JPH07123231B2 - 多バンドチユ−ナの段間同調回路 - Google Patents
多バンドチユ−ナの段間同調回路Info
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- JPH07123231B2 JPH07123231B2 JP61180728A JP18072886A JPH07123231B2 JP H07123231 B2 JPH07123231 B2 JP H07123231B2 JP 61180728 A JP61180728 A JP 61180728A JP 18072886 A JP18072886 A JP 18072886A JP H07123231 B2 JPH07123231 B2 JP H07123231B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、多バンドチューナの段間同調回路に関する。
〈発明の概要〉 本発明は第１及びこの第１より高い周波数の第２の帯域
を受信する多バンドチューナの段間同調回路において、
高周波トランジスタの出力に並列に接続された第１の帯
域用のコイルと、スイッチングダイオードを介して接続
された可変容量素子及び第２の帯域用の共振線路の並列
回路とからなり、第１の帯域及び第２の帯域受信時に夫
々スイッチングダイオードを閉成及び開成とする事によ
り、同調回路の出力を全帯域に亘って均一にする様にし
たものである。
を受信する多バンドチューナの段間同調回路において、
高周波トランジスタの出力に並列に接続された第１の帯
域用のコイルと、スイッチングダイオードを介して接続
された可変容量素子及び第２の帯域用の共振線路の並列
回路とからなり、第１の帯域及び第２の帯域受信時に夫
々スイッチングダイオードを閉成及び開成とする事によ
り、同調回路の出力を全帯域に亘って均一にする様にし
たものである。
〈従来の技術〉 第３図は従来の段間同調回路の回路図を示す。Q6は高周
波トランジスタで、VHF帯受信時はコイルL55,L56及び可
変容量素子DV10で同調回路が形成される。UHF帯受信時
はダイオードD29がオンにされ、可変容量素子DV10及び
共振線路L57で同調回路が形成される。コンデンサC73は
VHF帯受信時は可変容量ダイオードDV10とコイルL55,L56
の結合に使用され、UHF帯においてはRFトランジスタQ6
と並列回路DV10,L57との結合用とに使用される。
波トランジスタで、VHF帯受信時はコイルL55,L56及び可
変容量素子DV10で同調回路が形成される。UHF帯受信時
はダイオードD29がオンにされ、可変容量素子DV10及び
共振線路L57で同調回路が形成される。コンデンサC73は
VHF帯受信時は可変容量ダイオードDV10とコイルL55,L56
の結合に使用され、UHF帯においてはRFトランジスタQ6
と並列回路DV10,L57との結合用とに使用される。
〈発明が解決しようとする問題点〉 上記従来例ではVHF帯受信時はコンデンサC73の容量は大
である事が望まれる。然し、UHF帯受信時では逆に小さ
な容量でないと、トランジスタQ1のドレイン端子Ｄから
同調回路側をみたインピーダンスが高域になると減少す
る為、同調回路の出力が第４図の点線37で示す様なカー
ブになる。
である事が望まれる。然し、UHF帯受信時では逆に小さ
な容量でないと、トランジスタQ1のドレイン端子Ｄから
同調回路側をみたインピーダンスが高域になると減少す
る為、同調回路の出力が第４図の点線37で示す様なカー
ブになる。
即ち、UHF帯の特に高域になると同調回路の出力が低下
するという問題がある。
するという問題がある。
又この様に容量が大きいと、帯域全域に亘ってその出力
は低下するという問題もある。
は低下するという問題もある。
本発明は係る従来の問題点を解決した多バンドチューナ
の同調回路を提供する事を目的とする。
の同調回路を提供する事を目的とする。
〈問題点を解決する為の手段〉 本発明になるバンドチューナの同調回路は第１の帯域
と、この第１の帯域より高い周波数の第２の帯域とを受
信するチューナにおいて、高周波トランジスタの出力に
直接接続された該第１の帯域用のコイルと、該第１及び
第２の帯域に共用される可変容量ダイオード及び該第２
の帯域用の共振線路の並列回路と、該高周波トランジス
タの出力と該第１の帯域用のコイルとの接続点と、該並
列回路との間に接続されたスイッチングダイオードとか
らなり、該第１の帯域受信時には該スイッチングダイオ
ードを閉成し、該第２の帯域受信時には該スイッチング
ダイオードを開成し、該第２の帯域受信時に該高周波ト
ランジスタの出力と該並列回路とを開成された該スイッ
チングダイオードの端子間容量にて少なくとも結合し、
該第１の帯域用のコイルの一部をピーキング用コイルと
して使用するようにした構成を有する。
と、この第１の帯域より高い周波数の第２の帯域とを受
信するチューナにおいて、高周波トランジスタの出力に
直接接続された該第１の帯域用のコイルと、該第１及び
第２の帯域に共用される可変容量ダイオード及び該第２
の帯域用の共振線路の並列回路と、該高周波トランジス
タの出力と該第１の帯域用のコイルとの接続点と、該並
列回路との間に接続されたスイッチングダイオードとか
らなり、該第１の帯域受信時には該スイッチングダイオ
ードを閉成し、該第２の帯域受信時には該スイッチング
ダイオードを開成し、該第２の帯域受信時に該高周波ト
ランジスタの出力と該並列回路とを開成された該スイッ
チングダイオードの端子間容量にて少なくとも結合し、
該第１の帯域用のコイルの一部をピーキング用コイルと
して使用するようにした構成を有する。
〈作用〉 第１の帯域受信時はダイオードD11をオンとし、第２の
帯域受信時はオフとしてトランジスタの出力と並列回路
との結合は少なくとも小容量のダイオードD11の端子間
容量で結合される為、高域における同調回路の出力の低
下を防ぐ事ができる。
帯域受信時はオフとしてトランジスタの出力と並列回路
との結合は少なくとも小容量のダイオードD11の端子間
容量で結合される為、高域における同調回路の出力の低
下を防ぐ事ができる。
〈実施例〉 第１図は本発明の一実施例になる段間複同調回路が適用
される多バンドチューナの段間複同調回路のブロック図
を示す。
される多バンドチューナの段間複同調回路のブロック図
を示す。
16は入力フィルタ、17はVHF単同調回路、18はUHF単同調
回路19はVHF,UHF共用（以下単にＵ・Ｖ共用という）RF
増巾回路（高周波増巾回路）、20はVHF複同調回路、21
はUHF複同調回路、22はＵ・Ｖ共用発振器、23はＵ・Ｖ
共用ミキサ回路を夫々示す。
回路19はVHF,UHF共用（以下単にＵ・Ｖ共用という）RF
増巾回路（高周波増巾回路）、20はVHF複同調回路、21
はUHF複同調回路、22はＵ・Ｖ共用発振器、23はＵ・Ｖ
共用ミキサ回路を夫々示す。
C1はＵ・Ｖ共用の同調回路17及び18の同調用可変コンデ
ンサである。C2,C3はＵ・Ｖ共用の複同調回路20,21の可
変コンデンサである。
ンサである。C2,C3はＵ・Ｖ共用の複同調回路20,21の可
変コンデンサである。
VHF帯の受信時について説明する。端子２へ入来した信
号は入力フィルタでVHF帯の信号のみが通過し、VHF単同
調回路17で所望の局の周波数に選択同調され、RF増巾回
路19で所定レベルに増巾された後、複同調回路20で所定
の選択度特性が付与され、ミキサ回路23へ供給され、22
で発振器22からの周波数とで周波数変換され、周波数変
換されたIF出力信号は端子14へ出力される。
号は入力フィルタでVHF帯の信号のみが通過し、VHF単同
調回路17で所望の局の周波数に選択同調され、RF増巾回
路19で所定レベルに増巾された後、複同調回路20で所定
の選択度特性が付与され、ミキサ回路23へ供給され、22
で発振器22からの周波数とで周波数変換され、周波数変
換されたIF出力信号は端子14へ出力される。
次に、UHF信号の受信について説明する。端子１に入来
した信号は単同調回路18へ供給され、所望の局の周波数
に選択同調された後、RF増巾回路19を介してUHF同調回
路21へ供給されて所定の選択度特性が付与され、後続の
回路へ供給される。ミキサ回路23で前記と同様に周波数
変換され、IF信号として端子14へ出力される。
した信号は単同調回路18へ供給され、所望の局の周波数
に選択同調された後、RF増巾回路19を介してUHF同調回
路21へ供給されて所定の選択度特性が付与され、後続の
回路へ供給される。ミキサ回路23で前記と同様に周波数
変換され、IF信号として端子14へ出力される。
この様に入力同調回路17,18、段間同調回路21,22及び詳
細は後述する発振器22において可変容量素子をＵ・Ｖで
共用としている為、部品点数を消滅でき、又チューナ自
体を小形化する事ができる。
細は後述する発振器22において可変容量素子をＵ・Ｖで
共用としている為、部品点数を消滅でき、又チューナ自
体を小形化する事ができる。
次に本発明の実施例になる複同調回路を含む第１図の具
体的な回路図を第２図に示す。
体的な回路図を第２図に示す。
入力フィルタ16は、コイルL1,L2，コンデンサC7で構成
されるローパスフィルタ（LPF）とハイパスフィルタ（H
PF）とで構成され、VHF帯の周波数を通過させ、次の入
力単同調回路17,18へ供給される。
されるローパスフィルタ（LPF）とハイパスフィルタ（H
PF）とで構成され、VHF帯の周波数を通過させ、次の入
力単同調回路17,18へ供給される。
可変容量ダイオードDV1及びコイルL3〜L6でVHF帯の単同
調回路17を構成している。又インダクタ（共振線路）L8
と可変容量ダイオードDV1でUHF帯の単同調回路を構成し
ている。
調回路17を構成している。又インダクタ（共振線路）L8
と可変容量ダイオードDV1でUHF帯の単同調回路を構成し
ている。
VHF帯受信時の動作について説明する。VHF帯受信時はス
イッチング用ダイオードD2はオフ（非導通状態）であ
り、又インダクタL8のインダクタンスはVHF帯に対して
は無視できる程度の小さい値である。先ずVHF帯のロー
バンド（１〜３チャンネル）受信時は、端子VHからの電
圧の供給はなく、スイッチングダイオードD1はオフであ
り、同調回路はコイルL3〜L6及び可変容量ダイオードDV
1で形成され、同調周波数は端子DTから供給されるチュ
ーニング電圧で所望のチャンネル周波数に可変される。
他方ハイバンド受信時（４〜12チャンネル）はダイオー
ドD1は、端子VHから供給されるスイッチング用電圧によ
りオン（導通状態）となり、コイルL4,L5を短絡し、同
調回路はコイルL3,L6及び可変容量ダイオードDV1で構成
され、この容量ダイオードDV1により所望チャンネル
（周波数）に同調選択される。これら選択された信号は
結合コンデンサC14を介して次段のRF増巾回路19へ供給
される。
イッチング用ダイオードD2はオフ（非導通状態）であ
り、又インダクタL8のインダクタンスはVHF帯に対して
は無視できる程度の小さい値である。先ずVHF帯のロー
バンド（１〜３チャンネル）受信時は、端子VHからの電
圧の供給はなく、スイッチングダイオードD1はオフであ
り、同調回路はコイルL3〜L6及び可変容量ダイオードDV
1で形成され、同調周波数は端子DTから供給されるチュ
ーニング電圧で所望のチャンネル周波数に可変される。
他方ハイバンド受信時（４〜12チャンネル）はダイオー
ドD1は、端子VHから供給されるスイッチング用電圧によ
りオン（導通状態）となり、コイルL4,L5を短絡し、同
調回路はコイルL3,L6及び可変容量ダイオードDV1で構成
され、この容量ダイオードDV1により所望チャンネル
（周波数）に同調選択される。これら選択された信号は
結合コンデンサC14を介して次段のRF増巾回路19へ供給
される。
尚ローバンド受信時において、コンデンサC9,C10及びコ
イルL5,L6でローバンドのイメージ（208〜220MHz）除去
用のイリミネータを構成し、ハイバンド受信時におい
て、コンデンサC9,L10及びコイルL4〜L6でハイバンドの
イメージ阻止用のイリミネータを構成している。
イルL5,L6でローバンドのイメージ（208〜220MHz）除去
用のイリミネータを構成し、ハイバンド受信時におい
て、コンデンサC9,L10及びコイルL4〜L6でハイバンドの
イメージ阻止用のイリミネータを構成している。
次にUHF帯における単同調回路18及びその動作について
説明する。UHF帯受信時は、ダイオードD2に端子Ｕから
電圧が供給され、ダイオードD2はオンとなり、インダク
タL8の一端はローインピーダンスでアースされ、他端に
可変容量ダイオードDV1が接続されて、1/4λ型の同軸共
振器が形成される。インダクタL9は調整用のインダクタ
である。端子１から入来したUHF信号はコイルL7からイ
ンダクタL8へ誘導結合され、可変容量ダイオードDV1の
容量可変により所望チャンネルの周波数に選択同調さ
れ、その信号はコンデンサC14を介してFETトランジスタ
Q1へ供給される。
説明する。UHF帯受信時は、ダイオードD2に端子Ｕから
電圧が供給され、ダイオードD2はオンとなり、インダク
タL8の一端はローインピーダンスでアースされ、他端に
可変容量ダイオードDV1が接続されて、1/4λ型の同軸共
振器が形成される。インダクタL9は調整用のインダクタ
である。端子１から入来したUHF信号はコイルL7からイ
ンダクタL8へ誘導結合され、可変容量ダイオードDV1の
容量可変により所望チャンネルの周波数に選択同調さ
れ、その信号はコンデンサC14を介してFETトランジスタ
Q1へ供給される。
インダクタL8はダイオードD2によりローインピーダンス
で直接アースされる為、同調回路のＱを大きくでき、同
調出力レベルを大きくでき、特に高域での出力レベルの
低下を防止できる。
で直接アースされる為、同調回路のＱを大きくでき、同
調出力レベルを大きくでき、特に高域での出力レベルの
低下を防止できる。
尚C8,C11，は直流カット用のコンデンサである。
以上説明した入力同調回路は、VHF帯及びUHF帯のコイル
L3〜L6及びインダクタL8と可変容量ダイオードDV1を直
列接続とし、コイルL6及びインダクタL8の接続点をUHF
帯受信時にアースする為のダイオードD2を接続する構成
とした為、可変容量ダイオードDV1をＵ・Ｖで共用にす
る事ができ、部品類及び部品組付けスペースを削減でき
るという利点を有する。
L3〜L6及びインダクタL8と可変容量ダイオードDV1を直
列接続とし、コイルL6及びインダクタL8の接続点をUHF
帯受信時にアースする為のダイオードD2を接続する構成
とした為、可変容量ダイオードDV1をＵ・Ｖで共用にす
る事ができ、部品類及び部品組付けスペースを削減でき
るという利点を有する。
次にRF増巾回路19について説明する。入力単同調回路1
7,18からの出力はFETトランジスタQ1の第１ゲートG1に
供給され、第２ゲートG2には端子AGCからAGC電圧が供給
される。R1,R2はバイアス用の抵抗、D3はスイッチング
用のダイオードである。
7,18からの出力はFETトランジスタQ1の第１ゲートG1に
供給され、第２ゲートG2には端子AGCからAGC電圧が供給
される。R1,R2はバイアス用の抵抗、D3はスイッチング
用のダイオードである。
VHF帯の受信時は、ダイオードD3はオフであり、又コイ
ルL10はVHFの周波数帯に対してはそのインピーダンスは
小さくなるが、バイアス用抵抗R1,R2が高抵抗である
為、第１ゲートG1からみたインピーダンスは高く、従っ
て、VHF信号は減衰する事なく、トランジスタQ1で増巾
され、ドレインＤから次段の複同調回路20,21へ供給さ
れる。
ルL10はVHFの周波数帯に対してはそのインピーダンスは
小さくなるが、バイアス用抵抗R1,R2が高抵抗である
為、第１ゲートG1からみたインピーダンスは高く、従っ
て、VHF信号は減衰する事なく、トランジスタQ1で増巾
され、ドレインＤから次段の複同調回路20,21へ供給さ
れる。
他方UHF帯の受信時は、UHF受信時のみ端子Ｕから電圧が
供給されてダイオードD3がオンとなる。この状態で入力
されたUHF信号はQ1で増巾されて複同調回路20,21へ供給
される。UHF受信時にはその低域において、トランジス
タQ1のゲインが小さく、これを補正する為にインピーダ
ンスマッチング用のコイルL10が接続されている。第１
ゲートG1の入力容量は2PF程度である。UHF帯受信時はダ
イオードD3がオンとなり、こいるL10はコンデンサC15を
介してアースされており、従ってトランジスタQ1のG1入
力点は、入力容量（2PF）とコイルL10とで並列共振回路
が形成され、その共振周波数は300MHz付近に設定されて
いる。これにより、UHF帯の低域におけるゲインを大き
くして、トランジスタのゲインを全帯域で均一にしてい
る。
供給されてダイオードD3がオンとなる。この状態で入力
されたUHF信号はQ1で増巾されて複同調回路20,21へ供給
される。UHF受信時にはその低域において、トランジス
タQ1のゲインが小さく、これを補正する為にインピーダ
ンスマッチング用のコイルL10が接続されている。第１
ゲートG1の入力容量は2PF程度である。UHF帯受信時はダ
イオードD3がオンとなり、こいるL10はコンデンサC15を
介してアースされており、従ってトランジスタQ1のG1入
力点は、入力容量（2PF）とコイルL10とで並列共振回路
が形成され、その共振周波数は300MHz付近に設定されて
いる。これにより、UHF帯の低域におけるゲインを大き
くして、トランジスタのゲインを全帯域で均一にしてい
る。
次に複同調回路20,21について説明する。コイルL11〜L
15及びコンデンサC26,C27はVHF帯の並列共振回路を形成
し、インダクタL17,L18は同軸共振器（共振線路）であ
る。Ｕ・Ｖの同調周波数可変用の容量ダイオードはDV2
及びDV3が兼用されている。C16,C17,C28はアース用のコ
ンデンサ、C18は直流カット用のコンデンサ、C19はUHF
帯における結合用のコンデンサをそれぞれ示す。
15及びコンデンサC26,C27はVHF帯の並列共振回路を形成
し、インダクタL17,L18は同軸共振器（共振線路）であ
る。Ｕ・Ｖの同調周波数可変用の容量ダイオードはDV2
及びDV3が兼用されている。C16,C17,C28はアース用のコ
ンデンサ、C18は直流カット用のコンデンサ、C19はUHF
帯における結合用のコンデンサをそれぞれ示す。
この様な回路構成において、VHF帯受信時における回路
動作について説明する。VHF帯のローバンド受信時にお
いては、端子VLからの電圧はダイオードD14，抵抗R3，
こいるL11,L12,L15を介してトランジスタQ1のトレイン
Ｄへ供給される。このときダイオードD8,D9はオフであ
る。尚端子Ｂに供給されている電圧はＵ・Ｖ信号の受信
時は常に印加されている。ダイオードD11も端子VLから
の電源によりオンとされている。ダイオードD10,D13は
オフとされている。この状態において、複同調回路の１
次側の同調回路はコイルL11,L12,L15コンデンサC26とこ
れらに並列接続される可変容量ダイオードDV2によって
形成される。
動作について説明する。VHF帯のローバンド受信時にお
いては、端子VLからの電圧はダイオードD14，抵抗R3，
こいるL11,L12,L15を介してトランジスタQ1のトレイン
Ｄへ供給される。このときダイオードD8,D9はオフであ
る。尚端子Ｂに供給されている電圧はＵ・Ｖ信号の受信
時は常に印加されている。ダイオードD11も端子VLから
の電源によりオンとされている。ダイオードD10,D13は
オフとされている。この状態において、複同調回路の１
次側の同調回路はコイルL11,L12,L15コンデンサC26とこ
れらに並列接続される可変容量ダイオードDV2によって
形成される。
又、複同調回路２の２次側の同調回路は、コイルL13〜L
15、コンデンサC27,C24とこれらに並列接続される可変
容量ダイオードDV3によって形成される。尚、可変容量
ダイオードDV3に直列に接続されているインダクタのイ
ンダクタンスは小さくVHF帯に対しては無視できる。
15、コンデンサC27,C24とこれらに並列接続される可変
容量ダイオードDV3によって形成される。尚、可変容量
ダイオードDV3に直列に接続されているインダクタのイ
ンダクタンスは小さくVHF帯に対しては無視できる。
この複同調回路の同調は、端子VTから供給される可変電
圧によって可変容量ダイオードDV2,DV3の容量が可変さ
れて行われる。
圧によって可変容量ダイオードDV2,DV3の容量が可変さ
れて行われる。
次にVHF帯のハイバンド受信時について説明する。端子V
Hから供給される電圧は、ダイオードD6，抵抗R4，ダイ
オードD8，コイルL11を介してトランジスタQ1のＤへ供
給される。同時にダイオードD9,D4がオンとなり、ダイ
オードD10,D13はオフである。
Hから供給される電圧は、ダイオードD6，抵抗R4，ダイ
オードD8，コイルL11を介してトランジスタQ1のＤへ供
給される。同時にダイオードD9,D4がオンとなり、ダイ
オードD10,D13はオフである。
複同調回路の１次側の同調回路は、コイルL11と可変容
量ダイオードDV2の並列回路で構成される。２次側の同
調回路はコイルL13，コンデンサC24に並列に接続される
可変容量ダイオードDV3とで構成される。
量ダイオードDV2の並列回路で構成される。２次側の同
調回路はコイルL13，コンデンサC24に並列に接続される
可変容量ダイオードDV3とで構成される。
これらの複同回路は前記と同様可変容量ダイオードDV2,
DV3によって所望チャンネル周波数に同調がとられる。
DV3によって所望チャンネル周波数に同調がとられる。
VHF帯における複同回路からの出力はインダクタL21，マ
ッチング用コイルL22を介してミキサ回路23へ供給され
る。
ッチング用コイルL22を介してミキサ回路23へ供給され
る。
次にUHF帯受信時の回路動作について説明する。端子Ｕ
に印加された電圧によってダイオードD7〜D10，D13をオ
ンとし、そしてトランジスタQ1のドレインＤへ電圧を供
給する。他方ダイオードD11はオフとなる。１次側の同
調回路はインダクタL17と可変容量ダイオードDV2の並列
回路によって形成される。
に印加された電圧によってダイオードD7〜D10，D13をオ
ンとし、そしてトランジスタQ1のドレインＤへ電圧を供
給する。他方ダイオードD11はオフとなる。１次側の同
調回路はインダクタL17と可変容量ダイオードDV2の並列
回路によって形成される。
２次側の同調回路はインダクタL18及び可変容量ダイオ
ードDV3の並列回路で形成される。
ードDV3の並列回路で形成される。
L19,L20は調整用のインダクタであり、１次側と２次側
は結合用窓28で結合されている。複同調回路の出力はイ
ンダクタL18と電磁結合しているL21によって取出され次
段のミキサ回路23へ供給される。
は結合用窓28で結合されている。複同調回路の出力はイ
ンダクタL18と電磁結合しているL21によって取出され次
段のミキサ回路23へ供給される。
トランジスタQ1のドレインＤとUHF帯の１次側同調回路
との結合はオフとなっているダイオードD11の端子間容
量（略1PF）と2PFのコンデンサC19によって行われてい
る。従って結合の合成容量は3PF程度となっている。こ
れがダイオードの端子間容量のみで済む場合はコンデン
サC11は部品点数が少なくなるので省略した方が良い。
この様にドレインＤとDV2及びL17の並列回路を小容量で
結合した為、ドレインＤから同調回路をみたインピーダ
ンスの低下がなく、特に高域においてそれを防止できる
為、高域での同調出力の低下を防止できる。この回路に
よる同調回路の出力のカーブを第４図に実線38で示す。
これで分子様にUHFの帯域内（470〜770MHz）での出力レ
ベルは均一化されている。
との結合はオフとなっているダイオードD11の端子間容
量（略1PF）と2PFのコンデンサC19によって行われてい
る。従って結合の合成容量は3PF程度となっている。こ
れがダイオードの端子間容量のみで済む場合はコンデン
サC11は部品点数が少なくなるので省略した方が良い。
この様にドレインＤとDV2及びL17の並列回路を小容量で
結合した為、ドレインＤから同調回路をみたインピーダ
ンスの低下がなく、特に高域においてそれを防止できる
為、高域での同調出力の低下を防止できる。この回路に
よる同調回路の出力のカーブを第４図に実線38で示す。
これで分子様にUHFの帯域内（470〜770MHz）での出力レ
ベルは均一化されている。
尚一端がC19に接続され、他端が交流的にアースされて
いるコイルL11はピーキング用に使用されている。これ
はVHF受信時は同調用コイルとして、又、UHF受信時では
ピーキングコイルとに兼用されている。
いるコイルL11はピーキング用に使用されている。これ
はVHF受信時は同調用コイルとして、又、UHF受信時では
ピーキングコイルとに兼用されている。
以上説明した様に複同回路20,21は可変容量ダイオードD
V2,DV3をＵ・Ｖ同調において兼用されており、部品点数
を削減できるという利点がある。
V2,DV3をＵ・Ｖ同調において兼用されており、部品点数
を削減できるという利点がある。
発振回路22及びミキサ回路23は本発明には直接関係がな
いので詳細な説明は省略する。
いので詳細な説明は省略する。
〈発明の効果〉 本発明になる多バンドチューナの段間同調回路は、VHF
帯受信時における可変容量ダイオードDV2とコイルL11,L
12,L15とはダイオードD11の閉成により接続される為、
ローインピーダンスで接続される事になり、ロスの少な
い同調回路を形成できる。
帯受信時における可変容量ダイオードDV2とコイルL11,L
12,L15とはダイオードD11の閉成により接続される為、
ローインピーダンスで接続される事になり、ロスの少な
い同調回路を形成できる。
又、UHF受信時は、トランジスタの出力と並列共振回路D
V2,L17との結合は、開成されたダイオードD11の端子間
容量と補助容量C19との小容量で行われる為、トランジ
スタの出力から同調回路側をみたインピーダンスの低下
がなく、特に高域での同調回路の出力の低下がなくなり
全帯域に亘って出力レベルを均一にできる。
V2,L17との結合は、開成されたダイオードD11の端子間
容量と補助容量C19との小容量で行われる為、トランジ
スタの出力から同調回路側をみたインピーダンスの低下
がなく、特に高域での同調回路の出力の低下がなくなり
全帯域に亘って出力レベルを均一にできる。
又、UHF受信時には、上記コイルL11をピーキング用とし
て使用することができるものである。
て使用することができるものである。
第１図は本発明になる段間複同調回路が適用されたチュ
ーナの回路ブロック図、第２図は本発明の一実施例にな
る段間複同調回路を含む第１図の具体的回路図、第３図
は従来の同調回路図、第４図は同調回路の出力特性の図
を夫々示す。 20……VHF複同調回路、21……UHF複同調回路、L11,L15
……コイル、L17〜L20……インダクタ、D8〜D11,D13…
…スイッチング用ダイオード、DV2,DV3……可変容量ダ
イオード。
ーナの回路ブロック図、第２図は本発明の一実施例にな
る段間複同調回路を含む第１図の具体的回路図、第３図
は従来の同調回路図、第４図は同調回路の出力特性の図
を夫々示す。 20……VHF複同調回路、21……UHF複同調回路、L11,L15
……コイル、L17〜L20……インダクタ、D8〜D11,D13…
…スイッチング用ダイオード、DV2,DV3……可変容量ダ
イオード。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の帯域と、この第１の帯域より高い周
波数の第２の帯域とを受信するチューナにおいて、 高周波トランジスタの出力に直接接続された該第１の帯
域用のコイルと、 該第１及び第２の帯域に共用される可変容量ダイオード
及び該第２の帯域用の共振線路の並列回路と、 該高周波トランジスタの出力と該第１の帯域用のコイル
との接続点と、該並列回路との間に接続されたスイッチ
ングダイオードとからなり、 該第１の帯域受信時には該スイッチングダイオードを閉
成し、 該第２の帯域受信時には該スイッチングダイオードを開
成し、 該第２の帯域受信時に該高周波トランジスタの出力と該
並列回路とを開成された該スイッチングダイオードの端
子間容量にて少なくとも結合し、該第１の帯域用のコイ
ルの一部をピーキング用コイルとして使用するようにし
たことを特徴とする多バンドチューナの段間同調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180728A JPH07123231B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 多バンドチユ−ナの段間同調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180728A JPH07123231B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 多バンドチユ−ナの段間同調回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336619A JPS6336619A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH07123231B2 true JPH07123231B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=16088265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61180728A Expired - Lifetime JPH07123231B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 多バンドチユ−ナの段間同調回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123231B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271327A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 付加型イミド樹脂プリプレグ |
| EP1249584B1 (en) | 2000-01-21 | 2005-09-28 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Combustion gas purifier and internal combustion engine |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR860001701B1 (ko) * | 1984-12-21 | 1986-10-17 | 삼성전자부품 주식회사 | 텔레비젼의 동조회로 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP61180728A patent/JPH07123231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6336619A (ja) | 1988-02-17 |
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