JPH07122584A - 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット - Google Patents
半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレットInfo
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- JPH07122584A JPH07122584A JP27050593A JP27050593A JPH07122584A JP H07122584 A JPH07122584 A JP H07122584A JP 27050593 A JP27050593 A JP 27050593A JP 27050593 A JP27050593 A JP 27050593A JP H07122584 A JPH07122584 A JP H07122584A
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- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 局所的に供給されたダイボンドペーストの赤
外線検出素子１への這い上がりを防止する。 【構成】 筒状本体部１１ａを有する、マウントコレッ
ト１１の先端を、略四角錐状に凹ませて吸着口１１ｂを
形成すると共に、吸着口１１ｂの周縁部の、ダイボンド
ペースト１６の塗布位置の上方にあたる部分に、吸着口
１１ｂの内面からマウントコレット１１の外側面に達す
る凹部１１ｄを形成した。 【効果】 ダイボンドペースト１６の這い上がりを防止
でき、脆弱な赤外線検出素子１に損傷を与えずに従来の
実装装置を流用して実装を行うことができる。
外線検出素子１への這い上がりを防止する。 【構成】 筒状本体部１１ａを有する、マウントコレッ
ト１１の先端を、略四角錐状に凹ませて吸着口１１ｂを
形成すると共に、吸着口１１ｂの周縁部の、ダイボンド
ペースト１６の塗布位置の上方にあたる部分に、吸着口
１１ｂの内面からマウントコレット１１の外側面に達す
る凹部１１ｄを形成した。 【効果】 ダイボンドペースト１６の這い上がりを防止
でき、脆弱な赤外線検出素子１に損傷を与えずに従来の
実装装置を流用して実装を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのダイボ
ンド工程に用いる実装装置（ダイボンダ）及びそれに用
いられるマウントコレットに関するものである。
ンド工程に用いる実装装置（ダイボンダ）及びそれに用
いられるマウントコレットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本願発明は、半導体製造過程におけるダ
イボンド工程で、脆弱な半導体チップを、真空吸着力を
利用して基板に実装する実装装置（ダイボンダ）及び、
その実装装置に具備される、半導体チップを吸着する治
具であるマウントコレットの構造に関するものである。
イボンド工程で、脆弱な半導体チップを、真空吸着力を
利用して基板に実装する実装装置（ダイボンダ）及び、
その実装装置に具備される、半導体チップを吸着する治
具であるマウントコレットの構造に関するものである。
【０００３】まず、その対象となる脆弱な半導体チップ
の一例を図３に基づき説明する。図は赤外線検出素子１
の構造を示したもので、（ａ）は斜め上方からみた斜視
図、（ｂ）は A-A断面図である。図において、略正方形
平板状の半導体基板２の表面には、熱絶縁膜３が形成さ
れ、さらにその上部には赤外線を感知する４個のサーミ
スタ４が実装されている。その他、各サーミスタ４を電
気的に接続する配線部５及び外部回路と接続するための
電極パッド６が熱絶縁膜３上に形成されている。サーミ
スタ４下部の半導体基板部分は除去されており、略四角
錐台状の空隙部２ａが形成されている。このように、空
隙部２ａ上の熱絶縁膜３上にサーミスタ４を形成するこ
とによって、赤外線を受けて温度上昇したサーミスタ４
の熱が伝導によって逃げにくくなり、赤外線検出の感度
を高めることができる。
の一例を図３に基づき説明する。図は赤外線検出素子１
の構造を示したもので、（ａ）は斜め上方からみた斜視
図、（ｂ）は A-A断面図である。図において、略正方形
平板状の半導体基板２の表面には、熱絶縁膜３が形成さ
れ、さらにその上部には赤外線を感知する４個のサーミ
スタ４が実装されている。その他、各サーミスタ４を電
気的に接続する配線部５及び外部回路と接続するための
電極パッド６が熱絶縁膜３上に形成されている。サーミ
スタ４下部の半導体基板部分は除去されており、略四角
錐台状の空隙部２ａが形成されている。このように、空
隙部２ａ上の熱絶縁膜３上にサーミスタ４を形成するこ
とによって、赤外線を受けて温度上昇したサーミスタ４
の熱が伝導によって逃げにくくなり、赤外線検出の感度
を高めることができる。
【０００４】次に、実装装置であるダイボンダの一例を
図４に示す。但し、ダイボンダの本発明に関する主要部
のみを示し、他の部分は省略する。図において、７は直
方体状の取付台、８は取付台７上に固定された略円板状
のセンタリングステージ、９はセンタリングステージ８
上に搬送された赤外線検出素子１を移動させて位置出し
を行う、先端７字形のセンタリングピンで、水平方向に
移動可能に構成されている。１０はホルダーで、センタ
リングステージ８と、後述するチップマウント装置１２
の搬送ステージ１３間を移動可能に、また、上下に移動
可能に構成されている。１１はホルダー１０の先端に取
り付けられたマウントコレットで、赤外線検出素子１を
真空圧で吸着する治具である。赤外線検出素子１は、セ
ンタリングステージ８上で、センタリングピン９によっ
て所定の位置まで水平方向に移動させられて位置出しが
行われる。その後、赤外線検出素子１は、マウントコレ
ット１１の先端に発生する真空吸着力によって吸着さ
れ、センタリングステージ８上から、チップマウント装
置１２の搬送ステージ１３上に配置された基板１４（ス
テム）上に搬送される。
図４に示す。但し、ダイボンダの本発明に関する主要部
のみを示し、他の部分は省略する。図において、７は直
方体状の取付台、８は取付台７上に固定された略円板状
のセンタリングステージ、９はセンタリングステージ８
上に搬送された赤外線検出素子１を移動させて位置出し
を行う、先端７字形のセンタリングピンで、水平方向に
移動可能に構成されている。１０はホルダーで、センタ
リングステージ８と、後述するチップマウント装置１２
の搬送ステージ１３間を移動可能に、また、上下に移動
可能に構成されている。１１はホルダー１０の先端に取
り付けられたマウントコレットで、赤外線検出素子１を
真空圧で吸着する治具である。赤外線検出素子１は、セ
ンタリングステージ８上で、センタリングピン９によっ
て所定の位置まで水平方向に移動させられて位置出しが
行われる。その後、赤外線検出素子１は、マウントコレ
ット１１の先端に発生する真空吸着力によって吸着さ
れ、センタリングステージ８上から、チップマウント装
置１２の搬送ステージ１３上に配置された基板１４（ス
テム）上に搬送される。
【０００５】チップマウント装置１２は、基板（ステ
ム）１４上にダイボンドペーストを介して半導体チップ
（赤外線検出素子１）を実装する装置で、搬送ステージ
１３とその周辺構成及びダイボンドペーストを供給する
部分等から構成されるが、搬送ステージ１３周辺の構成
について説明することとし、他の部分の説明は省略す
る。搬送ステージ１３上には、長尺状のキャリアフィル
ム１５が固定されており、そのキャリアフィルム１５上
には、長手方向に一定間隔を隔てて、基板１４（ステ
ム）が配置されている。基板１４上にダイボンドペース
トが供給された後、そのダイボンドペースト上にホルダ
ー１０によって赤外線検出素子１が搬送される。その
後、加熱処理されて基板１４上への赤外線検出素子１の
実装が完了する。
ム）１４上にダイボンドペーストを介して半導体チップ
（赤外線検出素子１）を実装する装置で、搬送ステージ
１３とその周辺構成及びダイボンドペーストを供給する
部分等から構成されるが、搬送ステージ１３周辺の構成
について説明することとし、他の部分の説明は省略す
る。搬送ステージ１３上には、長尺状のキャリアフィル
ム１５が固定されており、そのキャリアフィルム１５上
には、長手方向に一定間隔を隔てて、基板１４（ステ
ム）が配置されている。基板１４上にダイボンドペース
トが供給された後、そのダイボンドペースト上にホルダ
ー１０によって赤外線検出素子１が搬送される。その
後、加熱処理されて基板１４上への赤外線検出素子１の
実装が完了する。
【０００６】図５に、マウントコレット１１の先端形状
の一例を示す。（ａ）は先端の端面構造を示す下面図、
（ｂ）は内部構造を示す垂直断面図である。また、点線
で示される平板状のものは、半導体チップ（赤外線検出
素子１）で、マウントコレット１１に吸着された状態を
示すものである。図に示すように、筒状本体部１１ａの
先端端面には、略四角錐状に凹んだ吸着口１１ｂが形成
されている。さらに、その吸着口１１ｂに通ずる貫通孔
１１ｃがマウントコレット１１内部に形成されており、
貫通孔１１ｃの他方の開口は、真空ポンプ等に接続され
たエアー配管に接続されている。真空ポンプ等によって
マウントコレット１１の吸着口１１ｂに真空吸着力を発
生させると、赤外線検出素子１は、その上面周縁の辺部
分が吸着口１１ｂの側面に当接した状態で、マウントコ
レット１１に吸着される。マウントコレット１１に吸着
された赤外線検出素子１は、図４に示したように、基板
１４（ステム）上に、ダイボンドペーストを介して実装
される。
の一例を示す。（ａ）は先端の端面構造を示す下面図、
（ｂ）は内部構造を示す垂直断面図である。また、点線
で示される平板状のものは、半導体チップ（赤外線検出
素子１）で、マウントコレット１１に吸着された状態を
示すものである。図に示すように、筒状本体部１１ａの
先端端面には、略四角錐状に凹んだ吸着口１１ｂが形成
されている。さらに、その吸着口１１ｂに通ずる貫通孔
１１ｃがマウントコレット１１内部に形成されており、
貫通孔１１ｃの他方の開口は、真空ポンプ等に接続され
たエアー配管に接続されている。真空ポンプ等によって
マウントコレット１１の吸着口１１ｂに真空吸着力を発
生させると、赤外線検出素子１は、その上面周縁の辺部
分が吸着口１１ｂの側面に当接した状態で、マウントコ
レット１１に吸着される。マウントコレット１１に吸着
された赤外線検出素子１は、図４に示したように、基板
１４（ステム）上に、ダイボンドペーストを介して実装
される。
【０００７】図６に、図３に示した赤外線検出素子１を
実装する場合の、基板１４へのダイボンドペースト１６
の供給位置を示す。（ａ）は、ダイボンドペースト１６
を供給した基板１４の平面図、（ｂ）は、基板１４の側
面図である。（ａ）において、略四角形の点線で示され
る部分は、赤外線検出素子１の実装位置１７であり、ダ
イボンドペースト１６は、実装位置１７の４つの外周辺
略中央部分に供給されている。
実装する場合の、基板１４へのダイボンドペースト１６
の供給位置を示す。（ａ）は、ダイボンドペースト１６
を供給した基板１４の平面図、（ｂ）は、基板１４の側
面図である。（ａ）において、略四角形の点線で示され
る部分は、赤外線検出素子１の実装位置１７であり、ダ
イボンドペースト１６は、実装位置１７の４つの外周辺
略中央部分に供給されている。
【０００８】図６に示したように供給されたダイボンド
ペースト１６上に赤外線検出素子１を配置した状態を図
７に示す。（ａ）は基板１４の平面図、（ｂ）は基板１
４上に、マウントコレット１１に吸着された赤外線検出
素子１をダイボンドペースト１６を介して、搭載した状
態を示す断面図である。（ａ）に示すように、ダイボン
ドペースト１６の供給位置は、赤外線検出素子１の電極
パッド６の下方にあたる。これは、電極パッド６には、
ワイヤボンディングする際に圧力が印加されるために、
電極パッド６の部分を支持して、チップ割れを防止する
必要があるためと、電極パッド６に印加される超音波エ
ネルギーを拡散させてしまわないように固定するためで
ある。また、赤外線検出素子１の実装位置１７の全面に
ダイボンドペースト１６を供給しないのは、空隙部２ａ
にダイボンドペースト１６が這い上がってサーミスタの
熱を逃がしてしまい、感度が低下するのを防止するため
である。
ペースト１６上に赤外線検出素子１を配置した状態を図
７に示す。（ａ）は基板１４の平面図、（ｂ）は基板１
４上に、マウントコレット１１に吸着された赤外線検出
素子１をダイボンドペースト１６を介して、搭載した状
態を示す断面図である。（ａ）に示すように、ダイボン
ドペースト１６の供給位置は、赤外線検出素子１の電極
パッド６の下方にあたる。これは、電極パッド６には、
ワイヤボンディングする際に圧力が印加されるために、
電極パッド６の部分を支持して、チップ割れを防止する
必要があるためと、電極パッド６に印加される超音波エ
ネルギーを拡散させてしまわないように固定するためで
ある。また、赤外線検出素子１の実装位置１７の全面に
ダイボンドペースト１６を供給しないのは、空隙部２ａ
にダイボンドペースト１６が這い上がってサーミスタの
熱を逃がしてしまい、感度が低下するのを防止するため
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、赤外線
検出素子１に形成された熱絶縁膜２は、脆弱な薄膜であ
るため外部からのストレスに弱く、破損しやすいという
問題点があった。このため、真空吸着力により半導体チ
ップを吸着する方式のダイボンダを用いて、赤外線検出
素子１のチップを、基板１４上に実装することが難し
く、個々のチップをピンセット等で扱って実装してい
た。
検出素子１に形成された熱絶縁膜２は、脆弱な薄膜であ
るため外部からのストレスに弱く、破損しやすいという
問題点があった。このため、真空吸着力により半導体チ
ップを吸着する方式のダイボンダを用いて、赤外線検出
素子１のチップを、基板１４上に実装することが難し
く、個々のチップをピンセット等で扱って実装してい
た。
【００１０】また、基板１４上へのダイボンドペースト
１６の供給は、例えば、転写ピン（図示省略）の先端に
ダイボンドペースト１６を付着させて、基板１４の表面
に転写することによって行われるが、転写ピンが傾いて
いたりすると、ダイボンドペーストが、４つの供給位置
に均一に供給されなくなり、図８に示すように、ダイボ
ンドペースト１６の供給量が供給位置によって異なって
くる。塗布量が多少、少なくなっても性能にに及ぼす影
響は小さく、不良にはなりにくい。しかし、過多に塗布
された場合は、図９に示す通り、マウントコレット１１
と赤外線検出素子１の隙間から、ダイボンドペースト１
６が這い上がり、赤外線検出素子１の表面に付着する。
赤外線検出素子１の表面には、電極パッド６が形成され
ているため、電極パッド６にダイボンドペースト１６が
付着すると、ワイヤボンド性を阻害する原因となるわけ
である。また、実際の製造工程では、ダイボンド外観不
良として不良品となることもあった。
１６の供給は、例えば、転写ピン（図示省略）の先端に
ダイボンドペースト１６を付着させて、基板１４の表面
に転写することによって行われるが、転写ピンが傾いて
いたりすると、ダイボンドペーストが、４つの供給位置
に均一に供給されなくなり、図８に示すように、ダイボ
ンドペースト１６の供給量が供給位置によって異なって
くる。塗布量が多少、少なくなっても性能にに及ぼす影
響は小さく、不良にはなりにくい。しかし、過多に塗布
された場合は、図９に示す通り、マウントコレット１１
と赤外線検出素子１の隙間から、ダイボンドペースト１
６が這い上がり、赤外線検出素子１の表面に付着する。
赤外線検出素子１の表面には、電極パッド６が形成され
ているため、電極パッド６にダイボンドペースト１６が
付着すると、ワイヤボンド性を阻害する原因となるわけ
である。また、実際の製造工程では、ダイボンド外観不
良として不良品となることもあった。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、脆弱な半導体チップのダ
イボンドに使用でき、局所的に塗布されたダイボンドペ
ーストの半導体チップ表面への這い上がりを防止できる
半導体装置の実装装置及びその実装装置に用いられるマ
ウントコレットの構造を提供することにある。
で、その目的とするところは、脆弱な半導体チップのダ
イボンドに使用でき、局所的に塗布されたダイボンドペ
ーストの半導体チップ表面への這い上がりを防止できる
半導体装置の実装装置及びその実装装置に用いられるマ
ウントコレットの構造を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の半導体装置の実装装置は、半導体チ
ップを、吸着治具であるマウントコレット先端に発生す
る真空圧で吸着し、基板上の前記半導体チップ実装位置
に局所的に供給されたダイボンドペースト上に、前記半
導体チップを実装する半導体装置の実装装置において、
筒状本体部を有する、前記マウントコレットの先端を、
略四角錐状に凹ませて吸着口を形成すると共に、その吸
着口の周縁部の、前記ダイボンドペーストの塗布位置の
上方にあたる部分に、前記吸着口内面から前記マウント
コレットの外側面に達する凹部を形成したことを特徴と
するものである。
め、請求項１記載の半導体装置の実装装置は、半導体チ
ップを、吸着治具であるマウントコレット先端に発生す
る真空圧で吸着し、基板上の前記半導体チップ実装位置
に局所的に供給されたダイボンドペースト上に、前記半
導体チップを実装する半導体装置の実装装置において、
筒状本体部を有する、前記マウントコレットの先端を、
略四角錐状に凹ませて吸着口を形成すると共に、その吸
着口の周縁部の、前記ダイボンドペーストの塗布位置の
上方にあたる部分に、前記吸着口内面から前記マウント
コレットの外側面に達する凹部を形成したことを特徴と
するものである。
【００１３】請求項２記載のマウントコレットは、筒状
本体部の先端部分に、略四角錐状に凹んだ吸着口が形成
されていると共に、その吸着口の周縁部の、前記ダイボ
ンドペーストの供給位置の上方にあたる部分に、前記吸
着口内面から前記マウントコレットの外側面に達する凹
部を形成したことを特徴とするものである。
本体部の先端部分に、略四角錐状に凹んだ吸着口が形成
されていると共に、その吸着口の周縁部の、前記ダイボ
ンドペーストの供給位置の上方にあたる部分に、前記吸
着口内面から前記マウントコレットの外側面に達する凹
部を形成したことを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】図１に示すように、筒状本体部１１ａを有する
マウントコレット１１の先端部には、略四角錐状に凹ん
だ吸着口１１ｂが形成されており、その吸着口１１ｂ周
縁部分の、基板１４上に局所的に配置されるダイボンド
ペースト１６の塗布位置の上方にあたる箇所に、吸着口
１１ｂ内面からマウントコレット１１の外側面に達する
凹部を形成したので、ダイボンドペースト１６の塗布位
置上方では、マウントコレット１１は、赤外線検出素子
１に接触していないので、前述したような、赤外線検出
素子１表面へのダイボンドペースト１６の這い上がりが
発生しない。
マウントコレット１１の先端部には、略四角錐状に凹ん
だ吸着口１１ｂが形成されており、その吸着口１１ｂ周
縁部分の、基板１４上に局所的に配置されるダイボンド
ペースト１６の塗布位置の上方にあたる箇所に、吸着口
１１ｂ内面からマウントコレット１１の外側面に達する
凹部を形成したので、ダイボンドペースト１６の塗布位
置上方では、マウントコレット１１は、赤外線検出素子
１に接触していないので、前述したような、赤外線検出
素子１表面へのダイボンドペースト１６の這い上がりが
発生しない。
【００１５】また、上述した凹部１１ｄが、エアーのリ
ークエリアとなるので、マウントコレット１１が赤外線
検出素子１を吸着した途端に、赤外線検出素子１にかか
る吸着真空圧が急激に高まることがないため、つまり、
マウントコレット１１先端における、赤外線検出素子１
吸着前後の吸着真空圧の変化が、リークエリアを設けな
い場合に比べて小さくなり、赤外線検出素子１にかかる
真空吸着力を調整し易くなるため、赤外線検出素子１の
吸着がソフトに行え、脆弱な赤外線検出素子１を破損さ
せることがない。
ークエリアとなるので、マウントコレット１１が赤外線
検出素子１を吸着した途端に、赤外線検出素子１にかか
る吸着真空圧が急激に高まることがないため、つまり、
マウントコレット１１先端における、赤外線検出素子１
吸着前後の吸着真空圧の変化が、リークエリアを設けな
い場合に比べて小さくなり、赤外線検出素子１にかかる
真空吸着力を調整し易くなるため、赤外線検出素子１の
吸着がソフトに行え、脆弱な赤外線検出素子１を破損さ
せることがない。
【００１６】
【実施例】本願発明に係る実装装置（ダイボンダ）は、
半導体チップを真空吸着力で吸着するマウントコレット
の構造にその特徴があり、その他の構成は図４に一部の
構成を示したダイボンダの構成と同様であるので、従来
例と異なる部分について説明する。
半導体チップを真空吸着力で吸着するマウントコレット
の構造にその特徴があり、その他の構成は図４に一部の
構成を示したダイボンダの構成と同様であるので、従来
例と異なる部分について説明する。
【００１７】図２に本願発明に係るマウントコレット１
１の一実施例を示す。図において、（ａ）はマウントコ
レット１１の先端構造を示す下面図、（ｂ）はマウント
コレット１１の内部構造を示す垂直断面図である。図に
示すように、筒状本体部１１ａを有するマウントコレッ
ト１１の先端には、略四角錐状に凹んだ吸着口１１ｂが
形成されていると共に、マウントコレット１１内部に
は、吸着口１１ｂにつながる貫通穴１１ｃが形成されて
いる。この吸着口１１ｂの開口面の形状は、吸着口１１
ｂの側面で赤外線検出素子１を吸着できるように、赤外
線検出素子１の外形と相似形に形成されていると共に、
その大きさは、赤外線検出素子１の外形より大きく形成
されている。
１の一実施例を示す。図において、（ａ）はマウントコ
レット１１の先端構造を示す下面図、（ｂ）はマウント
コレット１１の内部構造を示す垂直断面図である。図に
示すように、筒状本体部１１ａを有するマウントコレッ
ト１１の先端には、略四角錐状に凹んだ吸着口１１ｂが
形成されていると共に、マウントコレット１１内部に
は、吸着口１１ｂにつながる貫通穴１１ｃが形成されて
いる。この吸着口１１ｂの開口面の形状は、吸着口１１
ｂの側面で赤外線検出素子１を吸着できるように、赤外
線検出素子１の外形と相似形に形成されていると共に、
その大きさは、赤外線検出素子１の外形より大きく形成
されている。
【００１８】貫通穴１１ｃの他方の開口はエアー配管
（図示省略）を介して真空ポンプに接続されており、エ
アー配管及び貫通穴１１ｃを介してマウントコレット１
１の吸着口１１ｂに真空吸着力が発生するように構成さ
れている。さらに、吸着口１１ｂの４つの底辺中央部分
には、吸着口１１ｂの内面からマウントコレット１１の
外側面に達する凹部１１ｄが形成されている。この凹部
１１ｄには、後述するように、リークエリアとしての機
能をもたせるため、赤外線検出素子１を吸着した状態で
も、凹部１１ｄを介してエアーが漏洩するように形成さ
れている。
（図示省略）を介して真空ポンプに接続されており、エ
アー配管及び貫通穴１１ｃを介してマウントコレット１
１の吸着口１１ｂに真空吸着力が発生するように構成さ
れている。さらに、吸着口１１ｂの４つの底辺中央部分
には、吸着口１１ｂの内面からマウントコレット１１の
外側面に達する凹部１１ｄが形成されている。この凹部
１１ｄには、後述するように、リークエリアとしての機
能をもたせるため、赤外線検出素子１を吸着した状態で
も、凹部１１ｄを介してエアーが漏洩するように形成さ
れている。
【００１９】上記のように構成したマウントコレット１
１を用いて、赤外線検出素子１を基板１４上に実装した
状態を図１の断面図に示す。図に示すように、マウント
コレット１１には、凹部１１ｄが形成されているため、
赤外線検出素子１を吸着した状態でも、ダイボンドペー
スト１６の塗布位置の上方では、赤外線検出素子１とマ
ウントコレット１１は接触していないので、ダイボンド
ペースト１６の塗布量が多くなっても、赤外線検出素子
１の表面へのダイボンドペースト１６の這い上がりが発
生していない。
１を用いて、赤外線検出素子１を基板１４上に実装した
状態を図１の断面図に示す。図に示すように、マウント
コレット１１には、凹部１１ｄが形成されているため、
赤外線検出素子１を吸着した状態でも、ダイボンドペー
スト１６の塗布位置の上方では、赤外線検出素子１とマ
ウントコレット１１は接触していないので、ダイボンド
ペースト１６の塗布量が多くなっても、赤外線検出素子
１の表面へのダイボンドペースト１６の這い上がりが発
生していない。
【００２０】また、赤外線検出素子１を吸着した状態で
も、凹部１１ｄを通して、エアーがマウントコレット１
１内部にリークするように構成しておくことで、赤外線
検出素子１を吸着した途端に真空吸着力が急激に高まる
ことがなく、赤外線検出素子１に過度のストレスをかけ
ずに吸着することができる。真空吸着力は、吸着口１１
ｂや凹部１１ｄの形状及び凹部１１ｄの数を変えること
によっても調整することができる。
も、凹部１１ｄを通して、エアーがマウントコレット１
１内部にリークするように構成しておくことで、赤外線
検出素子１を吸着した途端に真空吸着力が急激に高まる
ことがなく、赤外線検出素子１に過度のストレスをかけ
ずに吸着することができる。真空吸着力は、吸着口１１
ｂや凹部１１ｄの形状及び凹部１１ｄの数を変えること
によっても調整することができる。
【００２１】以上のようなマウントコレットを用いてダ
イボンダを構成することによって、脆弱な半導体チップ
のダイボンドを、一般のＩＣ製造に用いられているダイ
ボンダを流用して行うことができるため、大幅な合理化
を図ることができる。
イボンダを構成することによって、脆弱な半導体チップ
のダイボンドを、一般のＩＣ製造に用いられているダイ
ボンダを流用して行うことができるため、大幅な合理化
を図ることができる。
【００２２】なお、マウントコレット先端部の形状は、
実施例に限定されるものではなく、半導体チップの形状
に合わせて変えればよい。脆弱な半導体チップとして、
上記の実施例では、薄膜を備えた赤外線検出素子を示し
たが、薄膜構造を有するピエゾ素子圧力センサ、片持ち
張り構造を半導体基板に形成した加速度検出素子等のマ
イクロマシニング技術を用いた脆弱な三次元微細加工素
子にも適用することができる。
実施例に限定されるものではなく、半導体チップの形状
に合わせて変えればよい。脆弱な半導体チップとして、
上記の実施例では、薄膜を備えた赤外線検出素子を示し
たが、薄膜構造を有するピエゾ素子圧力センサ、片持ち
張り構造を半導体基板に形成した加速度検出素子等のマ
イクロマシニング技術を用いた脆弱な三次元微細加工素
子にも適用することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明に係るマウ
ントコレット及びそれを用いた半導体装置の実装装置に
よれば、脆弱な半導体チップに損傷を与えずに従来の実
装装置を流用して実装を行うことができると共に、局所
的に供給されたダイボンドペーストが半導体チップに這
い上がることによる不良の発生を防止することができ
る。
ントコレット及びそれを用いた半導体装置の実装装置に
よれば、脆弱な半導体チップに損傷を与えずに従来の実
装装置を流用して実装を行うことができると共に、局所
的に供給されたダイボンドペーストが半導体チップに這
い上がることによる不良の発生を防止することができ
る。
【図１】本発明に係るマウントコレットを用いて赤外線
検出素子を基板に搭載した状態を示す断面図である。
検出素子を基板に搭載した状態を示す断面図である。
【図２】本発明に係るマウントコレットの一実施例を示
す図で、（ａ）は下面図、（ｂ）は垂直断面図である。
す図で、（ａ）は下面図、（ｂ）は垂直断面図である。
【図３】本発明に係る実装装置の一実装対象となる赤外
線検出素子を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は A-A
断面図である。
線検出素子を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は A-A
断面図である。
【図４】本発明に係る実装装置の主要部を示す斜視図で
ある。
ある。
【図５】従来のマウントコレットの一例を示す図で、
（ａ）は下面図、（ｂ）は垂直断面図である。
（ａ）は下面図、（ｂ）は垂直断面図である。
【図６】基板（ステム）上に正常にダイボンドペースト
が塗布された状態を示す図で、（ａ）は基板（ステム）
の平面図、（ｂ）は側面図である。
が塗布された状態を示す図で、（ａ）は基板（ステム）
の平面図、（ｂ）は側面図である。
【図７】正常に塗布されたダイボンドペーストを介し
て、赤外線検出素子を、基板（ステム）上に実装した状
態を示す図で、（ａ）は基板（ステム）の平面図、
（ｂ）は断面図である。
て、赤外線検出素子を、基板（ステム）上に実装した状
態を示す図で、（ａ）は基板（ステム）の平面図、
（ｂ）は断面図である。
【図８】基板（ステム）上にダイボンドペーストが均等
に塗布されなかった状態を示す図で、（ａ）は基板（ス
テム）の平面図、（ｂ）は側面図である。
に塗布されなかった状態を示す図で、（ａ）は基板（ス
テム）の平面図、（ｂ）は側面図である。
【図９】均一に塗布されていないダイボンドペーストを
介して、赤外線検出素子を、基板（ステム）上に実装し
た状態を示す図で、（ａ）は基板（ステム）の平面図、
（ｂ）は断面図である。
介して、赤外線検出素子を、基板（ステム）上に実装し
た状態を示す図で、（ａ）は基板（ステム）の平面図、
（ｂ）は断面図である。
１ 赤外線検出素子 ２ 基板 ２ａ 空隙部 ３ 熱絶縁膜 ４ サーミスタ ５ 配線部分 ６ 電極パッド １１ マウントコレット １１ａ 筒状本体部 １１ｂ 吸着口 １１ｃ 貫通孔 １１ｄ 凹部 １４ 基板（ステム） １６ ダイボンドペースト
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップを、吸着治具であるマウン
トコレット先端に発生する真空圧で吸着し、基板上の前
記半導体チップ実装位置に局所的に供給されたダイボン
ドペースト上に、前記半導体チップを実装する半導体装
置の実装装置において、筒状本体部を有する、前記マウ
ントコレットの先端を、略四角錐状に凹ませて吸着口を
形成すると共に、その吸着口の周縁部の、前記ダイボン
ドペーストの塗布位置の上方にあたる部分に、前記吸着
口内面から前記マウントコレットの外側面に達する凹部
を形成したことを特徴とする半導体装置の実装装置。 - 【請求項２】 筒状本体部の先端部分に、略四角錐状に
凹んだ吸着口が形成されていると共に、その吸着口の周
縁部の、前記ダイボンドペーストの供給位置の上方にあ
たる部分に、前記吸着口内面から前記マウントコレット
の外側面に達する凹部を形成したことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の実装装置に用いられるマウント
コレット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270505A JP2809066B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270505A JP2809066B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122584A true JPH07122584A (ja) | 1995-05-12 |
| JP2809066B2 JP2809066B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=17487193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5270505A Expired - Fee Related JP2809066B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809066B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110444506A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-12 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 一种系统级封装外壳的吸附方法 |
| CN114164087A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-11 | 东南大学 | 一种便携式芯片装夹装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63228728A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体チツプのダイボンデイング装置 |
| JPH04152643A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Toshiba Corp | ダイボンディング用コレット |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP5270505A patent/JP2809066B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63228728A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体チツプのダイボンデイング装置 |
| JPH04152643A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Toshiba Corp | ダイボンディング用コレット |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110444506A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-12 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 一种系统级封装外壳的吸附方法 |
| CN114164087A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-03-11 | 东南大学 | 一种便携式芯片装夹装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809066B2 (ja) | 1998-10-08 |
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