JPH07159708A - Ｍ×ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法 - Google Patents
Ｍ×ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法Info
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- JPH07159708A JPH07159708A JP6231916A JP23191694A JPH07159708A JP H07159708 A JPH07159708 A JP H07159708A JP 6231916 A JP6231916 A JP 6231916A JP 23191694 A JP23191694 A JP 23191694A JP H07159708 A JPH07159708 A JP H07159708A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/74—Projection arrangements for image reproduction, e.g. using eidophor
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
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- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
-
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
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- H04R17/08—Gramophone pick-ups using a stylus; Recorders using a stylus signals being recorded or played back by vibration of a stylus in two orthogonal directions simultaneously
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- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造時間を節約し、工程数が低減すると共
に、制御し易いＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアク
チュエーテッドミラーアレーの製法を提供する。 【構成】 セラミックウェハ50を準備するステップ、セ
ラミックウェハの下面に、Ｍ×Ｎ第１電極アレーを提供
するステップ、ウェハの上面に第１金属層55を形成し、
マスクを結合するステップ、Ｍ個のトレンチからＭ×Ｎ
アクチュエーティング部材アレーを形成するステップ、
能動基板上にセラミックウェハを付着し、該マスクを除
去するステップ、第２金属層66を形成するステップ、第
１フォトレジスト層を提供し、電鋳するステップ、該第
１フォトレジスト層を除去するステップ、第２フォトレ
ジスト層を提供するステップ、プラットフォームを形成
するステップ、光反射層を提供するステップ、該光反射
層をＭ×Ｎミラーアレー75にパターン付けるステップ、
第２フォトレジスト層を除去するステップとを含む。
に、制御し易いＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアク
チュエーテッドミラーアレーの製法を提供する。 【構成】 セラミックウェハ50を準備するステップ、セ
ラミックウェハの下面に、Ｍ×Ｎ第１電極アレーを提供
するステップ、ウェハの上面に第１金属層55を形成し、
マスクを結合するステップ、Ｍ個のトレンチからＭ×Ｎ
アクチュエーティング部材アレーを形成するステップ、
能動基板上にセラミックウェハを付着し、該マスクを除
去するステップ、第２金属層66を形成するステップ、第
１フォトレジスト層を提供し、電鋳するステップ、該第
１フォトレジスト層を除去するステップ、第２フォトレ
ジスト層を提供するステップ、プラットフォームを形成
するステップ、光反射層を提供するステップ、該光反射
層をＭ×Ｎミラーアレー75にパターン付けるステップ、
第２フォトレジスト層を除去するステップとを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光投射型システムに関
し、とくに、光投射型システムに用いられるエレクトロ
ディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの向
上された製造方法に関する。
し、とくに、光投射型システムに用いられるエレクトロ
ディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの向
上された製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の種々なビデオディスプレーシステムのうち、光投射型
システムは大画面で高画質ビデオディスプレーを提供す
ることが知られている。このような光投射型システムに
おいては、ランプから投射された光は、たとえば、各々
のミラーが各々のアクチュエータと結合されたＭ×Ｎア
クチュエーテッドミラーアレーに均一に照射される。こ
のようなアクチュエータは、印加された電界に応じて変
形する圧電材料または電歪材料のようなエレクトロディ
スプレーシブ物質からなる。
の種々なビデオディスプレーシステムのうち、光投射型
システムは大画面で高画質ビデオディスプレーを提供す
ることが知られている。このような光投射型システムに
おいては、ランプから投射された光は、たとえば、各々
のミラーが各々のアクチュエータと結合されたＭ×Ｎア
クチュエーテッドミラーアレーに均一に照射される。こ
のようなアクチュエータは、印加された電界に応じて変
形する圧電材料または電歪材料のようなエレクトロディ
スプレーシブ物質からなる。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バッフ
ルの開口に投射される。各々のアクチュエータに電気信
号を印加することによって、入射光への各々のミラーの
相対的な位置が変更され、各ミラーから反射光の光路が
変更される。各々の反射光の光路が変更されれば、各々
のミラーから反射されて開口を通過される光量は変わ
り、光の強度が調節される。開口を経て光量が調節され
た光は、投射レンズのような適切な光学装置を経て投射
スクリーンへ伝送されて像を表示する。
ルの開口に投射される。各々のアクチュエータに電気信
号を印加することによって、入射光への各々のミラーの
相対的な位置が変更され、各ミラーから反射光の光路が
変更される。各々の反射光の光路が変更されれば、各々
のミラーから反射されて開口を通過される光量は変わ
り、光の強度が調節される。開口を経て光量が調節され
た光は、投射レンズのような適切な光学装置を経て投射
スクリーンへ伝送されて像を表示する。
【０００４】図１０〜図１３は、「エレクトロディスプ
レーシブ アクチュエーテッド ミラー アレー（ＥＬ
ＥＣＴＲＯＤＩＳＰＬＡＣＩＶＥ ＡＣＴＵＡＴＥＤ
ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ）」にかかわる韓国出願第９
３−１３８４４号明細書および韓国出願第９３−１３８
４５号明細書に開示された光投射型システムに用いられ
るＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッ
ドミラー５０からなるアレー１００の製法を示すが、前
記方法は、（１）エレクトロディスプレーシブ物質から
なる上下面１、２を有するセラミックウェハ１０を準備
するステップ（図１０（ａ）参照）と、（２）Ｍ×Ｎ第
１電極４からなるアレー３をセラミックウェハ１０の下
面２に形成するステップ（図１０（ｂ）参照）と、
（３）セラミックウェハ１０の上面１を導電性金属層５
で被覆するステップと、（４）金属層５の上部にフォト
レジスチーブ層６を形成するステップ（図１１（ｃ）参
照）と、（５）ステップ（２）〜（４）により処理され
たセラミックウェハ１０の上面１に、たとえば、エッチ
ング工程を用いて各々幅が５０〜７０μｍであり、深さ
が５０〜１００μｍである垂直方向のＭ第１トレンチ７
（図１１（ｄ）参照）を提供するステップと、（６）前
記ステップ（２）〜（５）により処理された前記セラミ
ックウェーハ１０の上面１にエッチング工程を用いて水
平方向のＮ−１溝（図示せず）を形成することによっ
て、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエータ
１８からなるアレー１７を形成するステップと、（７）
フォトレジスト層６を除去するステップ（図１２（ｅ）
参照）と、（８）前記ステップ（２）〜（６）によって
処理されたセラミックウェハ１０を基板９およびＭ×Ｎ
トランジスタアレー（図示せず）を含む能動基板８上に
付着するステップと、（９）各々のヒンジ１２が相応す
る一つトレンチ７にあてはめる突起部１５を有するＭ×
Ｎヒンジ１２からなるアレー１１を前記ステップによっ
て処理されたセラミックウェハ１０上に付着するステッ
プと、（１０）各々のＭ×Ｎヒンジ１２の平滑な上面１
３にミラー１９を形成するステップと、（１１）電気的
接続を行うことによって、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレ
ーシブアクチュエーテッドミラー５０からなるアレー１
００を形成するステップ（図１３（ｆ）参照）とを含
む。
レーシブ アクチュエーテッド ミラー アレー（ＥＬ
ＥＣＴＲＯＤＩＳＰＬＡＣＩＶＥ ＡＣＴＵＡＴＥＤ
ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ）」にかかわる韓国出願第９
３−１３８４４号明細書および韓国出願第９３−１３８
４５号明細書に開示された光投射型システムに用いられ
るＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッ
ドミラー５０からなるアレー１００の製法を示すが、前
記方法は、（１）エレクトロディスプレーシブ物質から
なる上下面１、２を有するセラミックウェハ１０を準備
するステップ（図１０（ａ）参照）と、（２）Ｍ×Ｎ第
１電極４からなるアレー３をセラミックウェハ１０の下
面２に形成するステップ（図１０（ｂ）参照）と、
（３）セラミックウェハ１０の上面１を導電性金属層５
で被覆するステップと、（４）金属層５の上部にフォト
レジスチーブ層６を形成するステップ（図１１（ｃ）参
照）と、（５）ステップ（２）〜（４）により処理され
たセラミックウェハ１０の上面１に、たとえば、エッチ
ング工程を用いて各々幅が５０〜７０μｍであり、深さ
が５０〜１００μｍである垂直方向のＭ第１トレンチ７
（図１１（ｄ）参照）を提供するステップと、（６）前
記ステップ（２）〜（５）により処理された前記セラミ
ックウェーハ１０の上面１にエッチング工程を用いて水
平方向のＮ−１溝（図示せず）を形成することによっ
て、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエータ
１８からなるアレー１７を形成するステップと、（７）
フォトレジスト層６を除去するステップ（図１２（ｅ）
参照）と、（８）前記ステップ（２）〜（６）によって
処理されたセラミックウェハ１０を基板９およびＭ×Ｎ
トランジスタアレー（図示せず）を含む能動基板８上に
付着するステップと、（９）各々のヒンジ１２が相応す
る一つトレンチ７にあてはめる突起部１５を有するＭ×
Ｎヒンジ１２からなるアレー１１を前記ステップによっ
て処理されたセラミックウェハ１０上に付着するステッ
プと、（１０）各々のＭ×Ｎヒンジ１２の平滑な上面１
３にミラー１９を形成するステップと、（１１）電気的
接続を行うことによって、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレ
ーシブアクチュエーテッドミラー５０からなるアレー１
００を形成するステップ（図１３（ｆ）参照）とを含
む。
【０００５】前記したＭ×Ｎエレクトロディスプレーシ
ブアクチュエーテッドミラーアレーを制作する方法には
多くの問題点がある。まず、時間が多く消費され、制御
しにくいのみならず、長い工程を含むということであ
る。このような工程のうちの一つは、水平方向のＭ個の
トレンチを形成することであるが、各々のＭ個のトレン
チは、前述のように、各々幅が５０〜７０μｍで、深さ
が５０〜１００μｍであり、通常、エッチング工程また
はそれらの組み合わせから形成される。しかし、これは
極めて困難な手続きであり、エレクトロディスプレーシ
ブ物質上に正確にＭ個のトレンチを形成するのには多く
の時間が消費される。
ブアクチュエーテッドミラーアレーを制作する方法には
多くの問題点がある。まず、時間が多く消費され、制御
しにくいのみならず、長い工程を含むということであ
る。このような工程のうちの一つは、水平方向のＭ個の
トレンチを形成することであるが、各々のＭ個のトレン
チは、前述のように、各々幅が５０〜７０μｍで、深さ
が５０〜１００μｍであり、通常、エッチング工程また
はそれらの組み合わせから形成される。しかし、これは
極めて困難な手続きであり、エレクトロディスプレーシ
ブ物質上に正確にＭ個のトレンチを形成するのには多く
の時間が消費される。
【０００６】したがって、本発明の主な目的は、製造時
間が節約され、工程数が減らされると共に、制御し易い
Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッド
ミラーアレーの向上された製法を提供することにある。
間が節約され、工程数が減らされると共に、制御し易い
Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッド
ミラーアレーの向上された製法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光投射
型システムに用いられるＭ×Ｎエレクトロディスプレー
シブアクチュエーテッドミラーアレーの製法が提供さ
れ、前記方法は、（ａ）上下面を有するエレクトロディ
スプレーシブ物質からなるセラミックウェハを準備する
ステップと、（ｂ）前記セラミックウェハの全上面に、
均一な間隔で一定の大きさのＭ×Ｎ第１電極アレーを提
供するステップと、（ｃ）前記セラミックウェハの上面
を上面を有する導電性第１金属層で被覆するステップ
と、（ｄ）前記セラミックウェハの下面上の各々の第１
電極が前記セラミックウェハの上面に投射されたとき、
隣接した二つのマスクと重ねる、垂直方向へ均一な間隔
のＭ個のマスクを前記第１金属層の上面に結合するステ
ップと、（ｅ）前記ステップ（ｂ）〜（ｄ）によって処
理されたセラミックウェハ上に垂直方向のＭトレンチを
あらかじめ設定された幅と深さで形成し、前記Ｍトレン
チに固定された大きさの水平方向のＮ−１個の溝をさら
に提供することによって、各々平滑な上面および一対の
側面を有するＭ×Ｎアクチュエーティング部材アレーを
生成するステップと、（ｆ）前記ステップ（ｂ）〜
（ｅ）により処理された前記セラミックウェハを、前記
各々の第１電極をその相応する一つの接続端子と連結す
ることによって、基板、Ｍ×Ｎトランジスタアレーおよ
びＭ×Ｎ接続端子アレーを含む能動基板上に付着するス
テップと、（ｇ）前記マスクを除去して、前記各々のア
クチュエーティング部材上の前記第１金属層の平滑な上
面を露出させるステップと、（ｈ）前記第１金属層の上
面および前記各々のアクチュエーティング部材の一対の
側面などを第２金属層で完全にまたは部分的に被覆する
ステップと、（ｉ）前記各々のアクチュエーティング部
材の一対の側面などを部分的に被覆する部分を除いた、
第２金属層の上面に第１フォトレジスト層を提供するス
テップと、（ｊ）前記各々のアクチュエーティング部材
の一対の側面などを部分的に被覆する第２金属層の部分
に電鋳（ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ）を行って、前
記Ｍ個のトレンチの幅を減少させるステップと、（ｋ）
前記各々のアクチュエーティング部材上の前記第２金属
層の上面で前記第１フォトレジスト層を除去するステッ
プと、（ｌ）前記各々のアクチュエーティング部材上の
第２金属層の上部に第２フォトレジスト層を提供するス
テップと、（ｍ）前記ステップ（ｂ）〜（ｌ）により処
理されたＭ個のトレンチを含むセラミックウェハの全上
面にエポキシ樹脂層を形成して、平滑な上面を有するプ
ラットフォームを生成するステップと、（ｎ）前記プラ
ットフォームの表面を含む平滑な上面に光反射層を提供
して、ミラー層を形成するステップと、（ｏ）前記ミラ
ー反射層およびプラットフォームをＭ×Ｎミラーアレー
でパターン付けするステップと、（ｐ）前記各々のアク
チュエーティング部材上の第２金属層の上部にある第２
フォトレジスト層を除去することによって、Ｍ×Ｎエレ
クトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレ
ーを形成するステップとを含む。
型システムに用いられるＭ×Ｎエレクトロディスプレー
シブアクチュエーテッドミラーアレーの製法が提供さ
れ、前記方法は、（ａ）上下面を有するエレクトロディ
スプレーシブ物質からなるセラミックウェハを準備する
ステップと、（ｂ）前記セラミックウェハの全上面に、
均一な間隔で一定の大きさのＭ×Ｎ第１電極アレーを提
供するステップと、（ｃ）前記セラミックウェハの上面
を上面を有する導電性第１金属層で被覆するステップ
と、（ｄ）前記セラミックウェハの下面上の各々の第１
電極が前記セラミックウェハの上面に投射されたとき、
隣接した二つのマスクと重ねる、垂直方向へ均一な間隔
のＭ個のマスクを前記第１金属層の上面に結合するステ
ップと、（ｅ）前記ステップ（ｂ）〜（ｄ）によって処
理されたセラミックウェハ上に垂直方向のＭトレンチを
あらかじめ設定された幅と深さで形成し、前記Ｍトレン
チに固定された大きさの水平方向のＮ−１個の溝をさら
に提供することによって、各々平滑な上面および一対の
側面を有するＭ×Ｎアクチュエーティング部材アレーを
生成するステップと、（ｆ）前記ステップ（ｂ）〜
（ｅ）により処理された前記セラミックウェハを、前記
各々の第１電極をその相応する一つの接続端子と連結す
ることによって、基板、Ｍ×Ｎトランジスタアレーおよ
びＭ×Ｎ接続端子アレーを含む能動基板上に付着するス
テップと、（ｇ）前記マスクを除去して、前記各々のア
クチュエーティング部材上の前記第１金属層の平滑な上
面を露出させるステップと、（ｈ）前記第１金属層の上
面および前記各々のアクチュエーティング部材の一対の
側面などを第２金属層で完全にまたは部分的に被覆する
ステップと、（ｉ）前記各々のアクチュエーティング部
材の一対の側面などを部分的に被覆する部分を除いた、
第２金属層の上面に第１フォトレジスト層を提供するス
テップと、（ｊ）前記各々のアクチュエーティング部材
の一対の側面などを部分的に被覆する第２金属層の部分
に電鋳（ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ）を行って、前
記Ｍ個のトレンチの幅を減少させるステップと、（ｋ）
前記各々のアクチュエーティング部材上の前記第２金属
層の上面で前記第１フォトレジスト層を除去するステッ
プと、（ｌ）前記各々のアクチュエーティング部材上の
第２金属層の上部に第２フォトレジスト層を提供するス
テップと、（ｍ）前記ステップ（ｂ）〜（ｌ）により処
理されたＭ個のトレンチを含むセラミックウェハの全上
面にエポキシ樹脂層を形成して、平滑な上面を有するプ
ラットフォームを生成するステップと、（ｎ）前記プラ
ットフォームの表面を含む平滑な上面に光反射層を提供
して、ミラー層を形成するステップと、（ｏ）前記ミラ
ー反射層およびプラットフォームをＭ×Ｎミラーアレー
でパターン付けするステップと、（ｐ）前記各々のアク
チュエーティング部材上の第２金属層の上部にある第２
フォトレジスト層を除去することによって、Ｍ×Ｎエレ
クトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレ
ーを形成するステップとを含む。
【０００８】
【実施例】つぎに、本発明の実施例について図面を参照
しながらより詳しく説明する。
しながらより詳しく説明する。
【０００９】本発明によれば、Ｍ×Ｎエレクトロディス
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレー（Ｍおよび
Ｎは整数）の製造工程は、図１（ａ）に示すように、セ
ラミックウェハ５０の準備から始まるが、このセラミッ
クウェハは、たとえば、リードジルコニウムチタネート
（ＰＺＴ）のような圧電材料またはリードマグネシウム
チタネート（ＰＭＮ−ＰＴ）のような電歪材料のエレク
トロディスプレーシブ物質からなり、平滑で互いに平行
である上下面５１、５２を有する。
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレー（Ｍおよび
Ｎは整数）の製造工程は、図１（ａ）に示すように、セ
ラミックウェハ５０の準備から始まるが、このセラミッ
クウェハは、たとえば、リードジルコニウムチタネート
（ＰＺＴ）のような圧電材料またはリードマグネシウム
チタネート（ＰＭＮ−ＰＴ）のような電歪材料のエレク
トロディスプレーシブ物質からなり、平滑で互いに平行
である上下面５１、５２を有する。
【００１０】図１（ｂ）に示したように、次のステップ
においては、セラミックウェハ５０の下面５２に均一な
間隔で一定の大きさのＭ×Ｎ第１電極５４からなるアレ
ー５３を提供するが、これは、セラミックウェハ５０の
下面５２を銅のような導電性金属でスパッタリングして
層を形成したあと、たとえば、フォトリソグラフィー技
術を用いて、その層を所望の電極パターンにパターン付
けすることによって形成される。
においては、セラミックウェハ５０の下面５２に均一な
間隔で一定の大きさのＭ×Ｎ第１電極５４からなるアレ
ー５３を提供するが、これは、セラミックウェハ５０の
下面５２を銅のような導電性金属でスパッタリングして
層を形成したあと、たとえば、フォトリソグラフィー技
術を用いて、その層を所望の電極パターンにパターン付
けすることによって形成される。
【００１１】そのあと、図２（ｃ）に示したように、セ
ラミックウェハ５０の上面５１を、たとえば、銅のよう
な導電性金属を上面５１にスパッタリングして、上面７
１を有する導電性第１金属層５５で完全に被覆する。
ラミックウェハ５０の上面５１を、たとえば、銅のよう
な導電性金属を上面５１にスパッタリングして、上面７
１を有する導電性第１金属層５５で完全に被覆する。
【００１２】次のステップにおいては、図２（ｄ）に示
したように、均一な間隔の垂直方向マスク５６を第１金
属層５５の上面７１と結合するが、セラミックウェハ５
０の下面５２上の各々の第１電極５４は、上面５１へ投
射されるばあい、隣接した二つのマスク５６、５６′の
部分と重ねる。
したように、均一な間隔の垂直方向マスク５６を第１金
属層５５の上面７１と結合するが、セラミックウェハ５
０の下面５２上の各々の第１電極５４は、上面５１へ投
射されるばあい、隣接した二つのマスク５６、５６′の
部分と重ねる。
【００１３】その後、図３（ｅ）に示したように、サン
ドブラスティング（ｓａｎｄｂｌａｓｔｉｎｇ）または
これと同一な方法で、既設定された深さと幅で垂直方向
のＭ個のトレンチ５８を垂直方向のＭ個のマスク５６で
被覆されなかった、第１金属層５５の上面７１の部分に
形成するが、各々のＭ個のトレンチ５８に固定された大
きさの水平方向のＮ−１個の溝（図示せず）がさらに提
供されて、Ｍ×Ｎアクチュエーティング部材５７からな
るアレー６０が形成され、各々のアクチュエーティング
部材５７は、平滑な上面６１および一対の側面５９を有
する。かかるサンドブラスティングは、サンドブラステ
ィング粉末と除去する部分を摩擦することによって、所
望の部分を除去するが、この工程は、制御し易く、通常
の化学エッチング工程より速い。
ドブラスティング（ｓａｎｄｂｌａｓｔｉｎｇ）または
これと同一な方法で、既設定された深さと幅で垂直方向
のＭ個のトレンチ５８を垂直方向のＭ個のマスク５６で
被覆されなかった、第１金属層５５の上面７１の部分に
形成するが、各々のＭ個のトレンチ５８に固定された大
きさの水平方向のＮ−１個の溝（図示せず）がさらに提
供されて、Ｍ×Ｎアクチュエーティング部材５７からな
るアレー６０が形成され、各々のアクチュエーティング
部材５７は、平滑な上面６１および一対の側面５９を有
する。かかるサンドブラスティングは、サンドブラステ
ィング粉末と除去する部分を摩擦することによって、所
望の部分を除去するが、この工程は、制御し易く、通常
の化学エッチング工程より速い。
【００１４】図４（ｆ）に示したように、導電性接着剤
を用いて、各々の第１電極５４を各々の対応する接続端
子６４と連結することによって、基板６５、トランジス
タアレー（図示せず）およびＭ×Ｎ接続端子６４からな
るアレー６３を含む能動基板６２上に前記ステップによ
って処理されたセラミックウェハ５０を付着する。
を用いて、各々の第１電極５４を各々の対応する接続端
子６４と連結することによって、基板６５、トランジス
タアレー（図示せず）およびＭ×Ｎ接続端子６４からな
るアレー６３を含む能動基板６２上に前記ステップによ
って処理されたセラミックウェハ５０を付着する。
【００１５】セラミックウェハ５０が、たとえば、ＰＺ
Ｔのような圧電物質からなるばあい、セラミックウェハ
５０は、必ず能動基板６２上に付着する前に、水平方向
へ隣接したアクチュエーティング部材における圧電物質
の分極方向が互いに反対であり、二つの垂直方向へ隣接
したアクチュエーティング部材における圧電物質の分極
方向は互いに同じであるように分極しなければならな
い。
Ｔのような圧電物質からなるばあい、セラミックウェハ
５０は、必ず能動基板６２上に付着する前に、水平方向
へ隣接したアクチュエーティング部材における圧電物質
の分極方向が互いに反対であり、二つの垂直方向へ隣接
したアクチュエーティング部材における圧電物質の分極
方向は互いに同じであるように分極しなければならな
い。
【００１６】図５（ｇ）に示したように、垂直方向のＭ
個のマスク５６を除去して、各々のアクチュエーティン
グ部材５７上の第１金属層５５の上面７１を露出させ、
上面７１および一対の側面５９を第２金属層６６で被覆
する。
個のマスク５６を除去して、各々のアクチュエーティン
グ部材５７上の第１金属層５５の上面７１を露出させ、
上面７１および一対の側面５９を第２金属層６６で被覆
する。
【００１７】次のステップにおいて、図６（ｈ）に示し
たように、第１フォトレジスト層６７を各々のアクチュ
エーティング部材５７上の一対の側面５９の部分的に被
覆された部分を除いて、第２金属層６６の上部に提供さ
れる。
たように、第１フォトレジスト層６７を各々のアクチュ
エーティング部材５７上の一対の側面５９の部分的に被
覆された部分を除いて、第２金属層６６の上部に提供さ
れる。
【００１８】図７（ｉ）に示したように、各々のアクチ
ュエーティング部材５７上の一対の側面５９を部分的に
被覆する第２金属層６６の部分に電鋳を行って、各々の
Ｍ個のトレンチ５８の幅を減少させ、電鋳が完了されれ
ば、第１フォトレジスト層６７を除去する。
ュエーティング部材５７上の一対の側面５９を部分的に
被覆する第２金属層６６の部分に電鋳を行って、各々の
Ｍ個のトレンチ５８の幅を減少させ、電鋳が完了されれ
ば、第１フォトレジスト層６７を除去する。
【００１９】そのあと、各々のアクチュエーティング部
材５７上の第２金属層６６の上部に第２フォトレジスト
層６８を形成する。
材５７上の第２金属層６６の上部に第２フォトレジスト
層６８を形成する。
【００２０】第２フォトレジスト層６８を形成したあ
と、図８（ｊ）に示したように、上面をＭ個のトレンチ
５８を含んで、完全にエポキシ樹脂層で被覆して前記ス
テップなどによって処理されたセラミックウェハ上に、
エポキシ樹脂層からなり、平滑な上面７２を有するプラ
ットフォーム６９を形成する。このエポキシ樹脂層は紫
外線硬化性物質からなる。
と、図８（ｊ）に示したように、上面をＭ個のトレンチ
５８を含んで、完全にエポキシ樹脂層で被覆して前記ス
テップなどによって処理されたセラミックウェハ上に、
エポキシ樹脂層からなり、平滑な上面７２を有するプラ
ットフォーム６９を形成する。このエポキシ樹脂層は紫
外線硬化性物質からなる。
【００２１】そのあと、プラットフォーム６９の平滑な
上面７２を、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）のような
光反射物質でスパッタリングして、光反射層を形成し、
これによって光反射層およびプラットフォーム６９を含
むミラー層が形成される。そのあと、このミラー層をＭ
×Ｎミラー７６からなるアレー７５でパターン付けられ
る。
上面７２を、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）のような
光反射物質でスパッタリングして、光反射層を形成し、
これによって光反射層およびプラットフォーム６９を含
むミラー層が形成される。そのあと、このミラー層をＭ
×Ｎミラー７６からなるアレー７５でパターン付けられ
る。
【００２２】そのあと、図９（ｋ）に示したように、各
々のＭ×Ｎアクチュエーティング部材５７上の第２金属
層６６の上部にある第２フォトレジスト層６８を除去し
て、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテ
ッドミラー８０からなるアレー１００を形成する。
々のＭ×Ｎアクチュエーティング部材５７上の第２金属
層６６の上部にある第２フォトレジスト層６８を除去し
て、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテ
ッドミラー８０からなるアレー１００を形成する。
【００２３】本発明は特定の実施例について説明してい
るが、本発明の範囲を逸脱することなく、当業者は種々
の改変をなしうる。
るが、本発明の範囲を逸脱することなく、当業者は種々
の改変をなしうる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、製造時間が節約され、
工程数が減らされると共に、制御し易いＭ×Ｎエレクト
ロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの
向上された製法を提供する。
工程数が減らされると共に、制御し易いＭ×Ｎエレクト
ロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの
向上された製法を提供する。
【図１】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図２】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図３】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図４】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図５】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図６】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図７】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図８】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図９】本発明のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの一実施例による製造工
程を示す概略的な断面図である。
【図１０】従来のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
【図１１】従来のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
【図１２】従来のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
【図１３】従来のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーの製造工程を示す概略的
な断面図である。
５０ セラミックウェハ ５５ 第１金属層 ５６ Ｍ個のマスク ５８ Ｍ個のトレンチ ６３ Ｍ×Ｎ接続端子アレー ６６ 第２金属層 ６７ 第１フォトレジスト層 ６８ 第２フォトレジスト層 ６９ プラットフォーム ７５ Ｍ×Ｎミラーアレー １００ Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ーテッドミラーアレー
ーテッドミラーアレー
Claims (10)
- 【請求項１】 光投射型システムに用いるＭ×Ｎエレク
トロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレー
（ＭおよびＮは正の整数）の製法であって、 （ａ）上下面を有するエレクトロディスプレーシブ物質
からなるセラミックウェハを準備するステップと、 （ｂ）前記セラミックウェハの全上面に、均一な間隔で
一定の大きさのＭ×Ｎ第１電極アレーを提供するステッ
プと、 （ｃ）前記セラミックウェハの上面を上面を有する導電
性第１金属層で被覆するステップと、 （ｄ）前記セラミックウェハの下面上の各々の第１電極
が前記セラミックウェハの上面に投射されたとき、隣接
した二つのマスクと重ねる、垂直方向へ均一な間隔のＭ
個のマスクを前記第１金属層の上面に結合するステップ
と、 （ｅ）前記ステップ（ｂ）〜（ｄ）によって処理された
セラミックウェハ上に垂直方向のＭトレンチをあらかじ
め設定された幅と深さで形成し、前記Ｍ個のトレンチに
固定された大きさの水平方向のＮ−１個の溝をさらに提
供することによって、各々平滑な上面および一対の側面
を有するＭ×Ｎアクチュエーティング部材アレーを生成
するステップと、 （ｆ）前記ステップ（ｂ）〜（ｅ）により処理された前
記セラミックウェハを、前記各々の第１電極をその相応
する一つの接続端子と連結することによって、基板、Ｍ
×ＮトランジスタアレーおよびＭ×Ｎ接続端子アレーを
含む能動基板上に付着するステップと、 （ｇ）前記マスクを除去して、前記各々のアクチュエー
ティング部材上の前記第１金属層の平滑な上面を露出さ
せるステップと、 （ｈ）前記第１金属層の上面および前記各々のアクチュ
エーティング部材の一対の側面などを第２金属層で完全
にまたは部分的に被覆するステップと、 （ｉ）前記各々のアクチュエーティング部材の一対の側
面などを部分的に被覆する部分を除いた、第２金属層の
上面に第１フォトレジスト層を提供するステップと、 （ｊ）前記各々のアクチュエーティング部材の一対の側
面などを部分的に被覆する第２金属層の部分に電鋳を行
って、前記Ｍ個のトレンチの幅を減少させるステップ
と、 （ｋ）前記各々のアクチュエーティング部材上の前記第
２金属層の上面で前記第１フォトレジスト層を除去する
ステップと、 （ｌ）前記各々のアクチュエーティング部材上の第２金
属層の上部に第２フォトレジスト層を積層するステップ
と、 （ｍ）前記ステップ（ｂ）〜（ｌ）により処理された、
Ｍ個のトレンチを含むセラミックウェハの全上面にエポ
キシ樹脂層を形成して、平滑な上面を有するプラットフ
ォームを生成するステップと、 （ｎ）前記プラットフォームの表面を含む平滑な上面に
光反射層を提供して、ミラー層を形成するステップと、 （ｏ）前記ミラー反射層およびプラットフォームをＭ×
Ｎミラーアレーでパターン付けするステップと、 （ｐ）前記各々のアクチュエーティング部材上の第２金
属層の上部にある第２フォトレジスト層を除去すること
によって、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュ
エーテッドミラーアレーを形成するステップとを含むＭ
×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミ
ラーアレーの製法。 - 【請求項２】 前記セラミックウェハは、圧電物質から
なる請求項１記載のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブ
アクチュエーテッドミラーアレーの製法。 - 【請求項３】 前記セラミックウェハを前記能動基板に
付着される前に、分極化する請求項２記載のＭ×Ｎエレ
クトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレ
ーの製法。 - 【請求項４】 水平方向へ隣接した二つのアクチュエー
ティング部材内の圧電物質の分極方向は、互いに反対で
あり、垂直方向へ隣接した二つのアクチュエーティング
部材内の圧電物質の分極方向は互いに同じように前記セ
ラミックウェハを分極する請求項３記載のＭ×Ｎエレク
トロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレー
の製法。 - 【請求項５】 前記Ｍ×Ｎ第１電極アレーは、導電性金
属で前記セラミックウェハの下面をスパッタリングした
あと、フォトリソグラフィー方法を用いて、所望の電極
パターンをえることによって形成される請求項１記載の
Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッド
ミラーアレーの製法。 - 【請求項６】 前記第１導電性金属は、前記セラミック
ウェハの上面を前記導電性金属でスパッタリングするこ
とによって形成されることを特徴とする請求項１記載の
Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッド
ミラーアレーの製法。 - 【請求項７】 前記Ｍ個のトレンチは、サンドブラステ
ィング方法で形成される請求項１記載のＭ×Ｎエレクト
ロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの
製法。 - 【請求項８】 前記エポキシ樹脂層が、紫外線硬化性で
ある請求項１記載のエレクトロディスプレーシブアクチ
ュエーテッドミラーアレーの製法。 - 【請求項９】 前記光反射層はスパッタリング方法を用
いることによって、前記プラットフォームの平滑な上面
に形成される請求項１記載のＭ×Ｎエレクトロディスプ
レーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法。 - 【請求項１０】 前記請求項１〜９のうちのいずれか一
つの方法によって形成されたＭ×Ｎエレクトロディスプ
レーシブアクチュエーテッドミラーアレーを含む光投射
型システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93-20260 | 1993-09-28 | ||
| KR1019930020260A KR970003466B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 투사형 화상 표시 장치의 광로 조절 장치 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07159708A true JPH07159708A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=19365047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6231916A Pending JPH07159708A (ja) | 1993-09-28 | 1994-09-27 | Ｍ×ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5506720A (ja) |
| JP (1) | JPH07159708A (ja) |
| KR (1) | KR970003466B1 (ja) |
| CN (1) | CN1065965C (ja) |
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