記導電性膜および光
学薄膜をそれぞれ、チャンネル光導波路に電圧を印加す
るための電極、該電極とチャンネル光導波路との間のバ
ッファ層とすることを特徴とするものである。
成方法は、請求項４に記載の通り、上記第３の方法にお
いて、上記フォトレジストの感光した部分を除去した
後、残ったフォトレジストをマスクとして基板上に光学
薄膜および導電性膜をこの順に成膜し、次いで上記金属
膜、フォトレジストおよびその上に堆積している光学薄
膜と導電性膜とを除去し、残った上記導電性膜および光
学薄膜をそれぞれ、チャンネル光導波路に電圧を印加す
るための電極、該電極とチャンネル光導波路との間のバ
ッファ層とすることを特徴とするものである。
【００１１】また本発明による第５の光導波路素子の電
極形成方法も、第３の方法と同様、プロトン交換時に光
導波路パターンを設定するためのマスクとして用いられ
た金属膜を残しておいて、それを電極形状を規定するた
めのフォトマスクとして利用するようにしたものであ
り、具体的には請求項５に記載の通り、基板表面に金属
膜を成膜し、この金属膜を所定形状の開口が残るように
エッチングし、この金属膜をマスクとして基板表面にプ
ロトン交換処理を施し、チャンネル光導波路を形成した
後、上記金属膜の開口の縁部の少なくとも一部を残した
まま基板上にフォトレジストを塗布し、次いで上記金属
膜をフォトマスクとして基板側から上記フォトレジスト
に露光し、このフォトレジストの感光しなかった部分を
除去した後、上記金属膜を除去し、残ったフォトレジス
トをマスクとして基板上に導電性膜を成膜し、次いで上
記フォトレジストおよびその上に堆積している導電性膜
を除去し、残った上記導電性膜をチャンネル光導波路に
電圧を印加するための電極とすることを特徴とするもの
である。
極形成方法も、第３の方法と同様、プロトン交換時に光
導波路パターンを設定するためのマスクとして用いられ
た金属膜を残しておいて、それを電極形状を規定するた
めのフォトマスクとして利用するようにしたものであ
り、具体的には請求項５に記載の通り、基板表面に金属
膜を成膜し、この金属膜を所定形状の開口が残るように
エッチングし、この金属膜をマスクとして基板表面にプ
ロトン交換処理を施し、チャンネル光導波路を形成した
後、上記金属膜の開口の縁部の少なくとも一部を残した
まま基板上にフォトレジストを塗布し、次いで上記金属
膜をフォトマスクとして基板側から上記フォトレジスト
に露光し、このフォトレジストの感光しなかった部分を
除去した後、上記金属膜を除去し、残ったフォトレジス
トをマスクとして基板上に導電性膜を成膜し、次いで上
記フォトレジストおよびその上に堆積している導電性膜
を除去し、残った上記導電性膜をチャンネル光導波路に
電圧を印加するための電極とすることを特徴とするもの
である。
【００１２】また本発明による第６の光導波路素子の電
極形成方法は、請求項６に記載の通り、上記第５の方法
において、チャンネル光導波路を形成した後、その上に
光学薄膜を成膜し、電極を形成した後、その上側から該
電極に接続する結線用パッド電極を形成して、このパッ
ド電極とチャンネル光導波路との間に、上記光学薄膜か
らなるバッファ層を設けることを特徴とするものであ
る。
極形成方法は、請求項６に記載の通り、上記第５の方法
において、チャンネル光導波路を形成した後、その上に
光学薄膜を成膜し、電極を形成した後、その上側から該
電極に接続する結線用パッド電極を形成して、このパッ
ド電極とチャンネル光導波路との間に、上記光学薄膜か
らなるバッファ層を設けることを特徴とするものであ
る。
【００１３】
【作用および発明の効果】プロトン交換時に光導波路パ
ターンを設定するためのマスクとして用いられた金属膜
は、当然、その縁部がチャンネル光導波路の縁部と整合
している（図４の（４）参照）。したがってこの金属膜
から電極を形成し、あるいはこの金属膜を電極形状を規
定するためのフォトマスクとして利用すれば、電極の縁
部をチャンネル光導波路の縁部と精度良く整合させるこ
とができる。
ターンを設定するためのマスクとして用いられた金属膜
は、当然、その縁部がチャンネル光導波路の縁部と整合
している（図４の（４）参照）。したがってこの金属膜
から電極を形成し、あるいはこの金属膜を電極形状を規
定するためのフォトマスクとして利用すれば、電極の縁
部をチャンネル光導波路の縁部と精度良く整合させるこ
とができる。
【００１４】それにより、本発明方法によれば、電極位
置精度が高くて性能バラツキが無い光導波路素子を安定
して製造可能となる。
置精度が高くて性能バラツキが無い光導波路素子を安定
して製造可能となる。
【００１５】そして本発明の方法では、高いアライメン
ト精度でフォトマスクを配設するような必要無しで、上
述のようにして位置精度の高い電極を簡単に形成可能で
あるので、高性能な装置を使用することなく歩留りおよ
び作業能率を向上させることができ、光導波路素子のコ
ストダウンも実現される。
ト精度でフォトマスクを配設するような必要無しで、上
述のようにして位置精度の高い電極を簡単に形成可能で
あるので、高性能な装置を使用することなく歩留りおよ
び作業能率を向上させることができ、光導波路素子のコ
ストダウンも実現される。
【００１６】なお上記第１および第５の方法によれば、
電極は、その縁部がチャンネル光導波路の縁部と整合す
る状態で、該光導波路に近接して形成される。そしてこ
のような電極に結線用パッド電極を接続する場合、この
パッド電極は比較的大きく形成されて、チャンネル光導
波路の上部にも位置するのが一般的であるが、第２およ
び第６の方法によれば、チャンネル光導波路とパッド電
極との間に容易にバッファ層を形成可能となる。
電極は、その縁部がチャンネル光導波路の縁部と整合す
る状態で、該光導波路に近接して形成される。そしてこ
のような電極に結線用パッド電極を接続する場合、この
パッド電極は比較的大きく形成されて、チャンネル光導
波路の上部にも位置するのが一般的であるが、第２およ
び第６の方法によれば、チャンネル光導波路とパッド電
極との間に容易にバッファ層を形成可能となる。
【００１７】一方上記第３の方法によれば、電極は、そ
の縁部がチャンネル光導波路の縁部と整合する状態で、
該光導波路の直上に形成される。この場合も、第４の方
法によれば、チャンネル光導波路と電極との間に、容易
にバッファ層を形成可能となる。
の縁部がチャンネル光導波路の縁部と整合する状態で、
該光導波路の直上に形成される。この場合も、第４の方
法によれば、チャンネル光導波路と電極との間に、容易
にバッファ層を形成可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による光
導波路素子の電極形成方法の処理の流れを示すものであ
る。また図２は、この方法により電極が形成された光導
波路素子の平面形状を示している。
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例による光
導波路素子の電極形成方法の処理の流れを示すものであ
る。また図２は、この方法により電極が形成された光導
波路素子の平面形状を示している。
【００１９】説明を容易にするため、まず完成した光導
波路素子について説明する。この光導波路素子は、例え
ばＬｉＮｂＯ3 の結晶からなる基板10の表面部分にＹ分
岐光導波路が２つ結合した形のチャンネル光導波路11が
設けられ、そしてこのチャンネル光導波路11の２本平行
して延びている部分の各々の左右側部に電極12、13、14
が形成されてなるものである。これらの電極12、13、14
は図示しない駆動回路に接続されて、各チャンネル光導
波路11に所定の電圧を印加するために使用される。
波路素子について説明する。この光導波路素子は、例え
ばＬｉＮｂＯ3 の結晶からなる基板10の表面部分にＹ分
岐光導波路が２つ結合した形のチャンネル光導波路11が
設けられ、そしてこのチャンネル光導波路11の２本平行
して延びている部分の各々の左右側部に電極12、13、14
が形成されてなるものである。これらの電極12、13、14
は図示しない駆動回路に接続されて、各チャンネル光導
波路11に所定の電圧を印加するために使用される。
【００２０】ここで電極12、13、14は、平面視状態でそ
れぞれの縁部が各チャンネル光導波路11の縁部と正確に
整合するように配設する必要がある。そうでなければ、
各チャンネル光導波路11に所定の電圧を印加することが
困難となる。
れぞれの縁部が各チャンネル光導波路11の縁部と正確に
整合するように配設する必要がある。そうでなければ、
各チャンネル光導波路11に所定の電圧を印加することが
困難となる。
【００２１】以下、このように電極12、13、14を配設可
能にした本発明の第１実施例による方法を、図１を参照
して説明する。なお、以下の説明では各工程に順次
（１）（２）（３）…の番号を付して示すが、これらの
番号は図１中の番号と対応している（以下、同様）。
能にした本発明の第１実施例による方法を、図１を参照
して説明する。なお、以下の説明では各工程に順次
（１）（２）（３）…の番号を付して示すが、これらの
番号は図１中の番号と対応している（以下、同様）。
【００２２】（１）まず基板10上に、金属膜の一つであ
るＣｒ膜20を成膜する。 （２）このＣｒ膜20の上に、公知のフォトリソ法により
所定形状、すなわち、チャンネル光導波路11の形状に対
応する切欠き部分を有する形状としたフォトレジスト21
を残す。 （３）上記フォトレジスト21をマスクとして、Ｃｒ膜20
をエッチングする。それによりＣｒ膜20は、レジスト21
の切欠き部分と同形状の開口22を有するようにエッチン
グされる。 （４）上記エッチングされたＣｒ膜20をマスクとして、
プロトン交換およびアニールを行なって、基板10の表面
部分にチャンネル光導波路11を形成する。このチャンネ
ル光導波路11は、上記Ｃｒ膜20の開口22の形状に対応し
た形状のものとなる。
るＣｒ膜20を成膜する。 （２）このＣｒ膜20の上に、公知のフォトリソ法により
所定形状、すなわち、チャンネル光導波路11の形状に対
応する切欠き部分を有する形状としたフォトレジスト21
を残す。 （３）上記フォトレジスト21をマスクとして、Ｃｒ膜20
をエッチングする。それによりＣｒ膜20は、レジスト21
の切欠き部分と同形状の開口22を有するようにエッチン
グされる。 （４）上記エッチングされたＣｒ膜20をマスクとして、
プロトン交換およびアニールを行なって、基板10の表面
部分にチャンネル光導波路11を形成する。このチャンネ
ル光導波路11は、上記Ｃｒ膜20の開口22の形状に対応し
た形状のものとなる。
【００２３】（５）公知のフォトリソ法により、Ｃｒ膜
20の上に所望の電極形状に対応した形状のフォトレジス
ト23を残す。なおこのレジスト23が形成された際の平面
形状を図３の（１）に示す。 （６）上記レジスト23をマスクとしてＣｒ膜20をエッチ
ングし、このレジスト23に覆われていないＣｒ膜20の部
分を除去し、次いでレジスト23を除去する。なおこのと
きの平面形状を図３の（２）に示す。
20の上に所望の電極形状に対応した形状のフォトレジス
ト23を残す。なおこのレジスト23が形成された際の平面
形状を図３の（１）に示す。 （６）上記レジスト23をマスクとしてＣｒ膜20をエッチ
ングし、このレジスト23に覆われていないＣｒ膜20の部
分を除去し、次いでレジスト23を除去する。なおこのと
きの平面形状を図３の（２）に示す。
【００２４】以上の処理により基板10上には、Ｃｒ膜20
からなる電極12、13、14が形成される。これらの電極1
2、13、14は、チャンネル光導波路11の形状を規定した
Ｃｒ膜20の開口22の縁部をそのまま残して形成されたも
のであるから、各電極12、13、14のチャンネル光導波路
11側の縁部は、該チャンネル光導波路11の側縁部と精度
良く整合するものとなる。
からなる電極12、13、14が形成される。これらの電極1
2、13、14は、チャンネル光導波路11の形状を規定した
Ｃｒ膜20の開口22の縁部をそのまま残して形成されたも
のであるから、各電極12、13、14のチャンネル光導波路
11側の縁部は、該チャンネル光導波路11の側縁部と精度
良く整合するものとなる。
【００２５】（７）次に結線用パッド電極を形成するた
めに、電極12、13、14の上からＡｌ膜24を成膜する。 （８）上記Ａｌ膜24の上に、フォトリソ法により所定形
状のフォトレジスト25を残す。 （９）上記フォトレジスト25をマスクとしてＡｌ膜24を
エッチングし、このレジスト25に覆われていないＡｌ膜
24の部分を除去し、次いでレジスト25を除去する。この
ときの平面形状を図３の（３）に示す。以上の処理によ
り、Ａｌ膜24からなりそれぞれ電極12、13、14に接続し
たパッド電極26、27、28が形成される。
めに、電極12、13、14の上からＡｌ膜24を成膜する。 （８）上記Ａｌ膜24の上に、フォトリソ法により所定形
状のフォトレジスト25を残す。 （９）上記フォトレジスト25をマスクとしてＡｌ膜24を
エッチングし、このレジスト25に覆われていないＡｌ膜
24の部分を除去し、次いでレジスト25を除去する。この
ときの平面形状を図３の（３）に示す。以上の処理によ
り、Ａｌ膜24からなりそれぞれ電極12、13、14に接続し
たパッド電極26、27、28が形成される。
【００２６】なお、上記（４）の工程におけるアニール
は省かれてもよい。このようなアニールがなされた場合
は、チャンネル光導波路11と基板10との屈折率差が小さ
くなって、チャンネル光導波路11が目視では全く認めら
れないこともある。そうなると、前述した従来方法では
フォトマスクを高いアライメント精度で所定位置に配設
することが非常に困難となるので、本発明方法が特に有
効である。
は省かれてもよい。このようなアニールがなされた場合
は、チャンネル光導波路11と基板10との屈折率差が小さ
くなって、チャンネル光導波路11が目視では全く認めら
れないこともある。そうなると、前述した従来方法では
フォトマスクを高いアライメント精度で所定位置に配設
することが非常に困難となるので、本発明方法が特に有
効である。
【００２７】また上記工程（４）と（５）との間におい
て、背面露光法、リフトオフ法により、チャンネル光導
波路11とパッド電極27との間にＳｉＯ2 等からなるバッ
ファ層を配設することもできる。
て、背面露光法、リフトオフ法により、チャンネル光導
波路11とパッド電極27との間にＳｉＯ2 等からなるバッ
ファ層を配設することもできる。
【００２８】さらにプロトン交換用マスク金属として
は、上記実施例におけるＣｒの他に、Ｔａ、Ｗ等の、プ
ロトン交換に使用する酸に侵されない金属、あるいはそ
れらの合金、積層構造等を使用することができる。また
パッド電極材料としてはＡｌの他に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ等の導電性金属あるいは合金、積層構造
等も適宜選択可能である。
は、上記実施例におけるＣｒの他に、Ｔａ、Ｗ等の、プ
ロトン交換に使用する酸に侵されない金属、あるいはそ
れらの合金、積層構造等を使用することができる。また
パッド電極材料としてはＡｌの他に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ等の導電性金属あるいは合金、積層構造
等も適宜選択可能である。
【００２９】次に図６および図７を参照して、本発明の
第２実施例について説明する。図６は、この第２実施例
の方法の処理の流れを示すものである。ここに図示され
る（１）、（２）、（３）、（４）までの工程、つまり
プロトン交換チャンネル光導波路11を形成するまでの工
程は、第１実施例におけるのと同じである。なお図６お
よび図７において、図１中のものと同等の要素には同番
号を付してあり、それらについての重複した説明は省略
する（以下、同様）。上記（４）の工程の後、 （５）Ｃｒ膜20の上にポジ型のフォトレジスト30を塗布
した後、基板10の裏面側にフォトマスク31を配してこの
マスク31越しに背面露光する。このときの平面形状を図
７の（１）に示す。図示されるようにフォトマスク31
は、中央部に電極長さを規定するための開口31ａを有す
るものである。 （６）フォトレジスト30の、背面露光により感光した部
分、つまりチャンネル光導波路11に対面する部分を現像
により除去する。 （７）フォトレジスト30の上から、バッファ層となる光
学薄膜としてのＳｉＯ2膜32、電極となるＣｒ膜33をこ
の順に成膜する。 （８）リフトオフによりＣｒ膜20から上の部分を除去す
る。このときの平面形状を図７の（２）に示す。図示さ
れるように、各チャンネル光導波路11の真上部分のみに
ＳｉＯ2 膜32、およびＣｒ膜33が残る状態となるので、
これらのＣｒ膜33をチャンネル光導波路11に電圧印加す
る電極34、35とする。 （９）次に結線用パッドを形成するために、電極34、35
の上からＡｌ膜36を成膜する。 （10）上記Ａｌ膜36の上に、フォトリソ法により所定形
状のフォトレジスト37を残す。 （11）上記レジスト37をマスクとしてＡｌ膜36をエッチ
ングし、このレジスト37に覆われていないＡｌ膜36の部
分を除去し、次いでレジスト37を除去する。このときの
平面形状を図７の（３）に示す。以上の処理により、Ａ
ｌ膜36からなりそれぞれ電極34、35に接続したパッド電
極38、39が形成される。
第２実施例について説明する。図６は、この第２実施例
の方法の処理の流れを示すものである。ここに図示され
る（１）、（２）、（３）、（４）までの工程、つまり
プロトン交換チャンネル光導波路11を形成するまでの工
程は、第１実施例におけるのと同じである。なお図６お
よび図７において、図１中のものと同等の要素には同番
号を付してあり、それらについての重複した説明は省略
する（以下、同様）。上記（４）の工程の後、 （５）Ｃｒ膜20の上にポジ型のフォトレジスト30を塗布
した後、基板10の裏面側にフォトマスク31を配してこの
マスク31越しに背面露光する。このときの平面形状を図
７の（１）に示す。図示されるようにフォトマスク31
は、中央部に電極長さを規定するための開口31ａを有す
るものである。 （６）フォトレジスト30の、背面露光により感光した部
分、つまりチャンネル光導波路11に対面する部分を現像
により除去する。 （７）フォトレジスト30の上から、バッファ層となる光
学薄膜としてのＳｉＯ2膜32、電極となるＣｒ膜33をこ
の順に成膜する。 （８）リフトオフによりＣｒ膜20から上の部分を除去す
る。このときの平面形状を図７の（２）に示す。図示さ
れるように、各チャンネル光導波路11の真上部分のみに
ＳｉＯ2 膜32、およびＣｒ膜33が残る状態となるので、
これらのＣｒ膜33をチャンネル光導波路11に電圧印加す
る電極34、35とする。 （９）次に結線用パッドを形成するために、電極34、35
の上からＡｌ膜36を成膜する。 （10）上記Ａｌ膜36の上に、フォトリソ法により所定形
状のフォトレジスト37を残す。 （11）上記レジスト37をマスクとしてＡｌ膜36をエッチ
ングし、このレジスト37に覆われていないＡｌ膜36の部
分を除去し、次いでレジスト37を除去する。このときの
平面形状を図７の（３）に示す。以上の処理により、Ａ
ｌ膜36からなりそれぞれ電極34、35に接続したパッド電
極38、39が形成される。
【００３０】以上のようにして形成された電極34、35の
側縁部は、フォトレジスト30に形成された切欠き30ａ
（図６の（６）参照）によって位置規定され、そしてこ
れらの切欠きは、チャンネル光導波路11の形状を規定し
たＣｒ膜20の開口22（図６の（３）参照）の縁部によっ
て位置規定されたものであるから、結局各電極34、35の
側縁部はチャンネル光導波路11の側縁部と精度良く整合
するものとなる。
側縁部は、フォトレジスト30に形成された切欠き30ａ
（図６の（６）参照）によって位置規定され、そしてこ
れらの切欠きは、チャンネル光導波路11の形状を規定し
たＣｒ膜20の開口22（図６の（３）参照）の縁部によっ
て位置規定されたものであるから、結局各電極34、35の
側縁部はチャンネル光導波路11の側縁部と精度良く整合
するものとなる。
【００３１】なお上記実施例の方法において、（９）〜
（11) のパッド電極形成工程をリフトオフに代えること
もできる。そのようにすれば、パッド電極形成において
エッチング処理が不要となるので、電極材料としてＣｒ
以外の例えばＡｌ等も使用可能となる。この点は第１実
施例の工程（７）〜（９）についても同様であり、その
場合は電極材料となるＣｒ膜20をＡｌ膜等と置換え可能
である。
（11) のパッド電極形成工程をリフトオフに代えること
もできる。そのようにすれば、パッド電極形成において
エッチング処理が不要となるので、電極材料としてＣｒ
以外の例えばＡｌ等も使用可能となる。この点は第１実
施例の工程（７）〜（９）についても同様であり、その
場合は電極材料となるＣｒ膜20をＡｌ膜等と置換え可能
である。
【００３２】次に図８および図９を参照して、本発明の
第３実施例について説明する。図８に示す工程（１）〜
（５）は、第２実施例の工程（１）〜（５）と同じであ
る。ただしこの場合は、ネガ型のフォトレジスト40が用
いられる。なおフォトマスク31も、第２実施例で用いら
れたものと同形状のものである。上記（５）の工程の
後、 （６）フォトレジスト40の、背面露光により感光しなか
った部分を現像により除去する。これにより、チャンネ
ル光導波路11に対面する部分のみにフォトレジスト40が
残る。 （７）次に上記フォトレジスト40をマスクとしてエッチ
ングを行ない、Ｃｒ膜20を除去する。このときの平面形
状を、図９の（１）に示す。 （８）次にＡｌ膜41を成膜する。 （９）フォトレジスト40をリフトオフする。 （10）残っているＡｌ膜41の上に、フォトリソ法により
所定形状のフォトレジスト42を残す。このときの平面形
状を図９の（２）に示す。 （11）上記フォトレジスト42をマスクとしてＡｌ膜41を
エッチングする。
第３実施例について説明する。図８に示す工程（１）〜
（５）は、第２実施例の工程（１）〜（５）と同じであ
る。ただしこの場合は、ネガ型のフォトレジスト40が用
いられる。なおフォトマスク31も、第２実施例で用いら
れたものと同形状のものである。上記（５）の工程の
後、 （６）フォトレジスト40の、背面露光により感光しなか
った部分を現像により除去する。これにより、チャンネ
ル光導波路11に対面する部分のみにフォトレジスト40が
残る。 （７）次に上記フォトレジスト40をマスクとしてエッチ
ングを行ない、Ｃｒ膜20を除去する。このときの平面形
状を、図９の（１）に示す。 （８）次にＡｌ膜41を成膜する。 （９）フォトレジスト40をリフトオフする。 （10）残っているＡｌ膜41の上に、フォトリソ法により
所定形状のフォトレジスト42を残す。このときの平面形
状を図９の（２）に示す。 （11）上記フォトレジスト42をマスクとしてＡｌ膜41を
エッチングする。
【００３３】以上の処理により基板10上には、Ａｌ膜41
からなる電極43、44、45が形成される。このときの平面
形状を図９の（３）に示す。これらの電極43、44、45の
チャンネル光導波路11側の縁部は、フォトレジスト40に
よって位置規定され、そしてこのフォトレジスト40は、
チャンネル光導波路11の形状を規定したＣｒ膜20の開口
22（図８の（３）参照）の縁部によって位置規定された
ものであるから、結局各電極43、44、45の側縁部はチャ
ンネル光導波路11の側縁部と精度良く整合するものとな
る。
からなる電極43、44、45が形成される。このときの平面
形状を図９の（３）に示す。これらの電極43、44、45の
チャンネル光導波路11側の縁部は、フォトレジスト40に
よって位置規定され、そしてこのフォトレジスト40は、
チャンネル光導波路11の形状を規定したＣｒ膜20の開口
22（図８の（３）参照）の縁部によって位置規定された
ものであるから、結局各電極43、44、45の側縁部はチャ
ンネル光導波路11の側縁部と精度良く整合するものとな
る。
【００３４】なおこの場合も、第１実施例のものと同様
の結線用パッド電極を形成するのであれば、工程（４）
と（５）との間において、背面露光法、リフトオフ法に
より、チャンネル光導波路11と結線用パッド電極との間
にＳｉＯ2 等からなるバッファ層を配設することができ
る。また本実施例では、特に電極44がチャンネル光導波
路11の上部にも位置する形状とされているが、上述のよ
うなバッファ層を形成すれば、該電極44とチャンネル光
導波路11との間にもこのバッファ層が介装されることに
なる。
の結線用パッド電極を形成するのであれば、工程（４）
と（５）との間において、背面露光法、リフトオフ法に
より、チャンネル光導波路11と結線用パッド電極との間
にＳｉＯ2 等からなるバッファ層を配設することができ
る。また本実施例では、特に電極44がチャンネル光導波
路11の上部にも位置する形状とされているが、上述のよ
うなバッファ層を形成すれば、該電極44とチャンネル光
導波路11との間にもこのバッファ層が介装されることに
なる。
【図１】本発明の第１実施例の方法を工程を追って示す
説明図
説明図
【図２】上記第１実施例の方法によって電極が形成され
た光導波路素子を示す斜視図
た光導波路素子を示す斜視図
【図３】上記第１実施例の方法により基板表面部の構造
が変化する様子を順次示す概略平面図
が変化する様子を順次示す概略平面図
【図４】従来の光導波路素子の電極形成方法を工程を追
って示す説明図
って示す説明図
【図５】従来方法によって形成された電極の位置ずれを
説明する概略図
説明する概略図
【図６】本発明の第２実施例の方法を工程を追って示す
説明図
説明図
【図７】上記第２実施例の方法により基板表面部の構造
が変化する様子を順次示す概略平面図
が変化する様子を順次示す概略平面図
【図８】本発明の第３実施例の方法を工程を追って示す
説明図
説明図
【図９】上記第３実施例の方法により基板表面部の構造
が変化する様子を順次示す概略平面図
が変化する様子を順次示す概略平面図
10 基板 11 チャンネル光導波路 12、13、14、34、35、43、44、45 電極 20、33 Ｃｒ膜 21、23、25、30、37、40、42 フォトレジスト 22 Ｃｒ膜の開口 24、36、41 Ａｌ膜 26、27、28、38、39 パッド電極 31 フォトマスク 32 ＳｉＯ2 膜（バッファ層）
Claims (6)
- 【請求項１】 基板表面に金属膜を成膜し、 この金属膜を所定形状の開口が残るようにエッチング
し、 この金属膜をマスクとして前記基板表面にプロトン交換
処理を施し、チャンネル光導波路を形成した後、 前記金属膜を、前記開口の縁部の少なくとも一部を残し
て所定形状に加工して、前記チャンネル光導波路に電圧
を印加するための電極とすることを特徴とする光導波路
素子の電極形成方法。 - 【請求項２】 前記チャンネル光導波路を形成した後、
その上に光学薄膜を成膜し、 前記電極を形成した後、その上側から該電極に接続する
結線用パッド電極を形成して、 このパッド電極と前記チャンネル光導波路との間に、前
記光学薄膜からなるバッファ層を設けることを特徴とす
る請求項１記載の光導波路素子の電極形成方法。 - 【請求項３】 基板表面に金属膜を成膜し、 この金属膜を所定形状の開口が残るようにエッチング
し、 この金属膜をマスクとして前記基板表面にプロトン交換
処理を施し、チャンネル光導波路を形成した後、 前記金属膜の開口の縁部の少なくとも一部を残したまま
前記基板上にフォトレジストを塗布し、 次いで前記金属膜をフォトマスクとして基板側から前記
フォトレジストに露光し、 このフォトレジストの感光した部分を除去した後、 残ったフォトレジストをマスクとして基板上に導電性膜
を成膜し、 次いで前記金属膜、フォトレジストおよびその上に堆積
している導電性膜を除去し、残った前記導電性膜を前記
チャンネル光導波路に電圧を印加するための電極とする
ことを特徴とする光導波路素子の電極形成方法。 - 【請求項４】 前記フォトレジストの感光した部分を除
去した後、 残ったフォトレジストをマスクとして基板上に光学薄膜
および導電性膜をこの順に成膜し、 次いで前記金属膜、フォトレジストおよびその上に堆積
している光学薄膜と導電性膜とを除去し、残った前記導
電性膜および光学薄膜をそれぞれ、前記チャンネル光導
波路に電圧を印加するための電極、該電極とチャンネル
光導波路との間のバッファ層とすることを特徴とする請
求項３記載の光導波路素子の電極形成方法。 - 【請求項５】 基板表面に金属膜を成膜し、 この金属膜を所定形状の開口が残るようにエッチング
し、 この金属膜をマスクとして前記基板表面にプロトン交換
処理を施し、チャンネル光導波路を形成した後、 前記金属膜の開口の縁部の少なくとも一部を残したまま
前記基板上にフォトレジストを塗布し、 次いで前記金属膜をフォトマスクとして基板側から前記
フォトレジストに露光し、 このフォトレジストの感光しなかった部分を除去した
後、 前記金属膜を除去し、 残ったフォトレジストをマスクとして基板上に導電性膜
を成膜し、 次いで前記フォトレジストおよびその上に堆積している
導電性膜を除去し、残った前記導電性膜を前記チャンネ
ル光導波路に電圧を印加するための電極とすることを特
徴とする光導波路素子の電極形成方法。 - 【請求項６】 前記チャンネル光導波路を形成した後、
その上に光学薄膜を成膜し、 前記電極を形成した後、その上側から該電極に接続する
結線用パッド電極を形成して、 このパッド電極と前記チャンネル光導波路との間に、前
記光学薄膜からなるバッファ層を設けることを特徴とす
る請求項５記載の光導波路素子の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29496993A JP3317313B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光導波路素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29496993A JP3317313B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光導波路素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07146457A true JPH07146457A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3317313B2 JP3317313B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17814655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29496993A Expired - Fee Related JP3317313B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 光導波路素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317313B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060334A (en) * | 1996-10-28 | 2000-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrode for optical waveguide element and method of forming the same |
| US6068781A (en) * | 1996-09-30 | 2000-05-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrode for optical waveguide element and method of forming the same |
| CN103353630A (zh) * | 2013-07-26 | 2013-10-16 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29496993A patent/JP3317313B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6068781A (en) * | 1996-09-30 | 2000-05-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrode for optical waveguide element and method of forming the same |
| US6141478A (en) * | 1996-09-30 | 2000-10-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrode for optical waveguide element and method of forming the same |
| US6060334A (en) * | 1996-10-28 | 2000-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrode for optical waveguide element and method of forming the same |
| US6355496B2 (en) | 1996-10-28 | 2002-03-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrode for optical waveguide element |
| CN103353630A (zh) * | 2013-07-26 | 2013-10-16 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种铌酸锂光波导器件电极的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3317313B2 (ja) | 2002-08-26 |
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