JPH07126834A - 結晶性薄膜の製造方法 - Google Patents
結晶性薄膜の製造方法Info
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- JPH07126834A JPH07126834A JP27066093A JP27066093A JPH07126834A JP H07126834 A JPH07126834 A JP H07126834A JP 27066093 A JP27066093 A JP 27066093A JP 27066093 A JP27066093 A JP 27066093A JP H07126834 A JPH07126834 A JP H07126834A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各原料物資の割合を高精度に制御することが
可能な結晶性薄膜の製造方法を提供する。 【構成】 基体上に、層厚５．４５４ｎｍのイットリウ
ムＹの非晶質膜と，層厚４．５４６ｎｍのアルミニウム
Ａｌの非晶質膜とを交互に５０層ずつ堆積し、非晶質多
層膜Ａを形成する。次に、酸素雰囲気中で，１０００℃
で，５時間熱処理して全体を結晶化させ、ＹＡＧ薄膜を
製造する。 【効果】 バラツキの小さな結晶性薄膜を得ることが出
来る。非晶質多層膜を結晶化させるので、大きなエネル
ギーを必要とせずに、結晶性薄膜を得ることが出来る。
可能な結晶性薄膜の製造方法を提供する。 【構成】 基体上に、層厚５．４５４ｎｍのイットリウ
ムＹの非晶質膜と，層厚４．５４６ｎｍのアルミニウム
Ａｌの非晶質膜とを交互に５０層ずつ堆積し、非晶質多
層膜Ａを形成する。次に、酸素雰囲気中で，１０００℃
で，５時間熱処理して全体を結晶化させ、ＹＡＧ薄膜を
製造する。 【効果】 バラツキの小さな結晶性薄膜を得ることが出
来る。非晶質多層膜を結晶化させるので、大きなエネル
ギーを必要とせずに、結晶性薄膜を得ることが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、結晶性薄膜の製造方
法に関し、さらに詳しくは、光，電子，磁気応用分野で
使用される強誘電体，超伝導体，半導体，合金などの結
晶性薄膜の製造方法に関する。
法に関し、さらに詳しくは、光，電子，磁気応用分野で
使用される強誘電体，超伝導体，半導体，合金などの結
晶性薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の結晶性薄膜の製造方法としては、
特開平４−１０７２５７号公報に開示された「多元系複
合化合物膜の形成方法及び装置」が知られている。この
従来の多元系複合化合物膜の形成方法は、目的の多元系
複合化合物膜が結晶化する温度とされた基板上に，前記
多元系複合化合物膜の原料となる２種以上の原料物質を
同時にスパッタし，且つ，反応性ガスを含んだイオンビ
ームを同時に照射し、結晶性の多元系複合化合物膜を形
成するものである。
特開平４−１０７２５７号公報に開示された「多元系複
合化合物膜の形成方法及び装置」が知られている。この
従来の多元系複合化合物膜の形成方法は、目的の多元系
複合化合物膜が結晶化する温度とされた基板上に，前記
多元系複合化合物膜の原料となる２種以上の原料物質を
同時にスパッタし，且つ，反応性ガスを含んだイオンビ
ームを同時に照射し、結晶性の多元系複合化合物膜を形
成するものである。
【０００３】一方、結晶性薄膜（厚さ１００μｍ以下）
の製造方法ではなく，板材（板厚０．２５ｍｍ〜１ｍ
ｍ）の製造方法であるが、特開平４−１６０１２６号公
報に、「ＴｉＡｌ金属間化合物板材とその製造方法」が
開示されている。この従来のＴｉＡｌ金属間化合物板材
の製造方法は、Ｔｉ薄板およびＡｌ薄板を交互に積層し
て積層材を形成し、次にその積層材を熱処理して，熱拡
散させ、ＴｉＡｌ金属間化合物を製造するものである。
の製造方法ではなく，板材（板厚０．２５ｍｍ〜１ｍ
ｍ）の製造方法であるが、特開平４−１６０１２６号公
報に、「ＴｉＡｌ金属間化合物板材とその製造方法」が
開示されている。この従来のＴｉＡｌ金属間化合物板材
の製造方法は、Ｔｉ薄板およびＡｌ薄板を交互に積層し
て積層材を形成し、次にその積層材を熱処理して，熱拡
散させ、ＴｉＡｌ金属間化合物を製造するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の多元系複合
化合物膜の形成方法では、各原料物資の割合を高精度に
制御することが困難であるため、得られた多元系複合化
合物膜の組成のバラツキが大きい問題点がある。そこ
で、この発明の目的は、各原料物資の割合を高精度に制
御することが可能であり、バラツキの小さな結晶性薄膜
を得ることが出来る結晶性薄膜の製造方法を提供するこ
とにある。
化合物膜の形成方法では、各原料物資の割合を高精度に
制御することが困難であるため、得られた多元系複合化
合物膜の組成のバラツキが大きい問題点がある。そこ
で、この発明の目的は、各原料物資の割合を高精度に制
御することが可能であり、バラツキの小さな結晶性薄膜
を得ることが出来る結晶性薄膜の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００５】なお、従来のＴｉＡｌ金属間化合物板材の
製造方法は、特殊な場合を除いて結晶体であるＴｉおよ
びＡｌを熱処理により熱拡散させてＴｉＡｌ金属間化合
物を得るものであり、非晶質多層膜を熱処理により結晶
化して結晶性薄膜を得るこの発明の技術思想とは異なっ
ている。
製造方法は、特殊な場合を除いて結晶体であるＴｉおよ
びＡｌを熱処理により熱拡散させてＴｉＡｌ金属間化合
物を得るものであり、非晶質多層膜を熱処理により結晶
化して結晶性薄膜を得るこの発明の技術思想とは異なっ
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の結晶性薄膜の
製造方法は、単体または化合物の原料物質が結晶化する
温度より低い温度にした基体（８）上に，２種以上の前
記各原料物質を，それぞれ所定の層厚に制御しながら，
多層に積層して，非晶質多層膜（Ａ）を形成し、次にそ
の非晶質多層膜（Ａ）が結晶化する温度の熱処理により
全体を結晶化させ、前記各原料物質の組成と層厚とに応
じた組成の結晶性薄膜（Ｓ）を製造することを構成上の
特徴とするものである。
製造方法は、単体または化合物の原料物質が結晶化する
温度より低い温度にした基体（８）上に，２種以上の前
記各原料物質を，それぞれ所定の層厚に制御しながら，
多層に積層して，非晶質多層膜（Ａ）を形成し、次にそ
の非晶質多層膜（Ａ）が結晶化する温度の熱処理により
全体を結晶化させ、前記各原料物質の組成と層厚とに応
じた組成の結晶性薄膜（Ｓ）を製造することを構成上の
特徴とするものである。
【０００７】上記非晶質多層膜を形成する方法として
は、ＰＶＤ，ＣＶＤ，めっき，真空蒸着などを用いるこ
とが出来る。酸素などの気体を原料成分として含む場合
は、当該気体雰囲気中で非晶質多層膜を成膜してもよい
が、当該気体雰囲気中で熱処理することにより当該原料
物質を加えてもよい。
は、ＰＶＤ，ＣＶＤ，めっき，真空蒸着などを用いるこ
とが出来る。酸素などの気体を原料成分として含む場合
は、当該気体雰囲気中で非晶質多層膜を成膜してもよい
が、当該気体雰囲気中で熱処理することにより当該原料
物質を加えてもよい。
【０００８】製造する結晶性薄膜は、単結晶でも，多結
晶薄膜でもよい。具体例としては、固体レーザ発振材料
として用いられるＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）や，光導波路
型の光学素子に用いられる ＬｉＮｂＯ3や，光磁気記録
に用いられるＹＩＧ（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12）や，高温超伝導体
として用いられるＹＢＣＯ系化合物などの金属元素複合
酸化物の結晶性薄膜が挙げられる。また、光学部品など
に用いられるＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓなどの化合物半導
体の結晶性薄膜が挙げられる。さらに、磁性膜に用いら
れるＣｏ−Ｎｉ系，Ｃｏ−Ｃｒ系などの合金の結晶性薄
膜が挙げられる。
晶薄膜でもよい。具体例としては、固体レーザ発振材料
として用いられるＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）や，光導波路
型の光学素子に用いられる ＬｉＮｂＯ3や，光磁気記録
に用いられるＹＩＧ（Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12）や，高温超伝導体
として用いられるＹＢＣＯ系化合物などの金属元素複合
酸化物の結晶性薄膜が挙げられる。また、光学部品など
に用いられるＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓなどの化合物半導
体の結晶性薄膜が挙げられる。さらに、磁性膜に用いら
れるＣｏ−Ｎｉ系，Ｃｏ−Ｃｒ系などの合金の結晶性薄
膜が挙げられる。
【０００９】多層に積層する各層の厚さは５００ｎｍ以
下、結晶性薄膜の全体の厚さは１００μｍ以下とするの
が、熱処理の観点からは好ましい。
下、結晶性薄膜の全体の厚さは１００μｍ以下とするの
が、熱処理の観点からは好ましい。
【００１０】
【作用】この発明の結晶性薄膜の製造方法では、単体ま
たは化合物の２種以上の原料物質が結晶化する温度より
低い温度で、所定の層厚に制御しながら、前記各原料物
質を交互に基体上に多層に積層する。そして、得られた
非晶質多層膜に熱処理を施して全体を結晶化させ、結晶
性薄膜を製造する。結晶性薄膜の組成は各原料物質の組
成と層厚とに応じて決まるが、各原料物質の組成はそれ
ぞれ高精度に制御可能であり、また、層厚も高精度に制
御可能である。従って、結晶性薄膜の組成も高精度に制
御可能であり、バラツキの小さな結晶性薄膜を得ること
が出来る。
たは化合物の２種以上の原料物質が結晶化する温度より
低い温度で、所定の層厚に制御しながら、前記各原料物
質を交互に基体上に多層に積層する。そして、得られた
非晶質多層膜に熱処理を施して全体を結晶化させ、結晶
性薄膜を製造する。結晶性薄膜の組成は各原料物質の組
成と層厚とに応じて決まるが、各原料物質の組成はそれ
ぞれ高精度に制御可能であり、また、層厚も高精度に制
御可能である。従って、結晶性薄膜の組成も高精度に制
御可能であり、バラツキの小さな結晶性薄膜を得ること
が出来る。
【００１１】なお、前述の従来のＴｉＡｌ金属間化合物
板材の製造方法では、交互に積層されたＴｉおよびＡｌ
を熱拡散させてＴｉＡｌ金属間化合物を得ているが、特
殊な場合を除いてＴｉおよびＡｌは結晶体であるため、
その結晶間で原子を熱拡散させるには、大きなエネルギ
ーを要する。しかし、この発明の結晶性薄膜の製造方法
では、非晶質多層膜を結晶化させるので、大きなエネル
ギーを必要としない違いがある。
板材の製造方法では、交互に積層されたＴｉおよびＡｌ
を熱拡散させてＴｉＡｌ金属間化合物を得ているが、特
殊な場合を除いてＴｉおよびＡｌは結晶体であるため、
その結晶間で原子を熱拡散させるには、大きなエネルギ
ーを要する。しかし、この発明の結晶性薄膜の製造方法
では、非晶質多層膜を結晶化させるので、大きなエネル
ギーを必要としない違いがある。
【００１２】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
【００１３】−実施例１− 実施例１は、ＹＡＧ薄膜を製造する実施例である。図１
に示す多元イオンビームスパッタリング装置１００にお
いて、１は、イットリウムターゲットである。２は、ア
ルミニウムターゲットである。３は、前記イットリウム
ターゲット１をスパッタするアルゴンイオンビームを発
生するためのイオンガンである。４は、前記アルミニウ
ムターゲット２をスパッタするアルゴンイオンビームを
発生するためのイオンガンである。５は、アルゴンイオ
ンビームを遮断するために前記イオンガン３の前に設置
したシャッタである。６は、アルゴンイオンビームを遮
断するために前記イオンガン４の前に設置したシャッタ
である。７は、基体８を保持し，軸回転させる基体ホル
ダである。８は、ＧＧＧ（Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12）の基体であ
る。９は、スパッタ粒子の堆積量を連続的に測定する膜
厚計である。１０は、基体８の周辺に反応性ガスを導入
するための反応性ガス導入管である。以上の構成要素
は、真空チャンバ（図示省略）に収容されている。
に示す多元イオンビームスパッタリング装置１００にお
いて、１は、イットリウムターゲットである。２は、ア
ルミニウムターゲットである。３は、前記イットリウム
ターゲット１をスパッタするアルゴンイオンビームを発
生するためのイオンガンである。４は、前記アルミニウ
ムターゲット２をスパッタするアルゴンイオンビームを
発生するためのイオンガンである。５は、アルゴンイオ
ンビームを遮断するために前記イオンガン３の前に設置
したシャッタである。６は、アルゴンイオンビームを遮
断するために前記イオンガン４の前に設置したシャッタ
である。７は、基体８を保持し，軸回転させる基体ホル
ダである。８は、ＧＧＧ（Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12）の基体であ
る。９は、スパッタ粒子の堆積量を連続的に測定する膜
厚計である。１０は、基体８の周辺に反応性ガスを導入
するための反応性ガス導入管である。以上の構成要素
は、真空チャンバ（図示省略）に収容されている。
【００１４】まず、真空チャンバを真空排気装置（図示
省略）により５×１０-6ｔｏｒｒ程度に減圧する。次
に、基体８を、イットリウムおよびアルミニウムが結晶
化する温度よりも低い温度（例えば、室温）に保つと共
に、基体ホルダ７により回転させる。次に、シャッタ
５，６を閉じたままでイオンガン３，４にアルゴンガス
を導入し、イオンガン３，４をそれぞれの電源（図示省
略）により個別に作動させる。アルゴンイオンビームの
状態が安定したなら、最初にシャッタ５のみを開き、イ
ットリウムターゲット１からイットリウムをスパッタ
し、基体８上にイットリウムの非晶質膜を堆積させる。
膜厚計９で堆積量を測定し、イットリウムの非晶質膜の
層厚が５．４５４ｎｍになったら、シャッタ５を閉じ
る。次に、シャッタ６を開き、アルミニウムターゲット
２からアルミニウムをスパッタし、前記イットリウムの
非晶質膜上にアルミニウムの非晶質膜を堆積させる。膜
厚計９で堆積量を測定し、アルミニウムの非晶質膜の層
厚が４．５４６ｎｍになったら、シャッタ６を閉じる。
以下、シャッタ５を開いて層厚５．４５４ｎｍのイット
リウムの非晶質膜を堆積させることとシャッタ６を開い
て層厚４．５４６ｎｍのアルミニウムの非晶質膜を堆積
させることとを交互に繰り返し、図２に示すごとき非晶
質多層膜Ａを形成する。それぞれを５０層ずつとすれ
ば、非晶質多層膜Ａの厚さは、１μｍとなる。上記一連
の動作は、図示していないコンピュータにより自動的に
運転される。
省略）により５×１０-6ｔｏｒｒ程度に減圧する。次
に、基体８を、イットリウムおよびアルミニウムが結晶
化する温度よりも低い温度（例えば、室温）に保つと共
に、基体ホルダ７により回転させる。次に、シャッタ
５，６を閉じたままでイオンガン３，４にアルゴンガス
を導入し、イオンガン３，４をそれぞれの電源（図示省
略）により個別に作動させる。アルゴンイオンビームの
状態が安定したなら、最初にシャッタ５のみを開き、イ
ットリウムターゲット１からイットリウムをスパッタ
し、基体８上にイットリウムの非晶質膜を堆積させる。
膜厚計９で堆積量を測定し、イットリウムの非晶質膜の
層厚が５．４５４ｎｍになったら、シャッタ５を閉じ
る。次に、シャッタ６を開き、アルミニウムターゲット
２からアルミニウムをスパッタし、前記イットリウムの
非晶質膜上にアルミニウムの非晶質膜を堆積させる。膜
厚計９で堆積量を測定し、アルミニウムの非晶質膜の層
厚が４．５４６ｎｍになったら、シャッタ６を閉じる。
以下、シャッタ５を開いて層厚５．４５４ｎｍのイット
リウムの非晶質膜を堆積させることとシャッタ６を開い
て層厚４．５４６ｎｍのアルミニウムの非晶質膜を堆積
させることとを交互に繰り返し、図２に示すごとき非晶
質多層膜Ａを形成する。それぞれを５０層ずつとすれ
ば、非晶質多層膜Ａの厚さは、１μｍとなる。上記一連
の動作は、図示していないコンピュータにより自動的に
運転される。
【００１５】なお、イットリウムとアルミニウムとの膜
厚は、目的のＹＡＧ薄膜の厚さ（１μｍ）を非晶質多層
膜Ａの全体層数（１００）で割り、その商（１０ｎｍ）
をイットリウムとアルミニウムの必要原子数から求めた
膜厚比（５４５４：４５４６）で分割して計算したもの
である。
厚は、目的のＹＡＧ薄膜の厚さ（１μｍ）を非晶質多層
膜Ａの全体層数（１００）で割り、その商（１０ｎｍ）
をイットリウムとアルミニウムの必要原子数から求めた
膜厚比（５４５４：４５４６）で分割して計算したもの
である。
【００１６】次に、図３に示すように、雰囲気制御型の
加熱炉２００に前記非晶質多層膜Ａを入れ、酸素雰囲気
中で，１０００℃で，５時間加熱する。図４に、製造さ
れたＹＡＧ薄膜Ｓを示す。このＹＡＧ薄膜Ｓが単結晶で
あることは、Ｘ線回折により確認された。
加熱炉２００に前記非晶質多層膜Ａを入れ、酸素雰囲気
中で，１０００℃で，５時間加熱する。図４に、製造さ
れたＹＡＧ薄膜Ｓを示す。このＹＡＧ薄膜Ｓが単結晶で
あることは、Ｘ線回折により確認された。
【００１７】−実施例２− 実施例２は、ニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ3 薄膜の実施
例である。図１に示す多元イオンビームスパッタリング
装置１００において、１に炭酸リチウム（Ｌｉ2ＣＯ3）
ターゲットを用い、２に五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）ター
ゲットを用い、８にＬｉＴａＯ3 の単結晶基体を用い
た。そして、室温で、層厚３．７ｎｍの炭酸リチウムの
非晶質膜と，層厚６．３ｎｍの五酸化ニオブの非晶質膜
とを、交互に、それぞれ５０層ずつ堆積し、図５に示す
ごとき非晶質多層膜Ａ’を形成する。この非晶質多層膜
Ａ’の厚さは、１μｍとなる。
例である。図１に示す多元イオンビームスパッタリング
装置１００において、１に炭酸リチウム（Ｌｉ2ＣＯ3）
ターゲットを用い、２に五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）ター
ゲットを用い、８にＬｉＴａＯ3 の単結晶基体を用い
た。そして、室温で、層厚３．７ｎｍの炭酸リチウムの
非晶質膜と，層厚６．３ｎｍの五酸化ニオブの非晶質膜
とを、交互に、それぞれ５０層ずつ堆積し、図５に示す
ごとき非晶質多層膜Ａ’を形成する。この非晶質多層膜
Ａ’の厚さは、１μｍとなる。
【００１８】なお、炭酸リチウムと五酸化ニオブとの膜
厚は、目的のニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ3 薄膜の厚さ
（１μｍ）を非晶質多層膜Ａ’の全体層数（１００）で
割り、その商（１０ｎｍ）を炭酸リチウムと五酸化ニオ
ブの必要原子数から求めた膜厚比（３７：６３）で分割
して計算したものである。
厚は、目的のニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ3 薄膜の厚さ
（１μｍ）を非晶質多層膜Ａ’の全体層数（１００）で
割り、その商（１０ｎｍ）を炭酸リチウムと五酸化ニオ
ブの必要原子数から求めた膜厚比（３７：６３）で分割
して計算したものである。
【００１９】次に、図３に示す加熱炉２００に前記非晶
質多層膜Ａ’を入れ、酸素雰囲気中で，６００℃で，３
時間加熱する。製造されたニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ
3 薄膜が単結晶であることは、Ｘ線回折により確認され
た。
質多層膜Ａ’を入れ、酸素雰囲気中で，６００℃で，３
時間加熱する。製造されたニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ
3 薄膜が単結晶であることは、Ｘ線回折により確認され
た。
【００２０】
【発明の効果】この発明の結晶性薄膜の製造方法によれ
ば、結晶性薄膜の組成を高精度に制御可能であり、バラ
ツキの小さな結晶性薄膜を得ることが出来る。また、非
晶質多層膜を結晶化させるので、大きなエネルギーを必
要とせずに、結晶性薄膜を得ることが出来る。
ば、結晶性薄膜の組成を高精度に制御可能であり、バラ
ツキの小さな結晶性薄膜を得ることが出来る。また、非
晶質多層膜を結晶化させるので、大きなエネルギーを必
要とせずに、結晶性薄膜を得ることが出来る。
【図１】多元イオンビームスパッタリング装置の概念図
である。
である。
【図２】この発明の実施例１にかかる非晶質多層膜を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
【図３】雰囲気制御型の加熱炉の模式的断面図である。
【図４】この発明の実施例１により製造されたＹＡＧ薄
膜の模式的断面図である。
膜の模式的断面図である。
【図５】この発明の実施例２にかかる非晶質多層膜を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
Ａ，Ａ’ 非晶質多層膜 Ｓ ＹＡＧ薄膜 １００ 多元イオンビームスパッタリング装置 ２００ 加熱炉 １ イットリウムターゲット又は炭酸リチウ
ムターゲット ２ アルミニウムターゲット又は五酸化ニオ
ブターゲット ３，４ イオンガン ５，６ シャッタ ７ 基体ホルダ ８ 基体 ９ 膜厚計 １０ 反応性ガス導入管
ムターゲット ２ アルミニウムターゲット又は五酸化ニオ
ブターゲット ３，４ イオンガン ５，６ シャッタ ７ 基体ホルダ ８ 基体 ９ 膜厚計 １０ 反応性ガス導入管
フロントページの続き (72)発明者 佐野 一也 千葉県四街道市鷹の台一丁目３番 株式会 社日本製鋼所内 (72)発明者 山口 毅 千葉県四街道市鷹の台一丁目３番 株式会 社日本製鋼所内
Claims (3)
- 【請求項１】 単体または化合物の原料物質が結晶化す
る温度より低い温度にした基体上に，２種以上の前記各
原料物質を，それぞれ所定の層厚に制御しながら，交互
に多層に積層して，非晶質多層膜を形成し、次にその非
晶質多層膜が結晶化する温度の熱処理により全体を結晶
化させ、前記各原料物質の組成と層厚とに応じた組成の
結晶性薄膜を製造することを特徴とする結晶性薄膜の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の結晶性薄膜の製造方法
において、非晶質多層膜に含まれないか又は含まれる量
では不足する原料物質の気体雰囲気中で熱処理を行い、
当該原料物質を加えることを特徴とする結晶性薄膜の製
造方法。 - 【請求項３】 Ｌｉ化合物とＮｂ化合物が結晶化する温
度より低い温度にした基体上に，Ｌｉ化合物とＮｂ化合
物を，それぞれ所定の層厚に制御しながら，多層に積層
して，非晶質多層膜を形成し、次にその非晶質多層膜が
結晶化する温度で且つ酸素雰囲気中で熱処理して，全体
を結晶化させ、ニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ3 の単結晶
薄膜を製造することを特徴とする結晶性薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27066093A JPH07126834A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 結晶性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27066093A JPH07126834A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 結晶性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07126834A true JPH07126834A (ja) | 1995-05-16 |
Family
ID=17489186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27066093A Pending JPH07126834A (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 結晶性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07126834A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005090649A1 (ja) * | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Japan Science And Technology Agency | 固相フラックスエピタキシー成長法 |
| WO2013005349A1 (ja) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度イットリウム、高純度イットリウムの製造方法、高純度イットリウムスパッタリングターゲット、高純度イットリウムスパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜並びに該メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイス |
| JP2018526829A (ja) * | 2015-09-04 | 2018-09-13 | レイセオン カンパニー | レーザー・システム又は他のシステム及び関連するデバイスで使用するウェーブガイドを形成するための技術 |
| WO2023204912A3 (en) * | 2022-04-23 | 2024-03-14 | Plasma-Therm Nes, Llc | Virtual shutter in ion beam system |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP27066093A patent/JPH07126834A/ja active Pending
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