JPH07142410A

JPH07142410A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH07142410A
Application number: JP5312666A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Nakahigashi; 孝浩中東; So Kuwabara; 創桑原
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1993-11-18
Filing date: 1993-11-18
Publication date: 1995-06-02

Abstract

(57)【要約】【目的】処理室内における基板処理部付近のプラズマ
の状態、パーティクルの発生状況および基板処理部の汚
れ度合を基板の処理中に目視で確認することができる基
板処理装置を提供する。【構成】真空雰囲気中でプラズマを用いて基板２を処
理する各処理室１６ａ〜１６ｄの壁面部に、各処理室内
の基板処理部付近を撮影するＣＣＤカメラ３０および増
幅型ＣＣＤカメラ３２をそれぞれ設けた。また、各処理
室１６ａ〜１６ｄの壁面部に、各処理室内におけるプラ
ズマ発光のスペクトル強度を測定する分光器３４をそれ
ぞれ設けた。そして、このような各ＣＣＤカメラ３０お
よび各増幅型ＣＣＤカメラ３２で撮影した画像ならびに
各分光器３４で測定したデータを、表示装置に表示させ
るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、真空雰囲気中でプラ
ズマを用いて基板に対して例えばプラズマＣＶＤによる
成膜、高周波スパッタリングによる成膜、プラズマエッ
チング等の処理を施す１以上の処理室を有する基板処理
装置に関し、より具体的には、その各処理室内において
どのような状況で基板が処理されているかを目視で確認
できるようにする手段に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板処理装置の処理室内におけ
るプラズマの状態は、従来は、プラズマ生成用に高周波
電源から処理室内へ供給する高周波電力のピーク値や、
処理室内に設けられたプラズマ生成用の高周波電極にプ
ラズマ生成に伴って発生する自己バイアス電圧で評価し
ていた。

【０００３】また、処理室内に発生するパーティクル
（ゴミ）の発生状況は、従来の装置ではそれを確認する
手段がなく、そのため、処理室内のパーティクルによる
膜剥がれ等を防止するためのメインテナンスは、経験的
時間で決定したり、処理された基板を用いて作るデバイ
スの歩留り低下で時期を決めていた。

【０００４】また、従来の装置では、処理室内の高周波
電極等の汚れ度合を処理中に確認する手段がないため、
定期的に処理室を開けて高周波電極等の汚れ度合等を確
認していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の供給
高周波電力のピーク値や高周波電極の自己バイアス電圧
でプラズマ状態を評価するという手段では、あくまでも
間接的にしかプラズマ状態を評価することができず、本
当のプラズマ状態は分からないという問題がある。

【０００６】また、上記の経験的時間やデバイスの歩留
り低下でメインテナンス時期を決めるという手段では、
装置や処理の異常を早期に発見することができず、かつ
デバイスの歩留りが悪化するという問題がある。

【０００７】また、上記の定期的に処理室を開けて高周
波電極等の汚れ度合を確認するという手段では、処理室
開放に伴うベント（大気圧状態に戻すこと）、再真空排
気、基板加熱部の降温および昇温等に多くの時間がかか
るため、一度開放した処理室を再び処理ができる状態に
戻すのに多くの時間がかかり、装置の稼働率が低下する
という問題がある。

【０００８】そこでこの発明は、処理室内における基板
処理部付近のプラズマの状態、パーティクルの発生状況
および基板処理部の汚れ度合を基板の処理中に目視で確
認することができる基板処理装置を提供することを主た
る目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の基板処理装置は、前記各処理室の壁面部
にそれぞれ設けられていて各処理室内の基板処理部付近
をそれぞれ撮影するＣＣＤカメラと、この各ＣＣＤカメ
ラで撮影した画像を表示する表示装置とを備えることを
特徴とする。

【００１０】また、前記各処理室の壁面部にそれぞれ設
けられていて各処理室内の基板処理部付近をそれぞれ撮
影するものであって、プラズマ発光を除去するフィルタ
を取り付けた増幅型ＣＣＤカメラを更に設け、この各増
幅型ＣＣＤカメラで撮影した画像を前記表示装置に表示
させるようにしても良い。

【００１１】また、前記各処理室の壁面部にそれぞれ設
けられていて各処理室内におけるプラズマ発光のスペク
トル強度を測定する分光器を更に設け、この各分光器で
測定したデータを前記表示装置に表示させるようにして
も良い。

【００１２】

【作用】上記ＣＣＤカメラと表示装置とを設けることに
より、ＣＣＤカメラで各処理室内における基板処理部付
近のプラズマの状態、パーティクルの発生状況および基
板処理部の汚れ度合を撮影し、そしてその画像を表示装
置に表示することができる。それによって、これらの状
況を基板の処理中に目視で確認することができる。

【００１３】また、上記増幅型ＣＣＤカメラを更に設け
ることにより、同増幅型ＣＣＤカメラで、プラズマ発光
を除去してプラズマ近傍におけるパーティクルの発生状
況をより明確に撮影し、そしてその画像を上記表示装置
に表示することができる。それによって、パーティクル
の発生状況を基板の処理中により明確に目視で確認する
ことができる。

【００１４】更に、上記分光器を更に設けることによ
り、分光器で、プラズマ発光のスペクトル強度を測定
し、そしてそのデータを上記表示装置に表示することが
できる。それによって、プラズマの状態を基板の処理中
により明確に目視で確認することができる。

【００１５】

【実施例】図１は、この発明の一実施例に係る基板処理
装置を示す平面図である。図２は、図１の装置をＰ方向
に見た部分的な側面図である。図３は、図１中の線Ａ−
Ａに沿う拡大断面図である。

【００１６】この基板処理装置は、液晶ディスプレイの
薄膜トランジスタ形成等に用いられる、いわゆるマルチ
プロセス装置と呼ばれるものであり、プラズマＣＶＤ装
置の一種である。

【００１７】即ちこの基板処理装置は、基板２の予備加
熱を行う予備加熱室１２ａと、この予備加熱室１２ａに
弁１９を介して隣接されていて基板２の搬送を行うため
の第１の真空搬送室１４ａと、この真空搬送室１４ａに
弁２０、２１をそれぞれ介して隣接されていて基板２の
処理をそれぞれ行う第１および第２の処理室１６ａおよ
び１６ｂと、真空搬送室１４ａに弁２２を介して隣接さ
れていて基板２の搬送を行うための第２の真空搬送室１
４ｂと、この真空搬送室１４ｂに弁２３、２４をそれぞ
れ介して隣接されていて基板２の処理をそれぞれ行う第
３および第４の処理室１６ｃおよび１６ｄと、真空搬送
室１４ｂに弁２５を介して隣接されていて処理後の基板
２の冷却を行う冷却室１２ｂとを備えている。予備加熱
室１２ａおよび冷却室１２ｂと大気中との間には弁１８
および２６がそれぞれ設けられている。

【００１８】各部屋１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂ、
１６ａ〜１６ｄは、図示しない真空排気装置によってそ
れぞれ所定の真空度に真空排気される。

【００１９】予備加熱室１２ａの手前側には、複数枚の
基板２を収納可能なカセット４ａと、このカセット４ａ
から基板２を１枚ずつ水平状態で取り出してそれを垂直
に立てて基板着脱装置８ａに渡す基板搬送ロボット６ａ
と、その基板２をトレイ１０の側面に装着する基板着脱
装置８ａとが設けられている。

【００２０】トレイ１０は、拡大断面を図３に示すよう
に、断面Ｕ字状をしており、その両外側の側面に基板２
を１枚ずつ装着可能である。このように基板２を２枚装
着可能にしたのは、一度に２枚の基板２を処理可能にし
てスループットを高めるためである。

【００２１】冷却室１２ｂの手前側には、トレイ１０か
ら基板２を取り外す基板着脱装着８ｂと、複数枚の基板
２を収納可能なカセット４ｂと、基板着脱装置８ｂから
基板２を１枚ずつ垂直状態で受け取ってそれを水平状態
にしてカセット４ｂ内へ収納する基板搬送ロボット６ｂ
とが設けられている。

【００２２】基板着脱装置８ａから予備加熱室１２ａ、
真空搬送室１４ａ、１４ｂ、冷却室１２ｂおよび基板着
脱装置８ｂにかけての部分、ならびに、真空搬送室１４
ａと処理室１６ａ、１６ｂ間および真空搬送室１４ｂと
処理室１６ｃ、１６ｄ間には、トレイ１０を搬送するト
レイ搬送機構（図示省略。但し図３のトレイ搬送機構４
０はその一部分を成す）が設けられている。

【００２３】予備加熱室１２ａ内には、トレイ１０上の
基板２を予備加熱するヒータ（図示省略）が設けられて
いる。またこの例では、この予備加熱室１２ａは、基板
２を大気中から真空搬送室１４ａへ搬送するための真空
予備室を兼ねている。

【００２４】処理室１４ａ内には、図３に示すように、
中央部に天井から吊り下げられたヒータ４４およびその
両外側に多孔の高周波電極４２が１枚ずつ設けられてい
る。このヒータ４４を両側から覆うように、トレイ１０
がトレイ搬送機構４０によって搬入される。このトレイ
１０は電気的に接地されており、それと両高周波電極４
２間に、図示しない高周波電源から高周波電力が供給さ
れる。また、両高周波電極４２とトレイ１０間に、両高
周波電極４２の孔を通して反応ガス４８が供給される。
このような構成によって、処理室１６ａにおいてプラズ
マＣＶＤ装置が形成されている。

【００２５】処理室１６ｂおよび１６ｃ内の構成も処理
室１６ａ内と同じであり、両処理室１６ｂおよび１６ｃ
においてプラズマＣＶＤ装置がそれぞれ形成されてい
る。

【００２６】処理室１６ｄ内の構成も処理室１６ａと同
じであるが、ここでは、反応ガス４８を導入する代わり
にエッチングガスを導入するようにしており、それによ
ってこの処理室１６ｄにおいてプラズマエッチング装置
を形成している。

【００２７】冷却室１２ｂでは、トレイ１０上の基板２
に例えばヘリウム、窒素等のガスを吹き付けて、処理後
の熱い基板２を強制的に冷却するよう構成されている。
またこの例では、この冷却室１２ｂは、基板２を真空搬
送室１４ｂから大気中へ搬送するための真空予備室を兼
ねている。

【００２８】なお、図１中の２８は壁であり、それより
手前側はクリーンルーム内に、向こう側は通用の機械室
内に配置されている。

【００２９】この基板処理装置の全体的な動作例を簡単
に説明すると、まず基板搬送ロボット６ａによってカセ
ット４ａから未処理の基板２を１枚取り出し、それを基
板着脱装置８ａに渡し、それによってトレイ１０の側面
に装着する。これを２回行って、トレイ１０の両側面に
基板２を装着する。

【００３０】次いで、トレイ１０を矢印のように回転さ
せ、予備加熱室１２ａ内へ搬送してそこで基板２の予備
加熱を行い、それが完了したら同トレイ１０を真空搬送
室１４ａ内へ搬送する。

【００３１】次いで、トレイ１０を処理室１６ａ内へ搬
送し、そこで基板２を処理、この例ではプラズマＣＶＤ
法によって基板２の表面に薄膜（例えばＳiＮ_x薄膜）を
形成する。それが完了したら、トレイ１０を一旦真空搬
送室１４ａ内へ戻した後に処理室１６ｂ内へ搬送し、そ
こで基板２を再び処理、この例ではプラズマＣＶＤ法に
よって基板２上に薄膜（例えばａ−Ｓi 薄膜）を形成す
る。

【００３２】それが完了したら、トレイ１０を一旦真空
搬送して１４ａ内へ戻した後、真空搬送室１４ｂ内へ搬
送し、かつ処理室１６ｃ内へ搬送して、そこで基板２を
再度処理、この例ではプラズマＣＶＤ法によって基板２
上に薄膜（例えばＳiＮ_x薄膜）を形成する。

【００３３】それが完了したら、トレイ１０を真空搬送
室１４ｂ内へ戻し、冷却室１２ｂ内へ搬送して基板２の
冷却を行い、更に基板着脱装置８ｂの手前まで搬送す
る。そして、トレイ１０から基板着脱装置８ｂによって
基板２を取り外し、それを基板搬送ロボット６ｂへ渡
し、それによってカセット４ｂ内へ収納する。

【００３４】以降は、上記と同様の動作が適宜繰り返さ
れる。

【００３５】なお、処理室１６ｄは、トレイ１０にパー
ティクルが付着して汚れ度合が大きくなった場合に、そ
れをエッチングによって清掃するのに使用される。

【００３６】次に、各処理室１６ａ〜１６ｄ内をモニタ
する手段について説明すると、この実施例では、各処理
室１６ａ〜１６ｄの側壁上部に窓を設け、そこに、各処
理室内の図３に示した両高周波電極４２間の上半部付近
を横から撮影するＣＣＤカメラ３０をそれぞれ取り付け
ている。

【００３７】また、この実施例では、各処理室１６ａ〜
１６ｄの上壁後部に窓を設け、そこに、各処理室内の図
３に示した両高周波電極４２間の後半部付近を上から撮
影する増幅型ＣＣＤカメラ（以下、ＩＣＣＤカメラとい
う）３２をそれぞれ取り付けている。この各ＩＣＣＤカ
メラ３２には、プラズマ発光を除去するフィルタをそれ
ぞれ取り付けている。

【００３８】更に、この実施例では、各処理室１６ａ〜
１６ｄの上壁前部に窓を設け、そこに、各処理室内にお
けるプラズマ発光のスペクトル強度を測定する分光器３
４をそれぞれ取り付けている。

【００３９】そして、このような各ＣＣＤカメラ３０お
よび各ＩＣＣＤカメラ３２で撮影した画像ならびに各分
光器３４で測定したデータを、この実施例では図５に示
すような表示装置５０のモニタ７０に表示させるように
している。

【００４０】この表示装置５０は、各ＣＣＤカメラ３０
からの画像を処理する画像処理ボード５２ａ、その画像
データを切り換えてバス５８へ送るマルチプレクサ５６
ａ、各ＩＣＣＤカメラ３２からの画像を処理する画像処
理ボード５２ｂ、その画像データを切り換えてバス５８
へ送るマルチプレクサ５６ｂ、各分光器３４からのデー
タをＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ処理ボード５４、そのデータ
を切り換えてバス５８へ送るマルチプレクサ５６ｃ、演
算処理用のＣＰＵ６０、データ格納用のメモリ６２、画
像等の表示用のモニタ７０、このモニタ７０におけるマ
ルチ表示を可能にするマルチ表示ボード６６、およびこ
のモニタ７０の画面部に設けられたタッチセンサーを制
御するタッチセンサー制御ボード６８を備えている。

【００４１】図５は、モニタ７０における表示画面の一
例を示すものであり、この例では、左上にプロセスモニ
タ部７２、左下にトレイ位置モニタ部７４、右上にパー
ティクルモニタ部７６および右下にプラズマモニタ部７
８が割り当てられている。

【００４２】プラズマモニタ部７２には、後述するよう
にして選択された処理室における圧力（真空度）、高周
波（ＲＦ）電力、ガス流量等の処理条件が表示される。

【００４３】トレイ位置モニタ部７４には、図１の装置
の概略構成およびトレイ１０の存在位置が表示される。
トレイ１０は、図１では説明の便宜上四つ図示している
が、実際上は同時に扱うのは二つであり、その位置がセ
ンサーによって検出されてこのトレイ位置モニタ部７４
に表示される。これによって、トレイ１０の位置を目視
確認することができる。また、各処理室１６ａ〜１６ｄ
の表示部分にはタッチセンサー７５がそれぞれ設けられ
ており、対応するタッチセンサー７５に触れることによ
って、目視確認する処理室を択一的に切り換えることが
できる。即ち、どの処理室における処理条件および画像
等をプロセスモニタ部７２、パーティクルモニタ部７６
およびプラズマモニタ部７８に表示させるかを択一的に
切り換えることができる。

【００４４】パーティクルモニタ部７６には、選択され
た処理室内の両高周波電極４２間の部分を前述したＣＣ
Ｄカメラ３０およびＩＣＣＤカメラ３２で撮影した画像
が切り換えて表示される。このＣＣＤカメラ３０とＩＣ
ＣＤカメラ３２との切り換えは、例えばタッチセンサー
やキーボード等を用いて行われる。ＣＣＤカメラ３０を
用いれば、プラズマ４６の状態、高周波電極４２および
トレイ１０の汚れ度合、更にはパーティクルの発生状況
をそのまま見ることができる。ＩＣＣＤカメラ３２は、
ＣＣＤカメラよりも高感度であり、しかもプラズマ発光
除去用のフィルタを取り付けているので、これを用いれ
ば、プラズマ発光を除去して、プラズマ４６中のあるい
はその付近におけるパーティクルの発生状況をより明確
に見ることができる。

【００４５】プラズマモニタ部７８には、選択された処
理室内におけるプラズマ発光のスペクトル強度を前述し
た分光器３４で測定し、そのデータをこの例では主な発
光種ごとの時間経過で表すように処理したデータが表示
される。図５に示したデータは、ａ−Ｓi 成膜時の例で
ある。

【００４６】また、この実施例では、必須ではないが、
図１の装置の天井部に２台のＣＣＤカメラ３６ａおよび
３６ｂを設けて、一方は壁２８の手前側の装置を、他方
は壁２８の奥側の装置を撮影するようにしており、両Ｃ
ＣＤカメラ３６ａ、３６ｂで撮影したこの基板処理装置
全体の画像を、前記モニタ７０に、図５のような表示と
は切り換えて表示させるようにしている。その表示の例
を図６に示す。このようにすると、この基板処理装置の
周りの状況、例えばどこに人がいるか、どの部分を分解
しているか等を目視で確認することができる。上記表示
の切り換えは、例えばタッチセンサーやキーボード等を
用いて行われる。

【００４７】上記のようにＣＣＤカメラ３０と表示装置
５０とを設けることにより、ＣＣＤカメラ３０で撮影し
た各処理室１６ａ〜１６ｄ内における両高周波電極４２
間のプラズマ４６の状態、高周波電極４２およびトレイ
１０の汚れ度合、更にはその付近のパーティクルの発生
状況を、基板２の処理中に目視で確認することができ
る。

【００４８】その結果、装置や処理の異常を早期に発見
することができ、ひいてはデバイスの歩留りを向上させ
ることができる。

【００４９】また、装置のメインテナンスの時期を、従
来のように経験的に決めるのではなく、装置の実状を確
認することによって適切に決定することができるので、
メインテナンスを適切に行うことができ、装置の稼働率
が向上する。また、デバイスの歩留り向上にも寄与す
る。

【００５０】また、上記のようにＩＣＣＤカメラ３２を
更に設けることにより、各処理室１６ａ〜１６ｄ内にお
けるパーティクルの発生状況を基板２の処理中により明
確に目視で確認することができる。その結果、装置や処
理の異常等をより確実に発見することができるようにな
り、デバイスの歩留り向上、メインテナンス時期の適切
化等に一層寄与することができる。

【００５１】更に、上記のように分光器３４を更に設け
ることにより、各処理室１６ａ〜１６ｄ内におけるプラ
ズマ４６の状態を基板２の処理中により明確に目視で確
認することができる。その結果、装置や処理の異常等を
より確実に発見することができるようになり、デバイス
の歩留り向上等に一層寄与することができる。

【００５２】更により具体的な実施例を説明すると、基
板２に３６０×４５０ｍｍ角のガラス基板を用い、図１
の装置の各処理室１６ａ〜１６ｃにおける成膜条件を次
のようにして、プラズマＣＶＤ法によってＳiＮ_x、ａ−
Ｓi およびＳiＮ_xの成膜を行い、ガラス基板上に液晶デ
ィスプレイ用の多数の薄膜トランジスタを形成した。

【００５３】（１）処理室１６ａ形成する膜：ＳiＮ_x 高周波電極：６００×８００ｍｍ高周波電力：２００Ｗ圧膜圧力：０．８Ｔｏｒｒ使用ガス：ＳiＨ₄ ６０ｃｃｍＮＨ₃ ２００ｃｃｍ基板温度：２５０℃

【００５４】（２）処理室１６ｂ形成する膜：ａ−Ｓi 高周波電極：６００×８００ｍｍ高周波電力：１００Ｗ圧膜圧力：０．３５Ｔｏｒｒ使用ガス：ＳiＨ₄ １００ｃｃｍＨ₂ ４００ｃｃｍ基板温度：２３０℃

【００５５】（３）処理室１６ｃ形成する膜：ＳiＮ_x 高周波電極：６００×８００ｍｍ高周波電力：２００Ｗ圧膜圧力：０．８Ｔｏｒｒ使用ガス：ＳiＨ₄ ６０ｃｃｍＮＨ₃ ２００ｃｃｍ基板温度：２５０℃

【００５６】その結果、上記のようなＣＣＤカメラ３
０、ＩＣＣＤカメラ３２、分光器３４および表示装置５
０を設けていない従来の装置では薄膜トランジスタの歩
留り（動作率）が４０％程度であったのが、上記実施例
の装置ではそれを６０％程度に向上させることができ
た。これは、各処理室内の汚れ度合等を目視で確認する
ことができ、メインテナンス時期の適切化や処理の異常
を早期に発見することができる結果によるものである。

【００５７】

【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。

【００５８】請求項１の基板処理装置によれば、ＣＣＤ
カメラで各処理室内における基板処理部付近のプラズマ
の状態、パーティクルの発生状況および基板処理部の汚
れ度合を撮影し、そしてその画像を表示装置に表示する
ことができるので、これらの状況を基板の処理中に目視
で確認することができる。その結果、装置や処理の異常
を早期に発見することができ、ひいてはデバイスの歩留
りを向上させることができる。また、装置のメインテナ
ンスの時期を、従来のように経験的に決めるのではな
く、装置の実状を確認することによって適切に決定する
ことができるので、メインテナンスを適切に行うことが
でき、装置の稼働率が向上する。また、デバイスの歩留
り向上にも寄与する。

【００５９】請求項２の基板処理装置によれば、上記Ｃ
ＣＤカメラに加えて、増幅型ＣＣＤカメラで、プラズマ
発光を除去して、プラズマ近傍におけるパーティクルの
発生状況をより明確に撮影し、そしてその画像を上記表
示装置に表示することができるので、パーティクルの発
生状況を基板の処理中により明確に目視で確認すること
ができる。その結果、装置や処理の異常等をより確実に
発見することができるようになり、デバイスの歩留り向
上、メインテナンス時期の適切化等に一層寄与すること
ができる。

【００６０】請求項３の基板処理装置によれば、上記Ｃ
ＣＤカメラ等に加えて、分光器で、プラズマ発光のスペ
クトル強度を測定し、そしてそのデータを上記表示装置
に表示することができるので、プラズマの状態を基板の
処理中により明確に目視で確認することができる。その
結果、装置や処理の異常等をより確実に発見することが
できるようになり、デバイスの歩留り向上等に一層寄与
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る基板処理装置を示す
平面図である。

【図２】図１の装置をＰ方向に見た部分的な側面図であ
る。

【図３】図１中の線Ａ−Ａに沿う拡大断面図である。

【図４】表示装置の構成例を示すブロック図である。

【図５】モニタに表示される画面の一例を示す図であ
る。

【図６】モニタに表示される画面の他の例を示す図であ
る。

【符号の説明】

２基板１０トレイ１２ａ予備加熱室１２ｂ冷却室１４ａ，１４ｂ真空搬送室１６ａ〜１６ｄ処理室３０ＣＣＤカメラ３２ＩＣＣＤカメラ（増幅型ＣＣＤカメラ）３４分光器４２高周波電極４６プラズマ５０表示装置７０モニタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ２３Ｆ 4/00 Ｆ 8417−4ＫＨ０４Ｎ 5/225 Ｃ 7/18 Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空雰囲気中でプラズマを用いて基板を
処理する１以上の処理室を有する基板処理装置におい
て、前記各処理室の壁面部にそれぞれ設けられていて各
処理室内の基板処理部付近をそれぞれ撮影するＣＣＤカ
メラと、この各ＣＣＤカメラで撮影した画像を表示する
表示装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記各処理室の壁面部にそれぞれ設けら
れていて各処理室内の基板処理部付近をそれぞれ撮影す
るものであって、プラズマ発光を除去するフィルタを取
り付けた増幅型ＣＣＤカメラを更に備え、この各増幅型
ＣＣＤカメラで撮影した画像を前記表示装置に表示させ
るようにした請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記各処理室の壁面部にそれぞれ設けら
れていて各処理室内におけるプラズマ発光のスペクトル
強度を測定する分光器を更に備え、この各分光器で測定
したデータを前記表示装置に表示させるようにした請求
項１または２記載の基板処理装置。