JPH07122584A - 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット - Google Patents

半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット

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JPH07122584A
JPH07122584A JP27050593A JP27050593A JPH07122584A JP H07122584 A JPH07122584 A JP H07122584A JP 27050593 A JP27050593 A JP 27050593A JP 27050593 A JP27050593 A JP 27050593A JP H07122584 A JPH07122584 A JP H07122584A
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  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 局所的に供給されたダイボンドペーストの赤
外線検出素子1への這い上がりを防止する。 【構成】 筒状本体部11aを有する、マウントコレッ
ト11の先端を、略四角錐状に凹ませて吸着口11bを
形成すると共に、吸着口11bの周縁部の、ダイボンド
ペースト16の塗布位置の上方にあたる部分に、吸着口
11bの内面からマウントコレット11の外側面に達す
る凹部11dを形成した。 【効果】 ダイボンドペースト16の這い上がりを防止
でき、脆弱な赤外線検出素子1に損傷を与えずに従来の
実装装置を流用して実装を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのダイボ
ンド工程に用いる実装装置(ダイボンダ)及びそれに用
いられるマウントコレットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】本願発明は、半導体製造過程におけるダ
イボンド工程で、脆弱な半導体チップを、真空吸着力を
利用して基板に実装する実装装置(ダイボンダ)及び、
その実装装置に具備される、半導体チップを吸着する治
具であるマウントコレットの構造に関するものである。
【0003】まず、その対象となる脆弱な半導体チップ
の一例を図3に基づき説明する。図は赤外線検出素子1
の構造を示したもので、(a)は斜め上方からみた斜視
図、(b)は A-A断面図である。図において、略正方形
平板状の半導体基板2の表面には、熱絶縁膜3が形成さ
れ、さらにその上部には赤外線を感知する4個のサーミ
スタ4が実装されている。その他、各サーミスタ4を電
気的に接続する配線部5及び外部回路と接続するための
電極パッド6が熱絶縁膜3上に形成されている。サーミ
スタ4下部の半導体基板部分は除去されており、略四角
錐台状の空隙部2aが形成されている。このように、空
隙部2a上の熱絶縁膜3上にサーミスタ4を形成するこ
とによって、赤外線を受けて温度上昇したサーミスタ4
の熱が伝導によって逃げにくくなり、赤外線検出の感度
を高めることができる。
【0004】次に、実装装置であるダイボンダの一例を
図4に示す。但し、ダイボンダの本発明に関する主要部
のみを示し、他の部分は省略する。図において、7は直
方体状の取付台、8は取付台7上に固定された略円板状
のセンタリングステージ、9はセンタリングステージ8
上に搬送された赤外線検出素子1を移動させて位置出し
を行う、先端7字形のセンタリングピンで、水平方向に
移動可能に構成されている。10はホルダーで、センタ
リングステージ8と、後述するチップマウント装置12
の搬送ステージ13間を移動可能に、また、上下に移動
可能に構成されている。11はホルダー10の先端に取
り付けられたマウントコレットで、赤外線検出素子1を
真空圧で吸着する治具である。赤外線検出素子1は、セ
ンタリングステージ8上で、センタリングピン9によっ
て所定の位置まで水平方向に移動させられて位置出しが
行われる。その後、赤外線検出素子1は、マウントコレ
ット11の先端に発生する真空吸着力によって吸着さ
れ、センタリングステージ8上から、チップマウント装
置12の搬送ステージ13上に配置された基板14(ス
テム)上に搬送される。
【0005】チップマウント装置12は、基板(ステ
ム)14上にダイボンドペーストを介して半導体チップ
(赤外線検出素子1)を実装する装置で、搬送ステージ
13とその周辺構成及びダイボンドペーストを供給する
部分等から構成されるが、搬送ステージ13周辺の構成
について説明することとし、他の部分の説明は省略す
る。搬送ステージ13上には、長尺状のキャリアフィル
ム15が固定されており、そのキャリアフィルム15上
には、長手方向に一定間隔を隔てて、基板14(ステ
ム)が配置されている。基板14上にダイボンドペース
トが供給された後、そのダイボンドペースト上にホルダ
ー10によって赤外線検出素子1が搬送される。その
後、加熱処理されて基板14上への赤外線検出素子1の
実装が完了する。
【0006】図5に、マウントコレット11の先端形状
の一例を示す。(a)は先端の端面構造を示す下面図、
(b)は内部構造を示す垂直断面図である。また、点線
で示される平板状のものは、半導体チップ(赤外線検出
素子1)で、マウントコレット11に吸着された状態を
示すものである。図に示すように、筒状本体部11aの
先端端面には、略四角錐状に凹んだ吸着口11bが形成
されている。さらに、その吸着口11bに通ずる貫通孔
11cがマウントコレット11内部に形成されており、
貫通孔11cの他方の開口は、真空ポンプ等に接続され
たエアー配管に接続されている。真空ポンプ等によって
マウントコレット11の吸着口11bに真空吸着力を発
生させると、赤外線検出素子1は、その上面周縁の辺部
分が吸着口11bの側面に当接した状態で、マウントコ
レット11に吸着される。マウントコレット11に吸着
された赤外線検出素子1は、図4に示したように、基板
14(ステム)上に、ダイボンドペーストを介して実装
される。
【0007】図6に、図3に示した赤外線検出素子1を
実装する場合の、基板14へのダイボンドペースト16
の供給位置を示す。(a)は、ダイボンドペースト16
を供給した基板14の平面図、(b)は、基板14の側
面図である。(a)において、略四角形の点線で示され
る部分は、赤外線検出素子1の実装位置17であり、ダ
イボンドペースト16は、実装位置17の4つの外周辺
略中央部分に供給されている。
【0008】図6に示したように供給されたダイボンド
ペースト16上に赤外線検出素子1を配置した状態を図
7に示す。(a)は基板14の平面図、(b)は基板1
4上に、マウントコレット11に吸着された赤外線検出
素子1をダイボンドペースト16を介して、搭載した状
態を示す断面図である。(a)に示すように、ダイボン
ドペースト16の供給位置は、赤外線検出素子1の電極
パッド6の下方にあたる。これは、電極パッド6には、
ワイヤボンディングする際に圧力が印加されるために、
電極パッド6の部分を支持して、チップ割れを防止する
必要があるためと、電極パッド6に印加される超音波エ
ネルギーを拡散させてしまわないように固定するためで
ある。また、赤外線検出素子1の実装位置17の全面に
ダイボンドペースト16を供給しないのは、空隙部2a
にダイボンドペースト16が這い上がってサーミスタの
熱を逃がしてしまい、感度が低下するのを防止するため
である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、赤外線
検出素子1に形成された熱絶縁膜2は、脆弱な薄膜であ
るため外部からのストレスに弱く、破損しやすいという
問題点があった。このため、真空吸着力により半導体チ
ップを吸着する方式のダイボンダを用いて、赤外線検出
素子1のチップを、基板14上に実装することが難し
く、個々のチップをピンセット等で扱って実装してい
た。
【0010】また、基板14上へのダイボンドペースト
16の供給は、例えば、転写ピン(図示省略)の先端に
ダイボンドペースト16を付着させて、基板14の表面
に転写することによって行われるが、転写ピンが傾いて
いたりすると、ダイボンドペーストが、4つの供給位置
に均一に供給されなくなり、図8に示すように、ダイボ
ンドペースト16の供給量が供給位置によって異なって
くる。塗布量が多少、少なくなっても性能にに及ぼす影
響は小さく、不良にはなりにくい。しかし、過多に塗布
された場合は、図9に示す通り、マウントコレット11
と赤外線検出素子1の隙間から、ダイボンドペースト1
6が這い上がり、赤外線検出素子1の表面に付着する。
赤外線検出素子1の表面には、電極パッド6が形成され
ているため、電極パッド6にダイボンドペースト16が
付着すると、ワイヤボンド性を阻害する原因となるわけ
である。また、実際の製造工程では、ダイボンド外観不
良として不良品となることもあった。
【0011】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、脆弱な半導体チップのダ
イボンドに使用でき、局所的に塗布されたダイボンドペ
ーストの半導体チップ表面への這い上がりを防止できる
半導体装置の実装装置及びその実装装置に用いられるマ
ウントコレットの構造を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1記載の半導体装置の実装装置は、半導体チ
ップを、吸着治具であるマウントコレット先端に発生す
る真空圧で吸着し、基板上の前記半導体チップ実装位置
に局所的に供給されたダイボンドペースト上に、前記半
導体チップを実装する半導体装置の実装装置において、
筒状本体部を有する、前記マウントコレットの先端を、
略四角錐状に凹ませて吸着口を形成すると共に、その吸
着口の周縁部の、前記ダイボンドペーストの塗布位置の
上方にあたる部分に、前記吸着口内面から前記マウント
コレットの外側面に達する凹部を形成したことを特徴と
するものである。
【0013】請求項2記載のマウントコレットは、筒状
本体部の先端部分に、略四角錐状に凹んだ吸着口が形成
されていると共に、その吸着口の周縁部の、前記ダイボ
ンドペーストの供給位置の上方にあたる部分に、前記吸
着口内面から前記マウントコレットの外側面に達する凹
部を形成したことを特徴とするものである。
【0014】
【作用】図1に示すように、筒状本体部11aを有する
マウントコレット11の先端部には、略四角錐状に凹ん
だ吸着口11bが形成されており、その吸着口11b周
縁部分の、基板14上に局所的に配置されるダイボンド
ペースト16の塗布位置の上方にあたる箇所に、吸着口
11b内面からマウントコレット11の外側面に達する
凹部を形成したので、ダイボンドペースト16の塗布位
置上方では、マウントコレット11は、赤外線検出素子
1に接触していないので、前述したような、赤外線検出
素子1表面へのダイボンドペースト16の這い上がりが
発生しない。
【0015】また、上述した凹部11dが、エアーのリ
ークエリアとなるので、マウントコレット11が赤外線
検出素子1を吸着した途端に、赤外線検出素子1にかか
る吸着真空圧が急激に高まることがないため、つまり、
マウントコレット11先端における、赤外線検出素子1
吸着前後の吸着真空圧の変化が、リークエリアを設けな
い場合に比べて小さくなり、赤外線検出素子1にかかる
真空吸着力を調整し易くなるため、赤外線検出素子1の
吸着がソフトに行え、脆弱な赤外線検出素子1を破損さ
せることがない。
【0016】
【実施例】本願発明に係る実装装置(ダイボンダ)は、
半導体チップを真空吸着力で吸着するマウントコレット
の構造にその特徴があり、その他の構成は図4に一部の
構成を示したダイボンダの構成と同様であるので、従来
例と異なる部分について説明する。
【0017】図2に本願発明に係るマウントコレット1
1の一実施例を示す。図において、(a)はマウントコ
レット11の先端構造を示す下面図、(b)はマウント
コレット11の内部構造を示す垂直断面図である。図に
示すように、筒状本体部11aを有するマウントコレッ
ト11の先端には、略四角錐状に凹んだ吸着口11bが
形成されていると共に、マウントコレット11内部に
は、吸着口11bにつながる貫通穴11cが形成されて
いる。この吸着口11bの開口面の形状は、吸着口11
bの側面で赤外線検出素子1を吸着できるように、赤外
線検出素子1の外形と相似形に形成されていると共に、
その大きさは、赤外線検出素子1の外形より大きく形成
されている。
【0018】貫通穴11cの他方の開口はエアー配管
(図示省略)を介して真空ポンプに接続されており、エ
アー配管及び貫通穴11cを介してマウントコレット1
1の吸着口11bに真空吸着力が発生するように構成さ
れている。さらに、吸着口11bの4つの底辺中央部分
には、吸着口11bの内面からマウントコレット11の
外側面に達する凹部11dが形成されている。この凹部
11dには、後述するように、リークエリアとしての機
能をもたせるため、赤外線検出素子1を吸着した状態で
も、凹部11dを介してエアーが漏洩するように形成さ
れている。
【0019】上記のように構成したマウントコレット1
1を用いて、赤外線検出素子1を基板14上に実装した
状態を図1の断面図に示す。図に示すように、マウント
コレット11には、凹部11dが形成されているため、
赤外線検出素子1を吸着した状態でも、ダイボンドペー
スト16の塗布位置の上方では、赤外線検出素子1とマ
ウントコレット11は接触していないので、ダイボンド
ペースト16の塗布量が多くなっても、赤外線検出素子
1の表面へのダイボンドペースト16の這い上がりが発
生していない。
【0020】また、赤外線検出素子1を吸着した状態で
も、凹部11dを通して、エアーがマウントコレット1
1内部にリークするように構成しておくことで、赤外線
検出素子1を吸着した途端に真空吸着力が急激に高まる
ことがなく、赤外線検出素子1に過度のストレスをかけ
ずに吸着することができる。真空吸着力は、吸着口11
bや凹部11dの形状及び凹部11dの数を変えること
によっても調整することができる。
【0021】以上のようなマウントコレットを用いてダ
イボンダを構成することによって、脆弱な半導体チップ
のダイボンドを、一般のIC製造に用いられているダイ
ボンダを流用して行うことができるため、大幅な合理化
を図ることができる。
【0022】なお、マウントコレット先端部の形状は、
実施例に限定されるものではなく、半導体チップの形状
に合わせて変えればよい。脆弱な半導体チップとして、
上記の実施例では、薄膜を備えた赤外線検出素子を示し
たが、薄膜構造を有するピエゾ素子圧力センサ、片持ち
張り構造を半導体基板に形成した加速度検出素子等のマ
イクロマシニング技術を用いた脆弱な三次元微細加工素
子にも適用することができる。
【0023】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明に係るマウ
ントコレット及びそれを用いた半導体装置の実装装置に
よれば、脆弱な半導体チップに損傷を与えずに従来の実
装装置を流用して実装を行うことができると共に、局所
的に供給されたダイボンドペーストが半導体チップに這
い上がることによる不良の発生を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るマウントコレットを用いて赤外線
検出素子を基板に搭載した状態を示す断面図である。
【図2】本発明に係るマウントコレットの一実施例を示
す図で、(a)は下面図、(b)は垂直断面図である。
【図3】本発明に係る実装装置の一実装対象となる赤外
線検出素子を示す図で、(a)は斜視図、(b)は A-A
断面図である。
【図4】本発明に係る実装装置の主要部を示す斜視図で
ある。
【図5】従来のマウントコレットの一例を示す図で、
(a)は下面図、(b)は垂直断面図である。
【図6】基板(ステム)上に正常にダイボンドペースト
が塗布された状態を示す図で、(a)は基板(ステム)
の平面図、(b)は側面図である。
【図7】正常に塗布されたダイボンドペーストを介し
て、赤外線検出素子を、基板(ステム)上に実装した状
態を示す図で、(a)は基板(ステム)の平面図、
(b)は断面図である。
【図8】基板(ステム)上にダイボンドペーストが均等
に塗布されなかった状態を示す図で、(a)は基板(ス
テム)の平面図、(b)は側面図である。
【図9】均一に塗布されていないダイボンドペーストを
介して、赤外線検出素子を、基板(ステム)上に実装し
た状態を示す図で、(a)は基板(ステム)の平面図、
(b)は断面図である。
【符号の説明】
1 赤外線検出素子 2 基板 2a 空隙部 3 熱絶縁膜 4 サーミスタ 5 配線部分 6 電極パッド 11 マウントコレット 11a 筒状本体部 11b 吸着口 11c 貫通孔 11d 凹部 14 基板(ステム) 16 ダイボンドペースト

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを、吸着治具であるマウン
    トコレット先端に発生する真空圧で吸着し、基板上の前
    記半導体チップ実装位置に局所的に供給されたダイボン
    ドペースト上に、前記半導体チップを実装する半導体装
    置の実装装置において、筒状本体部を有する、前記マウ
    ントコレットの先端を、略四角錐状に凹ませて吸着口を
    形成すると共に、その吸着口の周縁部の、前記ダイボン
    ドペーストの塗布位置の上方にあたる部分に、前記吸着
    口内面から前記マウントコレットの外側面に達する凹部
    を形成したことを特徴とする半導体装置の実装装置。
  2. 【請求項2】 筒状本体部の先端部分に、略四角錐状に
    凹んだ吸着口が形成されていると共に、その吸着口の周
    縁部の、前記ダイボンドペーストの供給位置の上方にあ
    たる部分に、前記吸着口内面から前記マウントコレット
    の外側面に達する凹部を形成したことを特徴とする請求
    項1記載の半導体装置の実装装置に用いられるマウント
    コレット。
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