JPH07130980A - 電子装置及びその製法 - Google Patents

電子装置及びその製法

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JPH07130980A
JPH07130980A JP11096493A JP11096493A JPH07130980A JP H07130980 A JPH07130980 A JP H07130980A JP 11096493 A JP11096493 A JP 11096493A JP 11096493 A JP11096493 A JP 11096493A JP H07130980 A JPH07130980 A JP H07130980A
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JP
Japan
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electronic device
electrode layer
substrate
insulating film
manufacturing
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JP11096493A
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English (en)
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Satoshi Matsumoto
松本　　聡
Masao Nagase
雅夫 永瀬
Kazumi Iwatate
和巳 岩立
Hideo Yoshino
秀男 吉野
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低い電圧を有する電源を用いて動作する電子
装置を提供する。 【構成】 基板と、上記基板に形成され且つ上記基板を
外部に臨ませる窓乃至溝を有する絶縁膜と、上記絶縁膜
上に形成されたエミッタ用電極層と、上記基板上に、上
記絶縁膜の窓乃至溝に臨む領域において、上記エミッタ
用電極層と接触しないように形成されたコレクタ用電極
層とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、エミッタ用電極とコレクタ用電
極とを有する電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図４に示すような、導電性を有
し、且つ表面上にそれと一体に尖端３をエミッタ用電極
として形成している突部２を形成している基板１と、そ
の基板１の表面上に、突部２を取囲むように形成された
絶縁膜４と、その絶縁膜４上にその全域に亘ってコレク
タ用電極として形成されたコレクタ用電極層５とを有す
る電子装置が提案されている。
【０００３】このような構成を有する電子装置によれ
ば、コレクタ用電極層５と基板１との間に、コレクタ用
電極層５側を正とする電源（図示せず）を負荷（図示せ
ず）を通じて接続し、その電源の電圧を基板１の突部２
の尖端３とコレクタ用電極層５との間の最短距離を１つ
のパラメ―タとして決められるある値以上に大にすれ
ば、基板１の突部２の尖端３から電子が外部に飛出し、
そして、その電子が、コレクタ用電極層５に捕獲され、
負荷に、電流が、尖端３から飛出した電子の密度に応じ
た電流密度で流れる、という機能が得られることから、
種々の利用態様で、種々の機能素子に用いることができ
る。
【０００４】また、従来、上述した機能が得られる上述
した電子装置の製法として、図４及び図５を伴って次に
述べる方法が提案されている。
【０００５】すなわち、予め用意された爾後図４で上述
した基板１になる導電性を有する基板１１上に、図４で
上述した突部２の平面パタ―ンに対応したパタ―ンを有
する、例えばシリコン酸化物でなるマスク層１６を局部
的に形成する（図５Ａ）。
【０００６】次に、基板１１に対するマスク層１６をマ
スクとするエッチング処理によって、基板１１から、マ
スク層１６下において断面台形の突部１２を有する基板
１１′を形成する（図５Ｂ）。
【０００７】次に、基板１１′に対する酸化処理によっ
て、基板１１の表面に、突部１２の表面を含めてシリコ
ン酸化膜４ａを形成する（図５Ｃ）。
【０００８】次に、シリコン酸化膜４ａ上へのマスク層
１６をマスクとする、例えばシリコンモノオキサイドの
堆積処理、続く例えばクロムの堆積処理によって、シリ
コン酸化膜４ａ上のマスク層１６下以外の領域上に、シ
リコンモノオキサイドでなる絶縁膜４ｂとその絶縁膜４
ｂ上のクロムでなるコレクタ用電極層５との積層体を、
マスク層１６に達しない厚さに形成する（図５Ｄ）。こ
の場合、マスク層１６上にも、絶縁膜４ｂと同じ絶縁膜
４ｂ′とコレクタ用電極層５と同じ層５′との積層体が
形成される。
【０００９】次に、マスク層１６を溶去させ、また、そ
れによって、マスク層１６上の絶縁膜４ｂ′と層５′と
の積層体を除去させるとともに、シリコン酸化膜４ａの
絶縁膜４ｂ下以外の領域を除去し、よって、シリコン酸
化膜４ａと絶縁膜４ｂとの積層体を絶縁膜４とし、突部
１２を尖端３を突部２とする図４に示すと同様の電子装
置を得る（図５Ｅ）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す電子装置の
場合、基板１の突部２の尖端３とコレクタ用電極層５と
の間の最短距離が短ければ短い程、上述した電子装置の
機能を、上述した電源の低い電圧で得ることができる。
【００１１】しかしながら、図４に示す電子装置の場
合、それを、図４及び図５で上述した製法によって製造
するとすれば、その製法におけるマスク層１６を形成す
る工程（図５Ａ）において、それを微細に形成するのに
一定の限度を有し、このため、突部２を微細に形成する
のに一定の限度を有することからも明らかなように、突
部２の尖端３とコレクタ用電極層５との間の最短距離を
短くするのに一定の限度を有する。
【００１２】以上のことから、図４に示す従来の電子装
置の場合、上述した電子装置の機能を得るのに、上述し
た電源を、比較的高い電圧が得られるものとして用意す
る必要がある、という欠点を有していた。
【００１３】また、図４及び図５に示す従来の電子装置
の製法の場合、上述したところから明らかなように、図
４に示す従来の電子装置を、突部２の尖端３とコレクタ
用電極層５との間の最短距離を短くするのに一定の限度
を有するものとしてしか製造することができず、従っ
て、上述した電子装置の機能を得るのに上述した電源を
比較的高い電圧が得られるものとして用意する必要があ
る、というものとしてしか製造することができない、と
いう欠点を有していた。
【００１４】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な電子装置、及びその製法を提案せんとするもので
ある。
【００１５】本発明による真空雰囲気中で用いられる電
子装置は、（ｉ）基板と、（ｉｉ）その基板に形成され
且つその基板を外部に臨ませる窓乃至溝を有する絶縁膜
と、（ｉｉｉ）その絶縁膜上に形成されたエミッタ用電
極層と、（ｉｖ）上記基板上に、上記絶縁膜の窓乃至溝
に臨む領域において、上記エミッタ用電極層と接触しな
いように形成されたコレクタ用電極層とを有する。
【００１６】本発明による電子装置の製法は、（ｉ）基
板上に、第１の絶縁膜とエミッタ用導電性層とがそれら
の順に積層されている構成を有する積層体を形成する工
程と、（ｉｉ）上記積層体に、上記基板を外部に臨ませ
る第１の窓乃至溝を形成する工程と、（ｉｉｉ）上記積
層体に形成された上記第１の窓乃至溝の内面上に、第２
の絶縁膜を、上記第１の窓乃至溝に比し一周り小さな第
２の窓乃至溝を形成するように形成する工程と、（ｉ
ｖ）上記基板上に、上記第２の窓乃至溝に臨む領域にお
いて、コレクタ用電極層を、上記第２の窓乃至溝を埋め
るように形成する工程と、（ｖ）上記第２の絶縁膜を、
上記基板上から除去する工程とを有する。
【００１７】
【作用・効果】本発明による電子装置によれば、図４で
前述した従来の電子装置の場合に準じて、コレクタ用電
極層とエミッタ用電極層との間に、コレクタ用電極層側
を正とする電源を負荷を通じて接続し、その電源の電圧
をコレクタ用電極層とエミッタ用電極層の間の最短距離
を１つのパラメ―タとして決められるある値以上に大に
すれば、エミッタ用電極層のコレクタ用電極層側の端か
ら電子が外部に飛出し、そして、その電子が、コレクタ
用電極層に捕獲され、負荷に、電流が、エミッタ用電極
層のコレクタ用電極層側の端から飛出した電子の密度に
応じた電流密度で流れる、という機能が得られることか
ら、種々の利用態様で、種々の機能素子に用いることが
できる。
【００１８】この場合、本発明による真空雰囲気中で用
いられる電子装置を、本発明による電子装置の製法によ
って製造するとすれば、エミッタ用電極層とコレクタ用
電極層との間の最短距離が、その電子装置の製法におい
て、積層体の第１の窓乃至溝の内面に形成される第２の
絶縁膜の厚さによって決められ、そして、その第２の絶
縁膜を所望に応じて十分薄く形成することができるの
で、エミッタ用電極層とコレクタ用電極層との間の最短
距離を、図４で前述した従来の電子装置の突部２の尖端
３とコレクタ用電極層５との間の最短距離に比し格段的
に短くすることができる。
【００１９】以上のことから、本発明による電子装置に
よれば、上述した電子装置の機能を得るのに、上述した
電源を比較的高い電圧が得られるものとして用意する必
要がない。
【００２０】また、本発明による電子装置の製法の場
合、本発明による電子装置について上述したように、積
層体の第１の窓乃至溝の内面に形成される第２の絶縁膜
を所望に応じて十分薄く形成することができるので、電
子装置を、エミッタ用電極層とコレクタ用電極層との間
の最短距離が図４及び図５で前述した従来の電子装置の
製法におい形成される突部２の尖端３とコレクタ用電極
層５との間の最短距離に比し格段的に短いものとして製
造することができ、従って、上述した電子装置の機能を
得るのに電源を比較的高い電圧が得られるものとして用
意する必要がない、というものとして容易に製造するこ
とができる。
【００２１】
【実施例１】次に、図１を伴って、本発明による電子装
置の第１の実施例及び本発明による電子装置の製法の第
１の実施例を本発明による電子装置の製法の第１の実施
例で述べよう。
【００２２】図１に示す本発明による電子装置の製法
は、次に述べる順次の工程をとって、本発明による電子
装置を製造する。
【００２３】すなわち、例えばシリコン単結晶でなり且
つ低い抵抗を有する導電性を有する基板２１上に、第１
の絶縁膜２２と、例えば燐が高濃度に導入されている多
結晶シリコン窒化物でなるエミッタ用導電性層２３と、
例えばシリコン窒化物でなる絶縁膜２４とがそれらの順
に積層されている構成を有する積層体２５を形成する
（図１Ａ）。
【００２４】次に、積層体２５に、基板２１を外部に臨
ませる第１の窓乃至溝２６を形成する（図１Ｂ）。
【００２５】次に、積層体２５に形成された第１の窓乃
至溝２６の内面上に、例えばシリコン窒化物でなる第２
の絶縁膜２７を、第１の窓乃至溝２６に比し一周り小さ
な第２の窓乃至溝２８を形成するように、それ自体公知
の種々の方法によって形成する（図１Ｃ）。
【００２６】次に、基板２１上に、第２の窓乃至溝２８
に臨む領域において、コレクタ用電極層２９を、第２の
窓乃至溝２８を埋めるように、基板２１上にコレクタ用
電極層２９になる層を形成し、次でそれをエッチングバ
ックして形成する（図１Ｄ）。
【００２７】次に、第２の絶縁膜２７を、絶縁膜２４と
ともに、基板２１上から除去し、基板２１を外部に臨ま
せる第３の窓乃至溝３０を形成する（図１Ｅ）。
【００２８】以上が、本発明による電子装置の製法の第
１の実施例である。
【００２９】このような本発明による電子装置の製法に
よって製造される電子装置（図１Ｅ）は、本発明による
電子装置の第１の実施例であり、基板２１と、その基板
２１に形成され且つその基板２１を外部に臨ませる窓乃
至溝３０を有する絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に形成さ
れたエミッタ用電極層２３と、基板２１上に、絶縁膜２
２の窓乃至溝３０に臨む領域において、エミッタ用電極
層２３と接触しないように形成されたコレクタ用電極層
２９とを有する構成を有する。
【００３０】このような構成を有する本発明による電子
装置によれば、図４で前述した従来の電子装置の場合に
準じて、コレクタ用電極層２９とエミッタ用電極層２３
との間に、コレクタ用電極層２９側を正とする電源を負
荷を通じて接続し、その電源の電圧をコレクタ用電極層
２９とエミッタ用電極層２３の間の最短距離を１つのパ
ラメ―タとして決められるある値以上に大にすれば、エ
ミッタ用電極層２３のコレクタ用電極層２９側の端から
電子が外部に飛出し、そして、その電子が、コレクタ用
電極層２９に捕獲され、負荷に、電流が、エミッタ用電
極層２３のコレクタ用電極層２９側の端から飛出した電
子の密度に応じた電流密度で流れる、という機能が得ら
れることから、種々の利用態様で、種々の機能素子に用
いることができる。
【００３１】この場合、図１Ｅに示す本発明による電子
装置を、図１Ａ〜図１Ｅで上述した本発明による電子装
置の製法によって製造するとすれば、エミッタ用電極層
２３とコレクタ用電極層２９との間の最短距離が、その
電子装置の製法において、積層体２５の第１の窓乃至溝
２６の内面に形成される第２の絶縁膜２７の厚さによっ
て決められ、そして、その第２の絶縁膜２７を所望に応
じて十分薄く形成することができるので、エミッタ用電
極層２３とコレクタ用電極層２９との間の最短距離を、
図４で前述した従来の電子装置の突部２の尖端３とコレ
クタ用電極層５との間の最短距離に比し格段的に短くす
ることができる。
【００３２】以上のことから、図１Ｅに示す本発明によ
る電子装置によれば、上述した電子装置の機能を得るの
に、上述した電源を比較的高い電圧が得られるものとし
て用意する必要がない。
【００３３】また、図１Ａ〜図１Ｅに示す本発明による
電子装置の製法の場合、図１Ｅに示す本発明による電子
装置について上述したように、積層体２５の第１の窓乃
至溝２６の内面に形成される第２の絶縁膜２７を所望に
応じて十分薄く形成することができるので、電子装置
を、エミッタ用電極層２３とコレクタ用電極層２９との
間の最短距離が図４及び図５で前述した従来の電子装置
の製法におい形成される突部２の尖端３とコレクタ用電
極層５との間の最短距離に比し格段的に短いものとして
製造することができ、従って、上述した電子装置の機能
を得るのに電源を比較的高い電圧が得られるものとして
用意する必要がない、というものとして容易に製造する
ことができる。
【００３４】
【実施例２】次に、図２を伴って、本発明による電子装
置の第２の実施例及び本発明による電子装置の製法の第
２の実施例を本発明による電子装置の製法の第２の実施
例で述べよう。
【００３５】図２に示す本発明による電子装置の製法
は、図１との対応部分に同一符号を付して示すように図
１の場合と同様である。
【００３６】従って、詳細説明は省略するが、コレクタ
用電極層２９を、絶縁膜上には金属層が堆積成長して形
成されないが、半導体上には金属層が堆積成長して形成
されることを利用して形成することを除いて、図１の場
合と同様である。
【００３７】図２に示す本発明による電子装置及びその
製法の場合も、詳細説明は省略するが、図１の場合と同
様の作用効果が得られることは明らかである。
【００３８】
【実施例３】次に、図１を伴って、本発明による電子装
置の第１の実施例及び本発明による電子装置の製法の第
１の実施例を本発明による電子装置の製法の第１の実施
例で述べよう。
【００３９】図１に示す本発明による電子装置の製法
は、図２との対応部分に同一符号にダブルダッシュを付
して示すように、図１の場合と同様である。
【００４０】従って、詳細説明は省略する。
【００４１】ただし、図３の場合、図２の絶縁膜２４′
が省略され、それに代え、例えばタングステンでなる導
体層３１が基板２１″上に設けられている。
【００４２】図３に示す本発明による電子装置及びその
製法の場合も、詳細説明は省略するが、図１の場合と同
様の作用効果が得られる。
【００４３】なお、上述においては本発明による電子装
置、及びその製法のそれぞれについて、わずかな実施例
を示したに留まり、本発明の精神を脱することなしに、
種々の変型、変更をなし得るであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電子装置、及びその製法の第１の
実施例を、その製法の第１の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図２】本発明による電子装置、及びその製法の第２の
実施例を、その製法の第２の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図３】本発明による電子装置、及びその製法の第２の
実施例を、その製法の第２の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図４】従来の電子装置を示す略線的断面図である。
【図５】図４に示す従来の電子装置の製法を示す、順次
の工程における略線的断面図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 突部 ３ 尖端 ４ 絶縁膜 ４ａ シリコン酸化膜 ４ｂ 絶縁膜 ５ コレクタ用電極層 ８ 電子 １１、１１′ 基板 １２ 突部 １６ マスク層 １７ シリコン酸化膜 ２１ 基板 ２２、２７ 絶縁膜 ２３ エミッタ用電極層 ２５ 積層体 ２６、２８、３０ 窓乃至溝 ２９ コレクタ用電極層
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電子装置、及びその製法の第１の
実施例を、その製法の第１の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図２】本発明による電子装置、及びその製法の第２の
実施例を、その製法の第２の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図３】本発明による電子装置、及びその製法の第２の
実施例を、その製法の第２の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図４】従来の電子装置を示す略線的断面図である。
【図５】図４に示す従来の電子装置の製法を示す、順次
の工程における略線的断面図である。
【図６】図４に示す従来の電子装置の製法を示す、図５
の順次の工程に続く、順次の工程における略線的断面図
である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 突部 ３ 尖端 ４ 絶縁膜 ４ａ シリコン酸化膜 ４ｂ 絶縁膜 ５ コレクタ用電極層 ８ 電子 １１、１１′ 基板 １２ 突部 １６ マスク層 １７ シリコン酸化膜 ２１、２１′、２１″ 基板 ２２、２２′、２２″、２７、２７′、２７″絶縁膜 ２３、２３′、２３″ エミッタ用電極層 ２４ 絶縁膜 ２５、２５′、２５″ 積層体 ２６、２６′、２６″、２８、２８′、２８″、３０、
３０′、３０″窓乃至溝 ２９、２９′、２９″ コレクタ用電極層 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 電子装置及びその製法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、エミッタ用電極とコレクタ用電
極とを有する電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図４に示すような、導電性を有
し、且つ表面上にそれと一体に尖端３をエミッタ用電極
として形成している突部２を形成している基板１と、そ
の基板１の表面上に、突部２を取囲むように形成された
絶縁膜４と、その絶縁膜４上にその全域に亘ってコレク
タ用電極として形成されたコレクタ用電極層５とを有す
る電子装置が提案されている。
【０００３】このような構成を有する電子装置によれ
ば、コレクタ用電極層５と基板１との間に、コレクタ用
電極層５側を正とする電源（図示せず）を負荷（図示せ
ず）を通じて接続し、その電源の電圧を基板１の突部２
の尖端３とコレクタ用電極層５との間の最短距離を１つ
のパラメ―タとして決められるある値以上に大にすれ
ば、基板１の突部２の尖端３から電子が外部に飛出し、
そして、その電子が、コレクタ用電極層５に捕獲され、
負荷に、電流が、尖端３から飛出した電子の密度に応じ
た電流密度で流れる、という機能が得られることから、
種々の利用態様で、種々の機能素子に用いることができ
る。
【０００４】また、従来、上述した機能が得られる上述
した電子装置の製法として、図５及び図６を伴って次に
述べる方法が提案されている。
【０００５】すなわち、予め用意された爾後図４で上述
した基板１になる導電性を有する基板１１上に、図４で
上述した突部２の平面パタ―ンに対応したパタ―ンを有
する、例えばシリコン酸化物でなるマスク層１６を局部
的に形成する（図５Ａ）。
【０００６】次に、基板１１に対するマスク層１６をマ
スクとするエッチング処理によって、基板１１から、マ
スク層１６下において断面台形の突部１２を有する基板
１１′を形成する（図５Ｂ）。
【０００７】次に、基板１１′に対する酸化処理によっ
て、基板１１の表面に、突部１２の表面を含めてシリコ
ン酸化膜４ａを形成する（図６Ｃ）。
【０００８】次に、シリコン酸化膜４ａ上へのマスク層
１６をマスクとする、例えばシリコンモノオキサイドの
堆積処理、続く例えばクロムの堆積処理によって、シリ
コン酸化膜４ａ上のマスク層１６下以外の領域上に、シ
リコンモノオキサイドでなる絶縁膜４ｂとその絶縁膜４
ｂ上のクロムでなるコレクタ用電極層５との積層体を、
マスク層１６に達しない厚さに形成する（図６Ｄ）。こ
の場合、マスク層１６上にも、絶縁膜４ｂと同じ絶縁膜
４ｂ′とコレクタ用電極層５と同じ層５′との積層体が
形成される。
【０００９】次に、マスク層１６を溶去させ、また、そ
れによって、マスク層１６上の絶縁膜４ｂ′と層５′と
の積層体を除去させるとともに、シリコン酸化膜４ａの
絶縁膜４ｂ下以外の領域を除去し、よって、シリコン酸
化膜４ａと絶縁膜４ｂとの積層体を絶縁膜４とし、突部
１２を、尖端３を形成している突部２とする図４に示す
と同様の電子装置を得る（図５Ｅ）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す電子装置の
場合、基板１の突部２の尖端３とコレクタ用電極層５と
の間の最短距離が短ければ短い程、上述した電子装置の
機能を、上述した電源の低い電圧で得ることができる。
【００１１】しかしながら、図４に示す電子装置の場
合、それを、図５及び図６で上述した製法によって製造
するとすれば、その製法におけるマスク層１６を形成す
る工程（図５Ａ）において、それを微細に形成するのに
一定の限度を有し、このため、突部２を微細に形成する
のに一定の限度を有することからも明らかなように、突
部２の尖端３とコレクタ用電極層５との間の最短距離を
短くするのに一定の限度を有する。
【００１２】以上のことから、図４に示す従来の電子装
置の場合、上述した電子装置の機能を得るのに、上述し
た電源を、比較的高い電圧が得られるものとして用意す
る必要がある、という欠点を有していた。
【００１３】また、図５及び図６に示す従来の電子装置
の製法の場合、上述したところから明らかなように、図
４に示す従来の電子装置を、突部２の尖端３とコレクタ
用電極層５との間の最短距離を短くするのに一定の限度
を有するものとしてしか製造することができず、従っ
て、上述した電子装置の機能を得るのに上述した電源を
比較的高い電圧が得られるものとして用意する必要があ
る、というものとしてしか製造することができない、と
いう欠点を有していた。
【００１４】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な電子装置、及びその製法を提案せんとするもので
ある。
【００１５】本発明による真空雰囲気中で用いられる電
子装置は、（ｉ）基板と、（ｉｉ）その基板に形成され
且つその基板を外部に臨ませる窓乃至溝を有する絶縁膜
と、（ｉｉｉ）その絶縁膜上に形成されたエミッタ用電
極層と、（ｉｖ）上記基板上に、上記絶縁膜の窓乃至溝
に臨む領域において、上記エミッタ用電極層と接触しな
いように形成されたコレクタ用電極層とを有する。
【００１６】本発明による電子装置の製法は、（ｉ）基
板上に、第１の絶縁膜とエミッタ用導電性層とがそれら
の順に積層されている構成を有する積層体を形成する工
程と、（ｉｉ）上記積層体に、上記基板を外部に臨ませ
る第１の窓乃至溝を形成する工程と、（ｉｉｉ）上記積
層体に形成された上記第１の窓乃至溝の内面上に、第２
の絶縁膜を、上記第１の窓乃至溝に比し一周り小さな第
２の窓乃至溝を形成するように形成する工程と、（ｉ
ｖ）上記基板上に、上記第２の窓乃至溝に臨む領域にお
いて、コレクタ用電極層を、上記第２の窓乃至溝を埋め
るように形成する工程と、（ｖ）上記第２の絶縁膜を、
上記基板上から除去する工程とを有する。
【００１７】
【作用・効果】本発明による電子装置によれば、図４で
前述した従来の電子装置の場合に準じて、コレクタ用電
極層とエミッタ用電極層との間に、コレクタ用電極層側
を正とする電源を負荷を通じて接続し、その電源の電圧
をコレクタ用電極層とエミッタ用電極層の間の最短距離
を１つのパラメ―タとして決められるある値以上に大に
すれば、エミッタ用電極層のコレクタ用電極層側の端か
ら電子が外部に飛出し、そして、その電子が、コレクタ
用電極層に捕獲され、負荷に、電流が、エミッタ用電極
層のコレクタ用電極層側の端から飛出した電子の密度に
応じた電流密度で流れる、という機能が得られることか
ら、種々の利用態様で、種々の機能素子に用いることが
できる。
【００１８】この場合、本発明による真空雰囲気中で用
いられる電子装置を、本発明による電子装置の製法によ
って製造するとすれば、エミッタ用電極層とコレクタ用
電極層との間の最短距離が、その電子装置の製法におい
て、積層体の第１の窓乃至溝の内面に形成される第２の
絶縁膜の厚さによって決められ、そして、その第２の絶
縁膜を所望に応じて十分薄く形成することができるの
で、エミッタ用電極層とコレクタ用電極層との間の最短
距離を、図４で前述した従来の電子装置の突部２の尖端
３とコレクタ用電極層５との間の最短距離に比し格段的
に短くすることができる。
【００１９】以上のことから、本発明による電子装置に
よれば、上述した電子装置の機能を得るのに、上述した
電源を比較的高い電圧が得られるものとして用意する必
要がない。
【００２０】また、本発明による電子装置の製法の場
合、本発明による電子装置について上述したように、積
層体の第１の窓乃至溝の内面に形成される第２の絶縁膜
を所望に応じて十分薄く形成することができるので、電
子装置を、エミッタ用電極層とコレクタ用電極層との間
の最短距離が図５及び図６で前述した従来の電子装置の
製法におい形成される突部２の尖端３とコレクタ用電極
層５との間の最短距離に比し格段的に短いものとして製
造することができ、従って、上述した電子装置の機能を
得るのに電源を比較的高い電圧が得られるものとして用
意する必要がない、というものとして容易に製造するこ
とができる。
【００２１】
【実施例１】次に、図１を伴って、本発明による電子装
置の第１の実施例及び本発明による電子装置の製法の第
１の実施例を本発明による電子装置の製法の第１の実施
例で述べよう。
【００２２】図１に示す本発明による電子装置の製法
は、次に述べる順次の工程をとって、本発明による電子
装置を製造する。
【００２３】すなわち、例えばシリコン単結晶でなり且
つ低い抵抗を有する導電性を有する基板２１上に、第１
の絶縁膜２２と、例えば燐が高濃度に導入されている多
結晶シリコン窒化物でなるエミッタ用導電性層２３と、
例えばシリコン窒化物でなる絶縁膜２４とがそれらの順
に積層されている構成を有する積層体２５を形成する
（図１Ａ）。
【００２４】次に、積層体２５に、基板２１を外部に臨
ませる第１の窓乃至溝２６を形成する（図１Ｂ）。
【００２５】次に、積層体２５に形成された第１の窓乃
至溝２６の内面上に、例えばシリコン窒化物でなる第２
の絶縁膜２７を、第１の窓乃至溝２６に比し一周り小さ
な第２の窓乃至溝２８を形成するように、それ自体公知
の種々の方法によって形成する（図１Ｃ）。
【００２６】次に、基板２１上に、第２の窓乃至溝２８
に臨む領域において、コレクタ用電極層２９を、第２の
窓乃至溝２８を埋めるように、基板２１上にコレクタ用
電極層２９になる層を形成し、次でそれをエッチングバ
ックして形成する（図１Ｄ）。
【００２７】次に、第２の絶縁膜２７を、絶縁膜２４と
ともに、基板２１上から除去し、基板２１を外部に臨ま
せる第３の窓乃至溝３０を形成する（図１Ｅ）。
【００２８】以上が、本発明による電子装置の製法の第
１の実施例である。
【００２９】このような本発明による電子装置の製法に
よって製造される電子装置（図１Ｅ）は、本発明による
電子装置の第１の実施例であり、基板２１と、その基板
２１に形成され且つその基板２１を外部に臨ませる窓乃
至溝３０を有する絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に形成さ
れたエミッタ用電極層２３と、基板２１上に、絶縁膜２
２の窓乃至溝３０に臨む領域において、エミッタ用電極
層２３と接触しないように形成されたコレクタ用電極層
２９とを有する構成を有する。
【００３０】このような構成を有する本発明による電子
装置によれば、図４で前述した従来の電子装置の場合に
準じて、コレクタ用電極層２９とエミッタ用電極層２３
との間に、コレクタ用電極層２９側を正とする電源を負
荷を通じて接続し、その電源の電圧をコレクタ用電極層
２９とエミッタ用電極層２３の間の最短距離を１つのパ
ラメ―タとして決められるある値以上に大にすれば、エ
ミッタ用電極層２３のコレクタ用電極層２９側の端から
電子が外部に飛出し、そして、その電子が、コレクタ用
電極層２９に捕獲され、負荷に、電流が、エミッタ用電
極層２３のコレクタ用電極層２９側の端から飛出した電
子の密度に応じた電流密度で流れる、という機能が得ら
れることから、種々の利用態様で、種々の機能素子に用
いることができる。
【００３１】この場合、図１Ｅに示す本発明による電子
装置を、図１Ａ〜図１Ｅで上述した本発明による電子装
置の製法によって製造するとすれば、エミッタ用電極層
２３とコレクタ用電極層２９との間の最短距離が、その
電子装置の製法において、積層体２５の第１の窓乃至溝
２６の内面に形成される第２の絶縁膜２７の厚さによっ
て決められ、そして、その第２の絶縁膜２７を所望に応
じて十分薄く形成することができるので、エミッタ用電
極層２３とコレクタ用電極層２９との間の最短距離を、
図４で前述した従来の電子装置の突部２の尖端３とコレ
クタ用電極層５との間の最短距離に比し格段的に短くす
ることができる。
【００３２】以上のことから、図１Ｅに示す本発明によ
る電子装置によれば、上述した電子装置の機能を得るの
に、上述した電源を比較的高い電圧が得られるものとし
て用意する必要がない。
【００３３】また、図１Ａ〜図１Ｅに示す本発明による
電子装置の製法の場合、図１Ｅに示す本発明による電子
装置について上述したように、積層体２５の第１の窓乃
至溝２６の内面に形成される第２の絶縁膜２７を所望に
応じて十分薄く形成することができるので、電子装置
を、エミッタ用電極層２３とコレクタ用電極層２９との
間の最短距離が図５及び図６で前述した従来の電子装置
の製法におい形成される突部２の尖端３とコレクタ用電
極層５との間の最短距離に比し格段的に短いものとして
製造することができ、従って、上述した電子装置の機能
を得るのに電源を比較的高い電圧が得られるものとして
用意する必要がない、というものとして容易に製造する
ことができる。
【００３４】
【実施例２】次に、図２を伴って、本発明による電子装
置の第２の実施例及び本発明による電子装置の製法の第
２の実施例を本発明による電子装置の製法の第２の実施
例で述べよう。
【００３５】図２において、図１との対応部分に同一符
号にダッシュを付して示す。
【００３６】図２に示す本発明による電子装置の製法
は、詳細説明は省略するが、コレクタ用電極層２９′
を、絶縁膜上には金属層が堆積成長して形成されない
が、半導体上には金属層が堆積成長して形成されること
を利用して形成することを除いて、図１で上述した本発
明による電子装置の製法の場合と同様である。
【００３７】図２に示す本発明による電子装置の製法に
よれば、上述した事項を除いて、図１で上述した本発明
による電子装置の製法と同様であるので、詳細説明は省
略するが、図１で上述した本発明による電子装置の製法
の場合と同様の作用効果が得られることは明らかであ
り、また、図２に示す本発明による電子装置の製法によ
って製造される電子装置（図２Ｅ）も、図１で上述した
本発明による電子装置の製法によって製造される電子装
置（図１Ｅ）の場合と同様の作用効果が得られることは
明らかである。
【００３８】
【実施例３】次に、図３を伴って、本発明による電子装
置の第３の実施例及び本発明による電子装置の製法の第
３の実施例を本発明による電子装置の製法の第３の実施
例で述べよう。
【００３９】図３において、図２との対応部分に同一符
号にダブルダッシュを付して示す。
【００４０】図３に示す本発明による電子装置の製法
は、詳細説明は省略するが、積層体２５を、基板２１″
上に直接的に形成するのに代え、絶縁膜２４′を有しな
いものとして、例えばグステンでなる導体層３１を介し
て形成することを除いて、図２で上述した本発明による
電子装置の製法の場合と同様である。
【００４１】図３に示す本発明による電子装置の製法に
よれば、上述した事項を除いて、図２で上述した本発明
による電子装置の製法の場合と同様であるので、詳細説
明は省略するが、図２に示す本発明による電子装置の製
法の場合と同様の作用効果が得られることは明らかであ
り、また、図３に示す本発明による電子装置の製法によ
って製造される電子装置も、図２で上述した本発明によ
る電子装置の製法によって製造される電子装置の場合と
同様の作用効果が得られることは明らかである。
【００４２】なお、上述においては本発明による電子装
置、及びその製法のそれぞれについて、わずかな実施例
を示したに留まり、本発明の精神を脱することなしに、
種々の変型、変更をなし得るであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電子装置、及びその製法の第１の
実施例を、その製法の第１の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図２】本発明による電子装置、及びその製法の第２の
実施例を、その製法の第２の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図３】本発明による電子装置、及びその製法の第２の
実施例を、その製法の第２の実施例で示す、その製法の
順次の工程における略線的断面図である。
【図４】従来の電子装置を示す略線的断面図である。
【図５】図４に示す従来の電子装置の製法を示す、順次
の工程における略線的断面図である。
【図６】図４に示す従来の電子装置の製法を示す、図５
の順次の工程に続く、順次の工程における略線的断面図
である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 突部 ３ 尖端 ４ 絶縁膜 ４ａ シリコン酸化膜 ４ｂ 絶縁膜 ５ コレクタ用電極層 ８ 電子 １１、１１′ 基板 １２ 突部 １６ マスク層 １７ シリコン酸化膜 ２１、２１′、２１″ 基板 ２２、２２′、２２″、２７、２７′、２７″絶縁膜 ２３、２３′、２３″ エミッタ用電極層 ２４、２４′ 絶縁膜 ２５、２５′、２５″ 積層体 ２６、２６′、２６″、２８、２８′、２８″、３０、
３０′、３０″窓乃至溝 ２９、２９′、２９″ コレクタ用電極層
フロントページの続き (72)発明者 吉野 秀男 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、 上記基板に形成され且つ上記基板を外部に臨ませる窓乃
    至溝を有する絶縁膜と、 上記絶縁膜上に形成されたエミッタ用電極層と、 上記基板上に、上記絶縁膜の窓乃至溝に臨む領域におい
    て、上記エミッタ用電極層と接触しないように形成され
    たコレクタ用電極層とを有することを特徴とする電子装
    置。
  2. 【請求項２】 基板上に、第１の絶縁膜とエミッタ用導
    電性層とがそれらの順に積層されている構成を有する積
    層体を形成する工程と、 上記積層体に、上記基板を外部に臨ませる第１の窓乃至
    溝を形成する工程と、 上記積層体に形成された上記第１の窓乃至溝の内面上
    に、第２の絶縁膜を、上記第１の窓乃至溝に比し一周り
    小さな第２の窓乃至溝を形成するように形成する工程
    と、 上記基板上に、上記第２の窓乃至溝に臨む領域におい
    て、コレクタ用電極層を、上記第２の窓乃至溝を埋める
    ように形成する工程と、 上記第２の絶縁膜を、上記基板上から除去する工程とを
    有することを特徴とする電子装置の製法。
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