JPH08102639A - 圧電発振器 - Google Patents
圧電発振器Info
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- JPH08102639A JPH08102639A JP7159149A JP15914995A JPH08102639A JP H08102639 A JPH08102639 A JP H08102639A JP 7159149 A JP7159149 A JP 7159149A JP 15914995 A JP15914995 A JP 15914995A JP H08102639 A JPH08102639 A JP H08102639A
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- piezoelectric vibrator
- vibrator
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】【課題】表面実装面積を小さくした上で、半導体素子と
水晶振動子とリードフレームとの間の配線を容易にした
圧電発振器を提供すること 【解決手段】 圧電振動子１と半導体２とを、金属フレ
ーム５に対して表裏の関係で配置する。 半導体２を固着
する金属フレーム５のタブ４を圧電振動子１側へ押し出
す。圧電振動子１のケース体と金属フレーム５のタブ４
とを平行に当接させる。
水晶振動子とリードフレームとの間の配線を容易にした
圧電発振器を提供すること 【解決手段】 圧電振動子１と半導体２とを、金属フレ
ーム５に対して表裏の関係で配置する。 半導体２を固着
する金属フレーム５のタブ４を圧電振動子１側へ押し出
す。圧電振動子１のケース体と金属フレーム５のタブ４
とを平行に当接させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電発振器の構造に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の圧電発振器は、特開昭６ｌ−ｌ９
２０４号公報に記載され、図９に示す様な構造で、圧電
振動子１１と前記圧電振動子１１を電気的に発振させる
半導体１２とこれらを電気的に接続する金属リードとを
樹脂成形していた。ここに使われる圧電振動子１１のケ
ース体、プラグ体は外観面の主な理由から鉛含有量４０
％以下の半田でメッキされ、かつ前記組成の半田で振動
片がプラグ体にハンダ付され、かつ前記組成の半田をシ
ールド材としてプラグ体は、ケースに真空圧入されてい
るものが知られていた。
２０４号公報に記載され、図９に示す様な構造で、圧電
振動子１１と前記圧電振動子１１を電気的に発振させる
半導体１２とこれらを電気的に接続する金属リードとを
樹脂成形していた。ここに使われる圧電振動子１１のケ
ース体、プラグ体は外観面の主な理由から鉛含有量４０
％以下の半田でメッキされ、かつ前記組成の半田で振動
片がプラグ体にハンダ付され、かつ前記組成の半田をシ
ールド材としてプラグ体は、ケースに真空圧入されてい
るものが知られていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では、ＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ）部品として用いる場合、基板への実装時
には、部品全体が２２０〜２６０゜Ｃに達し、鉛含有量
４０％以下の組成の半田では溶融してしまうという基本
的問題点を有し、他に高温エージングにおいて、半田メ
ッキ内から放出されるガスによって圧電振動子の周波数
および等価抵抗値のシフトという特性劣化を生じてい
た。
では、ＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ）部品として用いる場合、基板への実装時
には、部品全体が２２０〜２６０゜Ｃに達し、鉛含有量
４０％以下の組成の半田では溶融してしまうという基本
的問題点を有し、他に高温エージングにおいて、半田メ
ッキ内から放出されるガスによって圧電振動子の周波数
および等価抵抗値のシフトという特性劣化を生じてい
た。
【０００４】そこで本発明は、以上述べた様な問題点を
解決するもので、その目的とするところは、２６０゜Ｃ
以上のＳＭＴ実装対応に耐え得る耐熱性を有し、高温周
波数エージング特性の優れた、圧電発振器を提供すると
ころにある。
解決するもので、その目的とするところは、２６０゜Ｃ
以上のＳＭＴ実装対応に耐え得る耐熱性を有し、高温周
波数エージング特性の優れた、圧電発振器を提供すると
ころにある。
【０００５】
（１）本発明の圧電発振器は、少なくとも圧電振動子と
前記圧電振動子を電気的に発振させる半導体（ＩＣ）と
複数の金属リードとタブとからなる金属リードフレーム
とが樹脂成形された圧電発振器において、前記圧電振動
子が、鉛含有量９０％以上の半田によって、ケース体プ
ラグ体ともメッキされており、かつ前記半田により振動
片が前記プラグ体に半田付されており、かつ前記振動片
が半田付された前記プラグ体が、前記半田を介して前記
ケース体に気密圧入されていることを特徴とする。
前記圧電振動子を電気的に発振させる半導体（ＩＣ）と
複数の金属リードとタブとからなる金属リードフレーム
とが樹脂成形された圧電発振器において、前記圧電振動
子が、鉛含有量９０％以上の半田によって、ケース体プ
ラグ体ともメッキされており、かつ前記半田により振動
片が前記プラグ体に半田付されており、かつ前記振動片
が半田付された前記プラグ体が、前記半田を介して前記
ケース体に気密圧入されていることを特徴とする。
【０００６】（２）本発明の圧電発振器は、前記組成の
半田によリメッキされている前記圧電振動子のリード端
子と、前記金属リードフレームが、前記組成の半田を含
んだ合金層を有して溶接されていることを特徴とする。
半田によリメッキされている前記圧電振動子のリード端
子と、前記金属リードフレームが、前記組成の半田を含
んだ合金層を有して溶接されていることを特徴とする。
【０００７】（３）本発明の圧電発振器は、前記圧電振
動子と前記半導体が、前記金属フレームに対して各々表
裏の関係に配置されており、前記半導体の固着された前
記金属フレームのタブが、前記圧電振動子側へ、前記複
数のリード面と平行に押し出されて、前記圧電振動子の
ケース体と平行に接触し、前記圧電振動子のケース体と
複数の金属リードとの電気的絶縁のクリアランスを確保
していることを特徴とする。
動子と前記半導体が、前記金属フレームに対して各々表
裏の関係に配置されており、前記半導体の固着された前
記金属フレームのタブが、前記圧電振動子側へ、前記複
数のリード面と平行に押し出されて、前記圧電振動子の
ケース体と平行に接触し、前記圧電振動子のケース体と
複数の金属リードとの電気的絶縁のクリアランスを確保
していることを特徴とする。
【０００８】（４）本発明の圧電発振器は、前記圧電振
動片が半田付された前記プラグ体と前記ケース体とを、
半田状熊図の半溶融状態温度内で真空べーキングされ、
圧入されたことを特徴とする。
動片が半田付された前記プラグ体と前記ケース体とを、
半田状熊図の半溶融状態温度内で真空べーキングされ、
圧入されたことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】図１（ａ）は、本発明の実施例における圧電
発振器の斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の断面図、
図２（ａ）は、前記圧電発振器の別の例を示す組立平面
図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の組立断面図、図３は、
前記圧電発振器を構成する圧電振動子の断面図、図４
は、前記圧電振動子の振動片の断面図、図５は、前記圧
電振動子のプラグ体断面図、図６は、前記圧電振動子の
ケース体断面図である。以下実施例の構成について説明
する。まず図４に示される電極膜１０１が蒸着等により
形成された圧電振動片１０２は、図５で示されるプラグ
体の半田メッキ１０３をされたインケーリード１０４側
に、半田１０３で図３に示す様に半田付１０６され、図
６で示される、半田メッキ１０３をされた金属ケース１
０５に、図３で示される半田１０３をシールド材として
気密圧入されている。前記半田１０３は、図７で示され
る半田状態図の鉛（ｐｂ）含有量９０％以上の半田であ
り、溶融温度は２６０゜Ｃ以上となっている。また前記
半田１０３は、メッキ加工によリケース体図６およびプ
ラグ体図５で示されたとおりにメッキされるが、この時
メッキ液内の有機成分が前記半田１０３にまき込まれて
しまうという問題点があり、このまま気密圧入して圧電
振動片１０２を封入してしまうと、高温（常温〜２６０
゜Ｃ間）において等価抵抗値の極端な増大（１００％以
上に達する場合もある）、著しい周波数エージングを生
じ、発振の停止に至ることもある。従って前記プラグ体
図５を前記ケース体図６に真空圧入する際、加熱べーキ
ングを行ない外部に放出させてしまう必要性がある。こ
の時べーキング温度としては図７の共晶線ａｂ、液相線
ａｃ、鉛含有量９０％以上の線で囲われた斜線部内の温
度であり、この状態でべーキング封入することにより十
分有機成分を放出させることが可能である。
発振器の斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の断面図、
図２（ａ）は、前記圧電発振器の別の例を示す組立平面
図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の組立断面図、図３は、
前記圧電発振器を構成する圧電振動子の断面図、図４
は、前記圧電振動子の振動片の断面図、図５は、前記圧
電振動子のプラグ体断面図、図６は、前記圧電振動子の
ケース体断面図である。以下実施例の構成について説明
する。まず図４に示される電極膜１０１が蒸着等により
形成された圧電振動片１０２は、図５で示されるプラグ
体の半田メッキ１０３をされたインケーリード１０４側
に、半田１０３で図３に示す様に半田付１０６され、図
６で示される、半田メッキ１０３をされた金属ケース１
０５に、図３で示される半田１０３をシールド材として
気密圧入されている。前記半田１０３は、図７で示され
る半田状態図の鉛（ｐｂ）含有量９０％以上の半田であ
り、溶融温度は２６０゜Ｃ以上となっている。また前記
半田１０３は、メッキ加工によリケース体図６およびプ
ラグ体図５で示されたとおりにメッキされるが、この時
メッキ液内の有機成分が前記半田１０３にまき込まれて
しまうという問題点があり、このまま気密圧入して圧電
振動片１０２を封入してしまうと、高温（常温〜２６０
゜Ｃ間）において等価抵抗値の極端な増大（１００％以
上に達する場合もある）、著しい周波数エージングを生
じ、発振の停止に至ることもある。従って前記プラグ体
図５を前記ケース体図６に真空圧入する際、加熱べーキ
ングを行ない外部に放出させてしまう必要性がある。こ
の時べーキング温度としては図７の共晶線ａｂ、液相線
ａｃ、鉛含有量９０％以上の線で囲われた斜線部内の温
度であり、この状態でべーキング封入することにより十
分有機成分を放出させることが可能である。
【００１０】これにより等価抵抗値の高温での増加は、
数％以内に収められる。
数％以内に収められる。
【００１１】圧電発振器の構造の第１の実施例として
は、図１（ｂ）で示す様に、以上説明してきた本発明の
実施例で示す圧電振動子１と圧電振勤子１を電気的に発
振させる半導体２が平面的に配置され、金属リード５を
介してワイヤーボンデングによる金属細線９、溶接によ
り半田１０３を含んだ合金層７により圧電振動子１と半
導体２を電気的に接続し発振回路を構成している。さら
に圧電振動子１、半導体２、金属リード５、金属細線９
を含んで樹脂８により形成されている。
は、図１（ｂ）で示す様に、以上説明してきた本発明の
実施例で示す圧電振動子１と圧電振勤子１を電気的に発
振させる半導体２が平面的に配置され、金属リード５を
介してワイヤーボンデングによる金属細線９、溶接によ
り半田１０３を含んだ合金層７により圧電振動子１と半
導体２を電気的に接続し発振回路を構成している。さら
に圧電振動子１、半導体２、金属リード５、金属細線９
を含んで樹脂８により形成されている。
【００１２】圧電発振器の構造の第２の実施例として
は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように前記圧電振動子図
３（図２においては１）と圧電振動子１を電気的に発振
させる半導体２が、金属フレーム３に対して各々表裏の
関係に配置され、半導体２が固着された金属フレーム３
のタブ４が、圧電振動子１側へ押し出されて、圧電振動
子１と平行に接触して、圧電振動子１と複数の金属リー
ド５との電気的絶縁のクリアランスを確保している。こ
れは圧電振動子１と複数の金属リード５との電気的導通
を防止するだけでなく、金属リード５相互間のショート
をも防止している。この構造により、圧電振動子と半導
体を平面方向に配置するのに比べ、平面的には約１／
２、厚み方向では、構成部品の最少合計厚みとなって組
み立てられている。
は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように前記圧電振動子図
３（図２においては１）と圧電振動子１を電気的に発振
させる半導体２が、金属フレーム３に対して各々表裏の
関係に配置され、半導体２が固着された金属フレーム３
のタブ４が、圧電振動子１側へ押し出されて、圧電振動
子１と平行に接触して、圧電振動子１と複数の金属リー
ド５との電気的絶縁のクリアランスを確保している。こ
れは圧電振動子１と複数の金属リード５との電気的導通
を防止するだけでなく、金属リード５相互間のショート
をも防止している。この構造により、圧電振動子と半導
体を平面方向に配置するのに比べ、平面的には約１／
２、厚み方向では、構成部品の最少合計厚みとなって組
み立てられている。
【００１３】さらに圧電振動子１のリード６は、電気的
発振に関係する金属リード５に、図５で示される半田１
０３を含んだ合金層７として溶接されている。本来リー
ド６は、半田メッキを必ずしも必要とするものではない
が、図５で示されるプラグ体に半田メッキ１０３を行な
う際にインナー側１０４と同時にメッキしているので、
半田１０３が付いたままで金属リード５に半田１０３を
含んだ合金層として溶接されている。
発振に関係する金属リード５に、図５で示される半田１
０３を含んだ合金層７として溶接されている。本来リー
ド６は、半田メッキを必ずしも必要とするものではない
が、図５で示されるプラグ体に半田メッキ１０３を行な
う際にインナー側１０４と同時にメッキしているので、
半田１０３が付いたままで金属リード５に半田１０３を
含んだ合金層として溶接されている。
【００１４】最後に圧電振動子１、半導体２、金属リー
ド５およびタブ４を含んで全体が耐熱性樹脂８により成
形されている。
ド５およびタブ４を含んで全体が耐熱性樹脂８により成
形されている。
【００１５】以上により、実施例で説明してきた圧電発
振器の組立図２は、組立の要点となる、振動片１０２の
半田付部１０６、ケース１０５とプラグ体図５の封止部
図３１０３、圧電振動子のリード６と金属リード５との
接続部は、構成部品を含めて全て２６０゜Ｃ以上の耐熱
を有する構成となっている。
振器の組立図２は、組立の要点となる、振動片１０２の
半田付部１０６、ケース１０５とプラグ体図５の封止部
図３１０３、圧電振動子のリード６と金属リード５との
接続部は、構成部品を含めて全て２６０゜Ｃ以上の耐熱
を有する構成となっている。
【００１６】また実施例での全体の形状は、図１に示す
とおりＳＭＴ対応のフラットパッケージのＳＯＰタイプ
であるが、差し部品としてのＤＩＰタイプへの応用も実
施例としてあげられる。
とおりＳＭＴ対応のフラットパッケージのＳＯＰタイプ
であるが、差し部品としてのＤＩＰタイプへの応用も実
施例としてあげられる。
【００１７】またフラットパッケージのＪーＢＥＮＤリ
ードタイプへの応用も実施例としてあげられる。
ードタイプへの応用も実施例としてあげられる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明の圧電発振
器によれば、鉛含有量９０％以上の耐熱性の優れた半田
を圧電振動子のケース体、プラグ体にメッキし、振動片
のマウント材、密封シールド材として用いること及び、
圧電振動子のリードを金属フレームの金属リードに鉛含
有量９０％以上の半田を含んだ合金層として溶接するこ
とにより、２６０゜Ｃ以上の耐熱性に耐え得る圧電発振
器を提供するという効果を有する。
器によれば、鉛含有量９０％以上の耐熱性の優れた半田
を圧電振動子のケース体、プラグ体にメッキし、振動片
のマウント材、密封シールド材として用いること及び、
圧電振動子のリードを金属フレームの金属リードに鉛含
有量９０％以上の半田を含んだ合金層として溶接するこ
とにより、２６０゜Ｃ以上の耐熱性に耐え得る圧電発振
器を提供するという効果を有する。
【００１９】また、圧電振動子のケース体、プラグ体を
半溶融状態温度内で、真空べーキングしながら前記９０
％以上の鉛を含んだ半田を、シールド材として圧入密封
することにより、等価抵抗が小さく高温エージング特性
の優れた耐熱性の高い圧電発振器を提供するという効果
を有する。
半溶融状態温度内で、真空べーキングしながら前記９０
％以上の鉛を含んだ半田を、シールド材として圧入密封
することにより、等価抵抗が小さく高温エージング特性
の優れた耐熱性の高い圧電発振器を提供するという効果
を有する。
【００２０】また、圧電振動子と半導体をリードフレー
ムの両側に各々配置し、リードフレームのタブを押し出
して圧電振動子と金属リードとの絶縁を確保するという
構造をとることにより、小型、薄型の耐熱性の優れた圧
電発振器を提供するという効果を有する。
ムの両側に各々配置し、リードフレームのタブを押し出
して圧電振動子と金属リードとの絶縁を確保するという
構造をとることにより、小型、薄型の耐熱性の優れた圧
電発振器を提供するという効果を有する。
【図１】（ａ）は、本発明の圧電発振器の実施例を示す
斜視図、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第１の実
施例）。
斜視図、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第１の実
施例）。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）の組立主要平面図（第２
の実施例）、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第２
の実施例）。
の実施例）、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第２
の実施例）。
【図３】本発明の圧電発振器の構成部品である圧電振動
子の実施例を示す断面図。
子の実施例を示す断面図。
【図４】図３で示す圧電振動子の振動片断面図。
【図５】図３で示す圧電振動子のプラグ体断面図。
【図６】図３で示す圧電振動子のケース体断面図。
【図７】図３で示す圧電振動子の組立に使う半田の実施
例を示す状態図。
例を示す状態図。
【図８】従未の圧電発振器の斜視図。
【図９】従未の圧電発振器の主要断面図。
【図１０】従来の圧電振動子の断面図。
１・・・・本発明の実施例を示す圧電振動子 ２・・・・半導体 ３・・・・金属リードフレーム ４・・・・リードフレームのタブ ５・・・・リードフレームの複数のリード ６・・・・圧電振動子のリード端子 ７・・・・半田を含んだ合金層 ８・・・・樹脂 ９・・・・金属細線 １１・・・圧電振動子 １２・・・半導体 １８・・・樹脂 １０１・・電極 １０２・・圧電振動片 １０３・・９０％以上の鉛を含んだ半田 １０４・・プラグ体のインナーリード １０５・・ケース体 １０６・・圧電振動片の半田付部 １０７・・圧接または溶接鍔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年７月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 圧電発振器
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は圧電発振器の構造に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の圧電発振器は、実開昭５４−７１
９６２号に示されている。
９６２号に示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では、集積回路チップ２の上側に水晶振動子３を配置し
ているが、リードフレームを用いておらず、集積回路チ
ップ２と水晶振動子３と発振器の端子５、５との間の配
線が複雑になってしまうという課題を有する。
では、集積回路チップ２の上側に水晶振動子３を配置し
ているが、リードフレームを用いておらず、集積回路チ
ップ２と水晶振動子３と発振器の端子５、５との間の配
線が複雑になってしまうという課題を有する。
【０００４】そこで本発明は、上記課題を解決するもの
で、その目的とするところは、表面実装面積を小さくし
た上で、半導体素子と水晶振動子とリードフレームとの
間の配線を容易にした圧電発振器を提供するところにあ
る。
で、その目的とするところは、表面実装面積を小さくし
た上で、半導体素子と水晶振動子とリードフレームとの
間の配線を容易にした圧電発振器を提供するところにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電発振器は、
圧電振動子と、該圧電振動子を発振させる半導体と、金
属フレームとが樹脂により成形される圧電発振器におい
て、前記圧電振動子と前記半導体とは前記金属フレーム
に対して表裏の関係で配置されていることを特徴とす
る。
圧電振動子と、該圧電振動子を発振させる半導体と、金
属フレームとが樹脂により成形される圧電発振器におい
て、前記圧電振動子と前記半導体とは前記金属フレーム
に対して表裏の関係で配置されていることを特徴とす
る。
【０００６】さらに、半導体が固着された金属フレーム
のタブが圧電振動子側へ押し出されていることを特徴と
する。
のタブが圧電振動子側へ押し出されていることを特徴と
する。
【０００７】さらに、圧電振動子のケース体と金属フレ
ームのタブとが当接していることを特徴とする。
ームのタブとが当接していることを特徴とする。
【０００８】また、圧電振動子のケース体と金属フレー
ムのタブとが平行に当接していることを特徴とする。
ムのタブとが平行に当接していることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、本発明の参考例に
おける圧電発振器の斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）
の断面図、図２（ａ）は、圧電発振器の実施例を示す組
立平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の組立断面図、図
３は、前記圧電発振器を構成する圧電振動子の断面図、
図４は、前記圧電振動子の振動片の断面図、図５は、前
記圧電振動子のプラグ体断面図、図６は、前記圧電振動
子のケース体断面図である。
おける圧電発振器の斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）
の断面図、図２（ａ）は、圧電発振器の実施例を示す組
立平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の組立断面図、図
３は、前記圧電発振器を構成する圧電振動子の断面図、
図４は、前記圧電振動子の振動片の断面図、図５は、前
記圧電振動子のプラグ体断面図、図６は、前記圧電振動
子のケース体断面図である。
【００１０】以下参考例の構成について説明する。まず
図４に示される電極膜１０１が蒸着等により形成された
圧電振動片１０２は、図５で示されるプラグ体の半田メ
ッキ１０３をされたインケーリード１０４側に、半田１
０３で図３に示す様に半田付１０６され、図６で示され
る、半田メッキ１０３をされた金属ケース１０５に、図
３で示される半田１０３をシールド材として気密圧入さ
れている。前記半田１０３は、図７で示される半田状態
図の鉛（Ｐｂ）含有量９０％以上の半田であり、溶融温
度は２６０゜Ｃ以上となっている。また前記半田１０３
は、メッキ加工によリケース体（図６）およびプラグ体
（図５）で示されたとおりにメッキされるが、この時メ
ッキ液内の有機成分が前記半田１０３にまき込まれてし
まうという問題点があり、このまま気密圧入して圧電振
動片１０２を封入してしまうと、高温（常温〜２６０゜
Ｃ間）において等価抵抗値の極端な増大（１００％以上
に達する場合もある）、著しい周波数エージングを生
じ、発振の停止に至ることもある。従って前記プラグ体
図５を前記ケース体図６に真空圧入する際、加熱べーキ
ングを行ない外部に放出させてしまう必要性がある。こ
の時べーキング温度としては図７の共晶線ａｂ、液相線
ａｃ、鉛含有量９０％以上の線で囲われた斜線部内の温
度であり、この状態でべーキング封入することにより十
分有機成分を放出させることが可能である。これにより
等価抵抗値の高温での増加は、数％以内に収められる。
図４に示される電極膜１０１が蒸着等により形成された
圧電振動片１０２は、図５で示されるプラグ体の半田メ
ッキ１０３をされたインケーリード１０４側に、半田１
０３で図３に示す様に半田付１０６され、図６で示され
る、半田メッキ１０３をされた金属ケース１０５に、図
３で示される半田１０３をシールド材として気密圧入さ
れている。前記半田１０３は、図７で示される半田状態
図の鉛（Ｐｂ）含有量９０％以上の半田であり、溶融温
度は２６０゜Ｃ以上となっている。また前記半田１０３
は、メッキ加工によリケース体（図６）およびプラグ体
（図５）で示されたとおりにメッキされるが、この時メ
ッキ液内の有機成分が前記半田１０３にまき込まれてし
まうという問題点があり、このまま気密圧入して圧電振
動片１０２を封入してしまうと、高温（常温〜２６０゜
Ｃ間）において等価抵抗値の極端な増大（１００％以上
に達する場合もある）、著しい周波数エージングを生
じ、発振の停止に至ることもある。従って前記プラグ体
図５を前記ケース体図６に真空圧入する際、加熱べーキ
ングを行ない外部に放出させてしまう必要性がある。こ
の時べーキング温度としては図７の共晶線ａｂ、液相線
ａｃ、鉛含有量９０％以上の線で囲われた斜線部内の温
度であり、この状態でべーキング封入することにより十
分有機成分を放出させることが可能である。これにより
等価抵抗値の高温での増加は、数％以内に収められる。
【００１１】圧電発振器の構造の参考例としては、図１
（ｂ）で示す様に、以上説明してきた本発明の参考例で
示す圧電振動子１と圧電振動子１を電気的に発振させる
半導体２が平面的に配置され、金属リード５を介してワ
イヤーボンディングによる金属細線９、溶接により半田
１０３を含んだ合金層７により圧電振動子１と半導体２
を電気的に接続し発振回路を構成している。さらに圧電
振動子１、半導体２、金属リード５、金属細線９を含ん
で樹脂８により形成されている。
（ｂ）で示す様に、以上説明してきた本発明の参考例で
示す圧電振動子１と圧電振動子１を電気的に発振させる
半導体２が平面的に配置され、金属リード５を介してワ
イヤーボンディングによる金属細線９、溶接により半田
１０３を含んだ合金層７により圧電振動子１と半導体２
を電気的に接続し発振回路を構成している。さらに圧電
振動子１、半導体２、金属リード５、金属細線９を含ん
で樹脂８により形成されている。
【００１２】圧電発振器の構造の実施例としては、図２
（ａ）、（ｂ）に示すように前記圧電振動子図３（図２
においては１）と圧電振動子１を電気的に発振させる半
導体２が、金属フレーム３に対して各々表裏の関係に配
置され、半導体２が固着された金属フレーム３のタブ４
が、圧電振動子１側へ押し出されて、圧電振動子１と平
行に接触して、圧電振動子１と複数の金属リード５との
電気的絶縁のクリアランスを確保している。これは圧電
振動子１と複数の金属リード５との電気的導通を防止す
るだけでなく、金属リード５相互間のショートをも防止
している。この構造により、圧電振動子と半導体を平面
方向に配置するのに比べ、平面的には約１／２、厚み方
向では、構成部品の最少合計厚みとなって組み立てられ
ている。
（ａ）、（ｂ）に示すように前記圧電振動子図３（図２
においては１）と圧電振動子１を電気的に発振させる半
導体２が、金属フレーム３に対して各々表裏の関係に配
置され、半導体２が固着された金属フレーム３のタブ４
が、圧電振動子１側へ押し出されて、圧電振動子１と平
行に接触して、圧電振動子１と複数の金属リード５との
電気的絶縁のクリアランスを確保している。これは圧電
振動子１と複数の金属リード５との電気的導通を防止す
るだけでなく、金属リード５相互間のショートをも防止
している。この構造により、圧電振動子と半導体を平面
方向に配置するのに比べ、平面的には約１／２、厚み方
向では、構成部品の最少合計厚みとなって組み立てられ
ている。
【００１３】さらに圧電振動子１のリード６は、電気的
発振に関係する金属リード５に、図５で示される半田１
０３を含んだ合金層７として溶接されている。本来リー
ド６は、半田メッキを必ずしも必要とするものではない
が、図５で示されるプラグ体に半田メッキ１０３を行な
う際にインナー側１０４と同時にメッキしているので、
半田１０３が付いたままで金属リード５に半田１０３を
含んだ合金層として溶接されている。
発振に関係する金属リード５に、図５で示される半田１
０３を含んだ合金層７として溶接されている。本来リー
ド６は、半田メッキを必ずしも必要とするものではない
が、図５で示されるプラグ体に半田メッキ１０３を行な
う際にインナー側１０４と同時にメッキしているので、
半田１０３が付いたままで金属リード５に半田１０３を
含んだ合金層として溶接されている。
【００１４】最後に圧電振動子１、半導体２、金属リー
ド５およびタブ４を含んで全体が耐熱性樹脂８により成
形されている。
ド５およびタブ４を含んで全体が耐熱性樹脂８により成
形されている。
【００１５】以上により、実施例で説明してきた圧電発
振器の組立図２は、組立の要点となる、振動片１０２の
半田付部１０６、ケース１０５とプラグ体（図５）の封
止部（図３）の半田１０３、圧電振動子のリード６と金
属リード５との接続部は、構成部品を含めて全て２６０
゜Ｃ以上の耐熱を有する構成となっている。
振器の組立図２は、組立の要点となる、振動片１０２の
半田付部１０６、ケース１０５とプラグ体（図５）の封
止部（図３）の半田１０３、圧電振動子のリード６と金
属リード５との接続部は、構成部品を含めて全て２６０
゜Ｃ以上の耐熱を有する構成となっている。
【００１６】また実施例での全体の形状は、図１に示す
とおりＳＭＴ対応のフラットパッケージのＳＯＰタイプ
であるが、差し部品としてのＤＩＰタイプへの応用も実
施例としてあげられる。
とおりＳＭＴ対応のフラットパッケージのＳＯＰタイプ
であるが、差し部品としてのＤＩＰタイプへの応用も実
施例としてあげられる。
【００１７】またフラットパッケージのＪーＢＥＮＤリ
ードタイプへの応用も実施例としてあげられる。
ードタイプへの応用も実施例としてあげられる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上説明されたように構成さ
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。
（１）圧電振動子と半導体とを金属フレームに対して表
裏の関係で配置するので、ケース体と半導体及びケース
体と金属細線とのショートは無い。（２）さらに、圧電
振動子と半導体とを平面的に配置するのに比べ、実装占
有面積は約半分ですむ。（３）圧電振動子と半導体をリ
ードフレームの両側に各々配置し、リードフレームのタ
ブを押し出して圧電振動子と金属リードとの絶縁を確保
するという構造をとることにより、小型、薄型の耐熱性
の優れた圧電発振器を提供することができる。
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。
（１）圧電振動子と半導体とを金属フレームに対して表
裏の関係で配置するので、ケース体と半導体及びケース
体と金属細線とのショートは無い。（２）さらに、圧電
振動子と半導体とを平面的に配置するのに比べ、実装占
有面積は約半分ですむ。（３）圧電振動子と半導体をリ
ードフレームの両側に各々配置し、リードフレームのタ
ブを押し出して圧電振動子と金属リードとの絶縁を確保
するという構造をとることにより、小型、薄型の耐熱性
の優れた圧電発振器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の圧電発振器の実施例を示す
斜視図、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第１の実
施例）。
斜視図、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第１の実
施例）。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）の組立主要平面図（第２
の実施例）、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第２
の実施例）。
の実施例）、（ｂ）は、図１（ａ）の主要断面図（第２
の実施例）。
【図３】本発明の圧電発振器の構成部品である圧電振動
子の実施例を示す断面図。
子の実施例を示す断面図。
【図４】図３で示す圧電振動子の振動片断面図。
【図５】図３で示す圧電振動子のプラグ体断面図。
【図６】図３で示す圧電振動子のケース体断面図。
【図７】図３で示す圧電振動子の組立に使う半田の実施
例を示す状態図。
例を示す状態図。
【図８】従未の圧電発振器の斜視図。
【図９】従未の圧電発振器の主要断面図。
【図１０】従来の圧電振動子の断面図。
【符号の説明】 １・・・・本発明の実施例を示す圧電振動子 ２・・・・半導体 ３・・・・金属リードフレーム ４・・・・リードフレームのタブ ５・・・・リードフレームの複数のリード ６・・・・圧電振動子のリード端子 ７・・・・半田を含んだ合金層 ８・・・・樹脂 ９・・・・金属細線 １１・・・圧電振動子 １２・・・半導体 １８・・・樹脂 １０１・・電極 １０２・・圧電振動片 １０３・・９０％以上の鉛を含んだ半田 １０４・・プラグ体のインナーリード １０５・・ケース体 １０６・・圧電振動片の半田付部 １０７・・圧接または溶接鍔
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも圧電振動子と前記圧電振動子
を電気的に発振させる半導体（ＩＣ）と、複数の金属リ
ードとタブとからなる金属リードフレームとが樹脂成形
された圧電発振器において、前記圧電振動子が、鉛含有
量９０％以上の半田によって、ケース体プラグ体ともメ
ッキされており、かつ前記半田により振動片が前記プラ
グ体に半田付されており、かつ前記振動片が半田付され
た前記プラグ体が、前記半田を介して前記ケース体に気
密圧入されていることを特徴とする圧電発振器。 - 【請求項２】 前記組成の半田によリメッキされている
前記圧電振動子のリード端子と、前記金属リードフレー
ムが、前記組成の半田を含んだ合金層を有して溶接され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の圧
電発振器。 - 【請求項３】 前記圧電振動子と前記半導体が、前記金
属フレームに対して、各々表裏の関係に配置されてお
り、前記半導体の固着された前記金属フレームのタブ
が、前記圧電振動子側へ、前記復数の金属リード面と平
行に押し出されて、前記圧電振動子のケース体と平行に
接触し、前記圧電振動子のケース体と複数の金属リード
との電気的絶縁のクリアランスを確保していることを特
徴とする特許請求の範囲第ｌ項記載の圧電発振器。 - 【請求項４】 前記圧電振動子は、前記振動片が半田付
された前記プラグ体と前記ケース体とを、半田状態図の
半溶融状態温度内で真空べーキングされ、圧入されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の圧電発
振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7159149A JP2621828B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 圧電発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7159149A JP2621828B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 圧電発振器 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29356287A Division JPH01135214A (ja) | 1987-02-27 | 1987-11-20 | 圧電発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102639A true JPH08102639A (ja) | 1996-04-16 |
| JP2621828B2 JP2621828B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=15687337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7159149A Expired - Fee Related JP2621828B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 圧電発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621828B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017147449A (ja) * | 2017-03-21 | 2017-08-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3918794B2 (ja) | 2002-12-10 | 2007-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器およびその製造方法並びに電子機器 |
| JP4222020B2 (ja) | 2002-12-17 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5289090A (en) * | 1976-01-20 | 1977-07-26 | Citizen Watch Co Ltd | Retaining structure of cyrstal vibrator for watch |
| JPS61113414U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-17 | ||
| JPS62126657A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-08 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツドｉｃの実装構造 |
| JPS62126656U (ja) * | 1986-06-20 | 1987-08-11 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP7159149A patent/JP2621828B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5289090A (en) * | 1976-01-20 | 1977-07-26 | Citizen Watch Co Ltd | Retaining structure of cyrstal vibrator for watch |
| JPS61113414U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-17 | ||
| JPS62126657A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-08 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 圧電振動子を内蔵して樹脂成形したハイブリツドｉｃの実装構造 |
| JPS62126656U (ja) * | 1986-06-20 | 1987-08-11 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| US10622944B2 (en) | 2012-04-27 | 2020-04-14 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| JP2017147449A (ja) * | 2017-03-21 | 2017-08-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2621828B2 (ja) | 1997-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |