JPH07142459A - 処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） ［目的］枚葉式処理部とバッチ式処理部との間で一貫し
た連続処理を可能にするとともに、両処理部の間での被
処理基板の移送ないし保管を安全に行う。 ［構成］インタフェース部１６の室内において、ウエハ
受渡し台１７２、ボート受渡し台１７４およびウエハ搬
送アーム１７６と天井１７８との間には第１（左側）上
部空間１８０Ａと第２（右側）上部空間１８０Ｂとが設
けられている。天井１７８の裏側（上側）には、第１上
部空間１８０Ａおよび第２上部空間１８０Ｂの真上の位
置に第１および第２エア供給室１８４，１８６がそれぞ
れ設けられている。第１エア供給室１８４にはファンフ
ィルタ１９０が設けられ、第２エア供給室１８６には高
性能の除湿機能付フィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１
９２が設けられている。第１上部空間１８０Ａと対向す
る床部には、排気用のファン１９４が配設されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス等の製
造工程において枚葉式の処理とバッチ式の処理を一貫し
て行う処理システムに関する。

【０００２】従来より、半導体デバイスの多層配線構造
において層間絶縁膜を形成する際の平坦化技術としてＳ
ＯＧ（Spin On Glass ）塗布法が用いられている。この
平坦化技術は、一般には図３３に示すように、半導体基
板の配線パターン面上にプラズマＣＶＤまたはＴＥＯＳ
によって堆積されたＳｉＯ2 膜を下地として、この下地
の上にＳＯＧを所望の膜厚に塗布し、塗布したＳＯＧ膜
をアニール（焼きしめ）してキュアし、次にエッチバッ
クにより配線付近の凸面を削って平坦面の層間絶縁膜と
するものである。

【０００３】上記のように、ＳＯＧ法では、半導体基板
上にＳＯＧを塗布する塗布処理と、塗布されたＳＯＧ膜
をアニールしてキュアする熱処理の２工程を続けて行
う。ＳＯＧ塗布処理には、塗布膜の均一性の点で有利な
スピンコート法による枚葉式の塗布処理装置が一般に用
いられている。熱処理には、枚葉式のランプ加熱炉が用
いられることもあるが、一般的にはバッチ式の大型炉が
用いられており、最近は半導体ウエハの大口径化に対応
して横型炉よりも縦型炉が主流になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体製造
工程において、被処理基板たとえば半導体ウエハは、カ
セットまたはキャリア等と称される容器に複数枚たとえ
ば２５枚ずつ収容された状態で異なる半導体製造装置間
を移送されることが多い。

【０００５】上記のようなＳＯＧ膜を形成する工程にお
いても、従来は、枚葉式の塗布処理装置とバッチ式の熱
処理装置との間で半導体ウエハはウエハカセットに入れ
られて運搬されていた。塗布処理装置では、搬入された
ウエハカセットから半導体ウエハが１枚ずつ抜き出され
て枚葉式の塗布処理を施された後にウエハカセットへ戻
され、処理済みの半導体ウエハが全部ウエハカセットに
揃ってからウエハカセットが搬出されていた。そして、
塗布処理装置より装置外に搬出されたウエハカセット
は、自動搬送ロボットまたは作業員によって熱処理装置
まで運搬されていた。熱処理装置では、搬入されたウエ
ハカセットからウエハ移し替え機構により半導体ウエハ
が１枚ずつ取り出されてバッチ式熱処理用のウエハボー
トに移し替えられ、熱処理後にウエハボートから該ウエ
ハ移し替え機構により半導体ウエハが１枚ずつ取り出さ
れてウエハカセットに移し替えられ、処理済みの半導体
ウエハを収容したウエハカセットが搬出されていた。

【０００６】しかし、上記のように、枚葉式の処理装置
とバッチ式の処理装置との間で被処理基板をカセットに
入れて移送するシステムでは、両処理装置間での被処理
基板のやりとりに時間がかかり、システム全体のスルー
プット向上が難しいだけでなく、品質管理の面でも問題
があった。たとえば、上記のような従来の層間絶縁膜形
成システムでは、ＳＯＧの吸湿性が高いため、塗布処理
後の半導体ウエハがウエハカセットに入れられて運搬さ
れる間に大気に晒されるとＳＯＧ膜が大気中の水分を吸
収してしまい、熱処理の際にクラックが生じやすいとい
う不具合があった。特に、無機ＳＯＧを用いた場合は、
焼きしめでＳＯＧ膜が収縮して膜厚が薄くなることか
ら、図３４に示すようにＳＯＧ膜を複数回重ね塗りする
方法が採られるが、各ＳＯＧ膜の塗布毎に熱処理を行う
場合に上記の問題が一層顕著に現れていた。

【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、枚葉式処理部とバッチ式処理部との間で一貫し
た連続処理を可能にするとともに、両処理部の間での被
処理基板の移送ないし保管を安全に行ってプロセス安定
性の向上を実現する処理システムを提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の処理システムは、１枚ずつ被処理
基板に第１の処理を施す枚葉式処理部と、前記枚葉式処
理部で前記第１の処理の済んだ前記被処理基板をボート
に多数枚収容した状態で各被処理基板に第２の処理を施
すバッチ式処理部と、前記枚葉式処理部と前記バッチ式
処理部との間で前記被処理基板のやりとりを行うために
設けられ、陽圧状態の下で前記被処理基板の移送または
保管を行うインタフェース部とを有する構成とした。

【０００９】また、本発明の第２の処理システムは、前
記第１の処理システムにおいて、前記インタフェース部
に、除湿された清浄空気を供給して前記陽圧状態を形成
する清浄空気供給手段を設ける構成とした。

【００１０】また、本発明の第３の処理システムは、前
記第１の処理システムにおいて、前記インタフェース部
に、清浄空気供給手段と、前記清浄空気供給手段からの
ダウンフローの清浄空気を排気する排気手段と、開閉可
能な扉と、前記扉が開いた時に前記排気手段の動作を止
める排気制御手段とを設ける構成とした。

【００１１】

【作用】本発明の第１の処理システムでは、枚葉式処理
部とバッチ式処理部とがインタフェース部を介してイン
ラインで接続される。すなわち、枚葉式処理部からの被
処理基板は、１枚ずつインタフェース部に渡され、イン
タフェース部でボートに所定枚数収容されてからバッチ
式処理部へ移される。また、バッチ式処理部からの被処
理基板は、ボートに収容された状態で枚葉式処理部へ渡
され、インタフェース部でボートから１枚ずつ取り出さ
れ１枚ずつ枚葉式処理部へ移される。インタフェース部
において被処理基板は、清浄空気による陽圧状態の下
で、好ましくは第２の処理システムのように清浄空気供
給手段からの除湿された清浄空気による陽圧状態の下
で、移送または保管されるため、水分その他の有害物か
ら保護され、変質したり劣化したりするおそれはない。

【００１２】なお、インタフェース部において清浄空気
のダウンフローを効率的に形成するには、清浄空気供給
手段からの清浄空気を引き込んで排気する排気手段を設
けるのが好ましい。本発明の第３の処理システムでは、
インタフェース部の扉が開けられた場合、排気制御手段
が作動して排気手段の運転を止める。これにより、清浄
空気供給手段からの清浄空気は扉の開いたところから外
へ流出してエアカーテンを形成し、外気ないしパーティ
クルの流入を阻止する。

【００１３】

【実施例】以下、添付図を参照して本発明の実施例を説
明する。

【００１４】図１および図２は、本発明の一実施例によ
る層間絶縁膜形成システムの全体構成を模式的に示す斜
視図および平面図である。

【００１５】この層間絶縁膜形成システムは、被処理基
板たとえば半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数
枚たとえば２５枚（半ロット）単位で外部から該システ
ムに搬入しまたはシステムから搬出するためのカセット
ステーション１０と、１枚ずつ半導体ウエハＷ上にＳＯ
Ｇを塗布する枚葉式の塗布処理部１２と、この塗布処理
部１２で塗布処理の済んだ半導体ウエハＷをウエハボー
トＢＴに多数枚たとえば５０枚（１ロット）装填した状
態で各半導体ウエハＷ上のＳＯＧ膜を一括して同時にア
ニールしてキュアするバッチ式の縦型熱処理部１４と、
該枚葉式の塗布処理部１２と該バッチ式の熱処理部たと
えば縦型熱処理部１４との間で半導体ウエハＷをやりと
り（受け渡し）するためのインタフェース部１６とをイ
ンラインで一列に接続した構成を有している。以下に、
本システムの各部の構成を説明する。

【００１６】カセットステーション１０では、カセット
載置台２０上に複数個たとえば４個までのウエハカセッ
トＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理部側に向けてＹ
方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｙ方向）およ
びウエハカセットＣＲ内に収容されたウエハのウエハ配
列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送アーム２２が
各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようにな
っている。ウエハ搬送アーム２２は、半導体ウエハＷを
カセット内の所定位置に出し入れするためのＸ方向に移
動可能なウエハ保持用ピンセット２２ａと、塗布処理部
１２側のウエハ搬送アーム２４との間で半導体ウエハＷ
を受渡しするためにピンセット２２ａに形成された孔
（図示せず）を通ってＺ方向（上下方向）に昇降移動可
能に構成された複数本たとえば３本のウエハ支持ピン２
２ｂとを備えている。

【００１７】カセットステーション１０に外部から搬送
ロボット等により搬入されたウエハカセットＣＲにウエ
ハ搬送アーム２２がアクセスし、ピンセット２２がその
カセットＣＲから塗布処理前の１枚の半導体ウエハＷを
取り出すと、ウエハ搬送アーム２２は中央部に設置され
た所定のウエハ受渡し位置へ戻り、そこで各ウエハ支持
ピン２２ｂが上昇移動して半導体ウエハＷをピンセット
２２ａよりも高い位置まで持ち上げ、塗布処理部１２側
のウエハ搬送アーム２４が該半導体ウエハＷの周縁部を
把持して受け取るようになっている。

【００１８】なお、カセットステーション１０のウエハ
搬送アーム２２において、ピンセット２２ａがカセット
ＣＲから半導体ウエハＷを出して引き寄せる際に周縁部
分を当接させることによりピンセット上で半導体ウエハ
Ｗの中心合わせ（センタリング）が行われるように構成
されてよい。

【００１９】塗布処理部１２は、その中心部を縦断する
ように設けられたウエハ搬送アーム２４の搬送路２５の
両側に、１枚ずつ半導体ウエハＷにＳＯＧ液を塗布する
枚葉式のＳＯＧ塗布ユニット２６と、ＳＯＧの塗布に先
立って半導体ウエハＷを所定温度に温度調整する温調ユ
ニット２８と、ＳＯＧ塗布の前または後にたとえばＵＶ
（紫外線）光を照射して半導体ウエハＷの表面から有機
物を分解除去する表面浄化ユニット３０と、塗布処理部
１２から搬出されるべき半導体ウエハＷを所定の温度で
加熱してＳＯＧの溶媒を蒸発させて乾燥させるプレベー
ク・ユニット３２（熱板を複数個、多段に積層構成した
もの）とを設けている。

【００２０】図３〜図９につき塗布処理部１２内の各部
の構成を詳細に説明する。

【００２１】図３および図４は、ＳＯＧ塗布ユニット２
６内の構成を模式的に示す側面図および平面図である。
このＳＯＧ塗布ユニット２６は、スピンコート法で半導
体ウエハＷの表面にＳＯＧを塗布する装置であって、有
底円筒状に形成されたカップ３４内で半導体ウエハＷを
スピンチャック３６に真空吸着保持した状態で回転駆動
モータ３８により所定の速度で回転させながら、上方の
ＳＯＧ供給ノズル４０より半導体ウエハＷの表面に塗布
液たとえばＳＯＧ溶液を供給たとえば滴下し、滴下した
ＳＯＧ溶液を遠心力で半径方向に拡散させウエハ表面全
体に均一に塗布するようにしている。

【００２２】図３に示すように、ＳＯＧ塗布ユニット２
６の天井面（少なくともカップ３４の上方の天井面）に
は防塵機能付フィルタたとえばＨＥＰＡフィルタ４４が
取付され、その裏側（上側）にエア導入室４６が設けら
れている。また、ＳＯＧ塗布ユニット２６の床面（少な
くともカップ３４の下方の床面）には通気用の開口４８
が複数個設けられ、各開口４８にファン５０が取付され
ている。エア供給管５２を介してエア導入室４６に導入
された空気は、ＨＥＰＡフィルタ４４より清浄空気のダ
ウンフローとして室内に供給され、床面のファン５０で
室外へ排気されるようになっている。このような清浄空
気のダウンフローにより、カップ３４へ半導体ウエハＷ
に有害なパーティクル等が進入しないようになってい
る。また、ＨＥＰＡフィルタ４４の下にはダウンフロー
の風速を検出するための風速検出器５４が設けられ、こ
の風速検出器５４の出力信号がエア供給部またはファン
５０の制御部にフィードバックされ、ＳＯＧの膜厚を不
均一にしないようダウンフローの風速が適正な値に制御
されている。

【００２３】図５に、カップ３４の具体的構成例を示
す。このカップ３４には、スピンチャック３６の周り
に、カップ外壁面３４ａの上端部に固着された環状の上
部案内板５６とベース部材５８に固定された環状の下部
案内板６０とで囲まれて形成された環状の排液・排気案
内路６２が設けられ、この排液・排気案内路６２の内周
側開口端はスピンチャック３６上に載置される半導体ウ
エハＷの外周端部に面し、外周側開口端はカップ底面の
排出口３４ａに面している。半導体ウエハＷの外周端か
ら外側へ飛散したＳＯＧ溶液は、排液・排気案内路６２
を通って排出口３４ａよりドレイン管４２側に排出され
るようになっている。

【００２４】なお、下部案内板６０の下方には、円筒形
状の仕切板６０ｄを配置し、その下端部はカップ３４の
床面に固着し、上端部は下部案内板６０の下面と僅かな
ギャップを設けるように構成する。そして、この仕切り
板６０ｄとベース部材５８間を上下に仕切る仕切り板６
０ｅを設け、この仕切り板６０ｅに排気管（図示せず）
を接続する。

【００２５】上部案内板５６および下部案内板６０のそ
れぞれの上端部には周回方向に溶媒通路５６ａ，６０ａ
が内設されるとともに、これらの溶媒通路５６ａ，６０
ａと連通する溶媒吐出口またはスリット５６ｂ，６０ｂ
が周回方向に一定の間隔で多数個設けられている。ＳＯ
Ｇの塗布が行われていない休止期間中に、必要に応じて
排液・排気案内路６２に付着しているＳＯＧを流し落と
すために、洗浄液としての溶媒たとえばイソプロピレン
・アルコール（ＩＰＡ）またはシクロヘキサノン液が図
示しない溶媒供給部より各溶媒通路５６ａ，６０ａに供
給され、各溶媒吐出口またはスリット５６ｂ，６０ｂか
ら排液・排気案内路６２の壁面５６ｃ，６０ｃに沿って
溶媒（洗浄液）が流されるようになっている。

【００２６】カップ３４の底面の排出口３４ａとドレイ
ン管４２との接続部にもＳＯＧが付着しやすく、そのま
ま放置しておくと、凝固したＳＯＧによって配管が詰ま
るおそれがある。そこで、このカップ３４では、継手６
４の内側に周回方向の溶媒溜６４ａを設け、この溶媒溜
６４ａに溶媒供給管６６を接続し、図示しない溶媒供給
部より溶媒溜６４ａに溶媒（洗浄液）を供給し、溶媒溜
６４ａより周回方向で均一にあふれ出た溶媒で配管接続
部内を洗浄するようにしている。

【００２７】ベース５８は、正確な加工精度と物理的強
度を要求されることから、アルミニウムまたはステンレ
ス等の金属で作られている。ただし、金属材は上記洗浄
液（特にシクロヘキサノン液）によって腐食しやすいと
いう問題がある。本実施例では、ベース５８の表面をタ
フラム処理して、耐薬性をもたせている。また、エア供
給管５２や各種駆動用のエアシリンダ用のエア配管（図
示せず）等にもテフロン（商標名）チューブ等のフッソ
樹脂材を使用して、耐薬性を持たせている。なお、フッ
ソ樹脂は帯電しやすく、帯電すると、塵芥が付着した
り、スパークを生じるおそれがある。したがって、フッ
ソ樹脂製の配管については、配管の周りに導電性テープ
等を巻いて帯電性を除去ないし低減する。

【００２８】図３および図４に戻り、ＳＯＧ供給ノズル
４０は、ガイド棒７０に図の左右方向に移動可能に支持
された可動アーム７２の先端部に設けられた把持機構
（図示せず）によって把持可能に構成されており、半導
体ウエハＷの上方でウエハの半径方向にスキャンできる
だけでなく、カップ３４の側方に配設されたノズル待機
部７４およびダミーディスペンス部７６へも移動できる
ようになっている。

【００２９】図６に、ノズル待機部７４の構成例を示
す。このノズル待機部７４の溶媒容器７４ａ内にはＩＰ
Ａ等の溶媒が常時一定の液面を保ちながら供給されてお
り、ＳＯＧ供給ノズル４０はノズル先端部４０ａが溶媒
中に浸漬しない状態で溶媒容器７４ａの上面開口を塞ぐ
ようにしてセットされる。これにより、ノズル先端部４
０ａが溶媒容器７４ａ内の溶媒蒸気（雰囲気）中に置か
れることになり、塗布処理が行われない休止期間中にノ
ズル先端部４０ａのＳＯＧ液が凝固することはない。

【００３０】なお、ノズル待機部７４でノズル４０の先
端部４０ａを溶媒の中に浸漬させないようにしているの
は、ノズル先端部４０ａが溶媒中に浸かると凝固したＳ
ＯＧ等が付着してしまい、ノズル先端部４０ａが却って
詰まるおそれがあるためである。このことと関連し、Ｓ
ＯＧ供給ノズル４０のダミーディスペンスはノズル待機
部７４とは別個のダミーディスペンス部７６で行われる
ようになっており、このダミーディスペンス部７６でＳ
ＯＧ供給ノズル４０より排出されたＳＯＧ溶液は配管７
８を通ってドレインタンク（図示せず）へ送られる。

【００３１】ＳＯＧ供給ノズル４０は、ＳＯＧ供給管８
０を介してＳＯＧ供給源（図示せず）に接続されてい
る。ＳＯＧ供給源より供給されるＳＯＧ溶液は保存温度
たとえば−１０゜Ｃから室温付近の温度まで戻されて使
用されているが、均一な膜厚を得るためには適正な一定
温度で半導体ウエハＷに塗布される必要がある。このた
め、ＳＯＧ塗布ユニット２６には、ＳＯＧ溶液を設定温
度でＳＯＧ供給ノズル４０より吐出させるための温調機
構が設けられている。

【００３２】図７に、この温調機構の構成を模式的に示
す。ＳＯＧ供給管８０は、一定温度に管理された温調水
すなわち恒温水が流れる温調水通路８２の中を通ってＳ
ＯＧ供給ノズル４０に接続する。このような二重管構造
により、ＳＯＧ供給管８０内側を流れるＳＯＧ溶液は、
管の外側を流れる恒温水との熱交換により設定温度たと
えば２３．５゜Ｃに温調されるようになっている。

【００３３】図８に、ＳＯＧ供給ノズル４０の具体的構
成例を示す。ＳＯＧ供給管８０はＳＯＧ供給ノズル４０
の中心部に軸方向に貫入され、ＳＯＧ供給管８０の先端
部はノズル先端部４０ａを形成する。温調水通路８２の
中を通って流れてきた温調水（恒温水）は、ノズル上部
の室４０ｂでいったん塞き止められ、この室４０ｂの側
壁に形成された排出口（図示せず）より外へ排出される
ようになっている。ノズル中間部には溶媒導入口４０ｃ
および溶媒導入室４０ｄが設けられており、溶媒導入室
４０ｄはＳＯＧ供給管８０の周りに軸方向に形成された
溶媒通路４０ｅを介して下端部の隙間またはオリフィス
４０ｆに通じている。ＳＯＧ供給ノズル４０がダミーデ
ィスペンス部７６にセットされている状態で、外部の溶
媒供給部（図示せず）よりＩＰＡ等の溶媒が溶媒導入口
４０ｃより溶媒導入室４０ｄ内に導入されると、導入さ
れた溶媒は溶媒通路４０ｅを通って下端部の隙間４０ｆ
より吐出され、ノズル先端部４０ａの外周面に付着して
いるＳＯＧを洗い落とすようになっている。

【００３４】図９は、ＳＯＧ供給部の具体的構成例を示
す。ＳＯＧ供給ノズル４０と三方口弁８６の出口と結ぶ
ＳＯＧ供給管８０には、フィルタ８８、異物検出器９
０、エアオペバルブ９２およびサックバックバルブ９４
が順にＳＯＧ供給ノズル４０に向かって介設されてい
る。三方口弁８６の一方の入口はＳＯＧ供給管８７を介
してＳＯＧ容器８４に接続されている。 ＳＯＧ容器８
４には、ヘリウムガス供給源９６が配管９８，１００を
介して接続されるとともに、窒素ガス供給源１０２が配
管１０４，１０６，１００を介して接続され、溶媒供給
源１０８も配管１１０，１０６，１００を介して接続さ
れている。配管１００は、三方口弁１１２により配管９
８もしくは配管１０６に切り換えられるようになってい
る。配管１０６は、三方口弁１１４により配管１０４も
しくは配管１１０に切り換えられるようになっている。
三方口弁８６の他方の入口に接続されている配管１１２
は、三方口弁１１６により配管１０４もしくは配管１１
０に切り換えられるようになっている。配管９８，１０
４，１１０にはそれぞれフィルタ１１８，１２０，１２
２が介設されている。

【００３５】三方口弁８６，１１２，１１４，１１６は
制御部１２４からの切換制御信号ＳＷ1 〜ＳＷ4 によっ
てそれぞれ切換制御される。エアオペバルブ９２および
サックバックバルブ９４の開閉制御も制御部１２０によ
って行われる。異物検出器９０は、たとえば透明または
半透明な配管で構成されたＳＯＧ供給管８０の外周側に
発光素子と受光素子とを対向配置させてなる光学的セン
サであり、ＳＯＧ溶液中の気泡やパーティクル等を異物
として検出する。異物検出器９０の出力信号は異物検出
回路１２６に入力され、異物検出回路１２６の出力端子
より異物検出信号が制御部１２４に与えられる。ＳＯＧ
容器８４の底部付近の外側には、ＳＯＧ液面を検出する
ためのたとえば静電容量センサからなる液面検出器１２
８が設けられている。

【００３６】かかる構成のＳＯＧ供給部において、定常
時には、配管９８が配管１００に連通し、配管８７が配
管８０に連通するように三方口弁１１２，８６がそれぞ
れ切り換わっている。これにより、ヘリウム供給源９６
からのヘリウムガスがＳＯＧ容器８４へ送られ、そのガ
ス圧でＳＯＧ容器８４よりＳＯＧ溶液がＳＯＧ供給ノズ
ル４０へ給液されるようになっている。ヘリウムガス
は、不活性ガスであり、ＳＯＧ溶液に溶けても液質を劣
化させるおそれはない。

【００３７】ＳＯＧ容器８４内のＳＯＧ溶液が減少して
液面が所定の下限値に達すると、液面検出器１２８より
液面検出信号が出力される。制御部１２４は、この液面
検出器１２８からの液面検出信号に応動して三方口弁１
１２，１１４をそれぞれ配管１０６，１１０側に切り換
え、エアオペバルブ９２およびサックバックバルブ９４
を開ける。また、ＳＯＧ供給ノズル４０をダミーディス
ペンス部７６に移動させる。そうすると、溶媒供給源１
０８からの溶媒たとえばＩＰＡは配管１１０，１０６，
１００、ＳＯＧ容器８４、配管８７，８０を流れてＳＯ
Ｇ供給ノズル４０から吐出される。これによって、配管
とりわけＳＯＧ供給管８７，８０の内壁が洗浄され、Ｓ
ＯＧ供給ノズル４０内部の通路も洗浄される。

【００３８】上記のような配管洗浄が終了した後、制御
部１２４は三方口弁１１４を配管１０４側に切り換え
る。そうすると、窒素ガス供給源１０２からの窒素ガス
が配管１０４，１０６，１００、ＳＯＧ容器８４、配管
８７，８０を通ってＳＯＧ供給ノズル４０から噴出され
る。これによって、それらの配管内が窒素ガスでパージ
される。この窒素ガスによるパージングが済んだ後、制
御部１２４は三方口弁１１２を配管９８側に戻し、今度
はヘリウムガスで上記配管をパージする。このヘリウム
ガスによるパージングの終了後に、空のＳＯＧ容器８４
が満杯のＳＯＧ容器８４と交換される。この容器交換直
後にヘリウムガスの加圧でダミーディスペンスを行っ
て、配管８７，８８およびＳＯＧ供給ノズル４０内をＳ
ＯＧ液で満たす。

【００３９】異物検出器８８がＳＯＧ溶液中に異物を検
出した場合、制御部１２４は三方口弁８６，１１６をそ
れぞれ配管１１２，１１０側に切り換える。これによ
り、異物を含んだＳＯＧ溶液および溶媒供給源１０８か
らの溶媒が、配管１１０，１１２，８０を通ってＳＯＧ
供給ノズル４０から吐出される。これによって、ＳＯＧ
供給管８０の内壁およびＳＯＧ供給ノズル４０内部が溶
媒で洗浄される。この洗浄後に、制御部１２４は三方口
弁１１６を配管１０４側に切り換え、ＳＯＧ供給管８０
の内壁およびＳＯＧ供給ノズル４０内部を窒素ガスでパ
ージする。次に、三方口弁８６をＳＯＧ供給管８７側に
切り換え、ヘリウムガスによる加圧でダミーディスペン
スを行う。

【００４０】図１０および図１１は塗布処理部１２の表
面浄化ユニット３０の構成を示し、図１０はユニット内
部の構成を模式的に示す側面図、図１１はユニット内の
シャッタシートの構成を示す平面図である。

【００４１】図１０に示すように、この表面浄化ユニッ
ト３０において、半導体ウエハＷは円盤形の熱板１３０
上で所定温度たとえば１００゜Ｃ 付近の温度で加熱さ
れながら、真上の紫外線ランプ１３２よりウエハ表面に
紫外線（ＵＶ）光を照射される。熱板１３０には、電源
部１３４からの電力で発熱する発熱体たとえば発熱抵抗
体１３０ａが内蔵されている。また、熱板１３０には、
板面より高い位置でユニット外部の搬送アーム２４と半
導体ウエハＷを受け渡しするための昇降可能な複数のピ
ン（図示せず）がたとえば１２０゜間隔で３本設けられ
ている。紫外線ランプ１３２からの紫外線光は、シャッ
タ装置１３６により所要の時間だけ照射されるようにな
っている。このシャッタ装置１３６は、駆動モータ１３
７に接続された巻き上げローラ１３８と折り返しローラ
１４０との間にガイドローラ１４２，１４４を介して紫
外線ランプ１３２の手前を通るように遮蔽性のシャッタ
シート１４６を巻架させたものであり、図１１に示すよ
うにシャッタシート１４６には紫外線光を通すための開
口１４６ａが形成されている。

【００４２】次に、インタフェース部１６の構成を説明
する。図１および図２において、インタフェース部１６
は、塗布処理部１２と熱処理部１４との間に設けられた
ユニットであり、ユニット室１７内に、塗布処理部１２
との間で半導体ウエハＷを１枚ずつ受渡しするためのウ
エハ受渡し台１７２と、縦型熱処理部１４との間でボー
トＢＴを１本ずつ受渡しするためのボート受渡し台１７
４と、ウエハ受渡し台１７２と各ボートＢＴとの間で半
導体ウエハＷを１枚ずつ移送するためのウエハ搬送アー
ム１７６とを備えている。

【００４３】図１２および図１３はインタフェース部１
６内の全体構成をより詳細に示す側面図および平面図で
あり、図１４はインタフェース部１６内の要部の構成を
示す斜視図である。

【００４４】図１２および図１３に示すように、インタ
フェース部１６の室内において、ウエハ受渡し台１７２
は塗布処理部１２との境目に近接した位置に配置され、
ボート受渡し台１７４は熱処理部１４との境目に近接し
た位置に配置され、ウエハ搬送アーム１７６はウエハ受
渡し台１７２とボート受渡し台１７４との間つまり中間
部に配置されている。

【００４５】これら各部１７２，１７４，１７６と天井
１７８との間には相当の空間１８０が設けられ、この上
部空間１８０は天井１７８から垂直下方に延在する隔壁
１８２（カーテンでもよい）によりボート受渡し台１７
４およびウエハ搬送アーム１７６側の第１（左側）上部
空間１８０Ａとボート受渡し台１７４側の第２（右側）
上部空間１８０Ｂとに分けられている。天井１７８の裏
側（上側）には、第１上部空間１８０Ａおよび第２上部
空間１８０Ｂの真上の位置に第１および第２エア供給室
１８４，１８６がそれぞれ設けられている。

【００４６】第１エア供給室１８４には、室外の空気を
引き込むためのファン１８８と、このファン１８８から
送られてきた空気流をたとえばクラス１０００まで除塵
して第１上部空間１８０Ａに供給するフィルタ１９０が
設けられている。第２エア供給室１８６には、高性能の
除塵機能付フィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１９２が
設けられている。このＵＬＰＡフィルタ１９２は、エア
供給源（図示せず）よりダクト（図示せず）を介して送
られてくる所定の温度に温調された空気を高清浄度たと
えばクラス１００の清浄空気にして、垂直層流のダウン
フローで第２上部空間１８０Ｂに供給する。

【００４７】一方、第１上部空間１８０Ａと対向する床
部には、排気用のファン１９４が配設されている。これ
により、第１上部空間１８０Ａからのダウンフローはそ
のまま垂直に真下のファン１９４へ向かい、第２上部空
間１８０Ｂからのダウンフローはボート受渡し台１７４
上の各ボートＢＴの周囲に集中してを舐めるように（沿
うように、あるいは覆うように）斜めに拡がってファン
１９４へ向かうようになっている。

【００４８】したがって、半導体ウエハＷを比較的長時
間保持または保存するボート受渡し台１７４上のボート
ＢＴは、第２上部空間１８０Ｂからの除湿・乾燥された
清浄度の高いダウンフローの雰囲気中に置かれ、第１上
部空間１８０Ａからの比較的湿度の高いダウンフローに
は当たらないようになっている。したがって、ウエハ表
面に塗布されたＳＯＧ膜が吸湿によって劣化するのを防
止できる。このように高価なＵＬＰＡフィルタ１９２を
天井面１７８の全面にではなくボート受渡し台１７４の
真上に局所的に配設するだけの構造であり、小型・安価
で効率のよいクリーンルームとなっている。そして、エ
ア供給能力を排気能力よりも大に設定しておく。たとえ
ば、供給量１０〜５０ｍ³ ／ｍｉｎ、排気量５〜４５リ
ットル／ｍｉｎ程度とする。

【００４９】上記のように、インタフェース部１６の室
内は、天井から床を抜けて流れる清浄空気のダウンフロ
ーによって微弱な陽圧状態に維持されている。ところ
で、図１４に示すように、この室の両側面には扉１９６
がたとえば観音開き式で開閉可能に取付されている場合
には、ボートＢＴの出し入れや何らかのメンテナンスの
ためにこの扉１９６が開けられた時に、床部のファン１
９４が作動していたならば、外気がファン１９４に吸引
されて入ってきてパーティクルを室内に持ち込むおそれ
がある。

【００５０】この実施例では、扉１９６が閉まっている
か開いているかを検出するためのセンサたとえばリミッ
トスイッチ２００たとえばマグネット式スイッチが床面
の両側縁部に設けられており、扉１９６が開くと、この
リミットスイッチ２００からの出力信号に応動して制御
部（図示せず）がファン１９４の運転を自動的に止める
ようにしている。これによって、上部空間１８０Ａ，１
８０Ｂからの清浄空気のダウンフローは扉１９６の開い
たところから外へ流出してエアカーテンを形成し、外気
ないしパーティルのインタフェース部１６の室内への流
入を阻止するようになっている。

【００５１】なお、上記除湿・乾燥された清浄度の高い
ダウンフローは、循環して使用するように構成してもよ
い。この場合、さらに除湿器（図示せず）を小型のもの
とすることが可能となる。

【００５２】ウエハ搬送アーム１７６において、搬送基
台２０２上には、Ｘ方向（前後方向）に移動可能なピン
セット２０４が取付されている。搬送基台２０２は回転
軸２０６を介して昇降台２０８上にθ方向に回転可能に
取付され、昇降台２０８は垂直支持軸２１０に垂直方向
に昇降移動可能に支持され、垂直支持軸２１０はＹ方向
に横架された２本のガイドレール２１２にガイド部材２
１４を介して同方向に摺動可能に支持されている。ピン
セット２０４をＸ方向に移動させるためのＸ方向駆動部
は、搬送基台２０２に内蔵された駆動モータおよびベル
ト（図示せず）によって構成されている。搬送基台２０
２および回転軸２０６をθ方向に回転移動させるための
回転駆動部は、搬送基台２０２ないし回転軸２０６また
は昇降台２０８に内蔵された駆動モータ（図示せず）に
よって構成されている。昇降台２０８をＺ方向に昇降移
動させるためのＺ方向駆動部は、垂直支持軸２１０の中
に設けられた駆動モータおよびボールスクリュー軸（図
示せず）によって構成されている。垂直支持軸２１０を
Ｙ方向に移動させるＹ方向駆動部は、垂直支持軸２１０
またはガイド部材２１４に接続されたベルトと駆動モー
タ（図示せず）によって構成されている。

【００５３】上記のような駆動機構および支持機構によ
り、ウエハ搬送アーム１７６は、ウエハ受渡し台１７２
と各ボートＢＴとの間でＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向に移動し
て、半導体ウエハＷを１枚ずつ移送できるようになって
いる。また、図１４に示すように、ウエハ搬送アーム１
７６には、ピンセット２０４の基端部から両側に円弧状
に延在するウエハセンタリング用のアーム部材２１６が
設けられるとともに、搬送基台２０２の先端部からＬ字
状に前方に突出するウエハマッピング用の一対のセンサ
アーム２１８，２２０も取付されている。

【００５４】ウエハ受渡し台１７２において、図１４に
示すように、垂直支持板２２２の上端に固定された水平
支持板２２４上に、半導体ウエハＷの裏面を担持するた
めの複数本たとえば３本の支持ピン２２６と、半導体ウ
エハＷの外周縁を保持するための内周側が円弧状に形成
され対向して配置された２個のガイド部材２２８とが固
着されている。水平支持板２２４の中心部には円形の開
口２２４ａが設けられており、この開口２２４ａを通っ
てスピンチャック２３０が昇降移動できるようになって
いる。スピンチャック２３０は、上面て半導体ウエハＷ
を真空吸着することが可能であり、水平支持板２２４の
下側に設けられた駆動モータ２３２の回転駆動軸に結合
されている。

【００５５】図１５および図１６は、ウエハ受渡し台１
７２の構成をより詳細に示す平面図および側面図であ
る。図１６に示すように、駆動モータ２３２は、支持台
２３４に固定されたエアシリンダ２３６のピストン軸２
３６ａに水平支持部材２３８を介して結合され、ピスト
ン軸２３６ａが垂直方向に前進または後退することによ
ってそれと一体に駆動モータ２３２およびスピンチャッ
ク２３０が昇降移動するようになっている。２個のうち
の一方のガイド部材２２８の一端部には半導体ウエハＷ
のオリフラ合わせ用の光学センサ２４０の発光部２４０
Ａが取付されており、その真上には発光部２４０Ａと対
向するように受光部２４２Ｂが図示しないコの字型の形
状をした支持部材に取付されている。

【００５６】図１４に示すように塗布処理部１２側のウ
エハ搬送アーム２４がインタフェース部１６へ来て半導
体ウエハＷ（図１４では図示せず）を水平支持板２２４
の真上に搬送して差し出すと、スピンチャック２３０が
図１６の一点鎖線２３０’で示すように上昇移動して半
導体ウエハＷを受け取る。次いで、スピンチャック２３
０は駆動モータ２３２の駆動で回転して半導体ウエハＷ
を周回方向に回転（自転）させる。そうして、光学セン
サ２４０が半導体ウエハＷのオリフラを検出すると、そ
の位置（時点）からスピンチャック２３０は所定の角度
だけ回転して停止し、半導体ウエハＷは図１５に示すよ
うな位置たとえばオリフラがウエハ搬送アーム１７６側
に向くように位置決めされる。

【００５７】このようにしてオリフラ合わせが行われた
後、スピンチャック２３０は水平支持板２２４より低い
位置まで下降し、半導体ウエハＷを水平支持板２２４上
の支持ピン２２６とガイド部材２２８に支持させてセン
タリングを行う。

【００５８】ウエハ受渡し部１７２から塗布処理部１２
側のウエハ搬送アーム２４へ半導体ウエハＷを渡すとき
は、スピンチャック２３０が上記のように上昇移動して
半導体ウエハＷを受渡し位置の高さまで持ち上げるよう
になっている。また、インタフェース部１６内のウエハ
搬送アーム１７６がウエハ受渡し台１７２から半導体ウ
エハＷを取るときは、ウエハ搬送アーム１７６のピンセ
ット２０４が水平支持板２２４と半導体ウエハＷの裏面
との隙間に進入して半導体ウエハＷを持ち上げるように
なっている。該ウエハ搬送アーム１７６からウエハ受渡
し台１７２に半導体ウエハＷを渡すときは、該ピンセッ
ト２０４が逆の動作を行う。

【００５９】なお、図１４に示すように、塗布処理部１
２側のウエハ搬送アーム２４は半円弧状の形体を有して
おり、そのアーム内周縁部の両端部および中心部の３箇
所に半導体ウエハＷを３点支持するための突設されたウ
エハ支持部材２４ａが取付されている。本実施例では、
半導体ウエハＷと直に接触するこれらのウエハ支持部材
２４ａの支持ピン２４ｂを耐熱性、剛性および加工性に
優れた材質たとえばポリイミドで構成している。したが
って、ウエハ搬送アーム２４が塗布処理部１２内の種々
のユニットに頻繁に出入りしても、半導体ウエハＷを良
好な状態で安全に移送できるようになっている。

【００６０】次に、図１７〜図２４につきインタフェー
ス部１６内のボート受渡し台１７４の構成を詳細に説明
する。図１７および図１８はボート受渡し台１７４の全
体構成を示す正面図および側面図である。図１９および
図２０はボート受渡し台１７４におけるボート載置板上
の各種ピンの配置構成を示す部分平面図である。

【００６１】図１３、図１７および図１８に示すよう
に、このボート受渡し台１７４は、複数本たとえば４本
のボートＢＴをＹ方向一列に等間隔で並べて載置するた
めの底板またはボート載置板２４２と、このボート載置
板２４２の両端から垂直上方に延在する一対の側板２４
４，２４６と、これらの側板２４２，２４６の上端の間
にボート載置板２４２と対向して水平に架設された天板
２４８とを有している。

【００６２】ここで、図２１および図２２につきボート
受渡し台１７４上に載置されるボートＢＴの構成を説明
する。本実施例では、ボート受渡し台１７４に３本まで
のウエハボートＢＴW1〜ＢＴW3と１本のダミーボートＢ
ＴD が載置される。

【００６３】図２１にウエハボートＢＴWiの構成を示
す。ウエハボートＢＴWiは、後述する熱処理部１４側の
ボート搬送アーム３００に把持され得るような円筒状の
基端部２５２と、この円筒状基端部２５２の下部に一体
に形成されたフランジ部２５３と、基端部２５２の上端
に接続された底板２５４と、この底板２５４の後部寄り
の外周縁部に直立して立設された４本のウエハ支持棒２
５６と、これらのウエハ支持棒２５６の上端に冠着され
た天板２５８とから構成されており、ボートの各部つま
り全体が石英ガラスでつくられている。各ウエハ支持棒
２５６の内側面つまりボート中心側の面には、縦方向一
定ピッチで多数のウエハ保持用の溝２５６ａが適当な深
さで形成されている。これら４本のウエハ支持棒２５６
の同一高さに位置する４個のウエハ溝２５６ａにウエハ
周縁部を保持されるようにして１枚の半導体ウエハＷが
挿脱自在にほぼ水平状態で収容される。したがって、各
ウエハボートＢＴWiには、ウエハ支持棒１本当たりのウ
エハ溝２５６ａの個数に相当する枚数だけ半導体ウエハ
Ｗが収容できるようになっている。本実施例では、後述
するように、熱処理部１４で１度に（同時に）熱処理を
受けるべき半導体ウエハＷの枚数の設定値（たとえば２
ロット分の５０枚）よりも所定枚数（たとえば１０枚）
だけ多い枚数（６０枚）のウエハを収容できるようにウ
エハ溝２５６ａの個数が選ばれている。

【００６４】図２２にダミーボートＢＴD の構成を示
す。ダミーボーＢＴD は、短い円筒状脚部と一体形成さ
れた底板２６０と、この底板２６０の両側縁部に直立し
て立設された一対のウエハ支持板２６２と、これらウエ
ハ支持板２６２の上端に冠着された天板２６４と、この
天板２６４の上面に固着された取手２６６とから構成さ
れており、ボートの各部つまり全体がアルミニウムでつ
くられている。各ウエハ支持板２６２の内側面には、縦
方向一定ピッチ（ウエハボートＢＴWiと同じピッチ）で
多数のウエハ保持用の溝２６２ａが適当な深さで形成さ
れている。これら一対のウエハ支持板２６２の同一高さ
に位置する一対のウエハ溝２６２ａにウエハ周縁部を保
持されるようにして１枚のダミーウエハＵが挿脱自在に
ほぼ水平状態で収容される。したがって、ダミーボート
ＢＴD には、ウエハ支持板１枚当たりのウエハ溝２６２
ａの個数に相当する枚数だけダミーウエハＵが収容でき
るようになっている。本実施例において、ダミーボート
ＢＴD におけるウエハ溝２６２ａの個数は、ウエハボー
トＢＴWiにおけるウエハ溝２５６ａと同じ個数に選ばれ
ている。

【００６５】図１７〜図１９に示すように、ウエハ載置
板２４２上には、各ウエハボート載置位置に、ウエハボ
ートＢＴW のフランジ部２５３の下面側を担持するため
の複数本たとえば４本のボート支持ピン２７０が同一円
周上に一定の角度間隔で突設されている。各ボート支持
ピン２７０は石英ガラスからなる。

【００６６】また、ウエハ載置板２４２上には、これら
のボート支持ピン２７０と同じ円周上の所定位置に、ウ
エハボートの周回方向の位置ずれおよび有無を検出する
ための弾力的に沈降可能な一対のセンサピン２７２，２
７４が突設されている。ウエハボートＢＴWiのフランジ
部２５３には、一方のセンサピン２７２の設置位置と対
応する位置（箇所）にピン２７２を通せるほどの切欠２
７３ａが形成されている。ウエハボートＢＴWiが正しい
向きで４本のボート支持ピン２７０に載っているとき
は、図１９に示すように、一方のセンサピン２７２が該
切欠２７３ａに遊嵌して突出したままであるのに対し、
他方のセンサピン２７４はフランジ部２５３の下面で押
圧されて沈降する。ウエハボートＢＴWiが載っていない
ときは、両センサピン２７２，２７４は共に突出したま
まである。ウエハボートＢＴW が載っていても位置が周
回方向にずれているときは、一方のセンサピン２７２が
フランジ部２５３の下面で押圧されて沈降する。このよ
うにして、両センサピン２７２，２７４の突出・沈降状
態のロジックからウエハボートＢＴWiの周回方向の位置
ずれおよび有無を検出することができる。ダミーボート
ＢＴD に対してもウエハ載置板２４２上に同様のセンサ
ピンを設けることが可能である。

【００６７】さらに、ウエハ載置板２４２上には、図１
７〜図２０に示すように、各ウエハボート載置位置より
前方の所定位置にボートの前倒れ（転倒）を防止するた
めのステンレスからなる一対のボート転倒防止ピン２７
６が垂直に立てられている。ダミーボート載置位置より
前方の所定位置にも同様のボート転倒防止ピン２７８が
突設されている（図１７）。

【００６８】上記各ボート転倒防止ピン２７６，２７８
は、ウエハボートＢＴWi、ダミーボートＢＴD が正常に
載置されているときにはボートには接触しておらず、傾
いたときに接触して転倒を防止するように構成されてい
る。

【００６９】図２３は、本実施例におけるウエハボート
ＢＴWiのウエハ収容構造を示す略側面図である。ウエハ
ボートＢＴWiの上端部および下端部の所定枚数たとえば
５枚分のウエハ収容領域は、ダミーウエハＵを常時収容
する常置ダミーウエハ収容領域として設定されている。
これら上下の常置ダミーウエハ収容領域に挟まれた中間
のウエハ５０枚分（２ロット分）のウエハ収容領域は、
被処理基板である半導体ウエハＷを必要に応じて（普通
は搬送ないし保管のために）収容する被処理ウエハ収容
領域として設定されている。これにより、被処理ウエハ
収容領域に収容された半導体ウエハＷは、収容位置に関
係なく全ウエハが均一な環境（特に温度）下に置かれ、
熱処理部１２で均一な処理を施されるようになってい
る。

【００７０】ところで、被処理ウエハ収容領域に収容さ
れた被処理基板としての半導半導体ウエハＷが設定枚数
（５０枚）に満たない場合は、ウエハボートＢＴWiの被
処理ウエハ収容領域に空き場所が生じる。ウエハボート
ＢＴWiがそのような空き場所を持った状態で熱処理部１
４へ運ばれバッチ式の熱処理を受けると、空き場所に隣
接する半導体ウエハＷの周囲温度ないし処理温度が他の
半導体ウエハＷと同じにはならず、均一な処理結果が得
られなくなる。本実施例のインタフェース部１６では、
何らかの原因で被処理ウエハ収容領域に半導体ウエハＷ
の空き（不足分）が生じている場合は、次のようにして
各空き場所にダミーウエハＵを補充収容してから、当該
ウエハボートＢＴWiを熱処理部１４へ渡すようにしてい
る。

【００７１】上記したように、ウエハ搬送アーム１７６
の搬送基台２０２の先端部から一対の触角形センサアー
ム２１８，２２０が突出している（図１４）。これらの
センサアーム２１８，２２０の先端には、互いに対向す
る発光素子２１８ａ、受光素子２２０ａがそれぞれ取付
されている。プログラムで設定された所定の動作フロー
でウエハ搬送アーム１７６は、ボート受渡し台１７４上
のウエハボートＢＴWiの正面まで移動してきて、図２４
および図２５に示すように両センサアーム２１８，２２
０をウエハボートＢＴWi内の半導体ウエハＷの前端部の
両側へ前進させた状態で上昇（または下降）移動（スキ
ャン）し、各ウエハ収容位置において発光素子２１８ａ
からの光線が遮断されるか受光素子２２０ａに到達する
かによって半導体ウエハＷの有無を検出する。

【００７２】このウエハマッピングによって空き場所が
検出されたとき、ウエハ搬送アーム１７６は、Ｙ方向に
移動してダミーボートＢＴD からダミーウエハＵを運ん
できて、その空き場所にダミーウエハＵを入れる。これ
により、ウエハボートＢＴWiは、全ウエハ収容位置に被
処理半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵを収容した満
杯状態でインタフェース部１６から熱処理部１４へ移さ
れる。

【００７３】ウエハ搬送アーム１７６は、ウエハ受渡し
部１７２またはダミーボートＢＴDから被処理半導体ウ
エハＷまたはダミーウエハＵを１枚ずつ運んできてウエ
ハボートＢＴWiの所定のウエハ収容位置に入れる。しか
し、振動やその他の原因で、半導体ウエハＷまたはダミ
ーウエハＵが正しく奥まで入っておらずに、つまりウエ
ハ外周縁部がウエハボートＢＴWiの各ウエハ支持棒２５
６のウエハ保持溝２５６ａに奥までしっかり挿入されず
に、半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵが前方にはみ
出た状態で収容されていることがありうる。このように
前方にはみ出た半導体ウエハＷは、ウエハボートＢＴWi
が熱処理部１４へ移される際に、ウエハボートＢＴWiか
ら脱落するおそれがある。また、ウエハ搬送アーム１７
６で搬出し搬送する際、搬出ミスや搬送ミスを引き起こ
すおそれもある。

【００７４】本実施例のインタフェース部１６には、そ
のようなはみ出た半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵ
を検出し、奥へ押し込む手段が備えられている。

【００７５】図１７および図２０に示すように、ボート
受渡し部１７４において、たとえばボート載置板２４２
には各ボート載置位置の前部に切欠２４２ａが形成され
ており、各切欠２４２ａの真下に発光素子２８０が上向
きに設けられ、各切欠２４２ａの真上には受光素子２８
２が下向きに天板２４８に取付されている。半導体ウエ
ハＷまたはダミーウエハＵがウエハボートＢＴWiまたは
ダミーボートＢＴD のウエハ収容位置に正しく挿入され
ているときは、図２０に示すようにこのウエハの前部
（オリフラ部）が切欠２４２ａの内側に位置するため、
発光素子２８０より垂直上方へ出された光線ＶＬは受光
素子２８２へ届く。しかし、ウエハが前にはみ出ている
ときは、切欠２４２ａが塞がれる。発光素子２８０から
の垂直光線ＶＬは該ウエハによって遮光され、受光素子
２８２へ到達できなくなる。このようにして、各ウエハ
ボートＢＴWiまたはダミーボートＢＴD においていずれ
かの半導体ウエハＷまたはダミーウエハＵがはみ出てい
るか否かが検出される。

【００７６】さらに、図１７および図１８に示すよう
に、ボート受渡し部１７４において、ウエハ載置板２４
２の両端には、ボート正面側の上記切欠２４２ａと対応
する位置で垂直方向に両側板２４４，２４６と平行なセ
ンサ取付板２４５，２４７がそれぞれ立設されており、
これらのセンサ取付板２４５，２４７の内側面には各ボ
ートのウエハ収容位置またはウエハ保持溝のピッチに対
応するピッチで多数の発光素子２８４および受光素子２
８６が１対１の対応関係でそれぞれ縦方向に配列されて
いる。ウエハボートＢＴWiまたはダミーボートＢＴD の
各ウエハ収容位置で半導体ウエハＷまたはダミーウエハ
Ｕが正しく挿入されているときは、図２０に示すように
発光素子２８４からの水平光線ＨＬは該ウエハの前を通
って受光素子２８６へ届く。しかし、ウエハが前にはみ
出ているときは、該水平光線ＨＬがそのウエハによって
遮光され、受光素子２８６へ到達できなくなる。このよ
うにして、各ウエハボートＢＴWiまたはダミーボートＢ
ＴD の各ウエハ収容位置（高さ位置）で半導体ウエハＷ
またはダミーウエハＵがはみ出ているか否かが検出され
る。

【００７７】上記のようにして、ウエハボートＢＴWi
（またはダミーボートＢＴD ）で前にはみ出ている半導
体ウエハＷ（またはダミーウエハＵ）が検出されると、
図２６に示すようにウエハ搬送アーム１７６がピンセッ
ト２０４の基端部に形成された突起部２０４ａでその半
導体ウエハＷi をボートの奥へ自動的に押し込んで、正
しいウエハ収容状態にする。図２６において点線Ｗi'
は、通常（ウエハ搬送時ないしウエハ出し入れ時に）ウ
エハＷi がピンセット２０４上に載る位置を示す。な
お、上記突起部２０４ａで押し込む代わりに、ウエハＷ
をピンセット２０４上に載せて奥へ移動させてもよい。

【００７８】なお、各ボートにおけるウエハのはみ出し
を検出する方法としては、上記のように光学的センサを
ボート受渡し部１７４に取付する方式に代えて、ウエハ
搬送アーム１７６によるマッピング機能を利用する方式
もある。すなわち、図２７に示すように、ウエハ搬送ア
ーム１７６が両センサアーム２１８，２２０の先端部
（光センサ部）をウエハボートＢＴWi（またはダミーボ
ートＢＴD ）に正しく収容されている（はみ出していな
い）半導体ウエハＷの前端部位置より少しだけ前に位置
させた状態で上昇（または下降）移動（スキャン）する
ことにより、各ウエハについてはみ出しているか否かを
検出することが可能である。

【００７９】図２８は、ボート受渡し部１７４における
駆動部の構成を示す一部切欠平面図である。ボート載置
板２４２の裏側（下側）の片隅に固定配置されたステッ
プモータ２９０の回転駆動軸にジョイント２９２を介し
てＹ方向に延在するボールネジ２９４の一端が結合さ
れ、ボールネジ２９４の他端は軸受２９６に軸支されて
いる。ボールネジ２９４にはボールナット部材２９８が
回転方向の移動を規制されて螺合され、このボールナッ
ト部材２９８はたとえばガイドレール３００上に摺動可
能に支持された複数のガイド部材３０２の中の１つを介
してボート載置板２４２に結合されている。これによ
り、スップモータ２９０の回転駆動によってボールネジ
２９４が回転すると、ボールナット部材２９８がＹ方向
に移動し、それと一体にボート載置板２４２も移動する
ようになっている。

【００８０】次に、熱処理部１４の構成を説明する。図
１および図２において、熱処理部１４は、インタフェー
ス部１６に対して塗布処理部１２とは反対側に接続され
たユニット室１５内に、箱型カバー３１０に収容された
円筒状の加熱炉（ファーナス）３１２と、インタフェー
ス部１６のボート受渡し台１７４と加熱炉３１２との間
でウエハボートＢＴW を移すためのボート搬送アーム３
１４とを備えている。インタフェース部１６のボート受
渡し部１７４と近接するユニット室１５の壁の所定位置
に、ウエハボートＢＴW が通れるほどの開口またはボー
トゲート１５ａが形成されている。このボートゲートａ
には、開閉扉（図示せず）が取付されてもよい。

【００８１】図２９は、熱処理部１４の内部の構成を示
す側面図である。この熱処理部１４は電熱ヒータ式の縦
型熱処理装置であり、ユニット筐体１５の上部室に縦型
の加熱炉３１２が配設されている。ユニット筐体１５の
下部はボート移載室であり、ここにボート搬送アーム３
１４が設けられている。ボート搬送アーム３１４は、ボ
ールネジ３３４に垂直方向（Ｚ方向）において移動可能
に支持され、θ方向に（ＸＹ面内で）自転することがで
き、伸縮自在なボート支持アーム３１６を有している。

【００８２】図３０に、ボート搬送アーム３１４の具体
的構成例を示す。搬送基台３２０に回転駆動部３２２が
θ方向に回転可能に軸着され、回転駆動部３２２の上面
にボート支持アーム３１６がガイドスリット３２２ａに
沿って移動（前進・後退）可能に取付されている。ボー
ト支持アーム３１６の先端部には半円形の開口部または
切欠部を有する二股状のハンド部３２４が設けられ、こ
のハンド部３２４の上面の両先端および開口縁部中心の
３箇所にウエハボートＢＴW の下端フランジ部２５３を
担持するためのピン３２４ａが設けられている。

【００８３】搬送基台３２０は水平支持板３２６の一端
部に固着されており、この水平支持板３２６の他端部の
両面に昇降駆動部３２８のブラケット３２８ａおよびリ
ニアガイド３３０がそれぞれ固着されている。リニアガ
イド３３０は、ユニット室１５の内壁に固定されたガイ
ドレール３３２に垂直方向（Ｚ方向）に摺動可能に支持
されている。昇降駆動部３２８にはボールネジ３３４が
挿通されており、昇降駆動部３２８は内蔵の駆動モー
タ、ギア機構、ボールナット等によりボールネジ３３４
に沿って垂直方向（Ｚ方向）に昇降移動できるようにな
っている。なお、ネジ棒３３４は、図２９に示すように
ボート移載室の天井から床まで垂直に延びている。

【００８４】図３１および図３２は、ボート搬送アーム
３１４がインタフェース部１６のボート受渡し台１７４
から１つのウエハボートＢＴW2をユニット１５内に搬入
して加熱炉３１２へ搬入するときの様子を示す略平面図
である。

【００８５】図３１に示すように、ボート搬送アーム３
１４の回転駆動部３２２がボートゲート１５ａ側を向い
た状態で、ボート支持アーム３２４が前進移動してイン
タフェース部１６のユニット室１７内に進入し、そのハ
ンド部３２４ａがボート載置板２４２上のウエハボート
ＢＴW2の下端フランジ部２５３の下に係合する。次にボ
ート搬送アーム３１４全体がわずかに上昇してウエハボ
ートＢＴW2をボート載置板２４２から少し浮かし、ウエ
ハボートＢＴW2を担持した状態で図の一点鎖線３２４’
で示す位置まで後退移動する。

【００８６】次に、図３２に示すように、ボート搬送ア
ーム３１４の回転駆動部３２２が回転して加熱炉３１２
側へ向きを変え、次いで一点鎖線３２４’で示すように
ボート支持アーム３２４が加熱炉３１２側へ前進移動
し、ウエハボートＢＴW2を加熱炉３１２の真下へ運ぶ
（図２９）。次いで、ボート搬送アーム３１４全体が上
昇移動してウエハボートＢＴW2を持ち上げ、加熱炉３１
２の中へ挿入または装填する。なお、ウエハボートＢＴ
W2と一緒に保温筒３３４も加熱炉３１２内に挿入され、
蓋体３３６で加熱炉３１２の口が塞がれるようになって
いる。

【００８７】加熱処理の終了後、ウエハボートＢＴW2
は、ボート搬送アーム３１４により、上記と逆の動作で
加熱炉３１２から抜き取られ、インタフェース部１４の
ボート受渡し台１７４へ移される。

【００８８】次に、本実施例の層間絶縁膜形成システム
において半導体ウエハＷが処理を受けるときのシステム
全体および各部の動作を説明する。

【００８９】上記のように、カセットステーション１０
では、カセット載置台２０上のいずれかのウエハカセッ
トＣＲから未処理の半導体ウエハＷがウエハ搬送アーム
２２によって１枚取り出され、取り出された半導体ウエ
ハＷはステーション中心部のウエハ受渡し位置で塗布処
理部１２側のウエハ搬送アーム２４へ渡される。

【００９０】塗布処理部１２において半導体ウエハＷ
は、まずウエハ搬送アーム２４によって温調ユニット２
８へ搬入され、そこでたとえば２２゜Ｃ程度の所定の温
度に温調される。温調された半導体ウエハＷは、次にウ
エハ搬送アーム２４によってＳＯＧ塗布ユニット２６へ
移され、そこでスピンコート法によりウエハ表面にＳＯ
Ｇ溶液を所定の膜厚に満遍無く均一に塗布される。次
に、プレベークユニット３２内に搬送され、ＳＯＧ中の
溶媒を蒸発させる。

【００９１】ＳＯＧを塗布された半導体ウエハＷは、次
にウエハ搬送アーム２４によって表面浄化ユニット３０
へ移され、そこで熱板１３０によって加熱されながら、
同時に紫外線ランプ１３２によって紫外線を照射され
る。そうすると、表面浄化ユニット３０内に存在する酸
素Ｏ2 が１８４ｎｍ付近の紫外線波長によってオゾンＯ
3 に変わり、このオゾンＯ3 が次に２５４ｎｍ付近の紫
外線波長によって励起され酸素原子ラジカルＯ＊が生成
される。この酸素原子ラジカルにより、半導体ウエハＷ
に塗布されているＳＯＧ中の有機物ＣL ＨM ＯN が二酸
化炭素ＣＯ2 と水Ｈ2 Ｏとに分解してＳＯＧ膜から除去
される。このようにＳＯＧ膜から有機物が除去される結
果、ＳＯＧ膜の表面が親水化される。

【００９２】上記のようにして表面浄化処理を施された
半導体ウエハＷは、ウエハ搬送アーム２４によってイン
タフェース部１６のウエハ受渡し台１７２へ移送され
る。インタフェース部１６において、半導体ウエハＷ
は、ウエハ受渡し台１７２で位置合わせ（オリフラ合わ
せ）およびセンタリング（中心合わせ）を受けた後、イ
ンタフェース部１６内のウエハ搬送アーム１７６により
ボート受渡し台１７４上のいずれかのウエハボートＢＴ
Wiたとえば第１のウエハボートＢＴW1へ移送され、その
ウエハボートＢＴW1内の所定のウエハ収容位置に収容さ
れる。

【００９３】上記のような塗布処理部１２における一連
の塗布工程とインタフェース部１６におけるウエハ受渡
し台１７２からウエハボートＢＴW1への移送工程とが繰
り返され、このウエハボートＢＴW1にはＳＯＧ膜塗布済
みの半導体ウエハＷが順次多段に積み重なるようにして
収容される。

【００９４】そして、第１のウエハボートＢＴW1に処理
用の半導体ウエハＷおよびダミーウエハＵが満杯に収容
されると、つまり１ロット分（５０枚）の被処理半導体
ウエハＷおよび１０枚のダミーウエハＵが収容される
と、ウエハ受渡し台１７２がＹ方向に移動して、第１の
ウエハボートＢＴWiがボートゲート１５ａ前のボート受
渡し位置へ移され、ここから熱処理部１４側のボート搬
送アーム３１４により熱処理部１４のユニット室１５内
へ搬入され、上記のようにして加熱炉３１２の中へ装填
される。加熱炉３１２では、炉に装填されたウエハボー
トＢＴW1内の１ロット分の被処理半導体ウエハＷが所定
の加熱温度たとえば４００〜４５０゜Ｃで同時にアニー
ルされ、各々のＳＯＧ膜がキュアされる。

【００９５】このようにして加熱部１４において第１の
ウエハボートＢＴW1内の１ロット分の被処理半導体ウエ
ハＷがバッチ式の加熱処理を受けている間、塗布処理部
１２においては別の１ロット分の半導体ウエハＷが枚葉
式で１枚ずつＳＯＧ塗布処理を施され、ＳＯＧ塗布処理
の済んだ各半導体ウエハＷがインタフェース部１６に在
る第２のウエハボートＢＴW2に順次多段に収容される。
これにより、加熱部１４側で加熱処理の済んだ第１のウ
エハボートＢＴW1がインタフェース部１６のボート受渡
し台１７４へ戻された時には、第２のウエハボートＢＴ
W2にはＳＯＧ塗布処理の済んだ被処理半導体ウエハＷが
満杯（１ロット分）収容されている。

【００９６】この第２のウエハボートＢＴW2がインタフ
ェース部１６から加熱部１４へ移されバッチ式の加熱処
理が行われる間、第１のウエハボートＢＴW1から加熱処
理の済んだ半導体ウエハＷが１枚ずつウエハ搬送アーム
１７６によってウエハ受渡し台１７２へ移され、ウエハ
受渡し台１７２で塗布処理部１２側のウエハ搬送アーム
２４へ渡される。

【００９７】半導体ウエハＷに一回塗りでＳＯＧ膜を塗
布する場合、塗布処理部１２側のウエハ搬送アーム２４
へ渡された半導体ウエハＷは、カセットステーション１
０へ戻される。また、このような処理済みの半導体ウエ
ハＷのカセットステーション１０への回収と並行して１
ロット分の次の未処理の半導体ウエハＷが塗布処理部１
２で順次枚葉式でＳＯＧ膜を塗布され、塗布後にインタ
フェース部１６内の第３のウエハボートＢＴW3に収容さ
れる。

【００９８】また、半導体ウエハＷに複数回塗りでＳＯ
Ｇ膜を塗布する場合、１回目の処理が終了して塗布処理
部１２側のウエハ搬送アーム２４へ渡された半導体ウエ
ハＷは、塗布処理部１２内で１回目の塗布工程と同様の
塗布処理を繰り返し施され、再びインタフェース部１６
でウエハボートＢＴWiに入れられて熱処理部１４へ送ら
れる。この場合、塗布処理部１２では、前回塗布された
ＳＯＧ膜を下地としてその上に新たなＳＯＧ膜が塗布さ
れるため、その下地膜の親水性をよくするように、新た
なＳＯＧ膜の塗布に先立って、正確には温調ユニット２
２で温度調整するに先立って、表面浄化ユニット３０で
加熱・紫外線照射により下地ＳＯＧ膜から有機物を除去
するようにしてもよい。なお、上記複数回塗布の場合、
塗布処理部１２でＳＯＧ膜を複数回塗布形成した後に熱
処理部１４にて熱処理するように動作させるようにして
もよい。

【００９９】このように、本実施例の層間絶縁膜形成シ
ステムでは、半導体ウエハＷに１枚ずつＳＯＧを塗布す
る枚葉式の塗布処理部１２がインタフェース部１６のウ
エハ受渡し台１７２に接続されるとともに、塗布処理部
１２でＳＯＧ膜を塗布された半導体ウエハＷをウエハボ
ートＢＴW に多数枚収容した状態で各半導体ウエハＷ上
のＳＯＧ膜を同時にアニールしてキュアするバッチ式の
熱処理部１４がインタフェース部１６のボート受渡し台
１７４に接続され、インタフェース部１６内ではウエハ
受渡し台１７２とボート受渡し台１７４との間でウエハ
搬送アーム１７６により半導体ウエハＷが１枚ずつ移送
されるようになっている。

【０１００】このようなインタフェース機構によれば、
枚葉式の塗布処理部１２とバッチ式の熱処理部１４とが
インライン化され、両者の間で半導体ウエハＷを処理装
置外の大気に晒すことなく迅速に自在にやりとりするこ
とが可能であり、１回塗りでＳＯＧ膜を形成する場合は
もちろんのこと、多数回塗りでＳＯＧ膜を形成する場合
でもＳＯＧ塗布工程と熱処理工程の一貫した連続処理を
円滑に効率的に行うことができ、システム全体のスルー
プットを大幅に向上させることができるとともに、移送
または保管中の半導体ウエハＷのＳＯＧ膜を水分の吸収
から保護することが容易であり、熱処理の際にクラック
を生じ難くし、高品質のＳＯＧ膜を形成することができ
る。

【０１０１】なお、上記した実施例では、熱処理部１４
が縦型の加熱炉３１２を用いる縦型熱処理装置として構
成されていたが、横型加熱炉を用いる横型加熱炉として
構成いてもよい。塗布処理部１２内の各種ユニット構成
も任意に変形・変更することが可能である。インタェー
ス部１６内のウエハ受渡し台１７２、ウエハ搬送アーム
１７６およびボート受渡し台１７４の形状・構造も任意
に変形・変更することが可能である。また、上記した実
施例は半導体デバイス製造における層間絶縁膜形成シス
テムに係るものであったが、本発明は枚葉式の処理装置
とバッチ式の処理装置との間で一貫した連続処理を行う
任意の処理システムに適用可能である。

【０１０２】さらに、インタフェース部１６内の清浄な
ダウンフローを供給する機構は、たとえばカセットステ
ーション１０内の空調機構として使用してもよい。この
場合は、清浄な半導体ウエハを塗布処理部１２に渡すこ
とが可能であり、また、ＳＯＧ塗布・熱処理が終了した
半導体ウエハを清浄な状態で外部の他の処理装置へ渡す
ことが可能である。

【０１０３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理シス
テムによれば、枚葉式処理部とバッチ式処理部とをイン
タフェース部で接続し、このインタフェース部に該枚葉
式処理部との間で被処理基板を受渡しするための被処理
基板受渡し手段と、該バッチ式処理部との間で被処理基
板を収容するボートを受渡しするためのボート受渡し手
段と、該被処理基板受渡し手段と該ボートとの間で被処
理基板を１枚ずつ移送するための被処理基板移送手段を
備える構成としたので、枚葉式処理部とバッチ式処理部
とをインライン化して一貫した連続処理を行うことがで
き、スループットの向上およびプロセス安定性の向上を
実現することができる。さらに、ＳＯＧを複数回塗布す
る場合に、装置外の大気に被処理基板を晒すことなく塗
布〜熱処理を一貫して実施可能となるので、高品質のＳ
ＯＧ膜を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるＳＯＧ膜形成システム
の全体構造を模式的に示す斜視図である。

【図２】実施例によるＳＯＧ膜形成システムの全体構造
を模式的に示す平面図である。

【図３】実施例のＳＯＧ膜形成システムの塗布処理部の
全体構成を模式的に示す側面図である。

【図４】実施例のＳＯＧ膜形成システムの塗布処理部の
全体構成を模式的に示す側面図である。

【図５】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるカップの具体的構成例を示す部分断面図である。

【図６】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるノズル待機部の具体的構成例を示す部分断面図であ
る。

【図７】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるＳＯＧ温調機構の構成を模式的に示す斜視図であ
る。

【図８】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるＳＯＧ供給ノズルの具体的構成例を示す縦断面図で
ある。

【図９】実施例の塗布処理部のＳＯＧ塗布ユニットにお
けるＳＯＧ供給部の構成例を示す配管図である。

【図１０】実施例の塗布処理部の乾燥ユニット内の要部
の構成を示す斜視図である。

【図１１】実施例の塗布処理部の乾燥ユニットにおける
シャッタシートの構成を示す平面図である。

【図１２】実施例のインタフェース部の内部の全体構成
を示す側面図である。

【図１３】実施例のインタフェース部の内部の全体構成
を示す平面図である。

【図１４】実施例のインタフェース部の内部の要部の構
成を示す斜視図である。

【図１５】実施例のインタフェース部におけるウエハ受
渡し台の構成を示す略平面図である。

【図１６】実施例のインタフェース部におけるウエハ受
渡し台の構成を示す略側面図である。

【図１７】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台の構成を示す略正面図である。

【図１８】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台の構成を示す略側面図である。

【図１９】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台のボート載置板上のピン配置構成を示す略平面図
である。

【図２０】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台のボート載置板上のピン配置構成を示す別の略平
面図である。

【図２１】実施例におけるウエハボートの構成を示す図
である。

【図２２】実施例におけるダミーボートの構成を示す図
である。

【図２３】実施例におけるウエハボートのウエハ収容構
造を示す略側面図である。

【図２４】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームがウエハボート内のウエハをマッピングすると
きの様子を示す略側面図である。

【図２５】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームがウエハボート内のウエハをマッピングすると
きの様子を示す略平面図である。

【図２６】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームがウエハボートからはみ出ているウエハを中へ
押し込むときの様子を示す略側面図である。

【図２７】実施例のインタフェース部においてウエハ搬
送アームのマッピング機能を利用してがウエハボートか
らはみ出ているウエハを検出するときの様子を示す略側
面図である。

【図２８】実施例のインタフェース部におけるボート受
渡し台の駆動部の構造を示す一部切欠平面図である。

【図２９】実施例の熱処理部の内部の構成を模式的に示
す略側面図である。

【図３０】実施例の熱処理部におけるボート搬送アーム
の具体的構成例を示す斜視図である。

【図３１】実施例の熱処理部においてボート搬送アーム
がウエハボートを加熱炉に移すときの様子を示す略平面
図である。

【図３２】実施例の熱処理部においてボート搬送アーム
がウエハボートを加熱炉に移すときの様子を示す略平面
図である。

【図３３】層間絶縁膜を平坦化するためのＳＯＧ法の工
程を示す図である。

【図３４】ＳＯＧ法においてＳＯＧ膜を複数回塗りした
場合の層間絶縁膜の構造を示す図である。

【符号の説明】

１０ カセットステーション １２ 塗布処理部 １４ 熱処理部 １６ インタフェース部 ２２ カセットステーションのウエハ搬送アーム ２４ 塗布処理部のウエハ搬送アーム ２６ ＳＯＧ塗布ユニット ２８ 温調ユニット ３０ 乾燥ユニット １７２ ウエハ受渡し台 １７４ インタフェース部のウエハ搬送アーム １７６ ボート受渡し台 ３１２ 加熱炉 ３１４ ボート搬送アーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 裕二 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 (72)発明者 川上 恭徳 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １枚ずつ被処理基板に第１の処理を施す
   枚葉式処理部と、 前記枚葉式処理部で前記第１の処理の済んだ前記被処理
   基板をボートに多数枚収容した状態で各被処理基板に第
   ２の処理を施すバッチ式処理部と、 前記枚葉式処理部と前記バッチ式処理部との間で前記被
   処理基板のやりとりを行うために設けられ、陽圧状態の
   下で前記被処理基板の移送または保管を行うインタフェ
   ース部と、 を有する処理システム。
2. 【請求項２】 前記インタフェース部に、除湿された清
   浄空気を供給して前記陽圧状態を形成する清浄空気供給
   手段を設けたこと特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の処理システム。
3. 【請求項３】 前記インタフェース部に、清浄空気供給
   手段と、前記清浄空気供給手段からの清浄空気を排気す
   る排気手段と、開閉可能な扉と、前記扉が開いた時に前
   記排気手段の動作を止める排気制御手段と設けたことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の処理システ
   ム。