JPH07130783A - トランスファモールド方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 トランスファモールド技術において、成形金
型１のエアーベント領域７に形成される樹脂膜１１Ａが
リードフレーム９に被着するのを防止する。 【構成】トランスファモールド技術において、下型１Ａ
と上型１Ｂとの間に、リードフレーム９を配置するフレ
ーム配置領域８が設けられ、前記フレーム配置領域８内
に、前記下型１Ａ及び上型１Ｂで形成されるキャビティ
４が設けられ、前記フレーム配置領域８の外側に、前記
キャビティ４に少なくとも連通路５を介して連結されか
つ前記下型１Ａと上型１Ｂとの間に配置されるエアーベ
ント領域７が設けられた成形金型１を準備する段階と、
前記成形金型１の下型１Ａと上型１Ｂとの間のフレーム
配置領域８内にリードフレーム９を配置し、このリード
フレーム９に支持された半導体ペレット１０を前記キャ
ビティ４内に配置する段階と、前記成形金型１のキャビ
ティ４内に樹脂１１を充填する段階とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、トランスファモールド
技術に関し、特に、半導体製造技術におけるトランスフ
ァモールド技術に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ＳＯＪ（Ｓmall Ｏut-line Ｊ-type lea
d Ｐackage）構造、ＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage）構
造等の封止構造を採用する樹脂封止型半導体装置の組立
プロセスにはトランスファモールド工程(封止工程)が組
み込まれる。このトランスファモールド工程は、トラン
スファモールド装置を使用し、リードフレームに支持さ
れた半導体ペレット、リードフレームのインナーリード
等を樹脂封止体で封止する工程である。

【０００３】前記トランスファモールド装置の成形部に
は成形金型が装着される。成形金型は主に下型と上型と
で構成され、この下型と上型との間にはリードフレーム
を配置するためのフレーム配置領域が設けられる。フレ
ーム配置領域内には下型と上型とで形成されるキャビテ
ィが設けられる。キャビティの一端側にはゲートランナ
ーを介してポットが連結され、他端側には直接エアーベ
ント領域若しくはフローキャビティを介してエアーベン
ト領域が連結される。エアーベント領域、フローキャビ
ティの夫々は、下型と上型との間に配置され、フレーム
配置領域内に設けられる。エアーベント領域は、キャビ
ティ内に樹脂を充填する際、キャビティ内の空気や樹脂
から発生するガス等を外部に放出する。フローキャビテ
ィは、キャビティ内にリードフレームを堺にして分流供
給された樹脂の廻り込みによるボイドの発生を防止する
目的として設けられ、分流供給された樹脂のうち先に充
填が完了する樹脂を逃す。

【０００４】このように構成される成形金型は、下型と
上型との間のフレーム配置領域にリードフレームを配置
すると共に、キャビティ内に半導体ペレット、インナー
リード等を配置し、キャビティ内に樹脂が充填される。
このキャビティ内への樹脂の充填はポットからゲートラ
ンナーを通して行われる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記トランスファモー
ルド工程(封止工程)において、成形金型のエアーベント
領域は、フレーム配置領域内から外側に引き出され、下
型と上型との間の隙間が極狭い隙間寸法(例えば３０
［μｍ］)で構成されているので、キャビティ内に樹脂
を充填する際、キャビティからエアーベント領域に流入
した樹脂が樹脂膜（薄膜状のバリ）となってリードフレ
ームに被着する。リードフレームに被着した樹脂膜は封
止工程後のバリ取り工程において除去されるが、完全に
除去するのは困難である。このため、アウターリードを
成形する切断成形工程において、リードフレームに被着
していた樹脂膜が成形金型に落下し、アウターリードに
成形不良が発生するという問題があった。

【０００６】本発明の目的は、トランスファモールド技
術において、成形金型のキャビティからエアーベント領
域に流入した樹脂で形成される樹脂膜がリードフレーム
に被着するのを防止することが可能な技術を提供するこ
とにある。

【０００７】また、本発明の他の目的は、前記目的を達
成し、樹脂封止型半導体装置のアウターリードの成形不
良を低減することが可能な技術を提供することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１０】トランスファモールド方法において、(イ)
下型と上型との間に、リードフレームを配置するフレー
ム配置領域が設けられ、前記フレーム配置領域内に、前
記下型及び上型で形成されるキャビティが設けられ、前
記フレーム配置領域の外側に、前記キャビティに少なく
とも連通路を介して連結されかつ前記下型と上型との間
に配置されるエアーベント領域が設けられた成形金型を
準備する段階と、(ロ)前記成形金型の下型と上型との間
のフレーム配置領域内にリードフレームを配置し、この
リードフレームに支持された半導体ペレットを前記キャ
ビティ内に配置する段階と、(ハ)前記成形金型のキャビ
ティ内に樹脂を充填する段階とを備える。

【００１１】

【作用】上述した手段によれば、キャビティからエアー
ベント領域に流入した樹脂で形成される樹脂膜はフレー
ム配置領域の外側に形成されるので、リードフレームに
樹脂膜が被着するのを防止できる。

【００１２】また、リードフレームに樹脂膜が被着する
のを防止できるので、樹脂封止型半導体装置のアウター
リードの成形不良を低減できる。

【００１３】また、リードフレームに樹脂膜が被着する
のを防止できるので、リードフレームから樹脂膜を除去
するバリ取り工程を廃止できる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の構成について、一実施例とと
もに説明する。なお、実施例を説明するための全図にお
いて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰
り返しの説明は省略する。

【００１５】本発明の一実施例である樹脂封止型半導体
装置の組立プロセス中のトランスファモールド工程で使
用される成形金型の概略構成を図１（上型を除去した状
態の要部平面図）及び図２（図１に示すＡ−Ａ切断線で
切った断面図）に示す。

【００１６】図１及び図２に示すように、成形金型１
は、下型１Ａ及び上型１Ｂを主体に構成される。成形金
型１には、下型１Ａと上型１Ｂとの間にリードフレーム
９を配置するフレーム配置領域８が設けられる。このフ
レーム配置領域８内には、下型１Ａ及び上型１Ｂで形成
されるキャビティ４が複数個設けられる。

【００１７】前記複数個のキャビティ４の夫々の一端側
には各ゲートランナー３を介して複数個のポット２の夫
々が夫々毎に連結される。ゲートランナー３、ポット２
の夫々は下型１Ａと上型１Ｂとの間に配置される。つま
り、本実施例の成形金型１は、これに限定されないが、
マルチポット式で構成される。

【００１８】前記複数個のキャビティ４の夫々の一端側
と対向する夫々の他端側には各連通路５を介して複数個
のフローキャビティ６の夫々が夫々毎に連結される。こ
の複数個のフローキャビティ６の夫々は、下型１Ａと上
型１Ｂとの間に配置され、フレーム配置領域８の外側に
設けられる。つまり、フローキャビティ６はフレーム配
置領域８の外側に連通路５を介して引き出される。フロ
ーキャビティ６は、キャビティ４内にリードフレーム９
を堺にして分流供給された樹脂１１の廻り込みによるボ
イドの発生を防止する目的として設けられ、分流供給さ
れた樹脂１１のうち先に充填が完了する樹脂１１を逃
す。

【００１９】前記複数個のフローキャビティ５の夫々に
は、下型１Ａと上型１Ｂとの間に配置される複数個のエ
アーベント領域７の夫々が夫々毎に連結される。この複
数個のエアーベント領域７の夫々はフレーム配置領域８
の外側に設けられる。つまり、エアーベント領域７は、
フレーム配置領域８の外側に連通路５及びフローキャビ
ティ６を介して引き出される。エアーベント領域７は、
キャビティ４内に樹脂１１を充填する際、キャビティ４
内の空気や樹脂１１から発生するガス等を外部に放出す
る。このエアーベント領域７は、下型１Ａと上型１Ｂと
の間の隙間が極狭い隙間寸法(例えば３０［μｍ］)で構
成される。

【００２０】次に、前記成形金型１を使用し、樹脂封止
型半導体装置の樹脂封止体を成形するトランスファモー
ルド工程について簡単に説明する。

【００２１】まず、前記成形金型１を準備し、トランス
ファモールド装置の成形部に装着する。

【００２２】次に、前記成形金型１の下型１Ａと上型１
Ｂとの間のフレーム配置領域８にリードフレーム９を配
置し、このリードフレーム９に支持されたタブ９Ａ、こ
のダブ９Ａに支持された半導体ペレット１０及びリード
フレーム９のインナーリード(図示せず)等をキャビティ
４内に配置する。

【００２３】次に、前記成形金型１の各ポット２に樹脂
タブレット（取り扱い易いように円筒状に圧縮した熱硬
化性樹脂）を投入する。

【００２４】次に、前記各樹脂タブレットをトランスフ
ァモールド装置のプランジャーで加圧し、各ポット２か
ら各ゲートランナー３を通して各キャビティ４内に樹脂
１１を充填する。この時、エアーベント領域７はフレー
ム配置領域８の外側に設けられているので、フローキャ
ビティ６からエアーベント領域７に流入した樹脂１１で
形成される樹脂膜(薄膜状のバリ)１１Ａはリードフレー
ム９に被着しない。つまり、リードフレーム９に樹脂膜
１１Ａが被着するのを防止できる。

【００２５】なお、エアーベント領域７は連通路５を介
してキャビティ４に連結した構成にしてもよい。

【００２６】このように、トランスファモールド方法に
おいて、下型１Ａと上型１Ｂとの間に、リードフレーム
９を配置するフレーム配置領域８が設けられ、前記フレ
ーム配置領域８内に、前記下型１Ａ及び上型１Ｂで形成
されるキャビティ４が設けられ、前記フレーム配置領域
８の外側に、前記キャビティ４に少なくとも連通路５を
介して連結されかつ前記下型１Ａと上型１Ｂとの間に配
置されるエアーベント領域７が設けられた成形金型１を
準備する段階と、前記成形金型１の下型１Ａと上型１Ｂ
との間のフレーム配置領域８内にリードフレーム９を配
置し、このリードフレーム９に支持された半導体ペレッ
ト１０を前記キャビティ４内に配置する段階と、前記成
形金型１のキャビティ４内に樹脂１１を充填する段階と
を備える。これにより、キャビティ４からエアーベント
領域７に流入した樹脂１１で形成される樹脂膜１１Ａは
フレーム配置領域８の外側に形成されるので、リードフ
レーム９に樹脂膜１１Ａが被着するのを防止できる。

【００２７】また、リードフレーム９に樹脂膜１１Ａが
被着するのを防止できるので、アウターリード９Ｂを成
形する切断成形工程において、アウターリード９Ｂの成
形不良を低減できる。

【００２８】また、リードフレーム９に樹脂膜１１Ａが
被着するのを防止できるので、リードフレーム９から樹
脂膜１１Ａを除去するバリ取り工程を廃止できる。

【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００３０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００３１】トランスファモールド技術において、成形
金型のキャビティからエアーベント領域に流入した樹脂
で形成される樹脂膜がリードフレームに被着するのを防
止できる。

【００３２】また、樹脂封止型半導体装置のアウターリ
ードの成形不良を低減できる。

【００３３】また、リードフレームから樹脂膜を除去す
るバリ取り工程を廃止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の組立プロセス中の封止工程で使用される成形金型の
概略構成を示す要部平面図。

【図２】 図１に示すＡ−Ａ切断線で切った断面図。

【符号の説明】

１…成形金型、１Ａ…下型、１Ｂ…上型、２…ポット、
３…ゲートランナー、４…キャビティ、５…連通路、６
…フローキャビティ、７…エアーベント領域、８…フレ
ーム配置領域、９…リードフレーム、９Ａ…タブ、９Ｂ
…アウターリード、１０…半導体ペレット、１１…樹
脂、１１Ａ…樹脂膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の段階（イ）乃至（ハ）を備えたこ
   とを特徴とするトランスファモールド方法。 （イ）下型と上型との間に、リードフレームを配置する
   フレーム配置領域が設けられ、前記フレーム配置領域内
   に、前記下型及び上型で形成されるキャビティが設けら
   れ、前記フレーム配置領域の外側に、前記キャビティに
   少なくとも連通路を介して連結されかつ前記下型と上型
   との間に配置されるエアーベント領域が設けられた成形
   金型を準備する段階、 （ロ）前記成形金型の下型と上型との間のフレーム配置
   領域内にリードフレームを配置し、このリードフレーム
   に支持された半導体ペレットを前記キャビティ内に配置
   する段階、 （ハ）前記成形金型のキャビティ内に樹脂を充填する段
   階。