JPH07151984A - Ｍ×ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法 - Google Patents
Ｍ×ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法Info
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- JPH07151984A JPH07151984A JP6228460A JP22846094A JPH07151984A JP H07151984 A JPH07151984 A JP H07151984A JP 6228460 A JP6228460 A JP 6228460A JP 22846094 A JP22846094 A JP 22846094A JP H07151984 A JPH07151984 A JP H07151984A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/04—Gramophone pick-ups using a stylus; Recorders using a stylus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造時間が短く、工程数が低減されると共
に、制御し易いＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアク
チュエーテッドミラーアレーの製法を提供する。 【構成】 二つのセラミックウェハを準備するステッ
プ、溝を形成するステップ、前記二つのセラミックウェ
ハを結合してセラミックブロックを形成するステップ、
前記セラミックブロックから複合セラミック構造を形成
するステップ、Ｍ×Ｎ信号電極７０およびＭ×Ｎアクチ
ュエーテッドミラーアレーを形成するステップと、前記
複合セラミック構造を能動基板７２上に付着するステッ
プ、続いてＭ＋１個のフォトレジスチブネックトセグメ
ントを付着するステップ、プラットフォームを付着する
ステップ、光反射層を形成するステップ、該光反射層を
前記プラットフォームを含みＭ×Ｎミラーアレー８４に
パターン付けるステップおよび前記フォトレジスチブネ
ックトセグメントを除去するステップを含む。
に、制御し易いＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアク
チュエーテッドミラーアレーの製法を提供する。 【構成】 二つのセラミックウェハを準備するステッ
プ、溝を形成するステップ、前記二つのセラミックウェ
ハを結合してセラミックブロックを形成するステップ、
前記セラミックブロックから複合セラミック構造を形成
するステップ、Ｍ×Ｎ信号電極７０およびＭ×Ｎアクチ
ュエーテッドミラーアレーを形成するステップと、前記
複合セラミック構造を能動基板７２上に付着するステッ
プ、続いてＭ＋１個のフォトレジスチブネックトセグメ
ントを付着するステップ、プラットフォームを付着する
ステップ、光反射層を形成するステップ、該光反射層を
前記プラットフォームを含みＭ×Ｎミラーアレー８４に
パターン付けるステップおよび前記フォトレジスチブネ
ックトセグメントを除去するステップを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光投射型システムに関
し、とくに、光投射型システムに用いられる圧電アクチ
ュエーテッドミラーアレーの向上された製法に関する。
し、とくに、光投射型システムに用いられる圧電アクチ
ュエーテッドミラーアレーの向上された製法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の種々なビデオディスプレーシステムのうち、光投射型
システムは大画面で高画質ビデオディスプレーを提供す
ることが知られている。このような光投射型システムに
おいては、ランプから投射された光は、たとえば、各々
のミラーが各々のアクチュエータと結合されたＭ×Ｎア
クチュエーテッドミラーアレーに均一に照射される。こ
のようなアクチュエータなどは、印加された電界に応じ
て変形する圧電材料または電歪材料のようなエレクトロ
ディスプレーシブ(electrodisplacive) 物質からなりう
る。
の種々なビデオディスプレーシステムのうち、光投射型
システムは大画面で高画質ビデオディスプレーを提供す
ることが知られている。このような光投射型システムに
おいては、ランプから投射された光は、たとえば、各々
のミラーが各々のアクチュエータと結合されたＭ×Ｎア
クチュエーテッドミラーアレーに均一に照射される。こ
のようなアクチュエータなどは、印加された電界に応じ
て変形する圧電材料または電歪材料のようなエレクトロ
ディスプレーシブ(electrodisplacive) 物質からなりう
る。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バッフ
ル(baffle)の開口に投射される。各々のアクチュエータ
に電気信号を印加することによって、入射光への各々の
ミラーの相対的な位置が変更され、各ミラーから反射光
の光路が変更される。各々の反射光の光路が変更されれ
ば、各々のミラーから反射されて開口を通過される光量
は変わり、光の強度が調節される。開口を経て光量が調
節された光は、投射レンズのような適切な光学装置を経
て投射スクリーンへ伝送されて像をディスプレーする。
ル(baffle)の開口に投射される。各々のアクチュエータ
に電気信号を印加することによって、入射光への各々の
ミラーの相対的な位置が変更され、各ミラーから反射光
の光路が変更される。各々の反射光の光路が変更されれ
ば、各々のミラーから反射されて開口を通過される光量
は変わり、光の強度が調節される。開口を経て光量が調
節された光は、投射レンズのような適切な光学装置を経
て投射スクリーンへ伝送されて像をディスプレーする。
【０００４】図１３は、アクチュエータが圧電材料から
なる光投射型システムに用いるＭ×Ｎエレクトロディス
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレー10の断面図
を表し、発明の名称「パイゾエレクトリック アクチュ
エイティド ミラー アレーアンド メンド フォー
ザ マニュファクチャー ゼアオブ(PIEZOELECTRICACTU
ATED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR THE MANUFACTURE T
HEREOF)」にかかわる韓国出願第９３−８８５９号明細
書に開示されており、次の事項を含む。基板２、トラン
ジスタアレー（図示せず）およびＭ×Ｎ接続端子（たと
えば、４、104 、204 ）アレー３を含む能動基板１と、
垂直方向の中央線を有し、圧電部材７上に固定された深
さで形成された溝11により上面８が均一に分離されて、
一対のアクチュエーティング部材21、121 を生成する上
下面８，９を有する圧電部材７と、垂直方向の中央線が
溝11の中央線と一致する下面９に位置する信号電極12
と、分離された上面に位置する一対の共通基準電極13、
113 を含む各々のＭ×Ｎ圧電アクチュエータ（たとえ
ば、６）からなるＭ×Ｎ圧電アクチュエータ（たとえ
ば、６、106 、206 ）からなるアレー５と、上面16およ
びＭ×Ｎ圧電アクチュエータ６の各々の溝11とあてはめ
る突起部18を有する下面17を各々のＭ×Ｎヒンジ(hing
e) 15からなるＭ×Ｎヒンジ（たとえば、15、115 、215
）アレー14と、各々のＭ×Ｎヒンジ15の上面16に付着
された各々のＭ×Ｎミラー（たとえば、20）からなるＭ
×Ｎミラー（たとえば、20、120 、220 ）アレー19とを
含む。各々の圧電部材７の一対のアクチュエーティング
部材21、121 内の圧電材料の分極方向は互いに反対であ
る。
なる光投射型システムに用いるＭ×Ｎエレクトロディス
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレー10の断面図
を表し、発明の名称「パイゾエレクトリック アクチュ
エイティド ミラー アレーアンド メンド フォー
ザ マニュファクチャー ゼアオブ(PIEZOELECTRICACTU
ATED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR THE MANUFACTURE T
HEREOF)」にかかわる韓国出願第９３−８８５９号明細
書に開示されており、次の事項を含む。基板２、トラン
ジスタアレー（図示せず）およびＭ×Ｎ接続端子（たと
えば、４、104 、204 ）アレー３を含む能動基板１と、
垂直方向の中央線を有し、圧電部材７上に固定された深
さで形成された溝11により上面８が均一に分離されて、
一対のアクチュエーティング部材21、121 を生成する上
下面８，９を有する圧電部材７と、垂直方向の中央線が
溝11の中央線と一致する下面９に位置する信号電極12
と、分離された上面に位置する一対の共通基準電極13、
113 を含む各々のＭ×Ｎ圧電アクチュエータ（たとえ
ば、６）からなるＭ×Ｎ圧電アクチュエータ（たとえ
ば、６、106 、206 ）からなるアレー５と、上面16およ
びＭ×Ｎ圧電アクチュエータ６の各々の溝11とあてはめ
る突起部18を有する下面17を各々のＭ×Ｎヒンジ(hing
e) 15からなるＭ×Ｎヒンジ（たとえば、15、115 、215
）アレー14と、各々のＭ×Ｎヒンジ15の上面16に付着
された各々のＭ×Ｎミラー（たとえば、20）からなるＭ
×Ｎミラー（たとえば、20、120 、220 ）アレー19とを
含む。各々の圧電部材７の一対のアクチュエーティング
部材21、121 内の圧電材料の分極方向は互いに反対であ
る。
【０００５】前記韓国出願第９３−８８５９号明細書に
は、Ｍ×Ｎ圧電アクチュエーテッドミラーアレーの製法
が開示されており、次のステップを含む。(1) 上下面を
有する圧電セラミックウェハをうるステップと、(2) 前
記セラミックウェハの下面にＭ×Ｎ信号電極アレーを生
成し、また、前記セラミックウェハの上面にはＭ＋１個
の共通基準電極を形成するステップと、(3) 前記ステッ
プによって処理されたセラミックウェハを能動基板上に
付着するステップと、(4) 前記Ｍ＋１個の共通基準電極
をフォトレジスチブネックトセグメント(photoresistiv
e necked segment) で被覆するステップと、(5) エッチ
ング方法を用いてＭ個の溝を形成するステップであっ
て、前記各々のＭ個の溝は幅が50〜70μm であり、深さ
が50〜100μm であり、各々の二つの共通基準電極と前
記信号電極の中央線に位置し、前記共通基準電極と平行
であり、垂直方向へ固定された大きさのN-1 個のセット
の溝を有するステップと、(6) 前記ステップにより処理
された前記セラミックウェハの上面にＭ×Ｎヒンジアレ
ーを付着するステップと、(7) 前記各々のＭ×Ｎヒンジ
の上面にミラーを形成するステップと、(8) 前記Ｍ＋１
個のフォトレジスチブネックトセグメントを除去するス
テップと、(9) 電気的接続によりＭ×Ｎ圧電アクチュエ
ーテッドミラーアレーを形成するステップとを含む。
は、Ｍ×Ｎ圧電アクチュエーテッドミラーアレーの製法
が開示されており、次のステップを含む。(1) 上下面を
有する圧電セラミックウェハをうるステップと、(2) 前
記セラミックウェハの下面にＭ×Ｎ信号電極アレーを生
成し、また、前記セラミックウェハの上面にはＭ＋１個
の共通基準電極を形成するステップと、(3) 前記ステッ
プによって処理されたセラミックウェハを能動基板上に
付着するステップと、(4) 前記Ｍ＋１個の共通基準電極
をフォトレジスチブネックトセグメント(photoresistiv
e necked segment) で被覆するステップと、(5) エッチ
ング方法を用いてＭ個の溝を形成するステップであっ
て、前記各々のＭ個の溝は幅が50〜70μm であり、深さ
が50〜100μm であり、各々の二つの共通基準電極と前
記信号電極の中央線に位置し、前記共通基準電極と平行
であり、垂直方向へ固定された大きさのN-1 個のセット
の溝を有するステップと、(6) 前記ステップにより処理
された前記セラミックウェハの上面にＭ×Ｎヒンジアレ
ーを付着するステップと、(7) 前記各々のＭ×Ｎヒンジ
の上面にミラーを形成するステップと、(8) 前記Ｍ＋１
個のフォトレジスチブネックトセグメントを除去するス
テップと、(9) 電気的接続によりＭ×Ｎ圧電アクチュエ
ーテッドミラーアレーを形成するステップとを含む。
【０００６】しかし、前記したＭ×Ｎエレクトロディス
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレーを製造する
方法には多くの問題点がある。まず、アクチュエータが
圧電物質からなるばあい、前記アレーが適切に動作する
ためには、水平方向へ隣接したアクチュエータの分極方
向は必ず互いに反対でなければならないし、垂直方向へ
隣接したアクチュエータの分極方向は互いに同じでなけ
ればならない。これは、通常、圧電物質を二つの工程に
わたって分極することにより行われるが、これは極めて
複雑で面倒な工程である。
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレーを製造する
方法には多くの問題点がある。まず、アクチュエータが
圧電物質からなるばあい、前記アレーが適切に動作する
ためには、水平方向へ隣接したアクチュエータの分極方
向は必ず互いに反対でなければならないし、垂直方向へ
隣接したアクチュエータの分極方向は互いに同じでなけ
ればならない。これは、通常、圧電物質を二つの工程に
わたって分極することにより行われるが、これは極めて
複雑で面倒な工程である。
【０００７】さらに、前述したように、各々の溝の幅が
50〜70μm および深さが50〜100 μm になるように正確
にエレクトロディスプレーシブ物質上にＭ個の溝を形成
することは極めて困難であり多くの時間が消費されるな
どの不都合がある。
50〜70μm および深さが50〜100 μm になるように正確
にエレクトロディスプレーシブ物質上にＭ個の溝を形成
することは極めて困難であり多くの時間が消費されるな
どの不都合がある。
【０００８】したがって、本発明の主な目的は、製造時
間が節約され、長い工程が減らされると共に、制御し易
いＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッ
ドミラーアレーの向上された製法を提供することにあ
る。
間が節約され、長い工程が減らされると共に、制御し易
いＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッ
ドミラーアレーの向上された製法を提供することにあ
る。
【０００９】本発明の他の目的は、製造工程のあいだに
面倒な分極ステップがなく、Ｍ×Ｎ圧電アクチュエーテ
ッドミラーアレーの製法を提供することである。
面倒な分極ステップがなく、Ｍ×Ｎ圧電アクチュエーテ
ッドミラーアレーの製法を提供することである。
【００１０】本発明のさらに他の目的は、Ｍ×Ｎヒンジ
アレーをＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ータ上に容易に結合しうるＭ×Ｎエレクトロディスプレ
ーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法を提供す
ることである。
アレーをＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ータ上に容易に結合しうるＭ×Ｎエレクトロディスプレ
ーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法を提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光投射
型システムに用いるＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブ
アクチュエーテッドミラーアレーの製法は、(a) エレク
トロディスプレーシブ物質からなり、平滑な上下面を有
する第１セラミックウェハを準備するステップと、(b)
各々のＭ個の溝は一対の側面および下面を有し、隣接す
る二つの溝はそれらのあいだに位置した上面を有するバ
リアにより分離される垂直方向のＭ個の溝を、前記第１
セラミックウェハの平滑な全上面に形成するステップ
と、(c) 前記エレクトロディスプレーシブ物質からな
り、平滑な上下面を有する第２セラミックウェハを準備
するステップと、(d) 前記第２セラミックウェハを前記
ステップ(b) によって処理するステップと、(e) 前記ス
テップ(b) によって処理された第１および第２セラミッ
クウェハの平滑な全上面を、各々のＭ個の溝の一対の側
面および下面を含み、電気的非導電性接着剤で被覆する
ステップと、(f) 前記ステップ(b) 〜(e) によって処理
された前記第１および第２セラミックウェハを、前記第
１セラミックウェハ内の前記バリアの上面が前記第２セ
ラミックウェハ内の前記溝の下面と接触するように結合
することによって、上下面を有するセラミックブロック
を形成するステップと、(g) 前記セラミックブロックの
上下面を前記第２セラミックウェハ内の溝の下面および
前記第１セラミックウェハ内のバリアの上面が完全に除
去されるまで、ポリッシング(polishing) して、平滑な
上下面を有する複合セラミック構造をうるステップであ
って、前記複合セラミック構造はエレクトロディスプレ
ーシブ物質のＭ＋１個のブロックおよびＭ個の境界層を
含み、各々のブロックは一対の境界層により水平方向に
境界付けられ、各々の境界層は電気的非導電性接着剤に
分離された一対の側面からなり、前記一対の側面のうち
の一つは、前記第１セラミックウェハに含まれ、他の一
つの側面は前記第２セラミックウェハに含まれ、(h) Ｍ
個の境界層のうちの一つと一致し、二つの隣接するブロ
ックと重ねる垂直方向の中央線を有する各々の信号電極
からなるＭ×Ｎ信号電極アレーを前記複合セラミック構
造の平滑な下面に形成するステップと、(i) 前記ステッ
プ(g) 〜(h) によって処理された前記複合セラミック構
造を前記各々のＭ×Ｎ信号電極が相応する各々のＭ×Ｎ
接続端子と接触するようにした、基板、トランジスタア
レーおよび接触端子アレーを有する能動基板上に付着す
るステップと、(j) 前記ステップ(g) 〜(i) によって処
理された前記複合セラミック構造の平滑な全上面を上面
を有する前記導電性金属層で被覆するステップと、(k)
前記層の上面に、各々のフォトレジスチブネックトセグ
メントが各々の相応する一つのブロックと垂直方向へ整
列するようにＭ＋１個のフォトレジスチブネックトセグ
メントを付着するステップと、(l) 前記Ｍ個の境界層を
除去することによって、各々固定された長さの水平方向
のＮ−１個の溝をさらに有する垂直方向のＭ個の溝を前
記ステップ(h) 〜(k) によって処理された前記複合セラ
ミック構造の平滑な上面に形成して、Ｍ×Ｎアクチュエ
ーティング部材アレーを生成するステップと、(m) 前記
ステップ(g) 〜(l) によって処理された前記複合セラミ
ック構造の平滑な全上面をＭ個の溝を含んでエポキシで
被覆することによって、平滑な上面を有するプラットフ
ォームを形成するステップと、(n) 光反射層を前記プラ
ットフォームの平滑な上面に提供してミラー層を形成す
るステップと、(o) 前記光反射層およびプラットフォー
ムを含む、前記ミラー層をＭ×Ｎミラーアレーでパター
ニングするステップと、(p) Ｍ＋１個のフォトレジスチ
ブネックトセグメントを除去するステップと、(q) 電気
的接続を完成して、前記Ｍ×Ｎエレクトロディスプレー
シブアクチュエーテッドミラーアレーを形成するステッ
プとを含む。
型システムに用いるＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブ
アクチュエーテッドミラーアレーの製法は、(a) エレク
トロディスプレーシブ物質からなり、平滑な上下面を有
する第１セラミックウェハを準備するステップと、(b)
各々のＭ個の溝は一対の側面および下面を有し、隣接す
る二つの溝はそれらのあいだに位置した上面を有するバ
リアにより分離される垂直方向のＭ個の溝を、前記第１
セラミックウェハの平滑な全上面に形成するステップ
と、(c) 前記エレクトロディスプレーシブ物質からな
り、平滑な上下面を有する第２セラミックウェハを準備
するステップと、(d) 前記第２セラミックウェハを前記
ステップ(b) によって処理するステップと、(e) 前記ス
テップ(b) によって処理された第１および第２セラミッ
クウェハの平滑な全上面を、各々のＭ個の溝の一対の側
面および下面を含み、電気的非導電性接着剤で被覆する
ステップと、(f) 前記ステップ(b) 〜(e) によって処理
された前記第１および第２セラミックウェハを、前記第
１セラミックウェハ内の前記バリアの上面が前記第２セ
ラミックウェハ内の前記溝の下面と接触するように結合
することによって、上下面を有するセラミックブロック
を形成するステップと、(g) 前記セラミックブロックの
上下面を前記第２セラミックウェハ内の溝の下面および
前記第１セラミックウェハ内のバリアの上面が完全に除
去されるまで、ポリッシング(polishing) して、平滑な
上下面を有する複合セラミック構造をうるステップであ
って、前記複合セラミック構造はエレクトロディスプレ
ーシブ物質のＭ＋１個のブロックおよびＭ個の境界層を
含み、各々のブロックは一対の境界層により水平方向に
境界付けられ、各々の境界層は電気的非導電性接着剤に
分離された一対の側面からなり、前記一対の側面のうち
の一つは、前記第１セラミックウェハに含まれ、他の一
つの側面は前記第２セラミックウェハに含まれ、(h) Ｍ
個の境界層のうちの一つと一致し、二つの隣接するブロ
ックと重ねる垂直方向の中央線を有する各々の信号電極
からなるＭ×Ｎ信号電極アレーを前記複合セラミック構
造の平滑な下面に形成するステップと、(i) 前記ステッ
プ(g) 〜(h) によって処理された前記複合セラミック構
造を前記各々のＭ×Ｎ信号電極が相応する各々のＭ×Ｎ
接続端子と接触するようにした、基板、トランジスタア
レーおよび接触端子アレーを有する能動基板上に付着す
るステップと、(j) 前記ステップ(g) 〜(i) によって処
理された前記複合セラミック構造の平滑な全上面を上面
を有する前記導電性金属層で被覆するステップと、(k)
前記層の上面に、各々のフォトレジスチブネックトセグ
メントが各々の相応する一つのブロックと垂直方向へ整
列するようにＭ＋１個のフォトレジスチブネックトセグ
メントを付着するステップと、(l) 前記Ｍ個の境界層を
除去することによって、各々固定された長さの水平方向
のＮ−１個の溝をさらに有する垂直方向のＭ個の溝を前
記ステップ(h) 〜(k) によって処理された前記複合セラ
ミック構造の平滑な上面に形成して、Ｍ×Ｎアクチュエ
ーティング部材アレーを生成するステップと、(m) 前記
ステップ(g) 〜(l) によって処理された前記複合セラミ
ック構造の平滑な全上面をＭ個の溝を含んでエポキシで
被覆することによって、平滑な上面を有するプラットフ
ォームを形成するステップと、(n) 光反射層を前記プラ
ットフォームの平滑な上面に提供してミラー層を形成す
るステップと、(o) 前記光反射層およびプラットフォー
ムを含む、前記ミラー層をＭ×Ｎミラーアレーでパター
ニングするステップと、(p) Ｍ＋１個のフォトレジスチ
ブネックトセグメントを除去するステップと、(q) 電気
的接続を完成して、前記Ｍ×Ｎエレクトロディスプレー
シブアクチュエーテッドミラーアレーを形成するステッ
プとを含む。
【００１２】本発明の他の局面によれば、光投射型シス
テムに用いるＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチ
ュエーテッドミラーアレーの製法が提供される。前記製
法は、(a) エレクトロディスプレーシブ物質からなり、
平滑な上下面を有する第１セラミックウェハを準備する
ステップと、(b) 各々のＭ個の溝は一対の側面および下
面を有し、隣接する二つの溝はそれらのあいだに位置し
た上面を有するバリアにより分離される垂直方向のＭ個
の溝を前記第１セラミックウェハの平滑な全上面に形成
するステップと、(c) 前記エレクトロディスプレーシブ
物質からなり、平滑な上下面を有する第２セラミックウ
ェハを準備するステップと、(d) 前記第２セラミックウ
ェハを前記ステップ(b) によって処理するステップと、
(e) 前記ステップ(b) によって処理された第１および第
２セラミックウェハの平滑な全上面を各々のＭ個の溝の
一対の側面および下面を含み、電気的非導電性接着剤で
被覆するステップと、(f) 前記ステップ(b) 〜(e) によ
って処理された前記第１および第２セラミックウェハ
を、前記第１セラミックウェハ内の前記バリアの上面が
前記第２セラミックウェハ内の前記溝の下面と接触する
ように結合することによって、上下面を有するセラミッ
クブロックを形成するステップと、(g) 前記セラミック
ブロックの上下面を前記第２セラミックウェハ内の溝の
下面および前記第１セラミックウェハ内のバリアの上面
が完全に除去されるまで、ポリッシング(polishing) し
て、複合セラミック構造を得るステップであって、前記
複合セラミック構造はエレクトロディスプレーシブ物質
のＭ＋１個のブロックおよびＭ個の境界層を含み、各々
のブロックは一対の境界層により水平方向に境界付けら
れ、各々の境界層は電気的非導電性接着剤に分離された
一対の側面からなり、前記一対の側面のうちの一つは、
前記第１セラミックウェハに含まれ、他の一つの側面は
前記第２セラミックウェハに含まれ、(h) Ｍ個の境界層
のうちの一つと一致し、二つの隣接するブロックと重ね
る垂直方向の中央線を有する各々の信号電極からなるＭ
×Ｎ信号電極アレーを前記複合セラミック構造の平滑な
下面に形成するステップと、(i) 前記ステップ(g) 〜
(h) によって処理された前記複合セラミック構造を前記
各々のＭ×Ｎ信号電極が相応する各々のＭ×Ｎ接続端子
と接触するように、基板、トランジスタアレーおよび接
続端子アレーを有する能動基板上に付着するステップ
と、(j) 前記各々のＭ＋１個のブロックを完全に被覆す
る垂直方向の一定の大きさのＭ＋１個のバイアス電極を
前記複合セラミック構造の平滑な上面に形成するステッ
プと、(k) 各々バイアス電極の上面に位置するＭ＋１個
のフォトレジスチブネックトセグメントを前記ステップ
(g) 〜(j) によって処理された複合セラミック構造の上
面に付着するステップと、(l) 前記ステップ(g) 〜(k)
によって処理された前記複合セラミック構造の平滑な全
上面をエポキシで被覆して、平滑な上面を有する前記プ
ラットフォームを形成するステップと、(m) 光反射層を
プラットフォームの平滑な上面に提供して、ミラー層を
形成するステップと、(n) 光反射層およびプラットフォ
ームを含むミラー層を含む、Ｍ×Ｎミラーアレーにパタ
ーン付けるステップと、(o) Ｍ＋１個のフォトレジスチ
ブネックトセグメントを除去するステップと、(p) 電気
的接続を完成して、前記Ｍ×Ｎエレクトロディスプレー
シブアクチュエーテッドミラーアレーを形成するステッ
プとを含む。
テムに用いるＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチ
ュエーテッドミラーアレーの製法が提供される。前記製
法は、(a) エレクトロディスプレーシブ物質からなり、
平滑な上下面を有する第１セラミックウェハを準備する
ステップと、(b) 各々のＭ個の溝は一対の側面および下
面を有し、隣接する二つの溝はそれらのあいだに位置し
た上面を有するバリアにより分離される垂直方向のＭ個
の溝を前記第１セラミックウェハの平滑な全上面に形成
するステップと、(c) 前記エレクトロディスプレーシブ
物質からなり、平滑な上下面を有する第２セラミックウ
ェハを準備するステップと、(d) 前記第２セラミックウ
ェハを前記ステップ(b) によって処理するステップと、
(e) 前記ステップ(b) によって処理された第１および第
２セラミックウェハの平滑な全上面を各々のＭ個の溝の
一対の側面および下面を含み、電気的非導電性接着剤で
被覆するステップと、(f) 前記ステップ(b) 〜(e) によ
って処理された前記第１および第２セラミックウェハ
を、前記第１セラミックウェハ内の前記バリアの上面が
前記第２セラミックウェハ内の前記溝の下面と接触する
ように結合することによって、上下面を有するセラミッ
クブロックを形成するステップと、(g) 前記セラミック
ブロックの上下面を前記第２セラミックウェハ内の溝の
下面および前記第１セラミックウェハ内のバリアの上面
が完全に除去されるまで、ポリッシング(polishing) し
て、複合セラミック構造を得るステップであって、前記
複合セラミック構造はエレクトロディスプレーシブ物質
のＭ＋１個のブロックおよびＭ個の境界層を含み、各々
のブロックは一対の境界層により水平方向に境界付けら
れ、各々の境界層は電気的非導電性接着剤に分離された
一対の側面からなり、前記一対の側面のうちの一つは、
前記第１セラミックウェハに含まれ、他の一つの側面は
前記第２セラミックウェハに含まれ、(h) Ｍ個の境界層
のうちの一つと一致し、二つの隣接するブロックと重ね
る垂直方向の中央線を有する各々の信号電極からなるＭ
×Ｎ信号電極アレーを前記複合セラミック構造の平滑な
下面に形成するステップと、(i) 前記ステップ(g) 〜
(h) によって処理された前記複合セラミック構造を前記
各々のＭ×Ｎ信号電極が相応する各々のＭ×Ｎ接続端子
と接触するように、基板、トランジスタアレーおよび接
続端子アレーを有する能動基板上に付着するステップ
と、(j) 前記各々のＭ＋１個のブロックを完全に被覆す
る垂直方向の一定の大きさのＭ＋１個のバイアス電極を
前記複合セラミック構造の平滑な上面に形成するステッ
プと、(k) 各々バイアス電極の上面に位置するＭ＋１個
のフォトレジスチブネックトセグメントを前記ステップ
(g) 〜(j) によって処理された複合セラミック構造の上
面に付着するステップと、(l) 前記ステップ(g) 〜(k)
によって処理された前記複合セラミック構造の平滑な全
上面をエポキシで被覆して、平滑な上面を有する前記プ
ラットフォームを形成するステップと、(m) 光反射層を
プラットフォームの平滑な上面に提供して、ミラー層を
形成するステップと、(n) 光反射層およびプラットフォ
ームを含むミラー層を含む、Ｍ×Ｎミラーアレーにパタ
ーン付けるステップと、(o) Ｍ＋１個のフォトレジスチ
ブネックトセグメントを除去するステップと、(p) 電気
的接続を完成して、前記Ｍ×Ｎエレクトロディスプレー
シブアクチュエーテッドミラーアレーを形成するステッ
プとを含む。
【００１３】
【実施例】つぎに、本発明の実施例について図面を参照
しながらより詳しく説明する。
しながらより詳しく説明する。
【００１４】図１〜図１２は、本発明の好ましい実施例
によるＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエー
テッドミラーアレーの製造工程の断面図である。
によるＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエー
テッドミラーアレーの製造工程の断面図である。
【００１５】本発明によれば、Ｍ×Ｎエレクトロディス
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製造工程
は（ＭおよびＮは正の整数であり、Ｍはアレーの列の数
を表し、垂直方向に平行であり、Ｎは行の数を表し、水
平方向に平行である）、図１（ａ）に示されるように、
第１セラミックウェハ50の準備から始まるが、第１セラ
ミックウェハ50は厚さが120 〜150 μm であり、圧電ま
たは電歪材料のようなエレクトロディスプレーシブ物質
からなり、平滑で互いに平行である上下面51、52を有す
る。
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製造工程
は（ＭおよびＮは正の整数であり、Ｍはアレーの列の数
を表し、垂直方向に平行であり、Ｎは行の数を表し、水
平方向に平行である）、図１（ａ）に示されるように、
第１セラミックウェハ50の準備から始まるが、第１セラ
ミックウェハ50は厚さが120 〜150 μm であり、圧電ま
たは電歪材料のようなエレクトロディスプレーシブ物質
からなり、平滑で互いに平行である上下面51、52を有す
る。
【００１６】図１（ｂ）に示したように、第１セラミッ
クウェハ50の全上面に、たとえば、ダイヤモンド鋸(dia
mond saw) のような機械的手段を用いて、均一な間隔で
配置され固定された幅および深さの垂直方向のＭ個の溝
53を形成することによって、第１セラミック構造54が形
成されるが、各々のＭ個の溝53は一対の側面55および下
面56を有し、互いに平行でバリア57により互いに分離さ
れるが、平滑な上面58を有するこのバリア57は、幅が50
〜80μm であり、深さは70〜100 μm である。
クウェハ50の全上面に、たとえば、ダイヤモンド鋸(dia
mond saw) のような機械的手段を用いて、均一な間隔で
配置され固定された幅および深さの垂直方向のＭ個の溝
53を形成することによって、第１セラミック構造54が形
成されるが、各々のＭ個の溝53は一対の側面55および下
面56を有し、互いに平行でバリア57により互いに分離さ
れるが、平滑な上面58を有するこのバリア57は、幅が50
〜80μm であり、深さは70〜100 μm である。
【００１７】図２（ｃ）に示したように、第１セラミッ
クウェハ50と同一のエレクトロディスプレーシブ物質か
らなり、これと類似な大きさの第２セラミックウェハ59
は前記のような手続きにより処理されて、前記第１セラ
ミック構造54のような形態の一定の上面を有する、第１
セラミック構造54と結合されうる第２セラミック構造60
を生成する。二つのセラミック構造54,60 は、前記非導
電性接着剤62を用いて互いに結合された上下面63、64を
有するセラミックブロック61を形成する。
クウェハ50と同一のエレクトロディスプレーシブ物質か
らなり、これと類似な大きさの第２セラミックウェハ59
は前記のような手続きにより処理されて、前記第１セラ
ミック構造54のような形態の一定の上面を有する、第１
セラミック構造54と結合されうる第２セラミック構造60
を生成する。二つのセラミック構造54,60 は、前記非導
電性接着剤62を用いて互いに結合された上下面63、64を
有するセラミックブロック61を形成する。
【００１８】そのあと、図２（ｄ）に示すように、セラ
ミックブロック61の上下面63、64を第２セラミック構造
60内の溝53の下面56および第１セラミック構造54内のバ
リア57の平滑な上面58が完全に除去されるまで研磨し
て、平滑な上下面66、67を有する複合セラミック構造65
を形成するが、複合セラミック構造65はエレクトロディ
スプレーシブ材料のＭ＋１個のブロック68およびＭ個の
境界層69を含み、各々のブロック68は一対の境界層69に
より水平方向へ境界付けられ、各々の境界層69は前記非
導電性接着剤62に分離された一対の側面55からなり、一
対の側面のうちの一面は第１セラミック構造54に含ま
れ、他の一面は第２セラミック構造60に含まれる。
ミックブロック61の上下面63、64を第２セラミック構造
60内の溝53の下面56および第１セラミック構造54内のバ
リア57の平滑な上面58が完全に除去されるまで研磨し
て、平滑な上下面66、67を有する複合セラミック構造65
を形成するが、複合セラミック構造65はエレクトロディ
スプレーシブ材料のＭ＋１個のブロック68およびＭ個の
境界層69を含み、各々のブロック68は一対の境界層69に
より水平方向へ境界付けられ、各々の境界層69は前記非
導電性接着剤62に分離された一対の側面55からなり、一
対の側面のうちの一面は第１セラミック構造54に含ま
れ、他の一面は第２セラミック構造60に含まれる。
【００１９】次のステップにおいて、図３（ｅ）に示す
ように、複合セラミック構造60の平滑な全下面67に、Ｍ
×Ｎ信号電極71からなるアレー70を形成するが、各々の
信号電極71は一つのＭ境界層69と一致する二つの隣接す
るブロック68と重ねる垂直方向の中央線を有する。最初
にＭ×Ｎ信号電極71からなるアレー70は、たとえば、銅
のような導電性金属で複合セラミック構造60の平滑な下
面67をスパッタリングしたあと、フォトリソグラフィー
技術を用いて所望の電極パターンを形成する。
ように、複合セラミック構造60の平滑な全下面67に、Ｍ
×Ｎ信号電極71からなるアレー70を形成するが、各々の
信号電極71は一つのＭ境界層69と一致する二つの隣接す
るブロック68と重ねる垂直方向の中央線を有する。最初
にＭ×Ｎ信号電極71からなるアレー70は、たとえば、銅
のような導電性金属で複合セラミック構造60の平滑な下
面67をスパッタリングしたあと、フォトリソグラフィー
技術を用いて所望の電極パターンを形成する。
【００２０】次のステップにおいて、前記ステップによ
って処理された複合セラミック構造60を、前記導電性接
着剤を用いて、各々のＭ×Ｎ信号電極71が相応する各々
のＭ×Ｎ接続端子74と接触するように、基板90、Ｍ×Ｎ
トランジスタアレー（図示せず）およびＭ×Ｎ接続端子
74からなるアレー73を含む能動基板72上に付着する。そ
のあと、図３（ｆ）に示されるように、複合セラミック
構造60の平滑な全上面66を、前記導電性金属、たとえ
ば、銅をスパッタリングして被覆する。
って処理された複合セラミック構造60を、前記導電性接
着剤を用いて、各々のＭ×Ｎ信号電極71が相応する各々
のＭ×Ｎ接続端子74と接触するように、基板90、Ｍ×Ｎ
トランジスタアレー（図示せず）およびＭ×Ｎ接続端子
74からなるアレー73を含む能動基板72上に付着する。そ
のあと、図３（ｆ）に示されるように、複合セラミック
構造60の平滑な全上面66を、前記導電性金属、たとえ
ば、銅をスパッタリングして被覆する。
【００２１】次のステップにおいて、Ｍ＋１個のフォト
レジスチブネックトセグメント76を、各々のフォトレジ
スチブネックトセグメントが相応する各々のブロック68
と垂直に整列するように前記導電性金属層75の上面に付
着する。このステップは図４（ｇ）に示されている。
レジスチブネックトセグメント76を、各々のフォトレジ
スチブネックトセグメントが相応する各々のブロック68
と垂直に整列するように前記導電性金属層75の上面に付
着する。このステップは図４（ｇ）に示されている。
【００２２】そのあと、図４（ｈ）に示されたように、
エッチングまたは種々のエッチング方法を組み合わせ
て、Ｍ個の境界層69および電気導電性金属層75の部分を
除去することによって、前記ステップによって処理され
た複合セラミック構造65の平滑な上面66に、垂直方向の
Ｍ個の溝77を形成するが、各々のＭ個の溝77は固定され
た長さの水平方向のＮ−１個の溝（図示せず）と共に提
供されて、Ｍ×Ｎアクチュエーティング部材79からなる
アレー78を生成する。各々のＭ個の溝77は複合セラミッ
ク構造65の平滑な上面66からアレー70と同一の列に位置
したＮ個の信号電極71へ全体または部分的に延長しう
る。
エッチングまたは種々のエッチング方法を組み合わせ
て、Ｍ個の境界層69および電気導電性金属層75の部分を
除去することによって、前記ステップによって処理され
た複合セラミック構造65の平滑な上面66に、垂直方向の
Ｍ個の溝77を形成するが、各々のＭ個の溝77は固定され
た長さの水平方向のＮ−１個の溝（図示せず）と共に提
供されて、Ｍ×Ｎアクチュエーティング部材79からなる
アレー78を生成する。各々のＭ個の溝77は複合セラミッ
ク構造65の平滑な上面66からアレー70と同一の列に位置
したＮ個の信号電極71へ全体または部分的に延長しう
る。
【００２３】そのあと、図５（ｉ）に示されるように、
平滑な上面81を有するプラットフォーム80を、前記ステ
ップによって処理された複合セラミック構造65の平滑な
全上面66をＭ個の溝77を含み、エポキシで被覆すること
によって上面66に形成する。次のステップにおいて、プ
ラットフォーム80の平滑な上面81上にたとえば、アルミ
ニウムのような光反射材料をスパッタリングすることに
よって光反射層82を形成し、その結果、光反射層82およ
びプラットフォーム80を含むミラー層83をえる。
平滑な上面81を有するプラットフォーム80を、前記ステ
ップによって処理された複合セラミック構造65の平滑な
全上面66をＭ個の溝77を含み、エポキシで被覆すること
によって上面66に形成する。次のステップにおいて、プ
ラットフォーム80の平滑な上面81上にたとえば、アルミ
ニウムのような光反射材料をスパッタリングすることに
よって光反射層82を形成し、その結果、光反射層82およ
びプラットフォーム80を含むミラー層83をえる。
【００２４】そのあと、図６（ｊ）に示すように、フォ
トリソグラフィー技術を用いて、ミラー層83をＭ×Ｎミ
ラー85からなるアレー84にパターン付けられる。最後
に、Ｍ＋１個のフォトレジスチブネックトセグメントを
除去して、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュ
エーテッドミラー87からなるアレー100 を形成する。
トリソグラフィー技術を用いて、ミラー層83をＭ×Ｎミ
ラー85からなるアレー84にパターン付けられる。最後
に、Ｍ＋１個のフォトレジスチブネックトセグメントを
除去して、Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュ
エーテッドミラー87からなるアレー100 を形成する。
【００２５】図７〜図１１は、本発明の他の好ましい実
施例による製造工程の断面図である。前述したように、
図１〜図６および図７〜図１１の同一の参照番号は、同
一の材料および図１〜図６で用いられた工程で提供され
る同一の部分を表す。
施例による製造工程の断面図である。前述したように、
図１〜図６および図７〜図１１の同一の参照番号は、同
一の材料および図１〜図６で用いられた工程で提供され
る同一の部分を表す。
【００２６】図１〜図６および図７〜図１１に示された
製造ステップは、次の方法を除いて互いに類似である。
(1) Ｍ＋１フォトレジスチブネックトセグメント76を付
着する前に電気導電性金属層75をＭ＋１バイアス電極に
パターン付けて、(2) Ｍ個の溝77および各々の溝と関連
されたＮ−１個の溝を形成せず、(3) Ｍ個の溝およびＮ
−１個の溝を形成する必要がないので、Ｍ＋１個のフォ
トレジスチブネックトセグメントを突起部なく提供する
ことができる。
製造ステップは、次の方法を除いて互いに類似である。
(1) Ｍ＋１フォトレジスチブネックトセグメント76を付
着する前に電気導電性金属層75をＭ＋１バイアス電極に
パターン付けて、(2) Ｍ個の溝77および各々の溝と関連
されたＮ−１個の溝を形成せず、(3) Ｍ個の溝およびＮ
−１個の溝を形成する必要がないので、Ｍ＋１個のフォ
トレジスチブネックトセグメントを突起部なく提供する
ことができる。
【００２７】図１１は、各々のＭ＋１個のフォトレジス
チブネックトセグメント76が相応する各々のブロック63
を部分的に被覆するときえられる、Ｍ×Ｎエレクトロデ
ィスプレーシブアクチュエーテッドミラー87からなるア
レー100 の断面図を表す。
チブネックトセグメント76が相応する各々のブロック63
を部分的に被覆するときえられる、Ｍ×Ｎエレクトロデ
ィスプレーシブアクチュエーテッドミラー87からなるア
レー100 の断面図を表す。
【００２８】さらに、もし、Ｍ×Ｎエレクトロディスプ
レーシブアクチュエーテッドミラー87のアレー100 が圧
電材料（たとえば、PZT ）からなるばあいには、前記製
造工程を行う前に、前記第１および第２セラミックウェ
ハを分極しなければならない。
レーシブアクチュエーテッドミラー87のアレー100 が圧
電材料（たとえば、PZT ）からなるばあいには、前記製
造工程を行う前に、前記第１および第２セラミックウェ
ハを分極しなければならない。
【００２９】本発明は特定の実施例について説明した
が、本発明の範囲を逸脱することなく、当業者は種々の
改変をなしうる。
が、本発明の範囲を逸脱することなく、当業者は種々の
改変をなしうる。
【００３０】
【発明の効果】したがって、本発明によれば、製造時間
が節約され、長い工程が減らされると共に、制御し易い
Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッド
ミラーアレーの向上された製法が提供される。
が節約され、長い工程が減らされると共に、制御し易い
Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッド
ミラーアレーの向上された製法が提供される。
【図１】本発明の一実施例による製造工程を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図２】本発明の一実施例による製造工程を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図３】本発明の一実施例による製造工程を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図４】本発明の一実施例による製造工程を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図５】本発明の一実施例による製造工程を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図６】本発明の一実施例による製造工程を示す概略的
な断面図である。
な断面図である。
【図７】本発明の他の実施例による製造工程を示す概略
的な断面図である。
的な断面図である。
【図８】本発明の他の実施例による製造工程を示す概略
的な断面図である。
的な断面図である。
【図９】本発明の他の実施例による製造工程を示す概略
的な断面図である。
的な断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例による製造工程を示す概
略的な断面図である。
略的な断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例による製造工程を示す概
略的な断面図である。
略的な断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例による製造工程を示す概
略的な断面図である。
略的な断面図である。
【図１３】従来のＭ×Ｎエレクトロディスプレーシブア
クチュエーテッドミラーアレーを示す断面図である。
クチュエーテッドミラーアレーを示す断面図である。
５０、５９ セラミックウェハ ５３、７７ 溝 ５７ バリア ６１ セラミックブロック ６８ Ｍ＋１個のブロック ６９ Ｍ個の境界層 ７０ Ｍ×Ｎ信号電極アレー ７２ 能動基板 ７３ Ｍ×Ｎ接続端子アレー ７６ フォトレジスチブネックトセグメント ８０ プラットフォーム ８２ 光反射層 ８３ ミラー層 ８４ Ｍ×Ｎミラーアレー １００ Ｍ×Ｎエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ーテッドミラーアレー
ーテッドミラーアレー
Claims (26)
- 【請求項１】 光投射型システムに用いるＭ×Ｎエレク
トロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレー
の製法であって（ＭとＮは正の整数）、 (a) エレクトロディスプレーシブ物質からなり、平滑な
上下面を有する第１セラミックウェハを準備するステッ
プと、 (b) 各々のＭ個の溝は一対の側面および下面を有し、隣
接する二つの溝はそれらのあいだに位置した上面を有す
るバリアにより分離される垂直方向のＭ個の溝を、前記
第１セラミックウェハの平滑な全上面に形成するステッ
プと、 (c) 前記エレクトロディスプレーシブ物質からなり、平
滑な上下面を有する第２セラミックウェハを準備するス
テップと、 (d) 前記第２セラミックウェハを前記ステップ(b) によ
って処理するステップと、 (e) 前記ステップ(b) によって処理された第１および第
２セラミックウェハの平滑な全上面を、各々のＭ個の溝
の一対の側面および下面を含み、電気的非導電性接着剤
で被覆するステップと、 (f) 前記ステップ(b) 〜(e) によって処理された前記第
１および第２セラミックウェハを、前記第１セラミック
ウェハ内の前記バリアの上面が前記第２セラミックウェ
ハ内の前記溝の下面と接触するように結合することによ
って、上下面を有するセラミックブロックを形成するス
テップと、 (g) 前記セラミックブロックの上下面を前記第２セラミ
ックウェハ内の溝の下面および前記第１セラミックウェ
ハ内のバリアの上面が完全に除去されるまで、ポリッシ
ングして、平滑な上下面を有する複合セラミック構造を
うるステップであって、前記複合セラミック構造はエレ
クトロディスプレーシブ物質のＭ＋１個のブロックおよ
びＭ個の境界層を含み、各々のブロックは一対の境界層
により水平方向に境界付けられ、各々の境界層は電気的
非導電性接着剤に分離された一対の側面からなり、前記
一対の側面のうちの一つは、前記第１セラミックウェハ
に含まれ、他の一つの側面は前記第２セラミックウェハ
に含まれるステップと、 (h) Ｍ個の境界層のうちの一つと一致し、二つの隣接す
るブロックと重ねる垂直方向の中央線を有する各々の信
号電極からなるＭ×Ｎ信号電極アレーを前記複合セラミ
ック構造の平滑な下面に形成するステップと、 (i) 前記ステップ(g) 〜(h) によって処理された前記複
合セラミック構造を前記各々のＭ×Ｎ信号電極が相応す
る各々のＭ×Ｎ接続端子と接触するようにした、基板、
トランジスタアレーおよび接触端子アレーを有する能動
基板上に付着するステップと、 (j) 前記ステップ(g) 〜(i) によって処理された前記複
合セラミック構造の平滑な全上面を上面を有する前記導
電性金属層で被覆するステップと、 (k) 前記層の上面に、各々のフォトレジスチブネックト
セグメントが各々の相応する一つのブロックと垂直方向
へ整列するようにＭ＋１個のフォトレジスチブネックト
セグメントを付着するステップと、 (l) 前記Ｍ個の境界層を除去することによって、各々固
定された長さの水平方向のＮ−１個の溝をさらに有する
垂直方向のＭ個の溝を前記ステップ(h) 〜(k)によって
処理された前記複合セラミック構造の平滑な上面に形成
して、Ｍ×Ｎアクチュエーティング部材アレーを生成す
るステップと、 (m) 前記ステップ(g) 〜(l) によって処理された前記複
合セラミック構造の平滑な全上面をＭ個の溝を含んでエ
ポキシで被覆することによって、平滑な上面を有するプ
ラットフォームを形成するステップと、 (n) 光反射層を前記プラットフォームの平滑な上面に設
けてミラー層を形成するステップと、 (o) 前記光反射層およびプラットフォームを含む、前記
ミラー層をＭ×Ｎミラーアレーでパターニングするステ
ップと、 (p) 前記Ｍ＋１個のフォトレジスチブネックトセグメン
トを除去するステップと、 (q) 電気的接続を完成して、前記Ｍ×Ｎエレクトロディ
スプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーを形成す
るステップとを含むことを特徴とするＭ×Ｎエレクトロ
ディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製
法。 - 【請求項２】 前記第１および第２セラミックウェハ
が、圧電材料からなる請求項１記載の製法。 - 【請求項３】 前記第１および第２セラミックウェハが
分極される請求項２記載の製法。 - 【請求項４】 前記Ｍ個の溝が、機械的手段により形成
される請求項１記載の製法。 - 【請求項５】 前記Ｍ×Ｎ信号電極アレーが、まず、前
記複合セラミック構造の平滑な下面を電気導電性金属で
スパッタリングし、そのあとに、フォトリソグラフィー
技術を用いて所望の電極パターンをうることによって形
成される請求項１記載の製法。 - 【請求項６】 前記複合セラミック構造が、電気導電性
接着剤を用いて前記能動基板上に付着される請求項２記
載の製法。 - 【請求項７】 前記複合セラミック構造の平滑な上面
が、スパッタリング方法を用いることによって電気導電
性金属で被覆される請求項１記載の製法。 - 【請求項８】 前記Ｍ個の溝が、エッチング方法で形成
される請求項１記載の製法。 - 【請求項９】 前記プラットフォームが、紫外線凝固性
エポキシからなる請求項１記載の製法。 - 【請求項１０】 前記光反射層が、スパッタリング方法
を用いることによって、平滑な上面上に形成される請求
項９記載の製法。 - 【請求項１１】 前記ミラー層が、フォトリソグラフィ
ー技術を用いて、前記Ｍ×Ｎミラーアレーにパターン付
けられる請求項１０記載の製法。 - 【請求項１２】 前記ステップ(a) 〜(p) が、Ｍ×Ｎエ
レクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーア
レーの製法の順番によることなく、前記ステップの一部
は省略または結合され、かつ前記ステップの順番は互い
に替えうる請求項１記載の製法。 - 【請求項１３】 前記請求項１〜１２のうちのいずれか
一つの方法によって形成されたＭ×Ｎエレクトロディス
プレーシブアクチュエーテッドミラーアレーを含むこと
を特徴とする光投射型システム。 - 【請求項１４】 光投射型システムに用いるＭ×Ｎエレ
クトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレ
ーの製法であって、 (a) エレクトロディスプレーシブ物質からなり、平滑な
上下面を有する第１セラミックウェハを準備するステッ
プと、 (b) 各々のＭ個の溝は一対の側面および下面を有し、隣
接する二つの溝はそれらのあいだに位置した上面を有す
るバリアにより分離される垂直方向のＭ個の溝を前記第
１セラミックウェハの平滑な全上面に形成するステップ
と、 (c) 前記エレクトロディスプレーシブ物質からなり、平
滑な上下面を有する第２セラミックウェハを準備するス
テップと、 (d) 前記第２セラミックウェハを前記ステップ(b) によ
って処理するステップと、 (e) 前記ステップ(b) によって処理された第１および第
２セラミックウェハの平滑な全上面を各々のＭ個の溝の
一対の側面および下面を含み、電気的非導電性接着剤で
被覆するステップと、 (f) 前記ステップ(b) 〜(e) によって処理された前記第
１および第２セラミックウェハを、前記第１セラミック
ウェハ内の前記バリアの上面が前記第２セラミックウェ
ハ内の前記溝の下面と接触するように結合することによ
って、上下面を有するセラミックブロックを形成するス
テップと、 (g) 前記セラミックブロックの上下面を前記第２セラミ
ックウェハ内の溝の下面および前記第１セラミックウェ
ハ内のバリアの上面が完全に除去されるまで、ポリッシ
ングして、複合セラミック構造をうるステップであっ
て、前記複合セラミック構造はエレクトロディスプレー
シブ物質のＭ＋１ブロックおよびＭ境界層を含み、各々
のブロックは一対の境界層により水平方向に境界付けら
れ、各々の境界層は電気的非導電性接着剤に分離された
一対の側面からなり、前記一対の側面のうちの一つは、
前記第１セラミックウェハに含まれ、他の一つの側面は
前記第２セラミックウェハに含まれ、 (h) Ｍ個の境界層のうちの一つと一致し、二つの隣接す
るブロックと重ねる垂直方向の中央線を有する各々の信
号電極からなるＭ×Ｎ信号電極アレーを前記複合セラミ
ック構造の平滑な下面に形成するステップと、 (i) 前記ステップ(g) 〜(h) によって処理された前記複
合セラミック構造を前記各々のＭ×Ｎ信号電極が相応す
る各々のＭ×Ｎ接続端子と接触するように、基板、トラ
ンジスタアレーおよび接続端子アレーを有する能動基板
上に付着するステップと、 (j) 前記各々のＭ＋１ブロックを完全に被覆する垂直方
向の一定の大きさのＭ＋１個のバイアス電極を前記複合
セラミック構造の平滑な上面に形成するステップと、 (k) 各々バイアス電極の上面に位置するＭ＋１個のフォ
トレジスチブネックトセグメントを前記ステップ(g) 〜
(j) によって処理された複合セラミック構造の上面に付
着するステップと、 (l) 前記ステップ(g) 〜(k) によって処理された前記複
合セラミック構造の平滑な全上面をエポキシで被覆し
て、平滑な上面を有する前記プラットフォームを形成す
るステップと、 (m) 光反射層をプラットフォームの平滑な上面に提供し
て、ミラー層を形成するステップと、 (n) 光反射層およびプラットフォームを含むミラー層を
含む、Ｍ×Ｎミラーアレーにパターン付けるステップ
と、 (o) Ｍ＋１フォトレジスチブネックトセグメントを除去
するステップと、 (p) 電気的接続を完成して、前記Ｍ×Ｎエレクトロディ
スプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーを形成す
るステップとを含むことを特徴とするＭ×Ｎエレクトロ
ディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製
法。 - 【請求項１５】 前記第１および第２セラミックウェハ
が、圧電材料からなる請求項１４記載の製法。 - 【請求項１６】 前記第１および第２セラミックウェハ
が分極される請求項１５記載の製法。 - 【請求項１７】 前記Ｍ個の溝が、機械的手段により形
成される請求項１４記載の製法。 - 【請求項１８】 前記Ｍ×Ｎ信号電極アレーが、まず、
前記複合セラミック構造の平滑な上下面を有する電気導
電性金属でスパッタリングし、そのあと、フォトレリソ
グラフィー技術を用いて所望の電極パターンをうること
によって形成される光投射型システムに用いる請求項１
４記載の製法。 - 【請求項１９】 前記複合セラミック構造が、電気導電
性接着剤を用いて前記能動基板に付着される請求項１４
記載の製法。 - 【請求項２０】 前記プラットフォームが、紫外線凝固
性エポキシからなる請求項１４記載の製法。 - 【請求項２１】 前記光反射層が、スパッタリング方法
を用いることによって前記プラットフォームの平滑な上
面に形成される請求項２０記載の製法。 - 【請求項２２】 前記ミラー層が、フォトリソグラフィ
ー技術を用いることによって、前記Ｍ×Ｎミラーアレー
にパターン付けられる請求項２１記載の製法。 - 【請求項２３】 前記各々のＭ＋１フォトレジスチブネ
ックトセグメントが、相応する各々のＭ＋１バイアス電
極を完全に被覆する請求項１４記載の製法。 - 【請求項２４】 前記各々のＭ＋１フォトレジスチブネ
ックトセグメントが、対応する各々のＭ＋１バイアス電
極を部分的に被覆する請求項１４記載の製法。 - 【請求項２５】 前記ステップ(a) 〜(p) が、Ｍ×Ｎエ
レクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーア
レーの製法の順番によることなく、前記ステップの一部
は省略または、結合され、前記ステップの順番は互いに
替えうる請求項１４記載の製法。 - 【請求項２６】 前記請求項１４〜２５のうちのいずれ
か一つの方法によって形成されたＭ×Ｎエレクトロディ
スプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーを含むこ
とを特徴とする光投射型システム。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019454A KR970003461B1 (ko) | 1993-09-23 | 1993-09-23 | 광로조절장치의 제조방법 |
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| KR93-19454 | 1993-09-28 | ||
| KR1019930020261A KR970003467B1 (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 광로조절장치의 제조방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07151984A true JPH07151984A (ja) | 1995-06-16 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH07151984A (ja) |
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1994
- 1994-09-22 US US08/310,450 patent/US5696618A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-22 JP JP6228460A patent/JPH07151984A/ja active Pending
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