JPH07142661A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インナーリード先端の抜きバリによってイン
ナーリード先端付近がヒートブロック９上面から持ち上
げられ、インナーリード３のボンディング領域が充分に
加熱されずにボンディング不良となることを防止する。 【構成】 隣接する前記インナーリードの先端が相互に
連結されるように形状加工を行う工程と、前記インナー
リード先端にコイニング加工を施す工程と、メッキ工程
または焼鈍工程またはテーピング工程の少なくともいず
れか一つの工程を経由した後、前記インナーリードの連
結状態を解放する工程と、前記インナーリード先端を押
し潰す工程を有するリードフレームの製造方法。
ナーリード先端付近がヒートブロック９上面から持ち上
げられ、インナーリード３のボンディング領域が充分に
加熱されずにボンディング不良となることを防止する。 【構成】 隣接する前記インナーリードの先端が相互に
連結されるように形状加工を行う工程と、前記インナー
リード先端にコイニング加工を施す工程と、メッキ工程
または焼鈍工程またはテーピング工程の少なくともいず
れか一つの工程を経由した後、前記インナーリードの連
結状態を解放する工程と、前記インナーリード先端を押
し潰す工程を有するリードフレームの製造方法。
Description
【０００１】
【産業状の利用分野】本願発明は、半導体装置の組立に
用いられるリードフレームの製造方法に関し、さらに詳
しくは、良好なワイヤボンディング性を備えたリードフ
レームの製造方法に関するものである。
用いられるリードフレームの製造方法に関し、さらに詳
しくは、良好なワイヤボンディング性を備えたリードフ
レームの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば通常のＩＣは、リードフレーム１
のダイパッド４に、半導体素子を固着し、この半導体素
子のボンディングパッドとリードフレーム１のインナー
リード３とを金線あるいはアルミニウム線のボンディン
グワイヤ８によって結線し、更にこれらを樹脂で封止す
ることにより製造されている。
のダイパッド４に、半導体素子を固着し、この半導体素
子のボンディングパッドとリードフレーム１のインナー
リード３とを金線あるいはアルミニウム線のボンディン
グワイヤ８によって結線し、更にこれらを樹脂で封止す
ることにより製造されている。
【０００３】ここで用いられるリードフレーム１は、図
３に示すように、半導体素子を搭載するためのダイパッ
ド４と、先端が該ダイパッド４をとり囲むように延在せ
しめられたインナーリード３と、該インナーリード３と
ほぼ直交する方向に延びこれらインナーリード３を一体
的に支持するタイバー３と、該タイバー３の外側に前記
各インナーリード３に接続するように配設せしめられた
アウターリード２とダイパッド４を支持するサポートバ
ー６とから構成されている。
３に示すように、半導体素子を搭載するためのダイパッ
ド４と、先端が該ダイパッド４をとり囲むように延在せ
しめられたインナーリード３と、該インナーリード３と
ほぼ直交する方向に延びこれらインナーリード３を一体
的に支持するタイバー３と、該タイバー３の外側に前記
各インナーリード３に接続するように配設せしめられた
アウターリード２とダイパッド４を支持するサポートバ
ー６とから構成されている。
【０００４】ところで、半導体装置の高密度化および高
集積化に伴い、リードピン数は増加するものの、パッケ
ージは従来通りかもしくは小型化の傾向にあり、同一面
積内においてインナーリード３の本数が増加すれば、当
然ながらインナーリード３の幅および隣接するインナー
リード３との間隔は狭くなり、このため、搬送中の外力
や熱履歴によって、インナーリード３の変形およびその
変形によるインナーリード間の短絡を生じることがあ
る。
集積化に伴い、リードピン数は増加するものの、パッケ
ージは従来通りかもしくは小型化の傾向にあり、同一面
積内においてインナーリード３の本数が増加すれば、当
然ながらインナーリード３の幅および隣接するインナー
リード３との間隔は狭くなり、このため、搬送中の外力
や熱履歴によって、インナーリード３の変形およびその
変形によるインナーリード間の短絡を生じることがあ
る。
【０００５】このような問題を解決するため、インナー
リード側縁部のみの打ち抜きを行い、インナーリード先
端の加工を加工を残すことによって、隣接するインナー
リード３が相互に連結されるように形状加工を行い、こ
の状態でインナーリード先端に貴金属メッキを行った
り、ボンディングエリアを避けるようにポリイミド樹脂
からなる絶縁性テープで連結固定したり、焼鈍を行った
りする方法が提案されている。
リード側縁部のみの打ち抜きを行い、インナーリード先
端の加工を加工を残すことによって、隣接するインナー
リード３が相互に連結されるように形状加工を行い、こ
の状態でインナーリード先端に貴金属メッキを行った
り、ボンディングエリアを避けるようにポリイミド樹脂
からなる絶縁性テープで連結固定したり、焼鈍を行った
りする方法が提案されている。
【０００６】インナーリード先端が相互に連結された状
態まで形状加工を行い、その後焼鈍工程、メッキ工程、
テーピング工程の順に加工を行い、最後にインナーリー
ド連結状態の開放を行う方法が最良とされていた。
態まで形状加工を行い、その後焼鈍工程、メッキ工程、
テーピング工程の順に加工を行い、最後にインナーリー
ド連結状態の開放を行う方法が最良とされていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、インナ
ーリード先端の連結状態を開放する手段としては、プレ
ス加工が簡便な方法として採用されており、プレス加工
によればインナーリード先端に抜きバリが発生する。
ーリード先端の連結状態を開放する手段としては、プレ
ス加工が簡便な方法として採用されており、プレス加工
によればインナーリード先端に抜きバリが発生する。
【０００８】所定の加工を終えたリードフレーム１は、
半導体装置の組立工程へと送られ、インナーリード先端
と半導体チップをボンディングワイヤ８によって電気的
に接続されるが、ここで図４に示すように、インナーリ
ード先端の抜きバリによってインナーリード先端付近が
ヒートブロック９上面から持ち上げられ、インナーリー
ド３のボンディング領域が充分に加熱されずにボンディ
ング不良となることがあった。
半導体装置の組立工程へと送られ、インナーリード先端
と半導体チップをボンディングワイヤ８によって電気的
に接続されるが、ここで図４に示すように、インナーリ
ード先端の抜きバリによってインナーリード先端付近が
ヒートブロック９上面から持ち上げられ、インナーリー
ド３のボンディング領域が充分に加熱されずにボンディ
ング不良となることがあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願発明は上記実状に鑑
みてなされたもので、スタンピング法によって形状加工
するリードフレーム１の製造方法において、隣接する前
記インナーリード３の先端が相互に連結されるように形
状加工を行う工程と、前記インナーリード先端にコイニ
ング加工を施す工程と、前記インナーリード３の連結状
態を解放する工程と、前記インナーリード先端を押し潰
す工程とからなるリードフレーム１の製造方法および、
これにより製造されるリードフレームを提供するもので
ある。
みてなされたもので、スタンピング法によって形状加工
するリードフレーム１の製造方法において、隣接する前
記インナーリード３の先端が相互に連結されるように形
状加工を行う工程と、前記インナーリード先端にコイニ
ング加工を施す工程と、前記インナーリード３の連結状
態を解放する工程と、前記インナーリード先端を押し潰
す工程とからなるリードフレーム１の製造方法および、
これにより製造されるリードフレームを提供するもので
ある。
【００１０】
【作用】本願発明によれば、インナーリード先端の連結
状態を開放する際に発生する抜きバリを押しつぶすこと
によって、ワイヤボンディング時にインナーリード先端
とヒートブロック９との間に生じる隙間をなくし、よっ
てインナーリード３のボンディング領域を確実にヒート
ブロック９と当接させることが可能となり、ボンディン
グ不良の発生を防止することができる。
状態を開放する際に発生する抜きバリを押しつぶすこと
によって、ワイヤボンディング時にインナーリード先端
とヒートブロック９との間に生じる隙間をなくし、よっ
てインナーリード３のボンディング領域を確実にヒート
ブロック９と当接させることが可能となり、ボンディン
グ不良の発生を防止することができる。
【００１１】
【実施例】図面を参照しながら本願発明の実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１２】図１は本願発明によって製造されたリード
フレーム１のインナーリード先端部の詳細図で、ワイヤ
ボンディング工程におけるインナーリード３とヒートブ
ロック９の当接状態を示すものである。
フレーム１のインナーリード先端部の詳細図で、ワイヤ
ボンディング工程におけるインナーリード３とヒートブ
ロック９の当接状態を示すものである。
【００１３】図２は本願発明に係るリードフレーム１の
製造方法の一実施例を示すもので、特にインナーリード
先端部の状態が各々の工程によって変化していく過程を
示すものである。
製造方法の一実施例を示すもので、特にインナーリード
先端部の状態が各々の工程によって変化していく過程を
示すものである。
【００１４】鉄ニッケル合金や銅合金を所要幅にスリッ
トしたリードフレーム用素材が、順送り金型装置にセッ
トされ、その両端に所定間隔でパイロット孔が打ち抜か
れた後、アウターリード２、タイバー３、サポートバー
６、インナーリード側面、ダイパッド端面などリードフ
レーム１を構成する個々の部位が打ち抜かれていく。
トしたリードフレーム用素材が、順送り金型装置にセッ
トされ、その両端に所定間隔でパイロット孔が打ち抜か
れた後、アウターリード２、タイバー３、サポートバー
６、インナーリード側面、ダイパッド端面などリードフ
レーム１を構成する個々の部位が打ち抜かれていく。
【００１５】ここでインナーリード３については、その
側縁部だけが打ち抜かれ、かつ先端部の加工を行わない
ことによって、隣接するインナーリード３が相互に連結
された状態となり、その状態で先端にワイヤボンディン
グに必要な有効平坦幅を確保するためのコイニングが施
され、形状加工工程を完了する。
側縁部だけが打ち抜かれ、かつ先端部の加工を行わない
ことによって、隣接するインナーリード３が相互に連結
された状態となり、その状態で先端にワイヤボンディン
グに必要な有効平坦幅を確保するためのコイニングが施
され、形状加工工程を完了する。
【００１６】図２では、半導体チップを搭載するための
ダイパッド４（図示せず）の側縁部も順送り金型内で形
状加工しているため、インナーリード先端は、インナー
リード３とほぼ直交する方向に延びる連結バー７によっ
て、相互に連結されることとなっているが、これに限定
されるものではなく、ダイパッド側縁部の形状加工を行
うことなく、つまりインナーリード先端に位置するリー
ドフレーム１の中央部分が完全に未加工の状態であって
も、結果的にインナーリード先端が相互に連結されてい
る状態であれば、発明の実施に何等支障を来すものでは
ない。
ダイパッド４（図示せず）の側縁部も順送り金型内で形
状加工しているため、インナーリード先端は、インナー
リード３とほぼ直交する方向に延びる連結バー７によっ
て、相互に連結されることとなっているが、これに限定
されるものではなく、ダイパッド側縁部の形状加工を行
うことなく、つまりインナーリード先端に位置するリー
ドフレーム１の中央部分が完全に未加工の状態であって
も、結果的にインナーリード先端が相互に連結されてい
る状態であれば、発明の実施に何等支障を来すものでは
ない。
【００１７】その後、リードフレーム全面やインナーリ
ード先端、ダイパッド表面など所望の領域に適宜選択さ
れた金属メッキが施され、さらに半導体装置組立工程の
搬送中にインナーリード３が変形しないよう、インナー
リード相互間を固定するポリイミド等の絶縁性テープ
が、インナーリード３のほぼ中央に貼着される。
ード先端、ダイパッド表面など所望の領域に適宜選択さ
れた金属メッキが施され、さらに半導体装置組立工程の
搬送中にインナーリード３が変形しないよう、インナー
リード相互間を固定するポリイミド等の絶縁性テープ
が、インナーリード３のほぼ中央に貼着される。
【００１８】なお、図面ではメッキ工程およびテーピン
グ工程のみ開示したが、形状加工工程の後で、リードフ
レーム１の内部に滞留する残留応力を除去し位置精度を
向上させるための熱処理工程を経由することを妨げるも
のではなく、さらにメッキ工程やテーピング工程を必須
要件とするものでもない。
グ工程のみ開示したが、形状加工工程の後で、リードフ
レーム１の内部に滞留する残留応力を除去し位置精度を
向上させるための熱処理工程を経由することを妨げるも
のではなく、さらにメッキ工程やテーピング工程を必須
要件とするものでもない。
【００１９】テーピング工程を完了した後、インナーリ
ード先端の連結状態を解放するためには金型装置が用い
られ、連結バー７に沿ってインナーリード３と直交する
ように連結バー７が抜き落とされるが、ここでインナー
リード先端面の表面側には抜きダレが、また裏面側には
抜きバリが発生し、前述したようにワイヤボンディング
工程において、この抜きバリがインナーリード先端をヒ
ートブロック９表面から持ち上げることにより、当接面
積を減少させボンディング不良を引き起こしている。
ード先端の連結状態を解放するためには金型装置が用い
られ、連結バー７に沿ってインナーリード３と直交する
ように連結バー７が抜き落とされるが、ここでインナー
リード先端面の表面側には抜きダレが、また裏面側には
抜きバリが発生し、前述したようにワイヤボンディング
工程において、この抜きバリがインナーリード先端をヒ
ートブロック９表面から持ち上げることにより、当接面
積を減少させボンディング不良を引き起こしている。
【００２０】本願発明では、連結状態を解放するための
金型装置内またはこれと独立して、インナーリード３の
最先端部を押し潰すためのダイセットを準備しており、
ワイヤボンディングに支障のないインナーリード最先端
部を押し潰すことによって、裏面に発生した抜きバリを
押し潰している。
金型装置内またはこれと独立して、インナーリード３の
最先端部を押し潰すためのダイセットを準備しており、
ワイヤボンディングに支障のないインナーリード最先端
部を押し潰すことによって、裏面に発生した抜きバリを
押し潰している。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本願発明によれば、
インナーリード先端の抜きバリが押し潰され、インナー
リード裏面に突出部が存在しないことによって、ワイヤ
ボンディング工程において、インナーリード先端とヒー
トブロック９の当接面積が広がり、インナーリード３に
対するヒートブロック９の加熱効果が減衰することなく
伝導されるため、ボンディング不良が低減され、また半
導体装置の信頼性も向上する。
インナーリード先端の抜きバリが押し潰され、インナー
リード裏面に突出部が存在しないことによって、ワイヤ
ボンディング工程において、インナーリード先端とヒー
トブロック９の当接面積が広がり、インナーリード３に
対するヒートブロック９の加熱効果が減衰することなく
伝導されるため、ボンディング不良が低減され、また半
導体装置の信頼性も向上する。
【００２２】
【図１】本願発明に係るリードフレームを用いたワイヤ
ボンディングの状態を示す。
ボンディングの状態を示す。
【図２】本願発明の一実施例を示すリードフレームの製
造工程を示す。
造工程を示す。
【図３】リードフレームの一般的形状を示す。
【図４】従来製法によるリードフレームを用いたワイヤ
ボンディングの状態を示す。
ボンディングの状態を示す。
１ リードフレーム ２ アウターリード ３ タイバー ４ インナーリード ５ ダイパッド ６ サポートバー ７ 連結バー ８ ボンディングワイヤ ９ ヒートブロック
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子搭載用のダイパッドを取り囲
むように放射状に配置された複数のインナーリードと、
当該インナーリードから延在するアウターリードとを具
備し、スタンピング法によって形状加工するリードフレ
ームの製造方法において、隣接する前記インナーリード
の先端が相互に連結されるように形状加工を行う工程
と、前記インナーリード先端にコイニング加工を施す工
程と、前記インナーリードの連結状態を解放する工程
と、前記インナーリード先端を押し潰す工程を有するこ
とを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項２】 隣接する前記インナーリードの先端が相
互に連結されるように形状加工を行う工程と、前記イン
ナーリード先端にコイニング加工を施す工程と、メッキ
工程または焼鈍工程またはテーピング工程の少なくとも
いずれか一つの工程を経由した後、前記インナーリード
の連結状態を解放する工程と、前記インナーリード先端
を押し潰す工程を有することを特徴とする請求項第１項
記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項３】 少なくともインナーリードの先端部分が
スタンピング法により成形されるリードフレームにおい
て、当該インナーリード表面側のワイヤボンディング領
域よりも先端部に段差が設けられるとともに、インナー
リード裏面に突出部が存在しないことを特徴とするリー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30755893A JP3028173B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30755893A JP3028173B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142661A true JPH07142661A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3028173B2 JP3028173B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17970538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30755893A Expired - Lifetime JP3028173B2 (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3028173B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170034337A (ko) | 2015-09-18 | 2017-03-28 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 리드 프레임 및 리드 프레임의 제조 방법 |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP30755893A patent/JP3028173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170034337A (ko) | 2015-09-18 | 2017-03-28 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 리드 프레임 및 리드 프레임의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3028173B2 (ja) | 2000-04-04 |
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