JPH07135246A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
- Publication number
- JPH07135246A JPH07135246A JP28233193A JP28233193A JPH07135246A JP H07135246 A JPH07135246 A JP H07135246A JP 28233193 A JP28233193 A JP 28233193A JP 28233193 A JP28233193 A JP 28233193A JP H07135246 A JPH07135246 A JP H07135246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- thin film
- electrostatic chuck
- aluminum nitride
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】シリコンウエハ等を保持する静電チャックとし
て、室温〜８００℃における熱膨張率が４．０×１０-6
／℃〜６．０×１０-6／℃の例えば、Ｗや炭化珪素、窒
化珪素を主体とする焼結体などの金属あるいは導電性セ
ラミックスからなる基体２の表面に窒化アルミニウムか
らなる薄膜３を０．００１〜１．０ｍｍの厚みで形成し
たものを用いる。 【効果】半導体製造過程において不純物などの混入がな
く、半導体製造過程においても膜の剥離等がなく、高温
で優れた信頼性と長期安定性を達成することができ、し
かも格別な高純度の原料を用いる必要等がないために製
造コストの低減を図ることができる。
て、室温〜８００℃における熱膨張率が４．０×１０-6
／℃〜６．０×１０-6／℃の例えば、Ｗや炭化珪素、窒
化珪素を主体とする焼結体などの金属あるいは導電性セ
ラミックスからなる基体２の表面に窒化アルミニウムか
らなる薄膜３を０．００１〜１．０ｍｍの厚みで形成し
たものを用いる。 【効果】半導体製造過程において不純物などの混入がな
く、半導体製造過程においても膜の剥離等がなく、高温
で優れた信頼性と長期安定性を達成することができ、し
かも格別な高純度の原料を用いる必要等がないために製
造コストの低減を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置におい
てシリコンウエハを静電的に吸着保持し、搬送するため
の静電チャックで、特に高温での耐久性に優れた静電チ
ャックに関する。
てシリコンウエハを静電的に吸着保持し、搬送するため
の静電チャックで、特に高温での耐久性に優れた静電チ
ャックに関する。
【０００２】
【従来技術】従来より、半導体製造用装置において、シ
リコンウエハを加工するためにはシリコンウエハを保持
する必要があり、このような保持手段としては機械式、
真空吸着式、静電吸着式が提案されている。これらの保
持手段の中で静電的にシリコンウエハを保持することの
できる静電チャックはシリコンウエハの加工を行うに際
して要求される加工面の平坦度や平向度を実現すること
ができ、シリコンウエハを真空中で加工処理することが
できるため、半導体の製造に際して最も多用されてい
る。
リコンウエハを加工するためにはシリコンウエハを保持
する必要があり、このような保持手段としては機械式、
真空吸着式、静電吸着式が提案されている。これらの保
持手段の中で静電的にシリコンウエハを保持することの
できる静電チャックはシリコンウエハの加工を行うに際
して要求される加工面の平坦度や平向度を実現すること
ができ、シリコンウエハを真空中で加工処理することが
できるため、半導体の製造に際して最も多用されてい
る。
【０００３】従来の静電チャックは、電極板の上にアル
ミナ等からなる絶縁層を形成したもの、絶縁性基体の上
に導電層を形成しその上に絶縁層を形成したもの、絶縁
性基体内部に導電層を組み込んだものなどが提案されて
いる。近年、半導体素子の集積回路の集積度が向上する
に従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに耐食
性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製静電
チャックが使用されるようになってきた。
ミナ等からなる絶縁層を形成したもの、絶縁性基体の上
に導電層を形成しその上に絶縁層を形成したもの、絶縁
性基体内部に導電層を組み込んだものなどが提案されて
いる。近年、半導体素子の集積回路の集積度が向上する
に従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに耐食
性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製静電
チャックが使用されるようになってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】半導体製造用装置内
の部品は、シリコンウエハに不純物が混入しないように
高純度の物質で作製する必要がある。通常、炭化珪素、
窒化珪素、窒化アルミニウム等を焼結するには、焼結助
剤を加える必要がある。このようなセラミック部品には
焼結助剤が必然的に存在するため、これを静電チャック
として用いた場合、焼結助剤によりシリコンウエハが汚
染される可能性がある。そこで、焼結助剤を含まない高
純度の焼結体を作製することも行われているが、高純度
の焼結体を得るためにはより高純度の原料を用いたり、
製造プロセスが煩雑であったり、さらにはエッチングな
どの高純度化処理等を行うなど、製品コストが高くなっ
てしまう。
の部品は、シリコンウエハに不純物が混入しないように
高純度の物質で作製する必要がある。通常、炭化珪素、
窒化珪素、窒化アルミニウム等を焼結するには、焼結助
剤を加える必要がある。このようなセラミック部品には
焼結助剤が必然的に存在するため、これを静電チャック
として用いた場合、焼結助剤によりシリコンウエハが汚
染される可能性がある。そこで、焼結助剤を含まない高
純度の焼結体を作製することも行われているが、高純度
の焼結体を得るためにはより高純度の原料を用いたり、
製造プロセスが煩雑であったり、さらにはエッチングな
どの高純度化処理等を行うなど、製品コストが高くなっ
てしまう。
【０００５】また、導電層を内蔵した静電チャックで
は、導電層を形成する工程が必要となるほか、３００℃
以上の高温で使用した場合、導電層と絶縁層の剥離が生
じ寿命の点で不十分であるなどの問題があった。
は、導電層を形成する工程が必要となるほか、３００℃
以上の高温で使用した場合、導電層と絶縁層の剥離が生
じ寿命の点で不十分であるなどの問題があった。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点に対して特に静電チャックを構成する材料の観点か
ら検討を重ねた結果、窒化アルミニウムが絶縁性を有す
るとともに熱衝撃に対しても優れた耐久性を有するとと
もに、気相法などの手法により容易に作製され、しかも
高純度薄膜であるという性質に着目し、これを熱膨張率
が窒化アルミニウムと近似するとともに電気伝導性を有
する基体に被着形成することにより上記問題点を解決で
きることを見いだした。
題点に対して特に静電チャックを構成する材料の観点か
ら検討を重ねた結果、窒化アルミニウムが絶縁性を有す
るとともに熱衝撃に対しても優れた耐久性を有するとと
もに、気相法などの手法により容易に作製され、しかも
高純度薄膜であるという性質に着目し、これを熱膨張率
が窒化アルミニウムと近似するとともに電気伝導性を有
する基体に被着形成することにより上記問題点を解決で
きることを見いだした。
【０００７】即ち、本発明の静電チャックは、室温〜８
００℃における熱膨張率が４．０×１０-6／℃〜６．０
×１０-6／℃の金属あるいは導電性セラミックスからな
る基体の表面に窒化アルミニウムからなる薄膜を０．０
０１〜１．０ｍｍの厚みで形成したことを特徴とするも
のである。
００℃における熱膨張率が４．０×１０-6／℃〜６．０
×１０-6／℃の金属あるいは導電性セラミックスからな
る基体の表面に窒化アルミニウムからなる薄膜を０．０
０１〜１．０ｍｍの厚みで形成したことを特徴とするも
のである。
【０００８】本発明の静電チャックの代表的な構造を図
１に示した。図１によれば、静電チャック１は、金属あ
るいは導電性セラミックスからなる基体２と、その基体
２表面に形成された窒化アルミニウム薄膜３により構成
される。窒化アルミニウム薄膜３は、シリコンウエハの
載置面、あるいは半導体製造装置内に露出している基体
面全体に形成される。
１に示した。図１によれば、静電チャック１は、金属あ
るいは導電性セラミックスからなる基体２と、その基体
２表面に形成された窒化アルミニウム薄膜３により構成
される。窒化アルミニウム薄膜３は、シリコンウエハの
載置面、あるいは半導体製造装置内に露出している基体
面全体に形成される。
【０００９】また、基体２は、それ自体の室温〜８００
℃における熱膨張率が４．０×１０-6／℃〜６．０×１
０-6／℃であることが重要であり、熱膨張率が４．０×
１０-6／℃より小さかったり、６．０×１０-6／℃より
大きいと、窒化アルミニウム薄膜との熱膨張差により半
導体の製造過程で高温中に保持された場合、薄膜の剥離
が生じやすくなり、静電チャックとしての信頼性、長期
安定性が損なわれるなどの問題が生じる。
℃における熱膨張率が４．０×１０-6／℃〜６．０×１
０-6／℃であることが重要であり、熱膨張率が４．０×
１０-6／℃より小さかったり、６．０×１０-6／℃より
大きいと、窒化アルミニウム薄膜との熱膨張差により半
導体の製造過程で高温中に保持された場合、薄膜の剥離
が生じやすくなり、静電チャックとしての信頼性、長期
安定性が損なわれるなどの問題が生じる。
【００１０】熱膨張率が上記範囲を満足する基体として
は、Ｗ金属単体、Ｗを主体とする合金等の金属材料、Ｗ
Ｃ−Ｃｏ等の超硬合金、炭化珪素あるいは窒化珪素を主
体とするセラミック焼結体などが好適に使用される。こ
れらの中でも炭化珪素や窒化珪素焼結体は、助剤などの
添加により熱膨張率を任意の値に調整することができる
とともに、高温での強度に優れることから望ましく、特
に炭化珪素焼結体は高純度品を製造することができるこ
とから最も望ましい。
は、Ｗ金属単体、Ｗを主体とする合金等の金属材料、Ｗ
Ｃ−Ｃｏ等の超硬合金、炭化珪素あるいは窒化珪素を主
体とするセラミック焼結体などが好適に使用される。こ
れらの中でも炭化珪素や窒化珪素焼結体は、助剤などの
添加により熱膨張率を任意の値に調整することができる
とともに、高温での強度に優れることから望ましく、特
に炭化珪素焼結体は高純度品を製造することができるこ
とから最も望ましい。
【００１１】用いられる炭化珪素質焼結体は、焼結助剤
成分として、炭素、ホウ素、Ａｌ、Ａｌ2 Ｏ3 の他に
Ｙ，Ｅｒ，Ｙｂなどの周期律表第３ａ族元素の化合物を
含む場合もあるが、望ましくはこれらの助剤成分は半導
体製造装置内で半導体に対して不純物的挙動を示すこと
があるために、助剤成分は極力少ないことがよく、例え
ば特開平４−１３００６１に提案されるような高純度炭
化珪素焼結体であることが望ましい。また、これら基体
は、それ自体が導電性を有することが必要であり、具体
的には体積固有抵抗が１０6 Ω・ｃｍ以下、特に１０4
Ω・ｃｍ以下であることがよい。このような炭化珪素質
焼結体は、炭化珪素原料粉末に、前記助剤成分を適宜添
加混合したものを所望の形状に成形した後、真空あるい
はアルゴンなどの非酸化性雰囲気中で１９００〜２３０
０℃の温度で焼成することにより得られる。
成分として、炭素、ホウ素、Ａｌ、Ａｌ2 Ｏ3 の他に
Ｙ，Ｅｒ，Ｙｂなどの周期律表第３ａ族元素の化合物を
含む場合もあるが、望ましくはこれらの助剤成分は半導
体製造装置内で半導体に対して不純物的挙動を示すこと
があるために、助剤成分は極力少ないことがよく、例え
ば特開平４−１３００６１に提案されるような高純度炭
化珪素焼結体であることが望ましい。また、これら基体
は、それ自体が導電性を有することが必要であり、具体
的には体積固有抵抗が１０6 Ω・ｃｍ以下、特に１０4
Ω・ｃｍ以下であることがよい。このような炭化珪素質
焼結体は、炭化珪素原料粉末に、前記助剤成分を適宜添
加混合したものを所望の形状に成形した後、真空あるい
はアルゴンなどの非酸化性雰囲気中で１９００〜２３０
０℃の温度で焼成することにより得られる。
【００１２】また、窒化珪素質焼結体としては、焼結助
剤としてＹ2 Ｏ3 などの周期律表第３ａ族元素酸化物や
Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等の化合物を添加すると同時に、Ｔ
ｉＮ、ＴｉＣ等を導電性付与材として添加したものが好
適に使用できる。
剤としてＹ2 Ｏ3 などの周期律表第３ａ族元素酸化物や
Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等の化合物を添加すると同時に、Ｔ
ｉＮ、ＴｉＣ等を導電性付与材として添加したものが好
適に使用できる。
【００１３】一方、基体２の表面に形成される窒化アル
ミニウム薄膜３は、０．００１〜１．０ｍｍ、特に０．
００１〜０．３ｍｍの厚みで形成されるのが望ましい。
これは、薄膜の厚みが０．００１ｍｍよりも薄いと薄膜
の寿命が短くなり、１．０ｍｍを越えると静電チャック
としてシリコンウエハの吸着力が弱くなったり、薄膜の
析出時間が長くなって生産性が劣るためである。この窒
化アルミニウム薄膜は、周知の気相法、例えば、スパッ
タリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法や、プ
ラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａ
ｎｉｃ）ＣＶＤなどのＣＶＤ法により容易に形成される
ものである。このような気相法により形成される薄膜
は、純度９９％以上の高純度であるが、膜中には成膜過
程で酸素が含まれるＡｌＯＮが含まれる場合もあるが、
酸素量が多すぎると、基体との密着性が低下する場合が
あるため、酸素含有量は２０原子％以下に制御すること
が望ましい。また、窒化アルミニウム薄膜は、高純度で
１００Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝導率を有することが望まし
い。
ミニウム薄膜３は、０．００１〜１．０ｍｍ、特に０．
００１〜０．３ｍｍの厚みで形成されるのが望ましい。
これは、薄膜の厚みが０．００１ｍｍよりも薄いと薄膜
の寿命が短くなり、１．０ｍｍを越えると静電チャック
としてシリコンウエハの吸着力が弱くなったり、薄膜の
析出時間が長くなって生産性が劣るためである。この窒
化アルミニウム薄膜は、周知の気相法、例えば、スパッ
タリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法や、プ
ラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａ
ｎｉｃ）ＣＶＤなどのＣＶＤ法により容易に形成される
ものである。このような気相法により形成される薄膜
は、純度９９％以上の高純度であるが、膜中には成膜過
程で酸素が含まれるＡｌＯＮが含まれる場合もあるが、
酸素量が多すぎると、基体との密着性が低下する場合が
あるため、酸素含有量は２０原子％以下に制御すること
が望ましい。また、窒化アルミニウム薄膜は、高純度で
１００Ｗ／ｍ・ｋ以上の熱伝導率を有することが望まし
い。
【００１４】上記のような構成からなる静電チャックに
より実際にシリコンウエハを静電吸着するには、導電性
基体におよそ０．２〜１．５ｋＶの電圧を印加すること
により静電吸着を行うことができる。
より実際にシリコンウエハを静電吸着するには、導電性
基体におよそ０．２〜１．５ｋＶの電圧を印加すること
により静電吸着を行うことができる。
【００１５】
【作用】本発明において、基体の表面に形成される窒化
アルミニウム薄膜は、体積固有抵抗が１０13Ω−ｃｍ以
上の良好な絶縁体であるとともに、耐熱衝撃性に優れて
いるため、急激な温度変化を受けても割れにくい。また
気相法によって合成されることから、組織が均質でかつ
非常に純度が高く、気孔もないことから、基体中にわず
かな不純物が混入していたとしても系外に放出されるこ
とがなく、半導体製造過程において静電チャックの基体
中の不純物によりシリコンウエハが汚染されることはな
い。さらに、窒化アルミニウムは耐プラズマ性にも優れ
ることから半導体製造時の条件下でも劣化することがな
いことから、基体自体が耐プラズマ性が低い材料でも何
ら問題がない。
アルミニウム薄膜は、体積固有抵抗が１０13Ω−ｃｍ以
上の良好な絶縁体であるとともに、耐熱衝撃性に優れて
いるため、急激な温度変化を受けても割れにくい。また
気相法によって合成されることから、組織が均質でかつ
非常に純度が高く、気孔もないことから、基体中にわず
かな不純物が混入していたとしても系外に放出されるこ
とがなく、半導体製造過程において静電チャックの基体
中の不純物によりシリコンウエハが汚染されることはな
い。さらに、窒化アルミニウムは耐プラズマ性にも優れ
ることから半導体製造時の条件下でも劣化することがな
いことから、基体自体が耐プラズマ性が低い材料でも何
ら問題がない。
【００１６】また、基体自体が導電性を有するために内
部に別途配線を設ける必要がないことから基体に直接電
圧を印加することにより吸着作用が発揮される。しかも
窒化アルミニウム薄膜との熱膨張差が小さいことから、
窒化アルミニウム薄膜が剥離することがなく、静電チャ
ックとして優れた耐久性と長期信頼性を有する。特に炭
化珪素焼結体は良導体であるとともに機械的性質、摺動
特性が優れると共にシリコンウエハとの熱膨張差が小さ
いことから静電チャックの高精度化が可能となる。
部に別途配線を設ける必要がないことから基体に直接電
圧を印加することにより吸着作用が発揮される。しかも
窒化アルミニウム薄膜との熱膨張差が小さいことから、
窒化アルミニウム薄膜が剥離することがなく、静電チャ
ックとして優れた耐久性と長期信頼性を有する。特に炭
化珪素焼結体は良導体であるとともに機械的性質、摺動
特性が優れると共にシリコンウエハとの熱膨張差が小さ
いことから静電チャックの高精度化が可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を次の例で説明する。 実施例１ β型炭化珪素粉末に黒鉛粉末を１５重量％添加し、成形
後、１２００℃で仮焼した。この炭化珪素仮焼体を純度
９９．９９９％の金属珪素に含浸した後、真空雰囲気中
で１５００℃で反応焼結させて炭化珪素−珪素焼結体を
得た。得られた炭化珪素−珪素焼結体の体積固有抵抗は
３．６Ω−ｃｍ、室温〜８００℃の熱膨張率は４．６×
１０-6／℃であった。
後、１２００℃で仮焼した。この炭化珪素仮焼体を純度
９９．９９９％の金属珪素に含浸した後、真空雰囲気中
で１５００℃で反応焼結させて炭化珪素−珪素焼結体を
得た。得られた炭化珪素−珪素焼結体の体積固有抵抗は
３．６Ω−ｃｍ、室温〜８００℃の熱膨張率は４．６×
１０-6／℃であった。
【００１８】この炭化珪素焼結体をＣＶＤ装置内に配置
し、表１に示すような原料ガスおよび温度条件下で熱Ｃ
ＶＤ法により各種の薄膜を形成し、静電チャックを製造
した。なお、得られた薄膜については別途、基体を研磨
除去した後燃焼分析法で膜中の酸素量を測定した。
し、表１に示すような原料ガスおよび温度条件下で熱Ｃ
ＶＤ法により各種の薄膜を形成し、静電チャックを製造
した。なお、得られた薄膜については別途、基体を研磨
除去した後燃焼分析法で膜中の酸素量を測定した。
【００１９】また、薄膜の基体との密着性について、基
体とともに切断した後切断面を実体顕微鏡と走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより調べ、膜剥離や
亀裂の発生がないものは○、部分的に膜剥離や亀裂が観
察されたものには×を付した。さらに、炭化珪素基体に
銀電極を付け、基体に１．０Ｖの電圧を印加し、シリコ
ンウエハの吸着状態を調べた。吸着状態について、シリ
コンウエハが完全に吸着されるものは○、吸着されるも
のの吸着力が弱いものは△、全く吸着しないものに×を
を付した。結果は表１に示した。
体とともに切断した後切断面を実体顕微鏡と走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより調べ、膜剥離や
亀裂の発生がないものは○、部分的に膜剥離や亀裂が観
察されたものには×を付した。さらに、炭化珪素基体に
銀電極を付け、基体に１．０Ｖの電圧を印加し、シリコ
ンウエハの吸着状態を調べた。吸着状態について、シリ
コンウエハが完全に吸着されるものは○、吸着されるも
のの吸着力が弱いものは△、全く吸着しないものに×を
を付した。結果は表１に示した。
【００２０】実施例２ β型炭化珪素粉末にＢ4 Ｃを０．４重量％、ＴｉＣを２
０重量％の割合で混合し、成形後、アルゴン雰囲気中で
２０５０℃の温度で焼成し炭化珪素質焼結体を得た。得
られた焼結体の体積固有抵抗は０．４Ω−ｃｍ、室温〜
８００℃の熱膨張率は４．８×１０-6／℃であった。こ
れを基体としてプラズマＣＶＤ法およびスパッタ法によ
りアルゴン、窒素ガス雰囲気中で窒化アルミニウム薄膜
を形成し静電チャックを得た。 得られた静電チャック
に対して実施例１と同様な方法により評価を行い、結果
は表１に示した。
０重量％の割合で混合し、成形後、アルゴン雰囲気中で
２０５０℃の温度で焼成し炭化珪素質焼結体を得た。得
られた焼結体の体積固有抵抗は０．４Ω−ｃｍ、室温〜
８００℃の熱膨張率は４．８×１０-6／℃であった。こ
れを基体としてプラズマＣＶＤ法およびスパッタ法によ
りアルゴン、窒素ガス雰囲気中で窒化アルミニウム薄膜
を形成し静電チャックを得た。 得られた静電チャック
に対して実施例１と同様な方法により評価を行い、結果
は表１に示した。
【００２１】実施例３ Ｗ金属（体積固有抵抗は６×１０-6Ω−ｃｍ、室温〜８
００℃の熱膨張率４．６×１０-6／℃）からなる基体の
表面に、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法およびスパッタ
法により表１に示すような原料ガスおよび温度条件下で
窒化アルミニウム薄膜を形成し静電チャックを得た。こ
れに対して実施例１、実施例２と同様な方法で評価を行
い結果は表１に示した。
００℃の熱膨張率４．６×１０-6／℃）からなる基体の
表面に、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法およびスパッタ
法により表１に示すような原料ガスおよび温度条件下で
窒化アルミニウム薄膜を形成し静電チャックを得た。こ
れに対して実施例１、実施例２と同様な方法で評価を行
い結果は表１に示した。
【００２２】実施例４ 窒化珪素粉末にＴｉＮを４０重量％の割合で添加し焼成
したもの（体積固有抵抗２×１０-2Ω−ｃｍ、熱膨張率
４．３×１０-6／℃）を基板として、プラズマＣＶＤ法
により窒化アルミニウム膜を形成し、密着性、吸着特性
の評価を行い、結果を表１に示した。
したもの（体積固有抵抗２×１０-2Ω−ｃｍ、熱膨張率
４．３×１０-6／℃）を基板として、プラズマＣＶＤ法
により窒化アルミニウム膜を形成し、密着性、吸着特性
の評価を行い、結果を表１に示した。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１の結果によれば、膜厚が１ｍｍを越え
ると基体との密着性、シリコンウエハの吸着性が低下し
たが、それ以外の本発明品は、いずれも基体との密着性
に優れるとともに、シリコンウエハの吸着性にも優れて
いた。また、本発明品について８００℃で２時間保持し
たところ、膜の剥離もなく良好なものであった。
ると基体との密着性、シリコンウエハの吸着性が低下し
たが、それ以外の本発明品は、いずれも基体との密着性
に優れるとともに、シリコンウエハの吸着性にも優れて
いた。また、本発明品について８００℃で２時間保持し
たところ、膜の剥離もなく良好なものであった。
【００２５】また比較のために、室温〜８００℃の熱膨
張率が３．５×１０-6／℃の窒化珪素焼結体からなる基
体、および７．０×１０-6／℃のアルミナからなる基体
表面にそれぞれプラズマＣＶＤ法により１００μｍの厚
みで窒化アルミニウム膜を形成した。この膜を８００℃
の高温に２時間曝したところ、窒化アルミニウム膜が剥
離したため、基体の熱膨張率が高温使用時の信頼性の点
で重要であることがわかった。
張率が３．５×１０-6／℃の窒化珪素焼結体からなる基
体、および７．０×１０-6／℃のアルミナからなる基体
表面にそれぞれプラズマＣＶＤ法により１００μｍの厚
みで窒化アルミニウム膜を形成した。この膜を８００℃
の高温に２時間曝したところ、窒化アルミニウム膜が剥
離したため、基体の熱膨張率が高温使用時の信頼性の点
で重要であることがわかった。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の静電チャッ
クは、半導体製造過程において不純物などの混入がな
く、半導体製造過程においても膜の剥離等がなく、高温
で優れた信頼性と長期安定性を達成することができる。
また格別な高純度の原料を用いたり、また導電層の形成
を行う必要がないために製造コストの低減を図ることが
できる。
クは、半導体製造過程において不純物などの混入がな
く、半導体製造過程においても膜の剥離等がなく、高温
で優れた信頼性と長期安定性を達成することができる。
また格別な高純度の原料を用いたり、また導電層の形成
を行う必要がないために製造コストの低減を図ることが
できる。
【図１】本発明の静電チャックの構造を示す断面図であ
る。
る。
１ 静電チャック ２ 基体 ３ 窒化アルミニウム薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】室温〜８００℃における熱膨張率が４．０
×１０-6／℃〜６．０×１０-6／℃の金属あるいは導電
性セラミックスからなる基体の表面に窒化アルミニウム
からなる薄膜を０．００１〜１．０ｍｍの厚みで形成し
たことを特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】前記基体がＷ金属、Ｗを主体とする合金、
ＷＣを主体とする超硬合金、炭化珪素あるいは窒化珪素
を主体とするセラミック焼結体のうちの１種である請求
項１記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28233193A JPH07135246A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28233193A JPH07135246A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 静電チャック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135246A true JPH07135246A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17651031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28233193A Pending JPH07135246A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7247879B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-07-24 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device having particular testing pad arrangement |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP28233193A patent/JPH07135246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7247879B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-07-24 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device having particular testing pad arrangement |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4008230B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
| US7446284B2 (en) | Etch resistant wafer processing apparatus and method for producing the same | |
| JP4744855B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP4031732B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH0779122B2 (ja) | ダイヤモンド・コーティングを施した静電チャック | |
| JP3176219B2 (ja) | 静電チャック | |
| US6982125B2 (en) | ALN material and electrostatic chuck incorporating same | |
| JP4595153B2 (ja) | 炭化ケイ素体およびその製造方法 | |
| JP3152847B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3145574B2 (ja) | セラミック抵抗体 | |
| JP3181006B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH07135246A (ja) | 静電チャック | |
| JP3794823B2 (ja) | 静電チャック及びその評価方法 | |
| JP3152857B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3784180B2 (ja) | 耐食性部材 | |
| JP3180998B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH0786379A (ja) | 半導体製造用サセプタ | |
| JP3667077B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3623102B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3370532B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3588253B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH07153820A (ja) | 半導体製造用サセプタおよびその製造方法 | |
| JP2001244321A (ja) | 静電チャックおよびその製造方法 | |
| JP3965469B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH11100271A (ja) | セラミック抵抗体およびそれを用いた静電チャック |