JP3618032B2 - 静電チャック - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被吸着物の固定や搬送等に使用する静電チャックに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体製造装置において、半導体ウエハに微細加工を施すためのエッチング工程や薄膜を形成するための成膜工程、あるいはフォトレジストに対する露光処理工程や各種処理工程間への搬送等においては、上記半導体ウエハを高精度に保持するために静電チャックが使用されている。
【0003】
図1(a),(b)に上記各種工程で使用される静電チャック1の一例を示すように、セラミック基体2の表面に吸着用電極4を備え、該吸着用電極4を覆うようにセラミック基体2の表面にセラミック誘電体層3を被覆し、その上面を吸着面5としてなり、該吸着面5に被吸着物である半導体ウエハ10を載置して吸着用電極4とウエハ10との間に直流電圧を印加することで誘電分極によるクーロン力を発生させてウエハ10を吸着保持するようになっていた。
【0004】
また、この他に、セラミック基体とセラミック誘電体層との間に複数の吸着用電極を備え、これらの電極間に正負の電圧を印加することで吸着面に載置したウエハを吸着保持するようにした双極型のものもあった。
【0005】
そして、これらの静電チャック1を構成するセラミック誘電体層3には、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム等のセラミック焼結体により形成したものが使用されていた(特開昭62−286247号公報参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、セラミック誘電体層3を上記セラミック焼結体により形成した静電チャック1では、次のような課題があった。
【0007】
静電チャック1の吸着力はセラミック誘電体層3の体積固有抵抗値に依存し、1013Ω・cmより高い値でのクーロン力と、1013Ω・cm以下での微小な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力があり、ジョンソン・ラーベック力はクーロン力に比べて高い吸着力が得られることが知られている。
【0008】
一方、セラミック誘電体層3を形成するアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム等のセラミック焼結体の体積固有抵抗値は温度が高くなるにつれて低くなり、200℃以上の温度域においては抵抗値が1013Ω・cm以下となるために、ジョンソン・ラーベック力による高い吸着力が得られるものの、これより低い温度では抵抗値が1013Ω・cmより高いことから、200℃未満の温度域においてはジョンソン・ラーベック力による高い吸着力が得られないといった課題があった。
【0009】
その為、歪みをもったウエハ10を吸着した時には、ウエハ10の全面を吸着面5と接触させることができないためにウエハ10の平坦性及び均熱性等が損なわれるといった問題があり、100〜200℃程度の温度域で使用される成膜工程や室温域で使用される露光処理工程、さらには−170℃から室温域で使用されるエッチング工程では使用し難いものであった。
【0010】
また、セラミック焼結体は樹脂に比べて耐摩耗性が非常に高いものの、ミクロ的には吸着面5に微細な気孔や結晶の脱落部が無数に存在することから、ウエハ10との当接時や位置合わせ時の摺動に伴って吸着面5が摩耗する恐れがあった。しかも、成膜装置やエッチング装置等では雰囲気ガスとして塩素系ガスやフッ素系ガスなどのハロゲンガスが使用されているのであるが、これらのガスによっても吸着面5に存在する微細な気孔や結晶の脱落部が腐食を受け易く、さらにプラズマを発生させた状態では、このプラズマエネルギーによっても気孔や結晶の脱落部が削られて摩耗するなど、これらの摩耗や腐食によるパーティクルの発生を十分に抑えることは難しいものであった。
【0011】
そして、パーティクルがウエハ10に付着するとウエハ10上の微細回路を断線させたり、ウエハ10と吸着面5との間にパーティクルが介在し、高精度に保持することができなくなるために、成膜処理や露光処理、あるいはエッチング加工等において悪影響を与えるといった課題があった。
【0012】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、静電チャックの吸着面を、1〜8重量%のチタンを含有してなる窒化アルミニウム膜を気相合成法によって形成したことを特徴とするものである。特に、前記窒化アルミニウム膜の20〜120℃の温度域における体積固有抵抗が、107〜1011Ωcmであることが好ましい。
【0013】
本発明は、静電チャックの吸着面を、気相合成法による緻密な窒化アルミニウム膜で形成したことにより、吸着面には微小な気孔や結晶の脱落部などが殆どなく、被吸着物との当接、摺動に伴う摩耗や、成膜装置やエッチング装置で使用される塩素系ガスやフッ素系ガスなどのハロゲンガスによる腐食、さらにはプラズマエネルギーによる摩耗をセラミック焼結体からなるものに比べて大幅に低減することができ、パーティクルの発生を極力抑えることができる。
【0014】
また、従来の静電チャックでは、室温(25℃)時の体積固有抵抗値が1013Ω・cmより高いことから、200℃以上の温度域でしか使用できなかったが、本発明では、吸着面を形成する窒化アルミニウム膜に1〜8重量%のチタンを含有してあることから、室温(25℃)時の体積固有抵抗値を107 〜1013Ω・cmと、ジョンソン・ラーベック力を発現させることが可能な抵抗値とすることができるため、室温域において高い吸着力を得ることができる。しかも、温度変化に対する抵抗値の変化幅が小さいことから、−100〜300℃の範囲において体積固有抵抗値を107 〜1013Ω・cmとすることができ、使用温度範囲の広い静電チャックとすることができる。
【0015】
ところで、チタンの含有量を1〜8重量%とするのは、1重量%未満では体積固有抵抗値を低下させる効果が小さく、8重量%より多くなると体積固有抵抗値が小さくなり過ぎるために、室温(25℃)時の体積固有抵抗値を107 〜1012Ω・cmとすることが難しいからであり、静電チャックにおいて、吸着面を形成する窒化アルミニウム膜の抵抗値が1012Ω・cmより高いとジョンソン・ラーベック力による高い吸着力が得られず、107 Ω・cm未満になると抵抗値が低すぎるために吸着力が低下するからである。なお、吸着用電極への印加電圧をOFFにした時に発生する残留吸着力は時間に依存することから、ウエハの離脱応答性を高めるには、窒化アルミニウム膜の抵抗値は108 〜1012Ω・cmのものが良く、さらに好ましくは109 〜1011Ω・cmのものが良い。
【0016】
一方、本発明の静電チャックを製造するには、吸着用電極を形成したセラミック基体を製作し、このセラミック基体の表面に気相合成法によってチタンを含有した窒化アルミニウム膜からなる誘電体層を被覆し、その表面を平坦、平滑に研摩して吸着面を形成することにより得ることができる。
【0017】
具体的な成膜方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの物理気相合成法や、熱CVD法、プラスマCVD法、光CVD法、MO(Metal−Organic)CVD法などの化学気相合成法により製作することができ、好ましくは化学気相合成法により形成したものが良い。
【0018】
例えば、熱CVD法により窒化アルミニウム膜からなる吸着面を形成するには、CVD装置の処理室内に吸着用電極を形成したセラミック基体を配置し、原料ガスとして、N2 ガス、NH3 ガス、AlCl3 ガス、及びTiCl4 ガスを処理室に供給し、これらのガスの流量比を、N2 /AlCl3 =0.1〜70、TiCl4 /NH3 =0.001〜3、NH3 /AlCl3 =1〜10とし、成膜温度を850℃以上の比較的高めに設定することにより、1〜8重量%のチタンを含有してなる窒化アルミニウム膜からなる誘電体層を被覆し、その表面に研摩加工を施すことで吸着面を形成することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【0020】
図1(a)は本発明の実施形態の一例である静電チャック1を示す斜視図、(b)は(a)のX−X線断面図であり、セラミック基体2の表面に吸着用電極4を備え、該吸着用電極4を覆うようにセラミック基体2の表面に誘電体層3を被覆し、その上面を吸着面5としてあり、上記吸着面5を構成する誘電体層3を1〜8重量%のチタンを含有してなる窒化アルミニウム膜により構成してある。
【0021】
この静電チャック1は、室温(25℃)時における窒化アルミニウム膜の体積固有抵抗値が107 〜1013Ω・cmであるため、室温域において従来では成し得なかったジョンソン・ラーベック力による高い吸着力によりウエハ10等の被吸着物を保持することができる。また、上記窒化アルミニウム膜は、温度変化に対する体積固有抵抗値の変化幅が小さいことから、−100℃〜300℃の温度域においても体積固有抵抗値を107 〜1013Ω・cmとすることができ、300℃以下の広い温度域において使用することが可能である。
【0022】
しかも、吸着面5には気孔や結晶の脱落部が殆どないことから、ウエハ10との当接、摺動に伴う摩耗、あるいはハロゲンガスやプラズマエネルギーによる腐食を抑え、パーティクルの発生を著しく低減することができる。
【0023】
ところで、上記静電チャック1を構成するセラミック基体2としては、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ムライト、ジルコニアなどを主体とするセラミック焼結体やダイヤモンド焼結体などにより形成することができる。特に、200℃以上の温度域で使用する場合などにおいては変形を抑えるためにも誘電体層3の熱膨張係数と近似したものが良く、窒化アルミニウムを主体とするセラミック焼結体で形成することが望ましい。
【0024】
また、吸着用電極4を構成する材質においても、誘電体層3やセラミック基体2の熱膨張係数と近似したものが良く、例えば、タングステン、モリブデン、モリブンデン−マンガン、銀、白金等の金属や、TiN、SiC、WC、カーボン、Si半導体材料等を使用することができる。また、図1では吸着用電極4を誘電体層3とセラミック基体2との間に内蔵した静電チャック1を示したが、吸着用電極4を、TiN、SiC、WCなどを主体とする導電性をもったセラミック焼結体や、タングステン、モリブデン、モリブンデン−マンガン、銀、白金等の金属体、あるいはこれらの合金により形成し、吸着用電極兼基体としての機能を持たせることもできる。
【0025】
なお、図1では、吸着用電極4とウエハ10との間に電圧を印加する単極型の静電チャック1を示したが、本発明は、窒化アルミニウム膜からなる誘電体層3とセラミック基体2との間に複数の吸着用電極4を設け、これらの電極4間に電圧を印加してウエハ10等の被吸着物を吸着保持する双極型の静電チャックにも適用できることは言うまでもない。
【0026】
また、セラミック基体2の内部にヒータ電極を埋設し、静電チャック1を直接加熱したり、プラズマ発生用電極を埋設し、吸着面5の上方に配置したもう一方のプラズマ発生用電極との間でプラズマを発生させるようにすることも可能である。
【0027】
【実施例】
吸着面5をチタンを含有した窒化アルミニウム膜で形成した本発明の静電チャック1と、比較例として吸着面5をチタンを含有していない窒化アルミニウム膜で形成した静電チャック1をそれぞれ用意し、20℃〜120℃の温度範囲における吸着特性を調べるための比較実験を行った。
【0028】
本実験で使用する静電チャック1は、いずれも純度99%の窒化アルミニウム質焼結体からなるセラミック基体2の表面に、モリフデン−マンガン合金からなるメタライズ層を形成して吸着用電極4を形成し、この表面に熱CVD法により誘電体層3として膜厚みが400μmの窒化アルミニウム膜を被覆し、その表面に研摩加工を施して吸着面5を形成したものを使用した。
【0029】
ただし、本発明の静電チャック1を構成する吸着面5は、N2 ガスを8SLM、NH3 を0.75SLM、TiCl4 を6sccm導入し、処理室を40torrとしたあと、AlCl4 を16SLMの流量で導入して反応させることにより形成した、3重量%のチタンを含有してなる窒化アルミニウム膜とし、比較例の静電チャック1を構成する吸着面5は、TiCl4 を導入せずに反応させて形成した、チタンが含有されていない純度99.9%の窒化アルミニウム膜とした。
【0030】
そして、各静電チャック1の吸着面5に被吸着物としてシリコンウエハ10を載置し、吸着用電極4とウエハとの間に500Vの電圧を印加した状態で静電チャック1を20℃〜120℃まで加熱した時の窒化アルミニウム膜の抵抗値及び静電チャック1の吸着力をそれぞれ測定した。
【0031】
なお、窒化アルミニウム膜の抵抗値は図2に、静電チャック1の吸着力は図3にそれぞれ示す通りである。
【0032】
この結果、図2より判るように、比較例の静電チャック1は吸着面5が純度99.9%の窒化アルミニウム膜からなるために、20℃〜120℃の温度域における抵抗値が1012Ω・cm以上と高く、その結果、図3より判るように、20℃〜120℃の温度域においてクーロン力による吸着力しか得られず、その吸着力は高くても50g/cm2 程度であった。
【0033】
これに対し、本発明に係る静電チャック1は、図2から判るように、吸着面5を構成する窒化アルミニウム膜の抵抗値が20℃〜120℃において107 〜1010Ω・cmの範囲にあった。その為、図3より判るように、20℃〜120℃の温度域において、吸着力がほぼ一定の180g/cm2 程度と、ジョンソン・ラーベック力による高い吸着力が得られた。
【0034】
しかも、図2から明らかなように、本発明に係る静電チャック1の吸着面5を構成する窒化アルミニウム膜は、抵抗値の変化幅が小さく、−23℃から300℃の広い温度域においてその抵抗値が107 〜1011Ω・cmの範囲にあることから、300℃以下の温度域においてもほぼ一定の高い吸着力が得られることが判る。
【0035】
次に、チタン量を変化させた窒化アルミニウム膜により吸着面5を形成した静電チャク1を試作し、上記実験と同様に吸着特性を調べる実験を行った。
【0036】
なお、チタン量は熱CVD法においてTiCl4の流量を1〜12sccmの範囲で変化させることで調整し、20℃〜120℃の温度域における吸着力が150g/cm2以上のものを○、以下のものを×として評価した。
【0037】
窒化アルミニウム膜の成膜条件及び実験結果は表1に、窒化アルミニウム膜の体積固有抵抗値は図4にそれぞれ示す通りである。
【0038】
【表1】
【0039】
この結果、まず、表1より窒化アルミニウム膜の体積固有抵抗値はチタンの含有量によって変化し、含有量が増加するにつれて体積固有抵抗値が低下することが判る。
【0040】
ただし、試料No4,5では、チタンの含有量が8重量%より多いため、図4のように20℃〜120℃の温度域における抵抗値がほぼ一定の107 Ω・cm未満と低く、150g/cm2 以上の吸着力を得ることができなかった。
【0041】
これに対し、試料No1〜3の本発明のものでは、チタンの含有量が1〜8重量%の範囲にあるため、図4のように20℃〜120℃の温度域において抵抗値が107 〜1011Ω・cmの範囲にあり、その結果、150g/cm2 以上の吸着力を20℃〜120℃の温度域において得ることができた。
【0042】
これらのことから、静電チャック1の吸着面5を、チタンの含有量を1〜8重量%とした窒化アルミニウム膜により形成すれば、300℃以下の温度域において、ジョンソン・ラーベック力による高い吸着力を得られることが判る。
【0043】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、静電チャックの吸着面を、1〜8重量%のチタンを含有してなる窒化アルミニウム膜で形成したことから、室温(25℃)域における窒化アルミニウム膜の抵抗値を107 〜1013Ω・cmと、ジョンソン・ラーベック力を発現させることが可能な抵抗値とすることができるため、室温域において高い吸着力を得ることができる。しかも、温度変化に対する抵抗値の変化幅が小さいことから、300℃以下の広い温度域で使用可能な静電チャックとすることができる。
【0044】
また、本発明では、吸着面に微小な気孔や結晶の脱落部などが殆どなく、ウエハとの当接、摺動時におけるパーティクルの発生や、成膜装置やエッチング装置で使用される塩素系ガスやフッ素系ガスなどのハロゲンガス及びプラズマによる腐食をセラミック焼結体からなるものに比べてさらに低減することができ、パーティクル汚染を大幅に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施形態の一例である静電チャックを示す斜視図であり、(b)は(a)のX−X線断面図である。
【図2】本発明の吸着面をなす窒化アルミニウム膜と、従来の吸着面をなす窒化アルミニウム膜の体積固有抵抗値と温度との関係を示すグラフである。
【図3】本発明の静電チャックと、従来の静電チャックの吸着特性を示すグラフである。
【図4】チタンの含有量を変化させた時の窒化アルミニウム膜の体積固有抵抗値と温度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1・・・静電チャック 2・・・セラミック基体 3・・・誘電体層
4・・・吸着用電極 5・・・吸着面 10・・・ウエハ
Claims (2)
- 被吸着物に対する吸着面を、1〜8重量%のチタンを含有してなる窒化アルミニウム膜を気相合成法によって形成したことを特徴とする静電チャック。
- 前記窒化アルミニウム膜の20〜120℃の温度域における体積固有抵抗が、107〜1011Ωcmであることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3215597A JP3618032B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3215597A JP3618032B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 静電チャック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10229117A JPH10229117A (ja) | 1998-08-25 |
JP3618032B2 true JP3618032B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=12351043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3215597A Expired - Fee Related JP3618032B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 静電チャック |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3618032B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100352993B1 (ko) | 1998-12-07 | 2002-09-18 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 복합재료 및 그 용도 |
JP2001144167A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Ngk Insulators Ltd | 半導体保持装置 |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP3215597A patent/JP3618032B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10229117A (ja) | 1998-08-25 |
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A521 | Written amendment |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041108 |
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R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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