JPH07135350A - 圧電アクチュエータアレーおよびその製造方法 - Google Patents
圧電アクチュエータアレーおよびその製造方法Info
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- JPH07135350A JPH07135350A JP9408294A JP9408294A JPH07135350A JP H07135350 A JPH07135350 A JP H07135350A JP 9408294 A JP9408294 A JP 9408294A JP 9408294 A JP9408294 A JP 9408294A JP H07135350 A JPH07135350 A JP H07135350A
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分極化に必要なＤＣ電圧が大幅に低減された
圧電アクチュエータアレーおよびその製造方法を提供す
ること。 【構成】 光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個のアク
チュエータアレーであって、前記アクチュエータアレー
３５各々は、一対の圧電物質層１１M+1 と、前記一対の
圧電物質層の間に位置した第１の導電性金属層１３
M と、前記一対の圧電物質層の外面に各々位置する一対
の第１および第２の外部電極層３２，３３とを含む構
成。
圧電アクチュエータアレーおよびその製造方法を提供す
ること。 【構成】 光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個のアク
チュエータアレーであって、前記アクチュエータアレー
３５各々は、一対の圧電物質層１１M+1 と、前記一対の
圧電物質層の間に位置した第１の導電性金属層１３
M と、前記一対の圧電物質層の外面に各々位置する一対
の第１および第２の外部電極層３２，３３とを含む構
成。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光投射システムに関する
もので、特にそれに用いられる圧電アクチュエータアレ
ーおよびそれを製造する方法に関するものである。
もので、特にそれに用いられる圧電アクチュエータアレ
ーおよびそれを製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】当分野で知られている多様なビデオディ
スプレーシステムの中、光投射システムは高品質の大画
面ディスプレーを提供し得るシステムということが知ら
れている。かかる光投射システムにおいて、ランプから
の光は、例えば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成されたアレ
ーを照明する。このＭ×Ｎ個のミラーアレーは同じ数、
即ち、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータを含むアクチュエータ
アレー上に各々のミラーが各々のアクチュエータに結合
されるように設けられる。これらアクチュエータは印加
された電気信号によって変形される圧電物質またはエレ
クトロストリクティブ(electrostrictive)物質のような
エレクトロディスプレイシブ(electrodisplacive) 物質
から成っている。
スプレーシステムの中、光投射システムは高品質の大画
面ディスプレーを提供し得るシステムということが知ら
れている。かかる光投射システムにおいて、ランプから
の光は、例えば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成されたアレ
ーを照明する。このＭ×Ｎ個のミラーアレーは同じ数、
即ち、Ｍ×Ｎ個のアクチュエータを含むアクチュエータ
アレー上に各々のミラーが各々のアクチュエータに結合
されるように設けられる。これらアクチュエータは印加
された電気信号によって変形される圧電物質またはエレ
クトロストリクティブ(electrostrictive)物質のような
エレクトロディスプレイシブ(electrodisplacive) 物質
から成っている。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バッフ
ル(baffle)の開口(aperture)へ入射される。各々のアク
チュエータに電気信号を印加することによって、各々の
ミラーの入射光束に対する相対的な位置が変化されて各
々のミラーから反射された光路が変更される。各々の反
射された光の経路が変わって、開口を通過する各々のミ
ラーから反射された光量が変わることにより光束の強さ
が変調される。開口を通過した変調された光は、投射レ
ンズのような光装置を通じて投射スクリーン上へ伝達さ
れて映像を表すことになる。
ル(baffle)の開口(aperture)へ入射される。各々のアク
チュエータに電気信号を印加することによって、各々の
ミラーの入射光束に対する相対的な位置が変化されて各
々のミラーから反射された光路が変更される。各々の反
射された光の経路が変わって、開口を通過する各々のミ
ラーから反射された光量が変わることにより光束の強さ
が変調される。開口を通過した変調された光は、投射レ
ンズのような光装置を通じて投射スクリーン上へ伝達さ
れて映像を表すことになる。
【０００４】前述した光投射システムに用いられるＭ×
Ｎ個の圧電アクチュエータアレーを製造する方法は、本
出願人により出願されて係属中である発明の名称“アク
チュエータアレーおよびその製造方法”、出願番号“
”に記載されている。前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエータはＭ＋１層の圧電物質層およびＭ層の電極層を
含む分極化された多層構造体から製造され、前記圧電物
質層の各々は150 μmないし300 μm の厚さを有し、前
記電極層の各々は２層の圧電物質層間に位置する。
Ｎ個の圧電アクチュエータアレーを製造する方法は、本
出願人により出願されて係属中である発明の名称“アク
チュエータアレーおよびその製造方法”、出願番号“
”に記載されている。前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエータはＭ＋１層の圧電物質層およびＭ層の電極層を
含む分極化された多層構造体から製造され、前記圧電物
質層の各々は150 μmないし300 μm の厚さを有し、前
記電極層の各々は２層の圧電物質層間に位置する。
【０００５】かかるアクチュエータアレーを構成するた
めに用いられる分極化された多層構造体は、通常、次の
ように製造される。まず、特定厚さを有するＭ＋１層の
圧電物質層のスラリーをテープキャスチングして形成
し、各層の各々の一側面上に導電性物質をコーティング
し、コーティングされた圧電物質層をブロック化し、そ
のブロックを焼結して多層構造体を得た後、前記導電性
物質層に垂直な方向へ前記多層構造体にＤＣ電圧を印加
して、前記圧電物質層を同一な方向へ分極化することに
より分極化された多層構造体を得ることである。
めに用いられる分極化された多層構造体は、通常、次の
ように製造される。まず、特定厚さを有するＭ＋１層の
圧電物質層のスラリーをテープキャスチングして形成
し、各層の各々の一側面上に導電性物質をコーティング
し、コーティングされた圧電物質層をブロック化し、そ
のブロックを焼結して多層構造体を得た後、前記導電性
物質層に垂直な方向へ前記多層構造体にＤＣ電圧を印加
して、前記圧電物質層を同一な方向へ分極化することに
より分極化された多層構造体を得ることである。
【０００６】分極化された多層構造体を製造するにおい
て、最も重要な問題の一つは、多層構造体を分極化する
あいだ、それに高レベルのＤＣ電圧を印加しなければな
らないことである。Ｍ＋１層の圧電物質層から成る多層
構造体を分極化するために必要なＤＣ電圧の大きさＶT
は次の関係式により決定される。
て、最も重要な問題の一つは、多層構造体を分極化する
あいだ、それに高レベルのＤＣ電圧を印加しなければな
らないことである。Ｍ＋１層の圧電物質層から成る多層
構造体を分極化するために必要なＤＣ電圧の大きさＶT
は次の関係式により決定される。
【０００７】ＶT ≧ＶP ×ｔ×（Ｍ＋１） ここで、ＶP は圧電セラミックスを分極化する臨界電界
として、通常、1.5V/μm ないし3.0V/ μm であり、ｔ
は各層の厚さであり、（Ｍ＋１）は層数である。したが
って、例えば、各層が150 μm の厚さを有する200 層の
圧電物質層から成る多層構造体を分極化するためには最
少45KVのＤＣ電圧が必要になる。
として、通常、1.5V/μm ないし3.0V/ μm であり、ｔ
は各層の厚さであり、（Ｍ＋１）は層数である。したが
って、例えば、各層が150 μm の厚さを有する200 層の
圧電物質層から成る多層構造体を分極化するためには最
少45KVのＤＣ電圧が必要になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】かかる大きい電圧を多
層構造体へ印加する場合、電界の不均一な分布、即ち、
ポアーなどの不均一な箇所の周囲に電界が集中して、誘
電破壊が発生するか、アクチュエータの全体性能に影響
を及ぼす電気的特性が劣化するかしてしまう。印加され
た電圧が大きいほど、前述した問題が発生する可能性が
さらに大きくなる。
層構造体へ印加する場合、電界の不均一な分布、即ち、
ポアーなどの不均一な箇所の周囲に電界が集中して、誘
電破壊が発生するか、アクチュエータの全体性能に影響
を及ぼす電気的特性が劣化するかしてしまう。印加され
た電圧が大きいほど、前述した問題が発生する可能性が
さらに大きくなる。
【０００９】したがって、本発明の目的は、分極化に必
要なＤＣ電圧が大幅に低減された圧電アクチュエータア
レー及びその製造方法を提供することである。
要なＤＣ電圧が大幅に低減された圧電アクチュエータア
レー及びその製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一つの特徴によれば、光投射システムに用
いられ、ＭおよびＮが定数であるＭ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエータアレーを製造する方法であって、上面、下面お
よび四つの側面、即ち、第１、第２、第３および第４の
側面を有する多層セラミックス構造体を形成するステッ
プと、平坦面を有する複合セラミックスウェーハを形成
するために、前記四つの側面中の一つと平行で第１の導
電性金属層に垂直である平面に沿って前記多層セラミッ
クス構造体をスライスするステップと、前記複合セラミ
ックスウェーハの前記平坦面の全面上にＭ＋１個の均一
に離間された横方向へ同一な溝を形成するステップと、
前記Ｍ＋１個の溝の第１および第２の側面上に第２の導
電性金属層である第１のＭ＋１個の外部電極層および第
２のＭ＋１個の外部電極層を各々形成して複合セラミッ
クス本体を形成するステップと、前記第１および第２の
外部電極層の間に同一な方向に位置した圧電物質を分極
化させるために、前記第１および第２の外部電極層の間
にＤＣ電圧を印加して分極化された複合セラミックス本
体を準備するステップと、前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュ
エータを得るために、前記分極化された複合セラミック
ス本体上にＮ−１個の均一に離間された縦方向切断部を
形成するステップとを含み、前記多層セラミックス構造
体の上面および下面、第１および第３の側面と第２およ
び第４の側面は互いに平行であり、Ｍ層の第１の導電性
金属層とＭ＋１層の圧電物質層からなり、第１の導電性
金属層の各々は２層の圧電物質層間に位置し、前記圧電
物質は前記Ｍ層の第１の導電性金属層により均一に分離
され、前記溝の各々は第１の側面、第２の側面および下
面を有し、互いに平行に走行し、二つの隣接する第１の
導電性金属層から等間隔を保ち、上面を有するバリヤに
より互いに分離される圧電アクチュエータアレーの製造
方法により達成される。
に、本発明の一つの特徴によれば、光投射システムに用
いられ、ＭおよびＮが定数であるＭ×Ｎ個の圧電アクチ
ュエータアレーを製造する方法であって、上面、下面お
よび四つの側面、即ち、第１、第２、第３および第４の
側面を有する多層セラミックス構造体を形成するステッ
プと、平坦面を有する複合セラミックスウェーハを形成
するために、前記四つの側面中の一つと平行で第１の導
電性金属層に垂直である平面に沿って前記多層セラミッ
クス構造体をスライスするステップと、前記複合セラミ
ックスウェーハの前記平坦面の全面上にＭ＋１個の均一
に離間された横方向へ同一な溝を形成するステップと、
前記Ｍ＋１個の溝の第１および第２の側面上に第２の導
電性金属層である第１のＭ＋１個の外部電極層および第
２のＭ＋１個の外部電極層を各々形成して複合セラミッ
クス本体を形成するステップと、前記第１および第２の
外部電極層の間に同一な方向に位置した圧電物質を分極
化させるために、前記第１および第２の外部電極層の間
にＤＣ電圧を印加して分極化された複合セラミックス本
体を準備するステップと、前記Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュ
エータを得るために、前記分極化された複合セラミック
ス本体上にＮ−１個の均一に離間された縦方向切断部を
形成するステップとを含み、前記多層セラミックス構造
体の上面および下面、第１および第３の側面と第２およ
び第４の側面は互いに平行であり、Ｍ層の第１の導電性
金属層とＭ＋１層の圧電物質層からなり、第１の導電性
金属層の各々は２層の圧電物質層間に位置し、前記圧電
物質は前記Ｍ層の第１の導電性金属層により均一に分離
され、前記溝の各々は第１の側面、第２の側面および下
面を有し、互いに平行に走行し、二つの隣接する第１の
導電性金属層から等間隔を保ち、上面を有するバリヤに
より互いに分離される圧電アクチュエータアレーの製造
方法により達成される。
【００１１】本発明の他の特徴によれば、Ｍ×Ｎ個の圧
電アクチュエータの各々が一対の圧電物質層と、前記一
対の圧電物質層間に位置した第１の導電性金属層と、そ
の各外面に設けられた第２の導電性金属である第１およ
び第２の外部電極層とを含むＭ×Ｎ個の圧電アクチュエ
ータが提供される。かかるアクチュエータアレーにおい
て、第１の導電性金属層は共通信号電極として機能し、
第１および第２の電極層は基準電極として機能する。
電アクチュエータの各々が一対の圧電物質層と、前記一
対の圧電物質層間に位置した第１の導電性金属層と、そ
の各外面に設けられた第２の導電性金属である第１およ
び第２の外部電極層とを含むＭ×Ｎ個の圧電アクチュエ
ータが提供される。かかるアクチュエータアレーにおい
て、第１の導電性金属層は共通信号電極として機能し、
第１および第２の電極層は基準電極として機能する。
【００１２】
【実施例】本発明によれば、Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエ
ータを製造する方法は、Ｍ層の第１の導電性金属層１３
M と、例えばリードジルコニウムチタネート(lead zirc
onium titanate,PZT) 層であるＭ＋１層の圧電物質層１
１M+1 とを有する多層セラミックス構造体１０を準備す
ることから始める。ここで、第１の導電性金属層１３M
の各々は図１に示したように、二つの圧電物質層間に位
置される。第１の導電性金属層１３M は白金(Pt)または
パラジウム(Pd)またはパラジウム/ 銀(Pd/Ag) から成
る。また、多層セラミックス構造体１０は上面１、下面
２、第１，第２，第３および第４の各側面３，４，５，
６を有し、上面１および下面２、第１および第３の側面
３，５、第２および第４の側面４，６は互いに平行であ
る。図１に示した多層セラミックス構造体１０は多層セ
ラミックスキャパシタを製造する公知の従来の方法を用
いて得られる。その後、前記四つの側面に平行で第１の
導電性金属層１３M に垂直である平面に沿って多層セラ
ミックス構造体１０をスライスすることによって、図２
（ａ）に示したように平坦面１２を有する複合セラミッ
クスウェーハ１５を形成する。ここで、圧電物質はＭ層
の第１の導電性金属層１３M により均一に分離される。
その後、図２（ｂ）に示したように、フォトレジストの
ような薄いポリマー層１６で平坦面１２を覆う。
ータを製造する方法は、Ｍ層の第１の導電性金属層１３
M と、例えばリードジルコニウムチタネート(lead zirc
onium titanate,PZT) 層であるＭ＋１層の圧電物質層１
１M+1 とを有する多層セラミックス構造体１０を準備す
ることから始める。ここで、第１の導電性金属層１３M
の各々は図１に示したように、二つの圧電物質層間に位
置される。第１の導電性金属層１３M は白金(Pt)または
パラジウム(Pd)またはパラジウム/ 銀(Pd/Ag) から成
る。また、多層セラミックス構造体１０は上面１、下面
２、第１，第２，第３および第４の各側面３，４，５，
６を有し、上面１および下面２、第１および第３の側面
３，５、第２および第４の側面４，６は互いに平行であ
る。図１に示した多層セラミックス構造体１０は多層セ
ラミックスキャパシタを製造する公知の従来の方法を用
いて得られる。その後、前記四つの側面に平行で第１の
導電性金属層１３M に垂直である平面に沿って多層セラ
ミックス構造体１０をスライスすることによって、図２
（ａ）に示したように平坦面１２を有する複合セラミッ
クスウェーハ１５を形成する。ここで、圧電物質はＭ層
の第１の導電性金属層１３M により均一に分離される。
その後、図２（ｂ）に示したように、フォトレジストの
ような薄いポリマー層１６で平坦面１２を覆う。
【００１３】その後、図３（ａ）および図３（ｂ）に示
したように、同じ大きさで大略直角のエッジを有し、横
方向に均一に互いに平行に走行して離間されたＭ＋１個
の溝２０M+1 を、前記薄いポリマー層１６で覆われた平
坦面１２全体上に形成する。ここで、溝２０M+1 の各々
は第１の側面２１, 第２の側面２２および下面２３を有
することによって、溝型セラミックスウェーハ２５を形
成することになる。また、溝２０M+1 の各々は薄いポリ
マー層１６で覆われた上面２７を有するバリヤ２６によ
り分離されて、二つの隣接する第１の導電性金属層１３
M から等間隔を保つ。図３（ａ）は溝型セラミックスウ
ェーハ２５の斜視図であり、図３（ｂ）はその断面図で
ある。
したように、同じ大きさで大略直角のエッジを有し、横
方向に均一に互いに平行に走行して離間されたＭ＋１個
の溝２０M+1 を、前記薄いポリマー層１６で覆われた平
坦面１２全体上に形成する。ここで、溝２０M+1 の各々
は第１の側面２１, 第２の側面２２および下面２３を有
することによって、溝型セラミックスウェーハ２５を形
成することになる。また、溝２０M+1 の各々は薄いポリ
マー層１６で覆われた上面２７を有するバリヤ２６によ
り分離されて、二つの隣接する第１の導電性金属層１３
M から等間隔を保つ。図３（ａ）は溝型セラミックスウ
ェーハ２５の斜視図であり、図３（ｂ）はその断面図で
ある。
【００１４】その後、図４（ａ）および図４（ｂ）に示
したように、銀(Ag)またはアルミニウム(Al)から成る第
２の導電性金属層２９を、図４（ａ）に示したように、
溝２０M+1 の第１および第２の側面２１，２２および下
面２３、バリヤ２６の上面２７上の薄いポリマー層１６
を含む溝型セラミックスウェーハ２５の全体上面上に沈
積する。次に、薄いポリマー層１６上に形成された第２
の導電性金属層２９を適切な溶媒、例えば、アセトンを
用いて溶解して除去し、下面上に形成された第２の導電
性金属層をその中間部に沿って、例えば、レーザを用い
て分離して第１および第２の外部電極層３２，３３を形
成する。すなわち、溝２０M+1 の第１および第２の側面
２１，２２と下面２３上に、溝２０M+1 の下面２３の中
間で分離され、銀(Ag)またはアルミニウム(Al)から成る
第１および第２の外部電極層３２，３３を有するセラミ
ックス本体３０を形成する。図４（ａ）は第２の導電性
金属層２９によりその上面が覆われた後の溝型セラミッ
クスウェーハ２５の断面図であり、図４（ｂ）はセラミ
ックス本体３０の断面図であり、図５はその斜視図であ
る。
したように、銀(Ag)またはアルミニウム(Al)から成る第
２の導電性金属層２９を、図４（ａ）に示したように、
溝２０M+1 の第１および第２の側面２１，２２および下
面２３、バリヤ２６の上面２７上の薄いポリマー層１６
を含む溝型セラミックスウェーハ２５の全体上面上に沈
積する。次に、薄いポリマー層１６上に形成された第２
の導電性金属層２９を適切な溶媒、例えば、アセトンを
用いて溶解して除去し、下面上に形成された第２の導電
性金属層をその中間部に沿って、例えば、レーザを用い
て分離して第１および第２の外部電極層３２，３３を形
成する。すなわち、溝２０M+1 の第１および第２の側面
２１，２２と下面２３上に、溝２０M+1 の下面２３の中
間で分離され、銀(Ag)またはアルミニウム(Al)から成る
第１および第２の外部電極層３２，３３を有するセラミ
ックス本体３０を形成する。図４（ａ）は第２の導電性
金属層２９によりその上面が覆われた後の溝型セラミッ
クスウェーハ２５の断面図であり、図４（ｂ）はセラミ
ックス本体３０の断面図であり、図５はその斜視図であ
る。
【００１５】なお、第２の導電性金属層２９はスパッタ
リングまたは熱蒸着のような従来の技法を用いて得られ
る。
リングまたは熱蒸着のような従来の技法を用いて得られ
る。
【００１６】その後、第１及び第２の外部電極層３２，
３３の間に位置する一対の圧電物質層をそれらの間にＤ
Ｃ電圧を印加することによって同一な方向へ分極化させ
る。この段階で必要なＤＣ電圧はわずか２（Ｍ＋１）の
ＤＣ電圧であって、これはＭ＋１層の圧電材料層１１
M+1 およびＭ層の第１の導電性金属層１３M を有する多
層セラミックス構造体１０を分極化させるに必要なもの
で、これによって電気的破壊および劣化の可能性が減少
することになる。
３３の間に位置する一対の圧電物質層をそれらの間にＤ
Ｃ電圧を印加することによって同一な方向へ分極化させ
る。この段階で必要なＤＣ電圧はわずか２（Ｍ＋１）の
ＤＣ電圧であって、これはＭ＋１層の圧電材料層１１
M+1 およびＭ層の第１の導電性金属層１３M を有する多
層セラミックス構造体１０を分極化させるに必要なもの
で、これによって電気的破壊および劣化の可能性が減少
することになる。
【００１７】その後、セラミックス本体３０上にＮ−１
個の均一に離間された縦方向切断部３４N-1 を形成する
ことによって、図６に示したようなＭ×Ｎ個の圧電アク
チュエータアレー３５を形成する。
個の均一に離間された縦方向切断部３４N-1 を形成する
ことによって、図６に示したようなＭ×Ｎ個の圧電アク
チュエータアレー３５を形成する。
【００１８】その後、第１の導電性金属層１３M が共通
信号電極として機能し、第１及び第２の外部電極層３
２，３３が各々基準電極として機能し、第１の導電性金
属層１３M がドライバーに接続され、第１及び第２の外
部電極層３２，３３が共通接地電位( 図示せず) に接続
されるように、圧電アクチュエータアレー３５を基板上
に装着する。
信号電極として機能し、第１及び第２の外部電極層３
２，３３が各々基準電極として機能し、第１の導電性金
属層１３M がドライバーに接続され、第１及び第２の外
部電極層３２，３３が共通接地電位( 図示せず) に接続
されるように、圧電アクチュエータアレー３５を基板上
に装着する。
【００１９】第１の導電性金属層１３M と一対の外部電
極３２，３３間に電圧を印加する場合、それらの間に位
置した圧電物質は電圧の極性によって決定された方向へ
変形される。
極３２，３３間に電圧を印加する場合、それらの間に位
置した圧電物質は電圧の極性によって決定された方向へ
変形される。
【００２０】光投射システムで図６に示した圧電アクチ
ュエータアレー３５をアクチュエーチドミラーアレーと
して用いるためには、前記ミラーを共に付着しなければ
ならない。
ュエータアレー３５をアクチュエーチドミラーアレーと
して用いるためには、前記ミラーを共に付着しなければ
ならない。
【００２１】かかる圧電アクチュエータアレー３５にミ
ラーを付着する方法は、本出願人により出願されて係属
中である米国特許第 号、発明の名称“ミラー
アレーおよびその製造方法”に記載されている。
ラーを付着する方法は、本出願人により出願されて係属
中である米国特許第 号、発明の名称“ミラー
アレーおよびその製造方法”に記載されている。
【００２２】
【発明の効果】前述のように、本発明によれば、分極化
に必要なＤＣ電圧が大幅に低減された圧電アクチュエー
タ及びその製造方法が提供される。
に必要なＤＣ電圧が大幅に低減された圧電アクチュエー
タ及びその製造方法が提供される。
【図１】本発明に係るＭ×Ｎ個の圧電アクチュエータア
レーを製造するにあたって、最初に準備される多層セラ
ミックス構造体を示す斜視図である。
レーを製造するにあたって、最初に準備される多層セラ
ミックス構造体を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）は平坦面を有する複合セラミックス
ウェーハを示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）で示された複合セラミックスウェーハにおいて、
前記平坦面を薄いポリマー層で覆った状態を示す斜視図
である。
ウェーハを示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）で示された複合セラミックスウェーハにおいて、
前記平坦面を薄いポリマー層で覆った状態を示す斜視図
である。
【図３】図３（ａ）は、図２（ｂ）で示された平坦面全
体上に溝が形成された状態を示す溝型セラミックスウェ
ーハの斜視図であり、図３（ｂ）はその断面図である。
体上に溝が形成された状態を示す溝型セラミックスウェ
ーハの斜視図であり、図３（ｂ）はその断面図である。
【図４】図４（ａ）は第２の導電性金属層により上面が
覆われた後の溝型セラミックスウェーハの断面図であ
り、図４（ｂ）は図４（ａ）で示された溝型セラミック
スウェーハから形成されたセラミックス本体の断面図で
ある。
覆われた後の溝型セラミックスウェーハの断面図であ
り、図４（ｂ）は図４（ａ）で示された溝型セラミック
スウェーハから形成されたセラミックス本体の断面図で
ある。
【図５】図４（ｂ）で示されたセラミックス本体の斜視
図である。
図である。
【図６】本発明によって形成された、Ｍ×Ｎ個の圧電ア
クチュエータアレーを示した斜視図である。
クチュエータアレーを示した斜視図である。
１０ 多層セラミックス構造体 １１M+1 圧電物質層 １２ 平坦面 １３M 第１の導電性金属層 １５ 複合セラミックスウェーハ １６ 薄いポリマー層 ２０M+1 溝 ２１，２２ 側面 ２３ 下面 ２５ 溝型セラミックスウェーハ ２６ バリヤ ２７ 上面 ２９ 第２の導電性金属層 ３０ セラミックス本体 ３２，３３ 外部電極層 ３４N-1 縦方向切断部 ３５ 圧電アクチュエータアレー
Claims (11)
- 【請求項１】 光投射システムに用いるためのＭ×Ｎ個
の圧電アクチュエータアレーを製造する方法において、 (a) Ｍ層の第１の導電性金属層およびＭ＋１層の圧電物
質層から成る多層セラミックス構造体を形成するステッ
プと、 (b) 平坦面を有する複合セラミックスウェーハを形成す
るために、前記第１の導電性金属層に垂直である平面に
沿って前記多層セラミックス構造体をスライスするステ
ップと、 (c) 前記複合セラミックスウェーハの前記平坦面の全面
上にＭ＋１個の、均一に離間され横方向へ同じ溝を形成
するステップと、 (d) 前記Ｍ＋１個の溝の第１および第２の側面上に第２
の導電性金属層から成るＭ＋１層の第１の外部電極層お
よびＭ＋１層の第２の外部電極層を各々形成することに
よって複合セラミックス本体を形成するステップと、 (e) 前記第１および第２の外部電極層間にＤＣ電圧を印
加して、それらの間に位置した圧電物質を同一な方向へ
分極化させることによって分極化された複合セラミック
ス本体を準備するステップと、 (f) Ｍ×Ｎ個の圧電アクチュエータアレーを得るため
に、前記分極化された複合セラミックス本体上にＮ−１
個の均一に離間された縦方向切断部を形成するステップ
とを含み、 前記第１の導電性金属層の各々は、２層の圧電物質層の
間に位置し、前記圧電物質は前記Ｍ層の第１の導電性金
属層により均一に分離され、前記溝の各々は第１の側
面、第２の側面および下面を有し、互いに平行に走行
し、二つの隣接する第１の導電性金属層から等間隔を保
ち、上面を有するバリヤにより互いに分離される圧電ア
クチュエータアレーの製造方法。 - 【請求項２】 前記ステップ(a) の第１の導電性金属層
は白金またはパラジウムまたはパラジウム／銀から成る
請求項１記載の圧電アクチュエータアレーの製造方法。 - 【請求項３】 前記溝は前記ステップ(b) で前記平坦面
が薄いポリマー層から完全に覆われた後に、前記ステッ
プ(c) で形成される請求項１記載の圧電アクチュエータ
アレーの製造方法。 - 【請求項４】 前記ステップ(d) の第２の導電性金属層
は、アルミニウムまたは銀から成る請求項１記載の圧電
アクチュエータアレーの製造方法。 - 【請求項５】 前記ステップ(d) の第２の導電性金属層
は、前記ステップ(c) のバリヤの上面上に形成される請
求項４記載の圧電アクチュエータアレーの製造方法。 - 【請求項６】 前記バリヤの上面上に形成された第２の
導電性金属層は、前記薄いポリマー層を溶剤に溶解させ
ることによって除去される請求項５記載の圧電アクチュ
エータアレーの製造方法。 - 【請求項７】 前記溝の各々の下面上に形成された第２
の導電性金属層は、その中心部に沿って分離されて、第
１および第２の外部電極を形成する請求項６記載の圧電
アクチュエータアレーの製造方法。 - 【請求項８】 光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の
アクチュエータアレーにおいて、 前記アクチュエータアレー各々は、 一対の圧電物質層と、 前記一対の圧電物質層の間に位置した第１の導電性金属
層と、 前記一対の圧電物質層の外面に各々位置する一対の第１
および第２の外部電極層とを含むアクチュエータアレ
ー。 - 【請求項９】 前記第１の導電性金属層は、白金または
パラジウムまたはパラジウム/ 銀から成る請求項８記載
のアクチュエータアレー。 - 【請求項１０】 前記第１および第２の外部電極は、ア
ルミニウムまたは銀から成る請求項８記載のアクチュエ
ータアレー。 - 【請求項１１】 前記第１および第２の外部電極は、前
記溝の下面の中心部に沿って分離される請求項１０記載
のアクチュエータアレー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1993-7671 | 1993-05-04 | ||
| KR1019930007671A KR970002997B1 (ko) | 1993-05-04 | 1993-05-04 | 투사형화상표시장치용 광로조절장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135350A true JPH07135350A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=19354946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9408294A Pending JPH07135350A (ja) | 1993-05-04 | 1994-05-06 | 圧電アクチュエータアレーおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5758396A (ja) |
| JP (1) | JPH07135350A (ja) |
| KR (1) | KR970002997B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029646A (ja) * | 1999-04-20 | 2011-02-10 | Seagate Technology Llc | 差動型ｐｚｔアクチベータの電極パターンの形成 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3257960B2 (ja) * | 1996-12-17 | 2002-02-18 | 富士通株式会社 | インクジェットヘッド |
| JP3058143B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2000-07-04 | 日本電気株式会社 | 圧電アクチュエータおよびその製造方法 |
| US6266857B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-07-31 | Microsound Systems, Inc. | Method of producing a backing structure for an ultrasound transceiver |
| US6161270A (en) * | 1999-01-29 | 2000-12-19 | Eastman Kodak Company | Making printheads using tapecasting |
| US6254819B1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-07-03 | Eastman Kodak Company | Forming channel members for ink jet printheads |
| US6288477B1 (en) * | 1999-12-03 | 2001-09-11 | Atl Ultrasound | Composite ultrasonic transducer array operating in the K31 mode |
| JP2001258280A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Seiko Instruments Inc | 圧電アクチュエータの製造方法 |
| JP2003165212A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-10 | Brother Ind Ltd | インクジェットヘッド |
| US6393681B1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-05-28 | Magnecomp Corp. | PZT microactuator processing |
| US6777856B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-08-17 | Kistler Holding Ag | Crystal element for piezo sensors |
| JP4296738B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2009-07-15 | ブラザー工業株式会社 | インクジェットヘッド |
| KR100469804B1 (ko) * | 2002-01-24 | 2005-02-02 | 주성엔지니어링(주) | 임피던스 매칭용 세라믹 웨이퍼 |
| JP3978345B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2007-09-19 | 日本碍子株式会社 | 切断加工部品保持構造の形成方法および切断加工部品の製造方法 |
| GB2390479A (en) * | 2002-06-06 | 2004-01-07 | Delphi Tech Inc | Poling method |
| JP2007144992A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-06-14 | Fujifilm Corp | 凹凸構造体とその製造方法、圧電素子、インクジェット式記録ヘッド、インクジェット式記録装置 |
| CN103991288B (zh) * | 2014-05-23 | 2016-02-10 | 北京派和科技股份有限公司 | 压电喷墨头及包括该压电喷墨头的打印设备 |
| EP3662971B1 (en) | 2015-09-14 | 2021-08-25 | University of Iowa Research Foundation | Controlled position electrode array |
| EP4249042A3 (en) | 2017-02-14 | 2023-11-29 | Iotamotion, Inc. | Modular implant delivery and positioning system |
| USD947485S1 (en) * | 2020-11-10 | 2022-03-29 | Marvin Minzer | Urn |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2485858B1 (fr) * | 1980-06-25 | 1986-04-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de transducteurs ultrasonores de formes complexes et application a l'obtention de transducteurs annulaires |
| US5457863A (en) * | 1993-03-22 | 1995-10-17 | General Electric Company | Method of making a two dimensional ultrasonic transducer array |
| US5359760A (en) * | 1993-04-16 | 1994-11-01 | The Curators Of The University Of Missouri On Behalf Of The University Of Missouri-Rolla | Method of manufacture of multiple-element piezoelectric transducer |
-
1993
- 1993-05-04 KR KR1019930007671A patent/KR970002997B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-05-04 US US08/239,173 patent/US5758396A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-06 JP JP9408294A patent/JPH07135350A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029646A (ja) * | 1999-04-20 | 2011-02-10 | Seagate Technology Llc | 差動型ｐｚｔアクチベータの電極パターンの形成 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970002997B1 (ko) | 1997-03-13 |
| US5758396A (en) | 1998-06-02 |
| KR940027535A (ko) | 1994-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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