JPH07135271A - 半導体装置用基板と半導体装置 - Google Patents
半導体装置用基板と半導体装置Info
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止後、樹脂が個化して体積が収縮した
際に、樹脂封止部外端部分の基板面からの剥離を防止し
得る半導体装置用基板と、それを用いた半導体装置を提
供する。 【構成】 一方の面に半導体素子１６が配設されると共
に、該一方の面のみに樹脂封止部２２が形成される半導
体装置１０用基板１２において、前記一方の面であっ
て、形成される前記樹脂封止部２２の輪郭線より若干内
側に相当する位置に他方の面方向へ掛止孔２８が形成さ
れている。
際に、樹脂封止部外端部分の基板面からの剥離を防止し
得る半導体装置用基板と、それを用いた半導体装置を提
供する。 【構成】 一方の面に半導体素子１６が配設されると共
に、該一方の面のみに樹脂封止部２２が形成される半導
体装置１０用基板１２において、前記一方の面であっ
て、形成される前記樹脂封止部２２の輪郭線より若干内
側に相当する位置に他方の面方向へ掛止孔２８が形成さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用基板と半導
体装置に関し、一層詳細には一方の面に半導体素子が配
設されると共に、一方の面のみに樹脂封止部が形成され
る半導体装置用基板と、それを用いた半導体装置に関す
る。
体装置に関し、一層詳細には一方の面に半導体素子が配
設されると共に、一方の面のみに樹脂封止部が形成され
る半導体装置用基板と、それを用いた半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一方の面に半導体素子が配設されると共
に、一方の面のみに樹脂封止部が形成される半導体装置
用基板と、それを用いた半導体装置の例としては、ＰＣ
Ｔ国際公開ＷＯ９２／１１６５４号公報に開示されるも
のがある。この半導体装置は、基板の一方の面にＩＣチ
ップを配設し、ワイヤボンディングを施した後、ＩＣチ
ップ等をトランスファモールドで樹脂封止して成る。
に、一方の面のみに樹脂封止部が形成される半導体装置
用基板と、それを用いた半導体装置の例としては、ＰＣ
Ｔ国際公開ＷＯ９２／１１６５４号公報に開示されるも
のがある。この半導体装置は、基板の一方の面にＩＣチ
ップを配設し、ワイヤボンディングを施した後、ＩＣチ
ップ等をトランスファモールドで樹脂封止して成る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体装置には次のような課題がある。基板の一
方の面に配設されたＩＣチップ等を樹脂封止した後、樹
脂が固化すると樹脂封止部の体積が収縮する。その収縮
により、樹脂封止部の外端部分は基板の一方の面から剥
離し易くなる。樹脂封止部の外端部分が基板面から剥離
すると、樹脂封止部内へ水分が侵入して回路を短絡させ
るおそれがある。また、剥離した箇所は強度的に弱くな
るため欠損することがある。特に当該箇所に成形品ゲー
トが形成された場合、ゲートブレーク工程において応力
が集中して当該箇所で欠損し易いという課題もある。従
って、本発明は樹脂封止後、樹脂が固化して体積が収縮
した際に、樹脂封止部外端部分の基板面からの剥離を防
止し得る半導体装置用基板と、それを用いた半導体装置
を提供することを目的とする。
従来の半導体装置には次のような課題がある。基板の一
方の面に配設されたＩＣチップ等を樹脂封止した後、樹
脂が固化すると樹脂封止部の体積が収縮する。その収縮
により、樹脂封止部の外端部分は基板の一方の面から剥
離し易くなる。樹脂封止部の外端部分が基板面から剥離
すると、樹脂封止部内へ水分が侵入して回路を短絡させ
るおそれがある。また、剥離した箇所は強度的に弱くな
るため欠損することがある。特に当該箇所に成形品ゲー
トが形成された場合、ゲートブレーク工程において応力
が集中して当該箇所で欠損し易いという課題もある。従
って、本発明は樹脂封止後、樹脂が固化して体積が収縮
した際に、樹脂封止部外端部分の基板面からの剥離を防
止し得る半導体装置用基板と、それを用いた半導体装置
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、一方の面に
半導体素子が配設されると共に、該一方の面のみに樹脂
封止部が形成される半導体装置用基板において、前記一
方の面であって、形成される前記樹脂封止部の輪郭線よ
り若干内側に相当する位置に他方の面方向へ掛止孔が形
成されていることを特徴とする。または、一方の面に半
導体素子が配設されると共に、該一方の面のみに樹脂封
止部が形成される半導体装置用基板において、前記一方
の面であって、形成される前記樹脂封止部の輪郭線より
若干内側に相当する複数の位置に掛止凸部が突設されて
いることを特徴とする。
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、一方の面に
半導体素子が配設されると共に、該一方の面のみに樹脂
封止部が形成される半導体装置用基板において、前記一
方の面であって、形成される前記樹脂封止部の輪郭線よ
り若干内側に相当する位置に他方の面方向へ掛止孔が形
成されていることを特徴とする。または、一方の面に半
導体素子が配設されると共に、該一方の面のみに樹脂封
止部が形成される半導体装置用基板において、前記一方
の面であって、形成される前記樹脂封止部の輪郭線より
若干内側に相当する複数の位置に掛止凸部が突設されて
いることを特徴とする。
【０００５】
【作用】作用について説明する。掛止孔が形成された基
板を用いた半導体装置の場合、樹脂封止を行うと、樹脂
封止部の外端部の若干内側に在る掛止孔内へ樹脂が進入
する。樹脂が固化すると、樹脂封止部は掛止孔と掛止状
態となるので体積が収縮しても当該外端部が基板の面か
ら剥離するのを防止可能となる。一方、掛止凸部が形成
された基板を用いた半導体装置の場合、樹脂封止を行う
と、樹脂封止部の外端部の若干内側に在る掛止凸部を樹
脂が被覆する。樹脂が固化すると、樹脂封止部は掛止凸
部と掛止状態となるので体積が収縮しても当該外端部が
基板の面から剥離するのを防止可能となる。
板を用いた半導体装置の場合、樹脂封止を行うと、樹脂
封止部の外端部の若干内側に在る掛止孔内へ樹脂が進入
する。樹脂が固化すると、樹脂封止部は掛止孔と掛止状
態となるので体積が収縮しても当該外端部が基板の面か
ら剥離するのを防止可能となる。一方、掛止凸部が形成
された基板を用いた半導体装置の場合、樹脂封止を行う
と、樹脂封止部の外端部の若干内側に在る掛止凸部を樹
脂が被覆する。樹脂が固化すると、樹脂封止部は掛止凸
部と掛止状態となるので体積が収縮しても当該外端部が
基板の面から剥離するのを防止可能となる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について添付図
面と共に詳述する。 （第１実施例）第１実施例について図１（断面図）と共
に説明する。なお、第１実施例の半導体装置１０はボー
ルグリッドアレイ型の半導体装置である。１２は基板で
あり、ガラスエポキシ樹脂性の平板である。基板１２の
上面には回路パターン１４ａが、基板１２の下面には回
路パターン１４ｂが多数プリントされている。１６は半
導体素子の一例であるＩＣチップであり、基板１２の上
面に固定されている。各回路パターン１４ａとＩＣチッ
プ１６の各端子１８とはボンディングワイヤ２０で接続
されている。
面と共に詳述する。 （第１実施例）第１実施例について図１（断面図）と共
に説明する。なお、第１実施例の半導体装置１０はボー
ルグリッドアレイ型の半導体装置である。１２は基板で
あり、ガラスエポキシ樹脂性の平板である。基板１２の
上面には回路パターン１４ａが、基板１２の下面には回
路パターン１４ｂが多数プリントされている。１６は半
導体素子の一例であるＩＣチップであり、基板１２の上
面に固定されている。各回路パターン１４ａとＩＣチッ
プ１６の各端子１８とはボンディングワイヤ２０で接続
されている。
【０００７】２２は樹脂封止部であり、基板１２の上面
側に形成されている。樹脂封止部２２は平面矩形状に形
成され、ＩＣチップ１６および回路パターン１４ａを被
覆している。樹脂封止部２２はトランスファモールド装
置によって成形されている。２４はスルーホールであ
り、基板１２に対して上下方向へ多数透設されている。
スルーホール２４の内面および上下端面には導体メッキ
が施されており、各回路パターン１４ａを対応する回路
パターン１４ｂと電気的に接続している。２６は接点で
あり、各回路パターン１４ｂに設けられている。接点２
６は基板１２下面の所定位置に半田を半球状のバンプに
形成して成る。多数の接点２６はマトリクス状に配設さ
れている。２８は掛止孔であり、上下方向へ複数透設さ
れている。掛止孔２８は樹脂封止部２２の外縁（輪郭
線）より若干内側に透設されている。掛止孔２８の下部
は大径に形成され、樹脂封止部２２を形成する際に進入
して固化した樹脂が抜脱するのを防止するための抜止部
３０になっている。掛止孔２８は、矩形状の樹脂封止部
２２の各コーナー部に対応して配設されている。なお、
掛止孔２８の数は樹脂封止部２２の態様によって異な
り、１個でもよい場合もある。
側に形成されている。樹脂封止部２２は平面矩形状に形
成され、ＩＣチップ１６および回路パターン１４ａを被
覆している。樹脂封止部２２はトランスファモールド装
置によって成形されている。２４はスルーホールであ
り、基板１２に対して上下方向へ多数透設されている。
スルーホール２４の内面および上下端面には導体メッキ
が施されており、各回路パターン１４ａを対応する回路
パターン１４ｂと電気的に接続している。２６は接点で
あり、各回路パターン１４ｂに設けられている。接点２
６は基板１２下面の所定位置に半田を半球状のバンプに
形成して成る。多数の接点２６はマトリクス状に配設さ
れている。２８は掛止孔であり、上下方向へ複数透設さ
れている。掛止孔２８は樹脂封止部２２の外縁（輪郭
線）より若干内側に透設されている。掛止孔２８の下部
は大径に形成され、樹脂封止部２２を形成する際に進入
して固化した樹脂が抜脱するのを防止するための抜止部
３０になっている。掛止孔２８は、矩形状の樹脂封止部
２２の各コーナー部に対応して配設されている。なお、
掛止孔２８の数は樹脂封止部２２の態様によって異な
り、１個でもよい場合もある。
【０００８】上記の構成を有する半導体装置１０におい
て、樹脂封止部２２を形成すべくトランスファモールド
を行い、樹脂封止部２２を形成すると共に、樹脂封止部
２２の外端部の若干内側に在る掛止孔２８内に進入した
樹脂が固化すると、樹脂封止部２２は掛止孔２８と掛止
状態となるので、樹脂封止部２２の体積が収縮しても樹
脂封止部２２の外端部が基板１２の上面から剥離するの
を防止可能となる。樹脂封止部２２の外端部が基板１２
から剥離しないので、樹脂封止部２２内への水分の侵入
および樹脂封止部２２の欠損を防止可能となる。
て、樹脂封止部２２を形成すべくトランスファモールド
を行い、樹脂封止部２２を形成すると共に、樹脂封止部
２２の外端部の若干内側に在る掛止孔２８内に進入した
樹脂が固化すると、樹脂封止部２２は掛止孔２８と掛止
状態となるので、樹脂封止部２２の体積が収縮しても樹
脂封止部２２の外端部が基板１２の上面から剥離するの
を防止可能となる。樹脂封止部２２の外端部が基板１２
から剥離しないので、樹脂封止部２２内への水分の侵入
および樹脂封止部２２の欠損を防止可能となる。
【０００９】（第２実施例）第２実施例について図２
（平面図）と共に説明する。なお、第２実施例もボール
グリッドアレイ型の半導体装置であり、第１実施例と同
一の構成要素については第１実施例と同一の符号を付
し、説明は省略する。基板１２は平面矩形状に形成さ
れ、樹脂封止部２２も平面矩形状に形成されている。４
個の掛止孔２８は、樹脂封止部２２の各コーナー部に相
当する位置に配設されている。
（平面図）と共に説明する。なお、第２実施例もボール
グリッドアレイ型の半導体装置であり、第１実施例と同
一の構成要素については第１実施例と同一の符号を付
し、説明は省略する。基板１２は平面矩形状に形成さ
れ、樹脂封止部２２も平面矩形状に形成されている。４
個の掛止孔２８は、樹脂封止部２２の各コーナー部に相
当する位置に配設されている。
【００１０】４個の掛止孔２８のうちの１個の掛止孔２
８ａは、トランスファモールド装置を介して樹脂封止部
２２を成形して樹脂封止する際に、樹脂封止部２２と連
結して形成される成形品ゲート３２の近傍に相当する位
置に配設されている。掛止孔２８ａをこの位置に配設す
ると、樹脂封止後のゲートブレーク工程で成形品ゲート
３２近傍に外力が加えられても、掛止孔２８ａ内の固化
した樹脂が樹脂封止部２２を掛止してするので外力に対
抗でき、樹脂封止部２２の欠損を防止可能となってい
る。さらに、成形品ゲート３２近傍における樹脂封止部
２２の外端部（輪郭線）と、基板１２の外縁との間の距
離Ａを可及的に短距離に形成すると、成形品ゲート３２
と基板１２面との付着面積が小さくなり、両者の付着力
も小さくすることができ、ゲートブレークをより小さな
力で行うことができる。その結果、樹脂封止部２２の欠
損をより一層防止可能になっている。
８ａは、トランスファモールド装置を介して樹脂封止部
２２を成形して樹脂封止する際に、樹脂封止部２２と連
結して形成される成形品ゲート３２の近傍に相当する位
置に配設されている。掛止孔２８ａをこの位置に配設す
ると、樹脂封止後のゲートブレーク工程で成形品ゲート
３２近傍に外力が加えられても、掛止孔２８ａ内の固化
した樹脂が樹脂封止部２２を掛止してするので外力に対
抗でき、樹脂封止部２２の欠損を防止可能となってい
る。さらに、成形品ゲート３２近傍における樹脂封止部
２２の外端部（輪郭線）と、基板１２の外縁との間の距
離Ａを可及的に短距離に形成すると、成形品ゲート３２
と基板１２面との付着面積が小さくなり、両者の付着力
も小さくすることができ、ゲートブレークをより小さな
力で行うことができる。その結果、樹脂封止部２２の欠
損をより一層防止可能になっている。
【００１１】（第３実施例）第３実施例について図３
（部分断面図）と共に説明する。なお、先行実施例と同
一の構成要素については先行実施例と同一の符号を付
し、説明は省略する。第３実施例の基板１２は多層基板
であり、第３実施例では互いに接合された上層基板部３
４ａと下層基板部３４ｂとから成るが、特に層数は限定
されない。掛止孔２８は上層基板部３４ａに透設され、
掛止孔２８の下端は下層基板部３４ｂによって閉塞され
ている。なお、多層基板の場合でも掛止孔２８の下端は
必ずしも閉塞しなくてもよい。第３実施例の基板１２を
用いると、掛止孔２８内に進入した樹脂が基板１２の下
面に露出することがない。従って、基板１２の下面に樹
脂を露出させたくないような態様での使用に有利であ
る。なお、基板１２の下面に樹脂が露出するのを防止す
るためには、特に多層基板を使用せず、単層基板に有底
孔を穿設してもよい。しかし、抜止部３０を容易に形成
するためには多層基板の方が有利である。
（部分断面図）と共に説明する。なお、先行実施例と同
一の構成要素については先行実施例と同一の符号を付
し、説明は省略する。第３実施例の基板１２は多層基板
であり、第３実施例では互いに接合された上層基板部３
４ａと下層基板部３４ｂとから成るが、特に層数は限定
されない。掛止孔２８は上層基板部３４ａに透設され、
掛止孔２８の下端は下層基板部３４ｂによって閉塞され
ている。なお、多層基板の場合でも掛止孔２８の下端は
必ずしも閉塞しなくてもよい。第３実施例の基板１２を
用いると、掛止孔２８内に進入した樹脂が基板１２の下
面に露出することがない。従って、基板１２の下面に樹
脂を露出させたくないような態様での使用に有利であ
る。なお、基板１２の下面に樹脂が露出するのを防止す
るためには、特に多層基板を使用せず、単層基板に有底
孔を穿設してもよい。しかし、抜止部３０を容易に形成
するためには多層基板の方が有利である。
【００１２】（第４実施例）第４実施例について図４
（部分断面図）と共に説明する。なお、先行実施例と同
一の構成要素については先行実施例と同一の符号を付
し、説明は省略する。第４実施例では掛止孔２８に代え
て掛止凸部３６が設けられている。掛止凸部３６は、基
板１２の上面であって、樹脂封止部２２の外端部（輪郭
線）より若干内側に複数上方へ突設されている。掛止凸
部３６の上部には、掛止凸部３６を被覆して固化した樹
脂が掛止凸部３６から抜脱するのを防止するため、大径
に形成されたの抜止部３８が形成されている。複数の掛
止凸部３６のうちの１個は、第２実施例同様、樹脂封止
部２２と連結して形成される成形品ゲート３２の近傍に
相当する位置に配設するとよい。また、成形品ゲート３
２近傍の樹脂封止部２２の外端部（輪郭線）と、基板１
２外縁との間の距離Ａを可及的に短く形成するとよい。
さらに、樹脂封止部２２を矩形状に形成し、掛止凸部３
６を、樹脂封止部２２の各コーナー部に相当する位置に
配設してもよい。
（部分断面図）と共に説明する。なお、先行実施例と同
一の構成要素については先行実施例と同一の符号を付
し、説明は省略する。第４実施例では掛止孔２８に代え
て掛止凸部３６が設けられている。掛止凸部３６は、基
板１２の上面であって、樹脂封止部２２の外端部（輪郭
線）より若干内側に複数上方へ突設されている。掛止凸
部３６の上部には、掛止凸部３６を被覆して固化した樹
脂が掛止凸部３６から抜脱するのを防止するため、大径
に形成されたの抜止部３８が形成されている。複数の掛
止凸部３６のうちの１個は、第２実施例同様、樹脂封止
部２２と連結して形成される成形品ゲート３２の近傍に
相当する位置に配設するとよい。また、成形品ゲート３
２近傍の樹脂封止部２２の外端部（輪郭線）と、基板１
２外縁との間の距離Ａを可及的に短く形成するとよい。
さらに、樹脂封止部２２を矩形状に形成し、掛止凸部３
６を、樹脂封止部２２の各コーナー部に相当する位置に
配設してもよい。
【００１３】第４実施例においても樹脂封止部２２を形
成すべくトランスファモールドを行い、樹脂封止部２２
を形成すると、掛止凸部３６を樹脂が被覆する。樹脂が
固化すると、樹脂封止部２２は掛止凸部３６と掛止状態
となるので、樹脂封止部２２の体積が収縮しても樹脂封
止部２２の外端部が基板１２の上面から剥離するのを防
止可能となる。樹脂封止部２２の外端部が基板１２から
剥離しないので、樹脂封止部２２内への水分の侵入およ
び樹脂封止部２２の欠損を防止可能となる。なお、本発
明は、一方の面に半導体素子が配設されると共に、その
一方の面のみに樹脂封止部が形成される半導体装置用基
板を前提としているが、単なる樹脂封止部の収縮による
剥離だけを防止するのであれば、両方の面に樹脂封止部
が形成される半導体装置用基板に応用することもでき
る。以上、本発明の好適な実施例について種々述べてき
たが、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、
例えば基板１２は金属製でもよいし、半導体装置１０も
ボールグリッドアレイに限定されない等、発明の精神を
逸脱しない範囲でさらに多くの改変を施し得るのはもち
ろんである。
成すべくトランスファモールドを行い、樹脂封止部２２
を形成すると、掛止凸部３６を樹脂が被覆する。樹脂が
固化すると、樹脂封止部２２は掛止凸部３６と掛止状態
となるので、樹脂封止部２２の体積が収縮しても樹脂封
止部２２の外端部が基板１２の上面から剥離するのを防
止可能となる。樹脂封止部２２の外端部が基板１２から
剥離しないので、樹脂封止部２２内への水分の侵入およ
び樹脂封止部２２の欠損を防止可能となる。なお、本発
明は、一方の面に半導体素子が配設されると共に、その
一方の面のみに樹脂封止部が形成される半導体装置用基
板を前提としているが、単なる樹脂封止部の収縮による
剥離だけを防止するのであれば、両方の面に樹脂封止部
が形成される半導体装置用基板に応用することもでき
る。以上、本発明の好適な実施例について種々述べてき
たが、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、
例えば基板１２は金属製でもよいし、半導体装置１０も
ボールグリッドアレイに限定されない等、発明の精神を
逸脱しない範囲でさらに多くの改変を施し得るのはもち
ろんである。
【００１４】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置用基板を用いる
と、掛止孔が形成された基板を用いた半導体装置の場
合、樹脂封止を行うと、樹脂封止部の外端部の若干内側
に在る掛止孔内へ樹脂が進入する。樹脂が固化すると、
樹脂封止部は掛止孔と掛止状態となるので体積が収縮し
ても当該外端部が基板の面から剥離するのを防止可能と
なる。一方、掛止凸部が形成された基板を用いた半導体
装置の場合、樹脂封止を行うと、樹脂封止部の外端部の
若干内側に在る掛止凸部を樹脂が被覆する。樹脂が固化
すると、樹脂封止部は掛止凸部と掛止状態となるので体
積が収縮しても当該外端部が基板の面から剥離するのを
防止可能となる。従って、どちらの場合も樹脂封止部の
外端部が基板から剥離しないので、樹脂封止部内への水
分の侵入および樹脂封止部の欠損を防止可能となる等の
著効を奏する。
と、掛止孔が形成された基板を用いた半導体装置の場
合、樹脂封止を行うと、樹脂封止部の外端部の若干内側
に在る掛止孔内へ樹脂が進入する。樹脂が固化すると、
樹脂封止部は掛止孔と掛止状態となるので体積が収縮し
ても当該外端部が基板の面から剥離するのを防止可能と
なる。一方、掛止凸部が形成された基板を用いた半導体
装置の場合、樹脂封止を行うと、樹脂封止部の外端部の
若干内側に在る掛止凸部を樹脂が被覆する。樹脂が固化
すると、樹脂封止部は掛止凸部と掛止状態となるので体
積が収縮しても当該外端部が基板の面から剥離するのを
防止可能となる。従って、どちらの場合も樹脂封止部の
外端部が基板から剥離しないので、樹脂封止部内への水
分の侵入および樹脂封止部の欠損を防止可能となる等の
著効を奏する。
【図１】本発明に係る半導体装置の第１実施例を示した
断面図。
断面図。
【図２】本発明に係る半導体装置の第２実施例を示した
平面図。
平面図。
【図３】本発明に係る半導体装置の第３実施例を示した
部分断面図。
部分断面図。
【図４】本発明に係る半導体装置の第４実施例を示した
部分断面図。
部分断面図。
１０ 半導体装置 １２ 基板 １６ ＩＣチップ ２２ 樹脂封止部 ２８、２８ａ 掛止孔 ３０、３８ 抜止部 ３２ 成形品ゲート ３６ 掛止凸部
Claims (10)
- 【請求項１】 一方の面に半導体素子が配設されると共
に、該一方の面のみに樹脂封止部が形成される半導体装
置用基板において、 前記一方の面であって、形成される前記樹脂封止部の輪
郭線より若干内側に相当する位置に他方の面方向へ掛止
孔が形成されていることを特徴とする半導体装置用基
板。 - 【請求項２】 前記掛止孔は透孔であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置用基板。 - 【請求項３】 前記掛止孔は有底孔であることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置用基板。 - 【請求項４】 前記掛止孔には、掛止孔内へ進入して固
化した樹脂が掛止孔から抜脱するのを防止するための抜
止部が形成されていることを特徴とする請求項１、２ま
たは３記載の半導体装置用基板。 - 【請求項５】 一方の面に半導体素子が配設されると共
に、該一方の面のみに樹脂封止部が形成される半導体装
置用基板において、 前記一方の面であって、形成される前記樹脂封止部の輪
郭線より若干内側に相当する複数の位置に掛止凸部が突
設されていることを特徴とする半導体装置用基板。 - 【請求項６】 前記掛止凸部には、掛止凸部を被覆して
固化した樹脂が掛止凸部から抜脱するのを防止するため
の抜止部が形成されていることを特徴とする請求項５記
載の半導体装置用基板。 - 【請求項７】 複数の前記掛止孔または掛止凸部のうち
の１個は、樹脂封止の際に前記樹脂封止部と連結して形
成される成形品ゲートの近傍に相当する位置に配設され
ていることを特徴とする請求項１、２、３、４、５また
は６記載の半導体装置用基板。 - 【請求項８】 樹脂封止の際に前記樹脂封止部と連結し
て形成される成形品ゲート近傍に相当する部分における
樹脂封止部の輪郭線と、外縁との間の距離は短距離であ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６また
は７記載の半導体装置用基板。 - 【請求項９】 前記樹脂封止部は矩形状に形成され、前
記掛止孔または掛止凸部は、樹脂封止部の各コーナー部
に相当する位置に配設されていることを特徴とする請求
項１、２、３、４、５、６、７または８記載の半導体装
置用基板。 - 【請求項１０】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８または９記載の半導体装置用基板の一方の面に配設さ
れた半導体素子を樹脂封止して成る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280926A JPH07135271A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 半導体装置用基板と半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5280926A JPH07135271A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 半導体装置用基板と半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135271A true JPH07135271A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17631862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5280926A Pending JPH07135271A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | 半導体装置用基板と半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135271A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959353A (en) * | 1997-08-28 | 1999-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2010219346A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | プリント回路板及びプリント回路板を備えた電子機器 |
-
1993
- 1993-11-10 JP JP5280926A patent/JPH07135271A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5959353A (en) * | 1997-08-28 | 1999-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2010219346A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | プリント回路板及びプリント回路板を備えた電子機器 |
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