JPH07130740A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の表面を平坦化することによって
半導体装置の信頼性を向上させる半導体装置の製造方法
を得る。 【構成】 半導体基板１上の配線層２を覆うようにシリ
コン酸化膜３を堆積し、このシリコン酸化膜３の上面に
有機基：水酸基＝１：２の有機ＳＯＧ膜１０を塗布し
て、少なくともシリコン酸化膜３の一部が露出するまで
エッチングガスにＯ₂を添加して有機ＳＯＧ膜１０をエ
ッチングし、有機ＳＯＧ膜の一部１０ａ及びシリコン酸
化膜３を同様のエッチングレートを有するエッチングガ
スにてエッチングすることによりシリコン酸化膜の一部
３ｂを残す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の全表面
を均一に平坦化させる半導体装置の製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】図６及び図７は従来の半導体装置の製造
工程を示す断面図である。図において、１は半導体基
板、２はこの半導体基板１上の所望の位置に形成された
タングステンシリサイドなどから成る配線層、３はこの
配線層２の上面を覆うように形成された絶縁膜としての
シリコン酸化膜、４はこのシリコン酸化膜３の上面に形
成された有機系塗布膜としての有機ＳＯＧ膜で、図５に
示すようにメチル基の有機基と水酸基との比率は１：１
である。５は、シリコン酸化膜の一部３ａ上に設けられ
コンタクトホール６を形成するためにパターン化された
レジストである。

【０００３】次に、図６及び図７に基づいて半導体装置
の製造工程について説明する。まず、半導体基板１上に
写真製版にてパターン化された配線層２を図６（ａ）に
示すように形成する。次に、この配線層２を覆うように
ＣＶＤ法などでシリコン酸化膜３を図６（ｂ）に示すよ
うに形成する。このように形成されたシリコン酸化膜３
の表面は配線層２のパターンに依存して段差を有してい
る。次に、このシリコン酸化膜３上面に回転塗布法にて
有機ＳＯＧ膜４を図６（ｃ）に示すように塗布する。こ
のことにより半導体装置１の表面は平坦化される。

【０００４】以上のように、半導体装置の表面は平坦化
されるが、このまま有機ＳＯＧ膜４が残った状態で次工
程に移ると以下に示すような問題点が発生する。すなわ
ち、次に有機ＳＯＧ膜４の上面に絶縁膜７を図８（ａ）
に示すように形成する。次に、図８（ｂ）に示すように
所望の位置をエッチングすることにより、コンタクトホ
ール８を形成する。

【０００５】次に、このコンタクトホール８の開孔後に
生じる自然酸化膜（図示せず）を除去するために５０：
１のＨＦ溶液にてウェットエッチを行うと図８（ｃ）に
示すように自然酸化膜は除去されるが、この時有機ＳＯ
Ｇ膜４は、ウェットエッチレートが約７０００（オング
ストローム／ｍｉｎ）以上と非常に早いため、自然酸化
膜と同様に除去されてしまい、コンタクトホール８に不
連続箇所８ａが形成されることとなる。次に、この状態
で絶縁膜５の上面及びコンタクトホール８の壁面に配線
層９を図８（ｄ）に示すように積層させると不連続箇所
８ａにて配線層９は不連続となり、配線として不良が生
じる。したがって、このような工程は採用されていな
い。

【０００６】以上のような理由から以下に示す工程が取
り入れられている。次に、配線層２の凸部が露出しない
位置、すなわち例えば図６（ｃ）に示す点線Ｖ（ｄ）−
Ｖ（ｄ）の位置まで、エッチング条件パワーを５００
Ｗ、圧力を７００ｍＴｏｒｒ、エッチングガスをＣＨＦ
₃／ＣＦ₄／Ａｒ（３０／３０／８００ｓｃｃＭ）にてエ
ッチバックを行うと、エッチングレートは有機ＳＯＧ膜
４が３４５０オングストローム／ｍｉｎ、シリコン酸化
膜３が４７５０オングストローム／ｍｉｎにてエッチバ
ックが行われ、図７（ａ）に示すように、図６（ｂ）よ
り平坦化されたシリコン酸化膜の一部３ａが形成され
る。

【０００７】このエッチバックでは、エッチングレート
が遅いため半導体装置の周辺部では、エッチャにて半導
体基板１を固定するのに用いられている例えばクランプ
リングなどの影響を大きく受け、エッチングされにくく
なるので、半導体装置の周辺部と中心部とのエッチング
に差が生じて周辺部が中心部より厚く残る。よって、半
導体装置の周辺部及び中心部のシリコン酸化膜の一部３
ａにはシリコン酸化膜の一部３ａの最大膜厚Ｄ₁及び最
小膜厚Ｄ₂の箇所、配線層２上のシリコン酸化膜の一部
３ａの最大膜厚Ｃ₁及び最小膜厚Ｃ₂の箇所が形成される
こととなる。そして、このことはこれら最大膜厚Ｄ₁及
び最小膜厚Ｄ₂を含む９点にてシリコン酸化膜の一部３
ａを測定し下記式（１）に代入すると、 （最大膜厚−最小膜厚）÷（平均膜厚×２）＝残膜均一
性・・・（１） 残膜均一性は約２０％となり半導体装置が均一に平均化
されていないことが確認されている。

【０００８】次に、図７（ｂ）に示すようにシリコン酸
化膜の一部３ａ上にレジスト材を塗布し、写真製版によ
りパターン化されたレジスト５を形成する。そして、こ
のレジスト５をマスクにエッチングを行い、その後この
レジスト５を除去すると、図７（ｃ）に示すように深さ
Ｅのコンタクトホール６が形成される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のような方法で製造され、シリコン酸化膜の一部３ａ
の厚みが周辺部と中心部とで異なっているので、同一の
深さＥのコンタクトホール９を形成しても、図７（ｃ）
に示すように、半導体装置の周辺部の最大膜厚Ｄ₁の箇
所では半導体基板１までコンタクトホール９が届かなく
なり、又、半導体装置の中心部の最小膜厚Ｄ₂の箇所で
は半導体基板１が削られるなど、半導体装置の信頼性が
低下するという問題点があった。

【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体装置全表面を均一に平坦
化することによって、半導体装置の信頼性を向上させる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置の製造方法は基板に設けられた配線の表面
を覆うように絶縁膜を堆積する工程と、絶縁膜の上面に
有機系塗布膜を塗布する工程と、少なくとも絶縁膜の一
部が露出するまで第１のエッチングガスにて有機系塗布
膜をエッチングする工程と、有機系塗布膜及び絶縁膜の
一部を第２のエッチングガスにてエッチングすることに
よって絶縁膜を所望の厚さ残す工程とを含有するもので
ある。

【００１２】又、この発明の請求項２に係る半導体装置
の製造方法は基板に設けられた配線の表面を覆うように
絶縁膜を堆積する工程と、絶縁膜の上面に有機系塗布膜
を塗布する工程と、少なくとも絶縁膜の一部が露出する
までエッチングガスにＯ₂を添加して有機系塗布膜をエ
ッチングする工程と、エッチングガスで有機系塗布膜及
び絶縁膜の一部をエッチングすることによって絶縁膜を
所望の厚さ残す工程とを含有するものである。

【００１３】又、この発明の請求項３に係る半導体装置
の製造方法は基板に設けられた配線の表面を覆うように
絶縁膜を堆積する工程と、絶縁膜の上面に有機基：水酸
基＝１：２〜３の有機系塗布膜を塗布する工程と、有機
系塗布膜及び絶縁膜の一部を有機系塗布膜及び絶縁膜の
エッチングレートが同様と成るエッチングガスにてエッ
チングすることによって絶縁膜を所望の厚さ残す工程と
を含有するものである。

【００１４】

【作用】この発明の請求項１における半導体装置の製造
方法は基板に設けられた配線の表面を覆うように絶縁膜
を堆積し、この絶縁膜の上面に有機系塗布膜を塗布し
て、少なくとも絶縁膜の一部が露出するまで第１のエッ
チングガスにて有機系塗布膜をエッチングし、有機系塗
布膜及び絶縁膜の一部を第２のエッチングガスにてエッ
チングすることによって絶縁膜を所望の厚さ残すことに
より半導体装置の表面を平坦にする。

【００１５】又、この発明の請求項２における半導体装
置の製造方法は基板に設けられた配線の表面を覆うよう
に絶縁膜を堆積し、この絶縁膜の上面に有機系塗布膜を
塗布して、少なくとも絶縁膜の一部が露出するまでエッ
チングガスにＯ₂を添加して有機系塗布膜をエッチング
し、エッチングガスで有機系塗布膜及び絶縁膜の一部を
エッチングすることによって絶縁膜を所望の厚さ残すこ
とにより半導体装置の表面を平坦にする。

【００１６】又、この発明の請求項３における半導体装
置の製造方法は基板に設けられた配線の表面を覆うよう
に絶縁膜を堆積し、絶縁膜の上面に有機基：水酸基＝
１：２〜３の有機系塗布膜を塗布して、有機系塗布膜及
び絶縁膜の一部を有機系塗布膜及び絶縁膜のエッチング
レートが同様と成るエッチングガスにてエッチングする
ことによって絶縁膜を所望の厚さ残すことにより半導体
装置の表面を平坦にする。

【００１７】

【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図に基
づいて説明する。図１ないし図３はこの発明の実施例１
の半導体装置の製造工程を示す断面図である。図におい
て、従来の場合と同様の部分は同一符号を付して説明を
省略する。１０はシリコン酸化膜３上面に形成された有
機系塗布膜としての有機ＳＯＧ膜で、図４に示すように
メチル基の有機基と水酸基との比率は１：２である。１
１はシリコン酸化膜の一部３ｂ上に設けられコンタクト
ホール１２を形成するためにパターン化されたレジスト
である。

【００１８】次に、図１ないし図３に基づき半導体装置
の製造工程について説明する。まず、従来の場合と同様
に半導体基板１上に写真製版にてパターン化された配線
層２を図１（ａ）に示すように形成する。次に、この配
線層２を覆うようにＣＶＤ法などでシリコン酸化膜３を
図１（ｂ）に示すように形成する。このように形成され
たシリコン酸化膜３の表面は配線層２のパターンに依存
して段差を有している。次に、このシリコン酸化膜３の
上面に回転塗布法にて有機ＳＯＧ膜１０を図１（ｃ）に
示すように塗布して焼成する。このことにより半導体装
置１の表面は平坦化される。

【００１９】尚、有機ＳＯＧ膜１０の塗布が１度では半
導体装置の表面が平坦にならない場合には、数回の塗布
工程を行うことにより平坦化させる。

【００２０】次に、少なくともシリコン酸化膜３の一部
が露出する位置（有機ＳＯＧ膜１０のみがエッチングさ
れる状態）、すなわち図１（ｃ）に示す点線ＩＩ（ａ）
−ＩＩ（ａ）の位置まで、エッチング条件、パワーを５
００Ｗ、圧力を７００ｍＴｏｒｒ、エッチングガスとし
てＣＨＦ₃／ＣＦ₄／Ａｒ（３０／３０／８００ｓｃｃ
Ｍ）にＯ₂（８ｓｃｃＭ）を添加したものでエッチバッ
クの第１段階を行うと、有機ＳＯＧ膜１０のエッチング
レートは、エッチングガスにＯ₂を添加したため、６９
５０オングストローム／ｍｉｎという速いエッチングレ
ートとなり、有機ＳＯＧ膜１０がエッチングされ、図２
（ａ）に示すように有機ＳＯＧ膜の一部１０ａが形成さ
れる。

【００２１】このエッチバックの第１段階では、エッチ
ングレートが非常に速いため半導体装置の周辺部は、例
えばクランプリングなどの影響をほとんどうけずエッチ
ングが行われるので、半導体装置の中心部と周辺部との
エッチングの差は生じず、半導体装置の全表面は均一に
平坦化されている。そして、このことは従来の場合と同
様に半導体基板１上の有機ＳＯＧ膜の一部１０ａ及びシ
リコン酸化膜３の膜厚を９点測定して上記式（１）に代
入すると残膜均一性は約５％と大変低く、半導体装置が
均一に平坦化されていることが確認できる。

【００２２】尚、上記エッチングを図１（ｃ）に示す点
線ＩＩ（ａ）−ＩＩ（ａ）の位置にて止めたのは、エッ
チングガスにＯ₂を添加すると有機ＳＯＧ膜１０のエッ
チングレートはシリコン酸化膜３のエッチングレートの
約１．５倍とエッチングレートの差が大きいため、この
まま、点線ＩＩ（ａ）−ＩＩ（ａ）の位置以降も上記エ
ッチングを行うと残膜均一性が悪くなるためである。

【００２３】次に、配線膜２の凸部が露出しない位置、
すなわち例えば図２（ａ）に示す点線ＩＩ（ｂ）−ＩＩ
（ｂ）の位置まで、エッチング条件、パワーを５００
Ｗ、圧力を７００ｍＴｏｒｒ、エッチングガスをＣＨＦ
₃／ＣＦ₄／Ａｒ（３０／３０／８００ｓｃｃＭ）（Ｏ₂
の添加なし）にてエッチングを行うとし、エッチングレ
ートは有機ＳＯＧ膜１０が４５００オングストローム／
ｍｉｎ、シリコン酸化膜３が４７５０オングストローム
／ｍｉｎと成りほぼ同様にエッチバックの第２段階が行
われ、図２（ｂ）に示すように図１（ｂ）より平坦化さ
れたシリコン酸化膜の一部３ｂを残す。

【００２４】このエッチバックの第２段階ではエッチン
グレートが遅いが上記エッチバックの第１段階まで均一
にエッチングされているので、半導体装置の周辺部及び
中心部のシリコン酸化膜の一部３ｂは従来の場合より均
一に平坦化されている。そして、このことは従来の場合
と同様に９点にてシリコン酸化膜の一部３ｂを測定し、
上記式（１）に代入すると残膜均一性は約１０％と、従
来の場合の約半分となっており明らかに均一に平坦化さ
れていることが確認できる。

【００２５】次に、図３（ａ）に示すように従来の場合
と同様にシリコン酸化膜の一部３ｂ上にレジスト材を塗
布し、写真製版によりパターン化されたレジスト１２を
形成する。そして、このレジスト１２をマスクにエッチ
ングを行い、その後このレジスト１２を除去すると、図
３（ｂ）に示すように深さＨのコンタクトホール１３が
形成される。

【００２６】上記のような方法で製造された実施例１の
半導体装置によれば、シリコン酸化膜の一部３ｂがほぼ
均一に平坦化されているので、従来のようにコンタクト
ホール１２形成時に基板を削ったり、基板までとどかな
かったりという不具合が生じることなく、信頼性の向上
を図ることができる。

【００２７】実施例２．上記実施例１では有機ＳＯＧ膜
１０とシリコン酸化膜３とのエッチングレートを同様に
するエッチングガスをＣＨＦ₃／ＣＦ₄／Ａｒのエッチン
グガスにて行う例を示したけれども、これに限られるこ
とはなく、例えばＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、ＣＨＦ₃、Ｃ
Ｆ₄／Ｈ₂などのエッチングガスにて有機ＳＯＧ膜及びシ
リコン酸化膜のエッチングレートを同様にしても、上記
実施例１と同様の効果を奏する。

【００２８】実施例３．上記各実施例では配線層２が一
層の場合について説明したがこれに限られることはな
く、多層配線を有する半導体装置の製造方法に用いても
上記各実施例と同様の効果を奏する。

【００２９】

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば基板に設けられた配線の表面を覆うように絶縁膜を
堆積する工程と、絶縁膜の上面に有機系塗布膜を塗布す
る工程と、少なくとも絶縁膜の一部が露出するまで第１
のエッチングガスにて有機系塗布膜をエッチングする工
程と、有機系塗布膜及び絶縁膜の一部を第２のエッチン
グガスにてエッチングすることによって絶縁膜を所望の
厚さ残す工程とを含有するようにしたので、半導体装置
の全表面を均一に平坦化することによって半導体装置の
信頼性を向上させる半導体装置の製造方法を提供するこ
とができる。

【００３０】又、この発明の請求項２によれば基板に設
けられた配線の表面を覆うように絶縁膜を堆積する工程
と、絶縁膜の上面に有機系塗布膜を塗布する工程と、少
なくとも絶縁膜の一部が露出するまでエッチングガスに
Ｏ₂を添加して有機系塗布膜をエッチングする工程と、
エッチングガスで有機系塗布膜及び絶縁膜の一部をエッ
チングすることによって絶縁膜を所望の厚さ残す工程と
を含有するようにしたので、半導体装置の全表面を均一
に平坦化することによって半導体装置の信頼性を向上さ
せる半導体装置の製造方法を提供することができる。

【００３１】又、この発明の請求項３によれば基板に設
けられた配線の表面を覆うように絶縁膜を堆積する工程
と、絶縁膜の上面に有機基：水酸基＝１：２〜３の有機
系塗布膜を塗布する工程と、有機系塗布膜及び絶縁膜の
一部を有機系塗布膜及び絶縁膜のエッチングレートが同
様と成るエッチングガスにてエッチングすることによっ
て絶縁膜を所望の厚さ残す工程とを含有するようにした
ので、半導体装置の全表面を均一に平坦化することによ
って半導体装置の信頼性を向上させる半導体装置の製造
方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１における半導体装置の製造
工程の一部を示す断面図である。

【図２】この発明の実施例１における半導体装置の製造
工程の一部を示す断面図である。

【図３】この発明の実施例１における半導体装置の製造
工程の一部を示す断面図である。

【図４】この発明の実施例１における半導体装置の製造
方法に使用される有機系塗布膜を示す組成図である。

【図５】従来の半導体装置の製造方法に使用された有機
系塗布膜を示す組成図である。

【図６】従来の半導体装置の製造工程を示す断面図であ
る。

【図７】従来における半導体装置の製造工程の残部を示
す断面図である。

【図８】有機ＳＯＧ膜４を残したままコンタクトホール
を形成した場合に生じる問題点を説明するための図であ
る。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ 配線層 ３ シリコン酸化膜 ３ａ、３ｂ シリコン酸化膜の一部 ４ 有機ＳＯＧ膜（有機基：水酸基＝１：１） １０ 有機ＳＯＧ膜（有機基：水酸基＝１：２） １０ａ 有機ＳＯＧ膜の一部

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成６年３月１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項３

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】次に、このコンタクトホール８の開孔後に
生じる自然酸化膜（図示せず）を除去するために例えば
ＨＦ溶液にてウェットエッチを行った場合には図８
（ｃ）に示すように自然酸化膜は除去されるが、この時
有機ＳＯＧ膜４は、ウェットエッチレートが約７０００
（オングストローム／ｍｉｎ）以上と非常に早いため、
自然酸化膜と同様に除去されてしまい、コンタクトホー
ル８に不連続箇所８ａが形成されることとなる。次に、
この状態で絶縁膜５の上面及びコンタクトホール８の壁
面に配線層９を図８（ｄ）に示すように積層させると不
連続箇所８ａにて配線層９は不連続となり、配線として
不良が生じる。したがって、このような工程は採用され
ていない。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００７】このエッチバックでは、エッチングレート
が遅いためエッチングにバラツキが生じ、且つ、半導体
装置の周辺部では、エッチャにて半導体基板１を固定す
るのに用いられている例えばクランプリングなどの影響
を大きく受け、エッチングされにくくなるので、半導体
装置の周辺部と中心部とのエッチングに差が生じて周辺
部が中心部より厚く残り、その結果シリコン酸化膜の一
部３ａの厚みは不均一となる。よって、シリコン酸化膜
の一部３ａは半導体装置の場所によってシリコン酸化膜
の一部３ａの最大膜厚Ｄ₁及び最小膜厚Ｄ₂の箇所、配線
層２上のシリコン酸化膜の一部３ａの最大膜厚Ｃ₁及び
最小膜厚Ｃ₂の箇所が形成されることとなる。そして、
このことはこれら最大膜厚Ｄ₁及び最小膜厚Ｄ₂を含む９
点にてシリコン酸化膜の一部３ａを測定し下記式（１）
に代入すると、 （最大膜厚−最小膜厚）÷（平均膜厚×２）＝残膜均一
性・・・（１） 残膜均一性は約２０％となり半導体装置が均一に平均化
されていないことが確認されている。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のような方法で製造され、シリコン酸化膜の一部３ａ
の厚みが半導体装置の場所によって異なっているので、
同一の深さＥのコンタクトホール９を形成しても、図７
（ｃ）に示すように、半導体装置の最大膜厚Ｄ₁の箇所
では半導体基板１までコンタクトホール９が届かなくな
り、又、半導体装置の最小膜厚Ｄ₂の箇所では半導体基
板１が削られるなど、半導体装置の信頼性が低下すると
いう問題点があった。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】又、この発明の請求項３に係る半導体装置
の製造方法は基板に設けられた配線の表面を覆うように
絶縁膜を堆積する工程と、絶縁膜の上面に有機基：水酸
基＝１：１．８〜２．２の有機系塗布膜を塗布する工程
と、有機系塗布膜及び絶縁膜の一部を有機系塗布膜及び
絶縁膜のエッチングレートが同様と成るエッチングガス
にてエッチングすることによって絶縁膜を所望の厚さ残
す工程とを含有するものである。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】又、この発明の請求項３における半導体装
置の製造方法は基板に設けられた配線の表面を覆うよう
に絶縁膜を堆積し、絶縁膜の上面に有機基：水酸基＝
１：１．８〜２．２の有機系塗布膜を塗布して、有機系
塗布膜及び絶縁膜の一部を有機系塗布膜及び絶縁膜のエ
ッチングレートが同様と成るエッチングガスにてエッチ
ングすることによって絶縁膜を所望の厚さ残すことによ
り半導体装置の表面を平坦にする。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】このエッチバックの第１段階では、エッチ
ングレートが非常に速いためエッチングのバラツキは生
じず、半導体装置の全表面は均一に平坦化されている。
そして、このことは従来の場合と同様に半導体基板１上
の有機ＳＯＧ膜の一部１０ａ及びシリコン酸化膜３の膜
厚を９点測定して上記式（１）に代入すると残膜均一性
は約５％と大変低く、半導体装置が均一に平坦化されて
いることが確認できる。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】このエッチバックの第２段階ではエッチン
グレートが遅いが上記エッチバックの第１段階まで均一
にエッチングされているので、半導体装置のシリコン酸
化膜の一部３ｂは従来の場合より均一に平坦化されてい
る。そして、このことは従来の場合と同様に９点にてシ
リコン酸化膜の一部３ｂを測定し、上記式（１）に代入
すると残膜均一性は約１０％と、従来の場合の約半分と
なっており明らかに均一に平坦化されていることが確認
できる。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３１】又、この発明の請求項３によれば基板に設
けられた配線の表面を覆うように絶縁膜を堆積する工程
と、絶縁膜の上面に有機基：水酸基＝１：１．８〜２．
２の有機系塗布膜を塗布する工程と、有機系塗布膜及び
絶縁膜の一部を有機系塗布膜及び絶縁膜のエッチングレ
ートが同様と成るエッチングガスにてエッチングするこ
とによって絶縁膜を所望の厚さ残す工程とを含有するよ
うにしたので、半導体装置の全表面を均一に平坦化する
ことによって半導体装置の信頼性を向上させる半導体装
置の製造方法を提供することができる。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【手続補正１１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

【手続補正１２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３】

【手続補正１３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

【手続補正１４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に設けられた配線の表面に絶縁膜を
   堆積する工程と、上記絶縁膜の上面に有機系塗布膜を塗
   布する工程と、少なくとも上記絶縁膜の一部が露出する
   まで第１のエッチングガスにて上記有機系塗布膜をエッ
   チングする工程と、上記有機系塗布膜及び上記絶縁膜の
   一部を第２のエッチングガスにてエッチングする工程と
   を含有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 基板に設けられた配線の表面を覆うよう
   に絶縁膜を堆積する工程と、上記絶縁膜の上面に有機系
   塗布膜を塗布する工程と、少なくとも上記絶縁膜の一部
   が露出するまでエッチングガスにＯ₂を添加して上記有
   機系塗布膜をエッチングする工程と、上記エッチングガ
   スで上記有機系塗布膜及び上記絶縁膜の一部をエッチン
   グすることによって上記絶縁膜を所望の厚さ残す工程と
   を含有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 基板に設けられた配線の表面を覆うよう
   に絶縁膜を堆積する工程と、上記絶縁膜の上面に有機
   基：水酸基＝１：２〜３の有機系塗布膜を塗布する工程
   と、上記有機系塗布膜及び上記絶縁膜の一部を上記有機
   系塗布膜及び上記絶縁膜のエッチングレートが同様と成
   るエッチングガスにてエッチングすることによって上記
   絶縁膜を所望の厚さ残す工程とを含有することを特徴と
   する半導体装置の製造方法。