JPH07138785A - 光モジュールパッケージ - Google Patents
光モジュールパッケージInfo
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- JPH07138785A JPH07138785A JP5289217A JP28921793A JPH07138785A JP H07138785 A JPH07138785 A JP H07138785A JP 5289217 A JP5289217 A JP 5289217A JP 28921793 A JP28921793 A JP 28921793A JP H07138785 A JPH07138785 A JP H07138785A
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- optical module
- ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ケース１、ケース蓋２、放熱板４、セラミッ
ク導入端子３とウィンドーとを主構成部品とする光モジ
ュールパッケージであって、セラミック導入端子３の上
に形成された回路部分にメタライズ層、Ｎｉシンター
層、厚さ２μｍ以上のＣｕまたはＡｇを主成分とする中
間めっき層、Ｎｉ下地層およびＡｕめっき層が形成され
ている光モジュールパッケージ。 【効果】 優れたボンディング接合性を有し、信頼性の
高い光モジュールパッケージが得られる
ク導入端子３とウィンドーとを主構成部品とする光モジ
ュールパッケージであって、セラミック導入端子３の上
に形成された回路部分にメタライズ層、Ｎｉシンター
層、厚さ２μｍ以上のＣｕまたはＡｇを主成分とする中
間めっき層、Ｎｉ下地層およびＡｕめっき層が形成され
ている光モジュールパッケージ。 【効果】 優れたボンディング接合性を有し、信頼性の
高い光モジュールパッケージが得られる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバーを用いた光
通信装置等に用いられる、半導体を用いた光モジュール
を構成するパッケージ部材に関する。
通信装置等に用いられる、半導体を用いた光モジュール
を構成するパッケージ部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信装置等に用いられる光モジュール
の一例として、図１にバタフライ型光モジュールパッケ
ージを示す。通常このバタフライ型光モジュールパッケ
ージは主要構成部品として、ケース１、ケース蓋２、セ
ラミック導入端子３、放熱板４とウィンドーとからなっ
ており、このパッケージが密封されている。また図示し
ないウィンドーはウィンドー取り付け筒５の内部に取り
付けられ、該光モジュールパッケージ内部に実装された
発光素子から発生させた光はウィンドーから外部に取り
出される。なお放熱板は使用中に発生する熱を該光モジ
ュールパッケージ外部に逃がす役割をする。
の一例として、図１にバタフライ型光モジュールパッケ
ージを示す。通常このバタフライ型光モジュールパッケ
ージは主要構成部品として、ケース１、ケース蓋２、セ
ラミック導入端子３、放熱板４とウィンドーとからなっ
ており、このパッケージが密封されている。また図示し
ないウィンドーはウィンドー取り付け筒５の内部に取り
付けられ、該光モジュールパッケージ内部に実装された
発光素子から発生させた光はウィンドーから外部に取り
出される。なお放熱板は使用中に発生する熱を該光モジ
ュールパッケージ外部に逃がす役割をする。
【０００３】セラミック導入端子３は絶縁性のセラミッ
クの上にＡｕ等により回路が形成されており、各々の回
路の一方の端部は該光モジュールパッケージの内部に、
他方の端部は外部に位置するように配置されている。そ
して、内部に位置する回路の端部と該光モジュールパッ
ケージ内に実装された発光素子とがボンディングワイヤ
を介して接続され、外部に位置する他方の端部はリード
線と接続されることで、該光モジュールパッケージ外部
のリード線と、内部の発光素子とが電気的に接続され
る。
クの上にＡｕ等により回路が形成されており、各々の回
路の一方の端部は該光モジュールパッケージの内部に、
他方の端部は外部に位置するように配置されている。そ
して、内部に位置する回路の端部と該光モジュールパッ
ケージ内に実装された発光素子とがボンディングワイヤ
を介して接続され、外部に位置する他方の端部はリード
線と接続されることで、該光モジュールパッケージ外部
のリード線と、内部の発光素子とが電気的に接続され
る。
【０００４】通常、ケース１およびケース蓋２にはコバ
ール等が用いられ、放熱板４にはＣｕ−Ｗ合金等が、ウ
ィンドーにはサファイヤ等が用いられる。通常、光モジ
ュールパッケージの組み立ては、ケース１、セラミック
導入端子３、放熱板４をＡｇろう付けによって接合し、
ウィンドーはＡｕ−Ｓｎ合金等の半田材によって半田接
合されて形成される。またウィンドー以外の種々の部品
が該光モジュールパッケージの内部に半田接合によって
実装される。
ール等が用いられ、放熱板４にはＣｕ−Ｗ合金等が、ウ
ィンドーにはサファイヤ等が用いられる。通常、光モジ
ュールパッケージの組み立ては、ケース１、セラミック
導入端子３、放熱板４をＡｇろう付けによって接合し、
ウィンドーはＡｕ−Ｓｎ合金等の半田材によって半田接
合されて形成される。またウィンドー以外の種々の部品
が該光モジュールパッケージの内部に半田接合によって
実装される。
【０００５】上記セラミック導入端子３とケース１等と
の接合は通常Ａｇろう付けによって行われる。この際、
セラミックのままではＡｇろう付けするのが困難である
ので、先ず接合部にメタライズ層を形成する。次いでそ
の上にＮｉをめっきしてからシンター熱処理をする。こ
うして形成したＮｉの層をＮｉシンター層と呼ぶことに
する。一方、該セラミック導入端子上に形成する回路部
分も、先ずセラミック上にメタライズ層が形成され、そ
の上にＮｉシンター層が形成される点では同様である。
従って製造工程上では、上記接合部および上記回路部分
のメタライズ層およびＮｉシンター層は同時に形成され
るのが通常である。
の接合は通常Ａｇろう付けによって行われる。この際、
セラミックのままではＡｇろう付けするのが困難である
ので、先ず接合部にメタライズ層を形成する。次いでそ
の上にＮｉをめっきしてからシンター熱処理をする。こ
うして形成したＮｉの層をＮｉシンター層と呼ぶことに
する。一方、該セラミック導入端子上に形成する回路部
分も、先ずセラミック上にメタライズ層が形成され、そ
の上にＮｉシンター層が形成される点では同様である。
従って製造工程上では、上記接合部および上記回路部分
のメタライズ層およびＮｉシンター層は同時に形成され
るのが通常である。
【０００６】上記セラミック導入端子３の接合部および
上記回路部分にメタライズ層およびＮｉシンター層が形
成されてから、上記ケース１、放熱板４等とＡｇろう付
けによって接合される。そして組み立てた後、全体にＮ
ｉをめっきしてＮｉ下地層を形成してから更に全体にＡ
ｕめっき層が形成される。こうしてセラミック導入端子
３の回路部分では、メタライズ層、Ｎｉシンター層、Ｎ
ｉ下地層およびＡｕめっき層が形成された構造になって
いる。ここで該Ｎｉシンター層の厚さはＡｇろう材の濡
れ性を向上させるためであるから通常１μｍ程度で十分
であり、またＮｉ下地層もＡｕめっき層の密着性を向上
させる観点から通常１μｍ程度で十分であった。従っ
て、該Ｎｉシンター層と該Ｎｉ下地層とを併せても高々
２μｍ程度であった。
上記回路部分にメタライズ層およびＮｉシンター層が形
成されてから、上記ケース１、放熱板４等とＡｇろう付
けによって接合される。そして組み立てた後、全体にＮ
ｉをめっきしてＮｉ下地層を形成してから更に全体にＡ
ｕめっき層が形成される。こうしてセラミック導入端子
３の回路部分では、メタライズ層、Ｎｉシンター層、Ｎ
ｉ下地層およびＡｕめっき層が形成された構造になって
いる。ここで該Ｎｉシンター層の厚さはＡｇろう材の濡
れ性を向上させるためであるから通常１μｍ程度で十分
であり、またＮｉ下地層もＡｕめっき層の密着性を向上
させる観点から通常１μｍ程度で十分であった。従っ
て、該Ｎｉシンター層と該Ｎｉ下地層とを併せても高々
２μｍ程度であった。
【０００７】またウィンドーやその他の光モジュールパ
ッケージ内に実装される各部品は一度に半田接合するの
が難しく段階をおって接合される。従って段階をおって
低融点の半田材が選ばれるため、最終的にはかなり低融
点の半田材が使用されることになる。
ッケージ内に実装される各部品は一度に半田接合するの
が難しく段階をおって接合される。従って段階をおって
低融点の半田材が選ばれるため、最終的にはかなり低融
点の半田材が使用されることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところでボンディング
ワイヤは前記セラミック導入端子のＡｕめっき層にボン
ディングすることで接続されるが、光モジュールパッケ
ージ内に実装される各部品の半田接合には段階をおって
低融点の半田材が使用されるため、ボンディング接続す
る際、前記低融点の半田材が溶解しないように低温で行
う必要がある。従って前記セラミック導入端子を加熱し
ながらボンディングすることができず、ボンディング接
続性が悪い。これに加え、Ａｕ自体の硬度は低いとはい
え、固いセラミック上にメタライズ層、厚さ１μｍ程度
の薄いＮｉシンター層および厚さ１μｍ程度の薄いＮｉ
下地層が介在しているだけで形成されているので、前記
Ａｕめっき層のみかけ上の硬度は高く、更にボンディン
グ接続性が低下していた。
ワイヤは前記セラミック導入端子のＡｕめっき層にボン
ディングすることで接続されるが、光モジュールパッケ
ージ内に実装される各部品の半田接合には段階をおって
低融点の半田材が使用されるため、ボンディング接続す
る際、前記低融点の半田材が溶解しないように低温で行
う必要がある。従って前記セラミック導入端子を加熱し
ながらボンディングすることができず、ボンディング接
続性が悪い。これに加え、Ａｕ自体の硬度は低いとはい
え、固いセラミック上にメタライズ層、厚さ１μｍ程度
の薄いＮｉシンター層および厚さ１μｍ程度の薄いＮｉ
下地層が介在しているだけで形成されているので、前記
Ａｕめっき層のみかけ上の硬度は高く、更にボンディン
グ接続性が低下していた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような従
来技術の問題点に鑑み種々検討の結果なされたもので、
ボンディング接続性が良く、かつ安価な光モジュールパ
ッケージを提供することにある。即ち請求項１記載の発
明は、放熱板、ケース、ケース蓋、セラミック導入端子
とウィンドーとを主要構成部材とし、発光素子が内部に
実装される気密性の光モジュールパッケージであって、
前記セラミック導入端子上の回路部分にメタライズ層お
よびＮｉシンター層が形成され、その上に厚さ２μｍ以
上でＣｕまたはＡｇの内少なくとも一種を主成分とする
中間めっき層が形成され、更にその上にＮｉ下地層およ
びＡｕめっき層が形成されていることを特徴とする光モ
ジュールパッケージである。
来技術の問題点に鑑み種々検討の結果なされたもので、
ボンディング接続性が良く、かつ安価な光モジュールパ
ッケージを提供することにある。即ち請求項１記載の発
明は、放熱板、ケース、ケース蓋、セラミック導入端子
とウィンドーとを主要構成部材とし、発光素子が内部に
実装される気密性の光モジュールパッケージであって、
前記セラミック導入端子上の回路部分にメタライズ層お
よびＮｉシンター層が形成され、その上に厚さ２μｍ以
上でＣｕまたはＡｇの内少なくとも一種を主成分とする
中間めっき層が形成され、更にその上にＮｉ下地層およ
びＡｕめっき層が形成されていることを特徴とする光モ
ジュールパッケージである。
【００１０】請求項２記載の発明は放熱板、ケース、ケ
ース蓋、セラミック導入端子とウィンドーとを主要構成
部材とし、発光素子が内部に実装される気密性の光モジ
ュールパッケージであって、前記セラミック導入端子上
の回路部分にメタライズ層および厚さ６μｍ以上でＮｉ
を主成分とするＮｉめっき層が形成され、更にその上に
Ａｕめっき層が形成されていることを特徴とする光モジ
ュールパッケージである。
ース蓋、セラミック導入端子とウィンドーとを主要構成
部材とし、発光素子が内部に実装される気密性の光モジ
ュールパッケージであって、前記セラミック導入端子上
の回路部分にメタライズ層および厚さ６μｍ以上でＮｉ
を主成分とするＮｉめっき層が形成され、更にその上に
Ａｕめっき層が形成されていることを特徴とする光モジ
ュールパッケージである。
【００１１】
【作用】先ずセラミック導入端子上の、回路部分および
Ａｇろう付けされる接合部分にはメタライズ層が形成さ
れる。次いで該セラミック導入端子にＮｉをめっきした
後シンター処理することで回路部分およびＡｇろう付け
される接合部分にＮｉシンター層が形成されている。請
求項１記載の発明では、前記回路部分のＮｉシンター層
の上に更に厚さ２μｍ以上のＣｕまたはＡｇの内少なく
とも一種を主成分とする中間めっき層とＮｉ下地層とを
介在させてＡｕめっき層が形成されているので、該回路
上のＡｕめっき層の見かけの硬さが低くなっている。こ
れは中間めっき層がＣｕまたはＡｇを主成分としている
ので柔らかく、セラミックの硬さを緩和するからであ
る。こうして前記Ａｕめっき層の厚さが薄くても該Ａｕ
めっき層のみかけ上の硬度は低くなるのである。なお、
該中間めっき層の上にＮｉ下地層を設けているのは、Ａ
ｕめっき層中のＡｕが中間めっき層に拡散することを防
ぐためで、そのＮｉ下地層の厚さは１μｍ程度で十分で
ある。
Ａｇろう付けされる接合部分にはメタライズ層が形成さ
れる。次いで該セラミック導入端子にＮｉをめっきした
後シンター処理することで回路部分およびＡｇろう付け
される接合部分にＮｉシンター層が形成されている。請
求項１記載の発明では、前記回路部分のＮｉシンター層
の上に更に厚さ２μｍ以上のＣｕまたはＡｇの内少なく
とも一種を主成分とする中間めっき層とＮｉ下地層とを
介在させてＡｕめっき層が形成されているので、該回路
上のＡｕめっき層の見かけの硬さが低くなっている。こ
れは中間めっき層がＣｕまたはＡｇを主成分としている
ので柔らかく、セラミックの硬さを緩和するからであ
る。こうして前記Ａｕめっき層の厚さが薄くても該Ａｕ
めっき層のみかけ上の硬度は低くなるのである。なお、
該中間めっき層の上にＮｉ下地層を設けているのは、Ａ
ｕめっき層中のＡｕが中間めっき層に拡散することを防
ぐためで、そのＮｉ下地層の厚さは１μｍ程度で十分で
ある。
【００１２】このように柔らかい中間めっき層が介在し
ているので、見かけ上の硬度が低く、ボンディング接続
性が良いＡｕめっき層が得られる。なお前記中間めっき
層がＣｕまたはＡｇを主成分とするのは、電気伝導率と
融点が高く、硬度が低いためである。また前記中間めっ
き層の厚さが２μｍ以上であるのは、２μｍ未満である
とＡｕめっき層のみかけ上の硬度が十分に低くならず、
ボンディング接続性の向上が十分でないからである。
ているので、見かけ上の硬度が低く、ボンディング接続
性が良いＡｕめっき層が得られる。なお前記中間めっき
層がＣｕまたはＡｇを主成分とするのは、電気伝導率と
融点が高く、硬度が低いためである。また前記中間めっ
き層の厚さが２μｍ以上であるのは、２μｍ未満である
とＡｕめっき層のみかけ上の硬度が十分に低くならず、
ボンディング接続性の向上が十分でないからである。
【００１３】またセラミック導入端子上の回路部分にメ
タライズ層が形成されている点は請求項１記載の発明と
同様であるが、請求項２記載の発明においては、そのメ
タライズ層の上に厚さ６μｍ以上のＮｉを主成分とする
Ｎｉめっき層を介在させて、その上にＡｕめっき層を形
成させている。そしてこのＮｉめっき層がセラミックの
硬さを緩和し、該Ａｕめっき層の見かけの硬度は低くな
る。前記Ｎｉめっき層の厚さを６μｍ以上としているの
は、６μｍ未満であると該Ｎｉめっき層の上に形成させ
たＡｕめっき層の見かけの硬度が十分に低くならず、ボ
ンディング接続性の向上が十分でないからである。
タライズ層が形成されている点は請求項１記載の発明と
同様であるが、請求項２記載の発明においては、そのメ
タライズ層の上に厚さ６μｍ以上のＮｉを主成分とする
Ｎｉめっき層を介在させて、その上にＡｕめっき層を形
成させている。そしてこのＮｉめっき層がセラミックの
硬さを緩和し、該Ａｕめっき層の見かけの硬度は低くな
る。前記Ｎｉめっき層の厚さを６μｍ以上としているの
は、６μｍ未満であると該Ｎｉめっき層の上に形成させ
たＡｕめっき層の見かけの硬度が十分に低くならず、ボ
ンディング接続性の向上が十分でないからである。
【００１４】なお、上記Ｎｉめっき層は、セラミック導
入端子上の回路部分に形成されたメタライズ層の上に形
成されている。製造上はセラミック導入端子上の回路部
分および接合部分に形成されたメタライズ層の上にＮｉ
をめっきしてからシンター処理することでＮｉシンター
層を形成してから、該回路部分にＮｉめっきし、次いで
ケース、放熱板等とＡｇろう付けによって組み立てた
後、全体にＮｉをめっきする方法が実用的である。ここ
ではこうして形成されたＮｉシンター層、その上に新た
にＮｉめっきしためっき層、および組み立てた後にＮｉ
めっきしためっき層を併せてＮｉめっき層と呼ぶことに
する。
入端子上の回路部分に形成されたメタライズ層の上に形
成されている。製造上はセラミック導入端子上の回路部
分および接合部分に形成されたメタライズ層の上にＮｉ
をめっきしてからシンター処理することでＮｉシンター
層を形成してから、該回路部分にＮｉめっきし、次いで
ケース、放熱板等とＡｇろう付けによって組み立てた
後、全体にＮｉをめっきする方法が実用的である。ここ
ではこうして形成されたＮｉシンター層、その上に新た
にＮｉめっきしためっき層、および組み立てた後にＮｉ
めっきしためっき層を併せてＮｉめっき層と呼ぶことに
する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。焼成前のセラミックの成形体の表面にＷペーストを
塗布し、焼成してメタライズ層（回路部分およびＡｇろ
う付け接合部分）を形成した。図３はセラミック導入端
子のセラミック上に形成されたメタライズ部分の一例を
示す説明図であり、図中の黒部分がメタライズ部分であ
る。本実施例ではこのメタライズ部分にセラミック導入
端子を以下のように製造した。
る。焼成前のセラミックの成形体の表面にＷペーストを
塗布し、焼成してメタライズ層（回路部分およびＡｇろ
う付け接合部分）を形成した。図３はセラミック導入端
子のセラミック上に形成されたメタライズ部分の一例を
示す説明図であり、図中の黒部分がメタライズ部分であ
る。本実施例ではこのメタライズ部分にセラミック導入
端子を以下のように製造した。
【００１６】本発明例１および比較例１ 前記メタライズ部分にＮｉをめっきしてからシンター処
理することで厚さ約１μｍ程度のＮｉシンター層を形成
した。該メタライズ部分はＡｇろう付けの接合部分と回
路部分とからなっている。該回路部分に形成されたＮｉ
シンター層の上にＣｕめっきまたはＡｇめっきして中間
めっき層を形成した（中間めっき層の厚さを表１に示
す）。次いで図２に示すように、主要構成部材として、
こうして製造したセラミック導入端子３とケース１、放
熱板４とをＡｇろう付けによって組み立てた。組み立て
後、全体にＮｉめっき（厚さ約１μｍ）およびＡｕめっ
き（厚さ約０．５μｍ）し、該セラミック導入端子上に
Ｎｉ下地層およびＡｕめっき層を形成した。この際、該
セラミック導入端子上以外にもＮｉとＡｕがめっきされ
ている。次いでウィンドーやその他の部品をＡｕ−Ｓｎ
合金等の半田材で接合し、図１に示す光モジュールパッ
ケージ（ケース蓋２未装着）を作製した。
理することで厚さ約１μｍ程度のＮｉシンター層を形成
した。該メタライズ部分はＡｇろう付けの接合部分と回
路部分とからなっている。該回路部分に形成されたＮｉ
シンター層の上にＣｕめっきまたはＡｇめっきして中間
めっき層を形成した（中間めっき層の厚さを表１に示
す）。次いで図２に示すように、主要構成部材として、
こうして製造したセラミック導入端子３とケース１、放
熱板４とをＡｇろう付けによって組み立てた。組み立て
後、全体にＮｉめっき（厚さ約１μｍ）およびＡｕめっ
き（厚さ約０．５μｍ）し、該セラミック導入端子上に
Ｎｉ下地層およびＡｕめっき層を形成した。この際、該
セラミック導入端子上以外にもＮｉとＡｕがめっきされ
ている。次いでウィンドーやその他の部品をＡｕ−Ｓｎ
合金等の半田材で接合し、図１に示す光モジュールパッ
ケージ（ケース蓋２未装着）を作製した。
【００１７】こうして作製した光モジュールパッケージ
（ケース蓋２未装着）の内部側のセラミック導入端子上
の回路部分にボンディングワイヤ（純Ｃｕ）をボンディ
ングして接続した。１個のセラミック導入端子につきボ
ンディング接続した箇所は１０箇所である。次いでボン
ディングワイヤ接続後の光モジュールパッケージ（ケー
ス蓋２未装着）にＪＩＳ Ｃ７０２１ 試験方法Ａ−１
０の条件Ｅによって振動試験を行った（試験数は各本発
明例につき５個である）。この振動試験によって発生し
たボンディングワイヤの断線回数を表１に併記する。
（ケース蓋２未装着）の内部側のセラミック導入端子上
の回路部分にボンディングワイヤ（純Ｃｕ）をボンディ
ングして接続した。１個のセラミック導入端子につきボ
ンディング接続した箇所は１０箇所である。次いでボン
ディングワイヤ接続後の光モジュールパッケージ（ケー
ス蓋２未装着）にＪＩＳ Ｃ７０２１ 試験方法Ａ−１
０の条件Ｅによって振動試験を行った（試験数は各本発
明例につき５個である）。この振動試験によって発生し
たボンディングワイヤの断線回数を表１に併記する。
【００１８】本発明例２および比較例２ 本発明例２では、前記メタライズ部分にＮｉをめっきし
てからシンター処理することで厚さ約１μｍ程度のＮｉ
シンター層を形成し（該メタライズ部分はＡｇろう付け
接合部分と回路部分とからなっている）、該回路部分に
形成されたＮｉシンター層の上に更にＮｉめっきした
（このＮｉめっきによって形成しためっき層の厚さをＮ
ｉめっき層ａの厚さと呼ぶ）。次いで図２に示すよう
に、主要構成部材として、こうして製造したセラミック
導入端子３とケース１、放熱板４とをＡｇろう付けによ
って組み立てた後、全体にＮｉめっきし（このＮｉめっ
きによって形成しためっき層の厚さをＮｉめっき層ｂの
厚さと呼ぶ）、更にＡｕめっき（厚さ約０．５μｍ）し
た。上記Ｎｉシンター層、Ｎｉめっき層ａおよびＮｉめ
っき層ｂの合計をＮｉめっき層と呼び、その厚さを表２
に示す。次いで光モジュールパッケージ（ケース蓋２未
装着）を作製し、振動試験をしたことは本発明例１と同
様で、結果を表２に併記する。
てからシンター処理することで厚さ約１μｍ程度のＮｉ
シンター層を形成し（該メタライズ部分はＡｇろう付け
接合部分と回路部分とからなっている）、該回路部分に
形成されたＮｉシンター層の上に更にＮｉめっきした
（このＮｉめっきによって形成しためっき層の厚さをＮ
ｉめっき層ａの厚さと呼ぶ）。次いで図２に示すよう
に、主要構成部材として、こうして製造したセラミック
導入端子３とケース１、放熱板４とをＡｇろう付けによ
って組み立てた後、全体にＮｉめっきし（このＮｉめっ
きによって形成しためっき層の厚さをＮｉめっき層ｂの
厚さと呼ぶ）、更にＡｕめっき（厚さ約０．５μｍ）し
た。上記Ｎｉシンター層、Ｎｉめっき層ａおよびＮｉめ
っき層ｂの合計をＮｉめっき層と呼び、その厚さを表２
に示す。次いで光モジュールパッケージ（ケース蓋２未
装着）を作製し、振動試験をしたことは本発明例１と同
様で、結果を表２に併記する。
【００１９】従来例 セラミック導入端子上のメタライズ部分にＮｉをめっき
してからシンター処理することで厚さ約１μｍ程度のＮ
ｉシンター層を形成し、次いで該セラミック導入端子と
ケース、放熱板とを組み立て、Ａｇろう付けによって光
モジュールパッケージ（ケース蓋未装着）を作製した。
作製した後、全体にＡｕめっき（厚さ約０．５μｍ）し
た。次いでウィンドーやその他の部品をＡｕ−Ｓｎ合金
等の半田材で接合して光モジュールパッケージ（ケース
蓋は未装着）を作製した。次いで本発明例１と同様の振
動試験をし、断線回数は４回であった。
してからシンター処理することで厚さ約１μｍ程度のＮ
ｉシンター層を形成し、次いで該セラミック導入端子と
ケース、放熱板とを組み立て、Ａｇろう付けによって光
モジュールパッケージ（ケース蓋未装着）を作製した。
作製した後、全体にＡｕめっき（厚さ約０．５μｍ）し
た。次いでウィンドーやその他の部品をＡｕ−Ｓｎ合金
等の半田材で接合して光モジュールパッケージ（ケース
蓋は未装着）を作製した。次いで本発明例１と同様の振
動試験をし、断線回数は４回であった。
【００２０】
【表１】
【表２】
【００２１】表１および表２に示すように、本発明例は
ボンディングワイヤの断線がなく、（従来例では断線回
数は４回であった）、良好なボンディング接続性が得ら
れたことが判る。一方、比較例は何れもボンディングワ
イヤの断線回数が多く、ボンディング接続性が悪かった
ことが判る。なお本発明におけるセラミック導入端子の
製造は、従来例のセラミック導入端子の製造に比べコス
ト的にも余り高価にはならないため、光モジュールパッ
ケージの価格をあまり高めることはない。
ボンディングワイヤの断線がなく、（従来例では断線回
数は４回であった）、良好なボンディング接続性が得ら
れたことが判る。一方、比較例は何れもボンディングワ
イヤの断線回数が多く、ボンディング接続性が悪かった
ことが判る。なお本発明におけるセラミック導入端子の
製造は、従来例のセラミック導入端子の製造に比べコス
ト的にも余り高価にはならないため、光モジュールパッ
ケージの価格をあまり高めることはない。
【００２２】
【発明の効果】このように本発明の光モジュールパッケ
ージは、セラミック導入端子上の回路部分に形成された
Ａｕめっき層の見かけの硬さが低く、優れたボンディン
グ接続性を有するものである上、安価に製造することも
できる等、光モジュールの高性能化に寄与し、著しい工
業上の貢献を奏する。
ージは、セラミック導入端子上の回路部分に形成された
Ａｕめっき層の見かけの硬さが低く、優れたボンディン
グ接続性を有するものである上、安価に製造することも
できる等、光モジュールの高性能化に寄与し、著しい工
業上の貢献を奏する。
【図１】本発明の光モジュールパッケージの一例の外観
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】図１の本発明の光モジュールパッケージのケー
ス蓋が未装着の状態を示す斜視図である。
ス蓋が未装着の状態を示す斜視図である。
【図３】本発明のセラミック導入端子と、その上に形成
されたメタライズ部分の一例を示す正面図と側面図で、
黒部分がメタライズ部分である。
されたメタライズ部分の一例を示す正面図と側面図で、
黒部分がメタライズ部分である。
１ ケース ２ ケース蓋 ３ セラミック導入端子 ４ 放熱板 ５ ウィンドー取り付け筒 ６ ケースリング
Claims (2)
- 【請求項１】 放熱板、ケース、ケース蓋、セラミック
導入端子とウィンドーとを主要構成部材とし、発光素子
が内部に実装される気密性の光モジュールパッケージで
あって、前記セラミック導入端子上の回路部分にメタラ
イズ層およびＮｉシンター層が形成され、その上に厚さ
２μｍ以上でＣｕまたはＡｇの内少なくとも一種を主成
分とする中間めっき層が形成され、更にその上にＮｉ下
地層およびＡｕめっき層が形成されていることを特徴と
する光モジュールパッケージ。 - 【請求項２】 放熱板、ケース、ケース蓋、セラミック
導入端子とウィンドーとを主要構成部材とし、発光素子
が内部に実装される気密性の光モジュールパッケージで
あって、前記セラミック導入端子上の回路部分にメタラ
イズ層および厚さ６μｍ以上でＮｉを主成分とするＮｉ
めっき層が形成され、更にその上にＡｕめっき層が形成
されていることを特徴とする光モジュールパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5289217A JPH07138785A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 光モジュールパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5289217A JPH07138785A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 光モジュールパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138785A true JPH07138785A (ja) | 1995-05-30 |
Family
ID=17740301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5289217A Pending JPH07138785A (ja) | 1993-11-18 | 1993-11-18 | 光モジュールパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07138785A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599034B2 (en) | 2000-09-04 | 2003-07-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sealed airtight container for optical-semiconductors and optical-semiconductors module |
| JP2015188056A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 賀喜能源股▲ふん▼有限公司 | ケイ素基板を有する発光ダイオードと発光ダイオード灯具 |
-
1993
- 1993-11-18 JP JP5289217A patent/JPH07138785A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599034B2 (en) | 2000-09-04 | 2003-07-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Sealed airtight container for optical-semiconductors and optical-semiconductors module |
| KR100454208B1 (ko) * | 2000-09-04 | 2004-10-26 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 광-반도체용 밀폐식 기밀 용기 및 광-반도체 모듈 |
| JP2015188056A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 賀喜能源股▲ふん▼有限公司 | ケイ素基板を有する発光ダイオードと発光ダイオード灯具 |
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