JPH07128142A - 焦電型赤外線アレイセンサ - Google Patents
焦電型赤外線アレイセンサInfo
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- JPH07128142A JPH07128142A JP27221993A JP27221993A JPH07128142A JP H07128142 A JPH07128142 A JP H07128142A JP 27221993 A JP27221993 A JP 27221993A JP 27221993 A JP27221993 A JP 27221993A JP H07128142 A JPH07128142 A JP H07128142A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対の対向する電極よりなる検知部が複数
形成された焦電素子において、赤外線入射によって生じ
た各検知部の熱の逃げやすさが異なり、それに起因して
生じていた各検知部の電圧感度バラツキを低減する。 【構成】 相互に接続された複数の検知部より形成さ
れた焦電素子を基板に接続固定する際、焦電素子受光面
の端部に隣接して形成された検知部の電極から引き出さ
れたリード線と基板を導電ペーストを用いて接続固定す
る。
形成された焦電素子において、赤外線入射によって生じ
た各検知部の熱の逃げやすさが異なり、それに起因して
生じていた各検知部の電圧感度バラツキを低減する。 【構成】 相互に接続された複数の検知部より形成さ
れた焦電素子を基板に接続固定する際、焦電素子受光面
の端部に隣接して形成された検知部の電極から引き出さ
れたリード線と基板を導電ペーストを用いて接続固定す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、人体等から放射される
赤外線を検知して警報等を発する焦電型赤外線アレイセ
ンサに関するものである。
赤外線を検知して警報等を発する焦電型赤外線アレイセ
ンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】焦電型赤外線センサは、ＰＺＴ（チタン
酸ジルコン酸鉛）等の焦電効果を有する材料を感知素子
として利用するセンサである。焦電効果とは素子に赤外
線が入射すると素子表面の温度が変化し、これに伴い今
まで安定であった電荷の中和状態が崩れ電気的に不平衡
となり、電荷を発生する特性をいう。この時発生する電
荷はインピーダンス変換により電圧として取り出され
る。
酸ジルコン酸鉛）等の焦電効果を有する材料を感知素子
として利用するセンサである。焦電効果とは素子に赤外
線が入射すると素子表面の温度が変化し、これに伴い今
まで安定であった電荷の中和状態が崩れ電気的に不平衡
となり、電荷を発生する特性をいう。この時発生する電
荷はインピーダンス変換により電圧として取り出され
る。
【０００３】焦電型赤外線センサの等価回路例を図３に
示す。焦電素子上に形成された検知部１は、高抵抗チッ
プ２と並列に接続され、その並列回路の一方端がＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）３のゲート端子と接続され、
他方端がアースされる。ＦＥＴ３のドレイン端子とつな
がるドレイン端子ピン４に正電圧を加えると、検知部１
に赤外線が入射したとき発生する電荷はＦＥＴ３のソー
ス端子とつながるソース端子ピン５から電圧出力として
取り出せる。
示す。焦電素子上に形成された検知部１は、高抵抗チッ
プ２と並列に接続され、その並列回路の一方端がＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）３のゲート端子と接続され、
他方端がアースされる。ＦＥＴ３のドレイン端子とつな
がるドレイン端子ピン４に正電圧を加えると、検知部１
に赤外線が入射したとき発生する電荷はＦＥＴ３のソー
ス端子とつながるソース端子ピン５から電圧出力として
取り出せる。
【０００４】この特性を利用して、複数の検知部を一列
に並べた焦電型赤外線リニアアレイセンサや二次元に配
列した焦電型赤外線二次元アレイセンサが知られてお
り、人間等の移動方向や存在位置等の検知をするのに用
いられる。
に並べた焦電型赤外線リニアアレイセンサや二次元に配
列した焦電型赤外線二次元アレイセンサが知られてお
り、人間等の移動方向や存在位置等の検知をするのに用
いられる。
【０００５】図４は、焦電型赤外線アレイセンサの分解
斜視図で、端子ピン６は、絶縁筒片７を介して金属ヘッ
ダー８を貫通して植設される。アース端子ピン（図示せ
ず）は、任意の端子ピンの絶縁筒片７上に導電ペースト
を塗布して金属ヘッダー８と端子ピン６をショートさせ
ることにより作成される。
斜視図で、端子ピン６は、絶縁筒片７を介して金属ヘッ
ダー８を貫通して植設される。アース端子ピン（図示せ
ず）は、任意の端子ピンの絶縁筒片７上に導電ペースト
を塗布して金属ヘッダー８と端子ピン６をショートさせ
ることにより作成される。
【０００６】金属ヘッダー８の上に突出した端子ピン６
は、基板９に開けた開口部１０に挿入後、その開口部１
０周辺に設けた基板９の回路（図示せず）に接続するラ
ンド（図示せず）と接続固定される。
は、基板９に開けた開口部１０に挿入後、その開口部１
０周辺に設けた基板９の回路（図示せず）に接続するラ
ンド（図示せず）と接続固定される。
【０００７】基板９表面には焦電素子１１が、また表面
および裏面には複数の検知部に対応した数の高抵抗チッ
プ２およびＦＥＴ３が実装される。
および裏面には複数の検知部に対応した数の高抵抗チッ
プ２およびＦＥＴ３が実装される。
【０００８】キャンケース１２には、焦電素子１１と向
かい合う部分に開口部１３が設けられ、その開口部１３
には開口部１３を塞ぐ赤外線フィルター１４が取り付け
てある。
かい合う部分に開口部１３が設けられ、その開口部１３
には開口部１３を塞ぐ赤外線フィルター１４が取り付け
てある。
【０００９】金属ヘッダー８とキャンケース１２は電気
溶接等され、導通状態にある。
溶接等され、導通状態にある。
【００１０】焦電素子１１はあらかじめ片面が正、他面
が負となるように分極しておき、焦電素子１１の受光面
は焦電素子１１の分極軸と垂直の方向にある赤外線フィ
ルター１４と対向する。図５に示すように、焦電素子１
１の受光面には電極１５Ａが、裏面には電極１５Ａと対
向する電極１５Ｂがそれぞれ複数個設けられ、対向する
電極を一対とする複数の検知部が形成される。また、各
検知部の電極１５Ａは接続線１５Ｃで相互に接続され、
さらに相互に接続された電極１５Ａと基板９の回路を接
続するためのリード線１５Ｄが形成される。電極１５Ａ
と１５Ｂ、接続線１５Ｃ、リード線１５Ｄは、ＮｉＣ
ｒ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕ等の蒸着によって形成される。電
極１５Ａ、１５ＢがＡｇ、Ａｇ−Ｃｕによって形成され
た場合は、電極１５Ａ上面に熱を効率良く吸収するため
の黒色の膜が設けられる。
が負となるように分極しておき、焦電素子１１の受光面
は焦電素子１１の分極軸と垂直の方向にある赤外線フィ
ルター１４と対向する。図５に示すように、焦電素子１
１の受光面には電極１５Ａが、裏面には電極１５Ａと対
向する電極１５Ｂがそれぞれ複数個設けられ、対向する
電極を一対とする複数の検知部が形成される。また、各
検知部の電極１５Ａは接続線１５Ｃで相互に接続され、
さらに相互に接続された電極１５Ａと基板９の回路を接
続するためのリード線１５Ｄが形成される。電極１５Ａ
と１５Ｂ、接続線１５Ｃ、リード線１５Ｄは、ＮｉＣ
ｒ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕ等の蒸着によって形成される。電
極１５Ａ、１５ＢがＡｇ、Ａｇ−Ｃｕによって形成され
た場合は、電極１５Ａ上面に熱を効率良く吸収するため
の黒色の膜が設けられる。
【００１１】焦電素子１１は、焦電素子１１の検知部で
発生した熱が基板９に逃げるのを防ぐため基板９から浮
かした状態で、電極１５Ｂを介して基板９の回路上に設
けられた半田バンプ１６と導電ペースト１７を用いて接
続固定される。さらに電極１５Ｂは、基板９の回路を介
して高抵抗チップ２の一端およびＦＥＴ３のゲート端子
とに接続される。また接続線１５Ｃで相互に接続された
電極１５Ａはリード線１５Ｄを介して基板９の回路上に
設けられた半田バンプ１６等の導体部と導電ペースト１
７を用いて接続固定され、さらにアース端子ピンおよび
高抵抗チップ２の他端と接続される。ＦＥＴ３のドレイ
ン端子とソース端子はそれぞれ所定の端子ピン６に接続
される。
発生した熱が基板９に逃げるのを防ぐため基板９から浮
かした状態で、電極１５Ｂを介して基板９の回路上に設
けられた半田バンプ１６と導電ペースト１７を用いて接
続固定される。さらに電極１５Ｂは、基板９の回路を介
して高抵抗チップ２の一端およびＦＥＴ３のゲート端子
とに接続される。また接続線１５Ｃで相互に接続された
電極１５Ａはリード線１５Ｄを介して基板９の回路上に
設けられた半田バンプ１６等の導体部と導電ペースト１
７を用いて接続固定され、さらにアース端子ピンおよび
高抵抗チップ２の他端と接続される。ＦＥＴ３のドレイ
ン端子とソース端子はそれぞれ所定の端子ピン６に接続
される。
【００１２】焦電素子１１の複数の検知部で発生した電
荷は、高抵抗チップ２およびＦＥＴ３による複数のイン
ピーダンス変換回路により電圧として取り出され、複数
の検知部の出力差によって人間等の移動方向や存在位置
等を把握できる。
荷は、高抵抗チップ２およびＦＥＴ３による複数のイン
ピーダンス変換回路により電圧として取り出され、複数
の検知部の出力差によって人間等の移動方向や存在位置
等を把握できる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図６に例示するような
４×４個の検知部１８乃至３３からなる焦電型赤外線二
次元アレイセンサの場合、焦電素子１１の４隅に位置す
る検知部１８、２１、３０、３３は焦電素子１１の二辺
に隣接することから熱抵抗が大きく、赤外線入射によっ
て発生した熱が拡散しにくい。また焦電素子１１の各辺
に位置する検知部１９、２０、２２、２５、２６、２
９、３１、３２は、焦電素子１１の一辺に隣接すること
から二番目に熱が拡散しにくい。そのため、検知部１
８、２１、３０、３３の感度が最も高く、検知部１９、
２０、２２、２５、２６、２９、３１、３２が二番目に
高くなる。
４×４個の検知部１８乃至３３からなる焦電型赤外線二
次元アレイセンサの場合、焦電素子１１の４隅に位置す
る検知部１８、２１、３０、３３は焦電素子１１の二辺
に隣接することから熱抵抗が大きく、赤外線入射によっ
て発生した熱が拡散しにくい。また焦電素子１１の各辺
に位置する検知部１９、２０、２２、２５、２６、２
９、３１、３２は、焦電素子１１の一辺に隣接すること
から二番目に熱が拡散しにくい。そのため、検知部１
８、２１、３０、３３の感度が最も高く、検知部１９、
２０、２２、２５、２６、２９、３１、３２が二番目に
高くなる。
【００１４】しかしながら、焦電型赤外線二次元アレイ
センサ自体ではこの感度バラツキの対策をとることがで
きず、焦電型赤外線二次元アレイセンサを使用する際の
増幅回路での増幅率を個々の検知部に対応して調整する
ことが行われていた。このため、増幅回路での調整処理
を一つ一つ行うため工数がかかり、コスト的に高くなる
という欠点があった。
センサ自体ではこの感度バラツキの対策をとることがで
きず、焦電型赤外線二次元アレイセンサを使用する際の
増幅回路での増幅率を個々の検知部に対応して調整する
ことが行われていた。このため、増幅回路での調整処理
を一つ一つ行うため工数がかかり、コスト的に高くなる
という欠点があった。
【００１５】また、図７に例示するような複数の検知部
を一次元に配列した焦電型赤外線リニアアレイセンサの
場合も、焦電型赤外線二次元アレイセンサと同様の理由
により焦電素子１１の両端に隣接する検知部の感度が一
番高く、内側になるほど感度が低くなる傾向がある。
を一次元に配列した焦電型赤外線リニアアレイセンサの
場合も、焦電型赤外線二次元アレイセンサと同様の理由
により焦電素子１１の両端に隣接する検知部の感度が一
番高く、内側になるほど感度が低くなる傾向がある。
【００１６】このため、焦電素子１１の両端に隣接する
検知部をダミーとしたり、焦電素子１１の両端から離し
て設ける等の工夫をしていたため、焦電素子１１が大き
くなり、焦電型赤外線リニアアレイセンサを小型化する
ことができないという欠点があった。
検知部をダミーとしたり、焦電素子１１の両端から離し
て設ける等の工夫をしていたため、焦電素子１１が大き
くなり、焦電型赤外線リニアアレイセンサを小型化する
ことができないという欠点があった。
【００１７】そこで本発明は上記の点に鑑み、焦電型赤
外線アレイセンサの複数の検知部の感度バラツキを低減
した焦電型赤外線アレイセンサを提供するものである。
外線アレイセンサの複数の検知部の感度バラツキを低減
した焦電型赤外線アレイセンサを提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため次のように構成されている。すなわち、入
射赤外線によって生ずる熱に応じて電荷を発生する一対
の対向する電極よりなる検知部が複数形成された焦電素
子と、焦電素子を接続固定するための基板を備えた焦電
形赤外線センサにおいて、焦電素子受光面には複数の検
知部の電極を相互に接続する接続線および焦電素子受光
面の端部に隣接して形成された検知部の電極から引き出
されるリード線が設けられ、このリード線と基板が導電
ペーストで接続固定されたものである。
達成するため次のように構成されている。すなわち、入
射赤外線によって生ずる熱に応じて電荷を発生する一対
の対向する電極よりなる検知部が複数形成された焦電素
子と、焦電素子を接続固定するための基板を備えた焦電
形赤外線センサにおいて、焦電素子受光面には複数の検
知部の電極を相互に接続する接続線および焦電素子受光
面の端部に隣接して形成された検知部の電極から引き出
されるリード線が設けられ、このリード線と基板が導電
ペーストで接続固定されたものである。
【００１９】
【作用】焦電素子１１に形成した検知部を基板９に接続
固定する際に用いる導電ペースト１７をヒートシンクお
よび熱伝導経路として利用することにより、赤外線入射
によって発生する検知部での熱拡散を促進し、また基板
９への熱伝導を増大して、各検知部での発生電荷量を均
一化することができる
固定する際に用いる導電ペースト１７をヒートシンクお
よび熱伝導経路として利用することにより、赤外線入射
によって発生する検知部での熱拡散を促進し、また基板
９への熱伝導を増大して、各検知部での発生電荷量を均
一化することができる
【００２０】
【実施例１】図１は本発明を用いた１６個の検知部から
なる焦電型赤外線二次元アレイセンサの実施例を示す。
基板９と焦電素子１１以外は従来例と同じなため説明お
よび図面を省略し、また焦電素子１１内の検知部の番号
は従来例と同じ番号を使用する。
なる焦電型赤外線二次元アレイセンサの実施例を示す。
基板９と焦電素子１１以外は従来例と同じなため説明お
よび図面を省略し、また焦電素子１１内の検知部の番号
は従来例と同じ番号を使用する。
【００２１】図１に示すように、１６個の検知部１８乃
至３３からなる焦電型赤外線二次元アレイセンサの場
合、焦電素子１１表面には１６個の電極１５Ａが縦４個
横４個等間隔に二次元に配列され、裏面にはそれに対向
して電極１５Ｂが設けられる。四辺形の焦電素子１１の
対角方向に配列されている検知部１８，２３，２８、３
３と、２１，２４，２７，３０の電極１５Ａは接続線１
５Ｃでそれぞれ対角方向に直列に接続され、１９，２２
と、２０，２５と、２６，３１と、２９，３２の電極１
５Ａは、対角方向に設けられた接続線１５Ｃと交差する
接続線１５Ｃで相互に接続され、更にこれら接続線１５
Ｃは交差する位置で相互に接続されている。また、焦電
素子１１の四隅に位置する検知部１８、２１、３０、３
３の各電極１５Ａから、焦電素子１１の四隅付近にリー
ド線１５Ｄが設けられる。電極１５Ａと１５Ｂ、接続線
１５Ｃ、リード線１５Ｄは、ＮｉＣｒ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃ
ｕ等の蒸着によって形成される。電極１５Ａ、１５Ｂが
Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕによって形成された場合は、電極１５
Ａ上面に熱を効率良く吸収するための黒色の膜が設けら
れる。
至３３からなる焦電型赤外線二次元アレイセンサの場
合、焦電素子１１表面には１６個の電極１５Ａが縦４個
横４個等間隔に二次元に配列され、裏面にはそれに対向
して電極１５Ｂが設けられる。四辺形の焦電素子１１の
対角方向に配列されている検知部１８，２３，２８、３
３と、２１，２４，２７，３０の電極１５Ａは接続線１
５Ｃでそれぞれ対角方向に直列に接続され、１９，２２
と、２０，２５と、２６，３１と、２９，３２の電極１
５Ａは、対角方向に設けられた接続線１５Ｃと交差する
接続線１５Ｃで相互に接続され、更にこれら接続線１５
Ｃは交差する位置で相互に接続されている。また、焦電
素子１１の四隅に位置する検知部１８、２１、３０、３
３の各電極１５Ａから、焦電素子１１の四隅付近にリー
ド線１５Ｄが設けられる。電極１５Ａと１５Ｂ、接続線
１５Ｃ、リード線１５Ｄは、ＮｉＣｒ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃ
ｕ等の蒸着によって形成される。電極１５Ａ、１５Ｂが
Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕによって形成された場合は、電極１５
Ａ上面に熱を効率良く吸収するための黒色の膜が設けら
れる。
【００２２】リード線１５Ｄは、焦電素子１１の四隅付
近で、ほぼ同量の導電ペースト１７を用いて基板９の回
路（図示せず）上に設けられた半田バンプ１６等の導体
部と接続固定される。
近で、ほぼ同量の導電ペースト１７を用いて基板９の回
路（図示せず）上に設けられた半田バンプ１６等の導体
部と接続固定される。
【００２３】また検知部１８乃至３３の電極１５Ｂを、
基板９の回路上に設けた半田バンプ１６と導電ペースト
１７を用いて接続固定する。この場合、検知部１８、２
１、３０、３３の電極１５Ｂの接続固定では導電ペース
ト１７量を多く、検知部１９、２０、２２、２５、２
６、２９、３１、３２の場合には、二番目に多く使用す
る。
基板９の回路上に設けた半田バンプ１６と導電ペースト
１７を用いて接続固定する。この場合、検知部１８、２
１、３０、３３の電極１５Ｂの接続固定では導電ペース
ト１７量を多く、検知部１９、２０、２２、２５、２
６、２９、３１、３２の場合には、二番目に多く使用す
る。
【００２４】導電ペースト１７は、赤外線入射によって
検知部１８乃至３３で発生した熱のヒートシンクおよび
基板９への熱伝導路の役割を果たし、従来熱抵抗が大き
く熱拡散しにくかった検知部１８、２１、３０、３３か
らの熱の逃げを良くし、検知部１９、２０、２２、２
５、２６、２９、３１、３２からの熱の逃げを二番目に
良くすることができる。これにより、焦電素子１１に形
成した検知部１８乃至３３で発生する電荷量が均一とな
り、検知部１３乃至３３の感度バラツキが低減できる。
検知部１８乃至３３で発生した熱のヒートシンクおよび
基板９への熱伝導路の役割を果たし、従来熱抵抗が大き
く熱拡散しにくかった検知部１８、２１、３０、３３か
らの熱の逃げを良くし、検知部１９、２０、２２、２
５、２６、２９、３１、３２からの熱の逃げを二番目に
良くすることができる。これにより、焦電素子１１に形
成した検知部１８乃至３３で発生する電荷量が均一とな
り、検知部１３乃至３３の感度バラツキが低減できる。
【００２５】導電ペースト１７は、導電性シリコン、導
電性エポキシ樹脂、導電性フェノール樹脂等の導電性の
ものであればいずれでもよい。
電性エポキシ樹脂、導電性フェノール樹脂等の導電性の
ものであればいずれでもよい。
【００２６】
【実施例２】図２に本発明を用いた焦電型赤外線リニア
アレイセンサの実施例を示す。基板９と焦電素子１１以
外は従来例と同じなため説明及び図面を省略し、また焦
電素子１１内の検知部の番号は従来例と同じ番号を使用
する。
アレイセンサの実施例を示す。基板９と焦電素子１１以
外は従来例と同じなため説明及び図面を省略し、また焦
電素子１１内の検知部の番号は従来例と同じ番号を使用
する。
【００２７】図２に示すように、複数個の検知部からな
る焦電型赤外線リニアアレイセンサの場合、焦電素子１
１表面には電極１５Ａが等間隔に二次元に配列され、裏
面にはそれに対向して電極１５Ｂが設けられる。焦電素
子１１表面の電極１５Ａは、接続線１５Ｃで相互に接続
される。また、焦電素子１１の端部に隣接して形成され
た検知部の電極１５Ａから、焦電素子１１の端辺にリー
ド線１５Ｄが設けられる。電極１５Ａと１５Ｂ、接続線
１５Ｃ、リード線１５Ｄは、ＮｉＣｒ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃ
ｕ等の蒸着により形成される。電極１５Ａ、１５ＢがＡ
ｇ、Ａｇ−Ｃｕによって形成された場合は、電極１５Ａ
上面に熱を効率良く吸収するための黒色の膜が設けられ
る。
る焦電型赤外線リニアアレイセンサの場合、焦電素子１
１表面には電極１５Ａが等間隔に二次元に配列され、裏
面にはそれに対向して電極１５Ｂが設けられる。焦電素
子１１表面の電極１５Ａは、接続線１５Ｃで相互に接続
される。また、焦電素子１１の端部に隣接して形成され
た検知部の電極１５Ａから、焦電素子１１の端辺にリー
ド線１５Ｄが設けられる。電極１５Ａと１５Ｂ、接続線
１５Ｃ、リード線１５Ｄは、ＮｉＣｒ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃ
ｕ等の蒸着により形成される。電極１５Ａ、１５ＢがＡ
ｇ、Ａｇ−Ｃｕによって形成された場合は、電極１５Ａ
上面に熱を効率良く吸収するための黒色の膜が設けられ
る。
【００２８】リード線１５Ｄは焦電素子１１の端部で、
ほぼ同量の導電ペースト１７を用いて基板９の回路（図
示せず）上に設けられた半田バンプ１６等の導体部と接
続固定される。
ほぼ同量の導電ペースト１７を用いて基板９の回路（図
示せず）上に設けられた半田バンプ１６等の導体部と接
続固定される。
【００２９】また各検知部の電極１５Ｂは、基板９の回
路上に設けたバンプと導電ペーストを用いて接続固定さ
れる。焦電素子１１の両端部に隣接して形成された検知
部の電極１５Ｂの接続固定では導電ペースト１７量を多
くし、焦電素子１１の中心部に位置する検知部に向うに
つれて導電ペースト１７量を減らしていくことによっ
て、焦電素子１１の端部に形成した検知部からの熱の逃
げを更に良くすることができる。
路上に設けたバンプと導電ペーストを用いて接続固定さ
れる。焦電素子１１の両端部に隣接して形成された検知
部の電極１５Ｂの接続固定では導電ペースト１７量を多
くし、焦電素子１１の中心部に位置する検知部に向うに
つれて導電ペースト１７量を減らしていくことによっ
て、焦電素子１１の端部に形成した検知部からの熱の逃
げを更に良くすることができる。
【００３０】導電ペースト１７は、赤外線入射によって
各検知部で発生した熱のヒートシンクおよび基板９への
熱伝導路の役割を果たし、従来熱抵抗が大きく熱拡散が
しにくかった焦電素子１１の端部に隣接して形成された
検知部からの熱の逃げを良くすることができる。これに
より、焦電素子１１に形成した検知部で発生する電荷量
が均一となり、複数の検知部の感度バラツキが低減でき
る。
各検知部で発生した熱のヒートシンクおよび基板９への
熱伝導路の役割を果たし、従来熱抵抗が大きく熱拡散が
しにくかった焦電素子１１の端部に隣接して形成された
検知部からの熱の逃げを良くすることができる。これに
より、焦電素子１１に形成した検知部で発生する電荷量
が均一となり、複数の検知部の感度バラツキが低減でき
る。
【００３１】導電ペースト１７は、導電性シリコン、導
電性エポキシ樹脂、導電性フェノール樹脂等の導電性の
ものであればいずれでもよい。
電性エポキシ樹脂、導電性フェノール樹脂等の導電性の
ものであればいずれでもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので下記
の効果を有する。対向する一対の電極よりなる複数の検
知部を形成した焦電素子において、焦電素子を基板に導
電ペーストを用いて接続固定する際、従来入射赤外線に
よって発生する熱が拡散しにくかった検知部から、導電
ペーストをヒートシンクおよび基板への熱伝導路として
利用することにより、熱の逃げを良くすることができ、
複数の検知部での発生電荷量を均一化、すなわち複数の
検知部の感度のバラツキが低減できる。
の効果を有する。対向する一対の電極よりなる複数の検
知部を形成した焦電素子において、焦電素子を基板に導
電ペーストを用いて接続固定する際、従来入射赤外線に
よって発生する熱が拡散しにくかった検知部から、導電
ペーストをヒートシンクおよび基板への熱伝導路として
利用することにより、熱の逃げを良くすることができ、
複数の検知部での発生電荷量を均一化、すなわち複数の
検知部の感度のバラツキが低減できる。
【００３３】また、焦電型赤外線２次元アレイセンサの
場合、従来行っていた増幅回路での各検知部の感度に対
応した増幅率の調整が不要となり、工数削減ひいてはコ
スト削減を図ることができる。
場合、従来行っていた増幅回路での各検知部の感度に対
応した増幅率の調整が不要となり、工数削減ひいてはコ
スト削減を図ることができる。
【００３４】更にまた、焦電型赤外線リニアアレイセン
サの場合には、ダミーとなる検知部が必要なくなるの
で、焦電素子を小さくすることができ、その結果焦電型
赤外線リニアアレイセンサを小型化できる。
サの場合には、ダミーとなる検知部が必要なくなるの
で、焦電素子を小さくすることができ、その結果焦電型
赤外線リニアアレイセンサを小型化できる。
【図１】本発明の焦電型赤外線２次元アレイセンサで、
（ａ）は焦電素子を基板に実装した斜視図、（ｂ）は焦
電素子を基板に実装した断面図である。
（ａ）は焦電素子を基板に実装した斜視図、（ｂ）は焦
電素子を基板に実装した断面図である。
【図２】本発明の焦電型赤外線リニアアレイセンサで、
（ａ）は焦電素子を基板に実装した斜視図、（ｂ）は焦
電素子を基板に実装した断面図である。
（ａ）は焦電素子を基板に実装した斜視図、（ｂ）は焦
電素子を基板に実装した断面図である。
【図３】焦電型赤外線センサの一般的な等価回路図であ
る。
る。
【図４】従来の焦電型赤外線アレイセンサの分解斜視図
である。
である。
【図５】従来の焦電型赤外線アレイセンサの焦電素子を
基板に接続固定した実装断面図である。
基板に接続固定した実装断面図である。
【図６】従来の焦電型赤外線２次元アレイセンサの焦電
素子で、（ａ）は表面図、（ｂ）は裏面図である。
素子で、（ａ）は表面図、（ｂ）は裏面図である。
【図７】従来の焦電型赤外線リニアアレイセンサの焦電
素子で、（ａ）は表面図、（ｂ）は裏面図である。
素子で、（ａ）は表面図、（ｂ）は裏面図である。
１８乃至３３ 検知部 ２ 高抵抗チップ ３ ＦＥＴ（電界効果トランジスタ） ６ 端子ピン ９ 基板 １１ 焦電素子 １２ キャンケース １４ 赤外線フィルター １５Ａ、１５Ｂ 電極 １５Ｃ 接続線 １５Ｄ リード線 １６ 半田バンプ １７ 導電ペースト
Claims (1)
- 【請求項１】 入射赤外線によって生ずる熱に応じて電
荷を発生する一対の対向する電極よりなる検知部が複数
形成された焦電素子と、焦電素子を接続固定するための
基板を備えた焦電形赤外線センサにおいて、焦電素子受
光面には複数の検知部の電極を相互に接続する接続線お
よび焦電素子受光面の端部に隣接して形成された検知部
の電極から引き出されるリード線が設けられ、このリー
ド線と基板が導電ペーストで接続固定されたことを特徴
とする焦電形赤外線アレイセンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27221993A JP3235298B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 焦電型赤外線アレイセンサ |
| US08/329,333 US5625188A (en) | 1993-10-29 | 1994-10-26 | Pyroelectric infrared array sensor |
| DE4438673A DE4438673C2 (de) | 1993-10-29 | 1994-10-28 | Pyroelektrischer Infrarot-Array-Sensor |
| GB9421786A GB2283362B (en) | 1993-10-29 | 1994-10-28 | Pyroelectric infrared array sensor |
| US09/078,349 US6175114B1 (en) | 1993-10-29 | 1998-05-13 | Pyroelectric infrared array sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27221993A JP3235298B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 焦電型赤外線アレイセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128142A true JPH07128142A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3235298B2 JP3235298B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=17510778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27221993A Expired - Fee Related JP3235298B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | 焦電型赤外線アレイセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3235298B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012056943A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 焦電センサアレイ及び焦電型赤外線検出装置 |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27221993A patent/JP3235298B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012056943A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 焦電センサアレイ及び焦電型赤外線検出装置 |
| CN103229028A (zh) * | 2010-10-25 | 2013-07-31 | Nec东金株式会社 | 热释电传感器阵列以及热释电型红外线检测装置 |
| US8766187B2 (en) | 2010-10-25 | 2014-07-01 | Nec Tokin Corporation | Pyroelectric sensor array and pyroelectric infrared detection device |
| JP5901533B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2016-04-13 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 焦電センサアレイ及び焦電型赤外線検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3235298B2 (ja) | 2001-12-04 |
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