JPH07120417A - 蛍光ｘ線分析装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析装置Info
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- JPH07120417A JPH07120417A JP28783793A JP28783793A JPH07120417A JP H07120417 A JPH07120417 A JP H07120417A JP 28783793 A JP28783793 A JP 28783793A JP 28783793 A JP28783793 A JP 28783793A JP H07120417 A JPH07120417 A JP H07120417A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 結晶構造を有する試料に微小な入射角度で一
次Ｘ線を照射し、上記試料から発生する蛍光Ｘ線に基づ
いて試料の分析を行う蛍光Ｘ線分析装置において、試料
からの散乱線および回折Ｘ線がＸ線検出器に入射しない
ようにして、微量元素の分析を可能とする。 【構成】 試料２と同じ結晶構造を有する全反射ミラー
７を試料２に入射するＸ線Ｂ２の光路に設ける。
次Ｘ線を照射し、上記試料から発生する蛍光Ｘ線に基づ
いて試料の分析を行う蛍光Ｘ線分析装置において、試料
からの散乱線および回折Ｘ線がＸ線検出器に入射しない
ようにして、微量元素の分析を可能とする。 【構成】 試料２と同じ結晶構造を有する全反射ミラー
７を試料２に入射するＸ線Ｂ２の光路に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウエハのよ
うな結晶構造を有する試料の分析に適した蛍光Ｘ線分析
装置に関するものである。
うな結晶構造を有する試料の分析に適した蛍光Ｘ線分析
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、シリコンウエハの表面層の分
析には、試料表面に一次Ｘ線を微小な入射角で照射し
て、試料の表面層からの蛍光Ｘ線を分析する全反射蛍光
Ｘ線分析装置が用いられている（たとえば、特開昭63-7
8056号公報参照）。この種の装置の一例を図７に示す。
析には、試料表面に一次Ｘ線を微小な入射角で照射し
て、試料の表面層からの蛍光Ｘ線を分析する全反射蛍光
Ｘ線分析装置が用いられている（たとえば、特開昭63-7
8056号公報参照）。この種の装置の一例を図７に示す。
【０００３】図７において、Ｘ線管５のターゲット材５
１から出たＸ線Ｂ１は、湾曲型の分光素子１に向う。Ｘ
線Ｂ１のうちの所定の波長の特性Ｘ線は、分光素子１で
回折され、単色化された一次Ｘ線Ｂ２が、試料（シリコ
ンウエハ）２の表面２ａに微小な入射角γ (たとえば、
0.05°〜0.20°程度) で照射される。試料２に入射した
一次Ｘ線Ｂ２は、全反射されて反射Ｘ線Ｂ４となるとと
もに、励起Ｘ線として試料２を励起して、試料２を構成
する元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ５を発生させる。蛍光Ｘ線Ｂ
５は、試料表面２ａに対向して配置したＸ線検出器３に
入射する。この入射した蛍光Ｘ線Ｂ５は、Ｘ線検出器３
において、そのＸ線強度が検出された後、Ｘ線検出器３
からの検出信号ａに基づき、多重波高分析器４によって
目的とするＸ線スペクトルが得られる。
１から出たＸ線Ｂ１は、湾曲型の分光素子１に向う。Ｘ
線Ｂ１のうちの所定の波長の特性Ｘ線は、分光素子１で
回折され、単色化された一次Ｘ線Ｂ２が、試料（シリコ
ンウエハ）２の表面２ａに微小な入射角γ (たとえば、
0.05°〜0.20°程度) で照射される。試料２に入射した
一次Ｘ線Ｂ２は、全反射されて反射Ｘ線Ｂ４となるとと
もに、励起Ｘ線として試料２を励起して、試料２を構成
する元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ５を発生させる。蛍光Ｘ線Ｂ
５は、試料表面２ａに対向して配置したＸ線検出器３に
入射する。この入射した蛍光Ｘ線Ｂ５は、Ｘ線検出器３
において、そのＸ線強度が検出された後、Ｘ線検出器３
からの検出信号ａに基づき、多重波高分析器４によって
目的とするＸ線スペクトルが得られる。
【０００４】この種の全反射蛍光Ｘ線分析装置は、一次
Ｘ線Ｂ２の入射角γが微小であることから、反射Ｘ線Ｂ
４および散乱Ｘ線がＸ線検出器３に入射しにくく、Ｘ線
検出器３により検出される蛍光Ｘ線Ｂ５の出力レベルに
比べてノイズが小さいという利点がある。つまり、大き
なS/N 比が得られ、そのため、分析感度が良く、たとえ
ば、微量の不純物でも検出できるという利点がある。こ
のようなことから、この分析方法は、シリコンウエハの
表面汚染の分析方法として有効であり、広く採用されて
いる。
Ｘ線Ｂ２の入射角γが微小であることから、反射Ｘ線Ｂ
４および散乱Ｘ線がＸ線検出器３に入射しにくく、Ｘ線
検出器３により検出される蛍光Ｘ線Ｂ５の出力レベルに
比べてノイズが小さいという利点がある。つまり、大き
なS/N 比が得られ、そのため、分析感度が良く、たとえ
ば、微量の不純物でも検出できるという利点がある。こ
のようなことから、この分析方法は、シリコンウエハの
表面汚染の分析方法として有効であり、広く採用されて
いる。
【０００５】また、この従来技術では、分光素子１を用
いてＸ線Ｂ１を単色化しているから、散乱Ｘ線などの強
度が小さくなるので、分析精度がより一層向上する。
いてＸ線Ｂ１を単色化しているから、散乱Ｘ線などの強
度が小さくなるので、分析精度がより一層向上する。
【０００６】ところで、Ｘ線Ｂ１は、下記のブラッグの
式に従って所定の波長のＸ線が、分光素子１によって回
折される。 ２ｄsin θ＝ｎλ 但し、ｄ：分光素子の格子面間隔 θ：回折角 ｎ：反射の次数（１，２，３…） λ：回折されるＸ線の波長 このブラッグの式から分かるように、上記一次Ｘ線Ｂ２
には、図４に示す所定の波長の１次線（反射の次数ｎが
１の成分）Ｂ２１の他に、波長の短い高次線Ｂ２２が含
まれている。この波長の短い高次線Ｂ２２は、全反射の
臨界角が小さいので図７の微小な入射角度γ（０．０５
°〜０．２０°）においても全反射されず、そのため、
散乱線としてＸ線検出器３に入射する。したがって、上
記散乱線がバックグラウンド成分となるので、極く微量
の元素については分析することができない。
式に従って所定の波長のＸ線が、分光素子１によって回
折される。 ２ｄsin θ＝ｎλ 但し、ｄ：分光素子の格子面間隔 θ：回折角 ｎ：反射の次数（１，２，３…） λ：回折されるＸ線の波長 このブラッグの式から分かるように、上記一次Ｘ線Ｂ２
には、図４に示す所定の波長の１次線（反射の次数ｎが
１の成分）Ｂ２１の他に、波長の短い高次線Ｂ２２が含
まれている。この波長の短い高次線Ｂ２２は、全反射の
臨界角が小さいので図７の微小な入射角度γ（０．０５
°〜０．２０°）においても全反射されず、そのため、
散乱線としてＸ線検出器３に入射する。したがって、上
記散乱線がバックグラウンド成分となるので、極く微量
の元素については分析することができない。
【０００７】また、分光素子１は、それ自体の原子が励
起されるので、分光素子１を構成する元素固有の特性Ｘ
線Ｂ２３（図４参照）が、試料２に照射される。また、
分光素子が人工多層膜格子で構成されている場合には、
分光素子１の不完全さに起因して、図４の連続Ｘ線Ｂ２
４が図７の試料２に入射する。これらの特性Ｘ線Ｂ２３
や連続Ｘ線Ｂ２４は、試料２がシリコンウエハからなる
単結晶であることから、特定の波長のＸ線が、試料２の
種々の格子面（たとえば、３１１面や２０２面など）で
回折され、この回折Ｘ線の一部がＸ線検出器３に入射す
る。したがって、上記回折Ｘ線がバックグラウンド成分
となるので、やはり、極く微量の元素については分析す
ることができない。
起されるので、分光素子１を構成する元素固有の特性Ｘ
線Ｂ２３（図４参照）が、試料２に照射される。また、
分光素子が人工多層膜格子で構成されている場合には、
分光素子１の不完全さに起因して、図４の連続Ｘ線Ｂ２
４が図７の試料２に入射する。これらの特性Ｘ線Ｂ２３
や連続Ｘ線Ｂ２４は、試料２がシリコンウエハからなる
単結晶であることから、特定の波長のＸ線が、試料２の
種々の格子面（たとえば、３１１面や２０２面など）で
回折され、この回折Ｘ線の一部がＸ線検出器３に入射す
る。したがって、上記回折Ｘ線がバックグラウンド成分
となるので、やはり、極く微量の元素については分析す
ることができない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記問題に
鑑みてなされたもので、結晶構造を有する試料に一次Ｘ
線を照射し、上記試料から発生する蛍光Ｘ線に基づいて
試料の分析を行う蛍光Ｘ線分析装置において、試料から
の散乱線および回折Ｘ線がＸ線検出器に入射するのを防
止して微量元素の分析を可能とすることを目的とする。
鑑みてなされたもので、結晶構造を有する試料に一次Ｘ
線を照射し、上記試料から発生する蛍光Ｘ線に基づいて
試料の分析を行う蛍光Ｘ線分析装置において、試料から
の散乱線および回折Ｘ線がＸ線検出器に入射するのを防
止して微量元素の分析を可能とすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、結晶構造を有する試料に入射するＸ線
の光路に、上記試料と同じ結晶構造を有する全反射ミラ
ーを設けている。
に、この発明は、結晶構造を有する試料に入射するＸ線
の光路に、上記試料と同じ結晶構造を有する全反射ミラ
ーを設けている。
【００１０】全反射蛍光Ｘ線分析装置の場合、上記全反
射ミラーは、試料の格子面と同一の格子面が、互いに、
ほぼ平行ないし平行に設定されているのが好ましい。
射ミラーは、試料の格子面と同一の格子面が、互いに、
ほぼ平行ないし平行に設定されているのが好ましい。
【００１１】
【作用】この発明によれば、試料に入射するＸ線の光路
に全反射ミラーを設けているので、試料表面で全反射さ
れないような短波長の成分は、エネルギが大きいから、
全反射ミラーに入射して吸収される。一方、全反射ミラ
ーは試料と同じ結晶構造を有しているから、試料におい
て回折されてＸ線検出器に入射するような長波長の成分
を、試料の配置された方向ではない方向に向って全反射
ミラーの格子面によって、予め回折させて除去すること
ができる。
に全反射ミラーを設けているので、試料表面で全反射さ
れないような短波長の成分は、エネルギが大きいから、
全反射ミラーに入射して吸収される。一方、全反射ミラ
ーは試料と同じ結晶構造を有しているから、試料におい
て回折されてＸ線検出器に入射するような長波長の成分
を、試料の配置された方向ではない方向に向って全反射
ミラーの格子面によって、予め回折させて除去すること
ができる。
【００１２】なお、全反射蛍光Ｘ線分析では、全反射ミ
ラーおよび試料の同一の格子面を、互いに、ほぼ平行な
いし平行に設定すれば、試料において回折されるような
長波長成分を、全反射ミラーの格子によって、ほぼ完全
に回折させて除去することができる。
ラーおよび試料の同一の格子面を、互いに、ほぼ平行な
いし平行に設定すれば、試料において回折されるような
長波長成分を、全反射ミラーの格子によって、ほぼ完全
に回折させて除去することができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にしたがって
説明する。図１〜図３は、この発明の第１実施例を示
す。図１において、Ｘ線管５、分光素子１、遮蔽板６お
よび全反射ミラー７は、照射装置１０を構成している。
分光素子１としては、分光結晶を用いてもよく、あるい
は、たとえばシリコンとタングステンの薄膜を交互に複
数層積層した人工多層膜格子を用いてもよい。
説明する。図１〜図３は、この発明の第１実施例を示
す。図１において、Ｘ線管５、分光素子１、遮蔽板６お
よび全反射ミラー７は、照射装置１０を構成している。
分光素子１としては、分光結晶を用いてもよく、あるい
は、たとえばシリコンとタングステンの薄膜を交互に複
数層積層した人工多層膜格子を用いてもよい。
【００１４】上記全反射ミラー７は、一次Ｘ線Ｂ２の光
路に設けられており、試料２であるシリコンウエハと同
一の結晶構造を有するシリコンウエハの単結晶で構成さ
れている。ただし、試料２には、分析対象である 微量
の不純物（たとえばＦｅ，Ｎｉなど）が含まれている
が、上記全反射ミラー７は不純物が含まれていないブラ
ンクウエハで構成されている。
路に設けられており、試料２であるシリコンウエハと同
一の結晶構造を有するシリコンウエハの単結晶で構成さ
れている。ただし、試料２には、分析対象である 微量
の不純物（たとえばＦｅ，Ｎｉなど）が含まれている
が、上記全反射ミラー７は不純物が含まれていないブラ
ンクウエハで構成されている。
【００１５】この実施例の場合、上記全反射ミラー７の
表面７ａと、試料２の表面２ａとは、ほぼ平行ないし平
行に設定されている。したがって、分光素子１から図２
の全反射ミラー７への入射角αおよび反射角βは、図１
の試料２への入射角度γと同じ角度に設定されている。
上記図２の入射角αは、一次Ｘ線Ｂ２に含まれる成分の
うち、分光素子１（図１）で分光して励起Ｘ線として用
いようとするＸ線（１次線）Ｂ２１が全反射される臨界
角θ1 よりも小さく設定されているとともに、全反射ミ
ラー７で吸収させて除去しようとする短波長のＸ線（高
次線）Ｂ２２の臨界角θ2 よりも大きく設定されてい
る。こうして、一次Ｘ線Ｂ２に含まれている高次線Ｂ２
２は、全反射されず全反射ミラー７の内部に進入して吸
収される。
表面７ａと、試料２の表面２ａとは、ほぼ平行ないし平
行に設定されている。したがって、分光素子１から図２
の全反射ミラー７への入射角αおよび反射角βは、図１
の試料２への入射角度γと同じ角度に設定されている。
上記図２の入射角αは、一次Ｘ線Ｂ２に含まれる成分の
うち、分光素子１（図１）で分光して励起Ｘ線として用
いようとするＸ線（１次線）Ｂ２１が全反射される臨界
角θ1 よりも小さく設定されているとともに、全反射ミ
ラー７で吸収させて除去しようとする短波長のＸ線（高
次線）Ｂ２２の臨界角θ2 よりも大きく設定されてい
る。こうして、一次Ｘ線Ｂ２に含まれている高次線Ｂ２
２は、全反射されず全反射ミラー７の内部に進入して吸
収される。
【００１６】図３に示すように、上記全反射ミラー７の
オリフラ７ｂの表面と、上記試料２のオリフラ２ｂの表
面とは、互いに平行に設定されている。上記オリフラ２
ｂ，７ｂは、シリコンウエハにおける１１０面にほぼ平
行ないし平行に形成された平面である。したがって、試
料２と全反射ミラー７の同一の格子面は、互いに、ほぼ
平行ないし平行に設定されており、たとえば、試料２の
２０２面と全反射ミラー７の２０２面などの他の同一の
格子面も互いに平行になっている。
オリフラ７ｂの表面と、上記試料２のオリフラ２ｂの表
面とは、互いに平行に設定されている。上記オリフラ２
ｂ，７ｂは、シリコンウエハにおける１１０面にほぼ平
行ないし平行に形成された平面である。したがって、試
料２と全反射ミラー７の同一の格子面は、互いに、ほぼ
平行ないし平行に設定されており、たとえば、試料２の
２０２面と全反射ミラー７の２０２面などの他の同一の
格子面も互いに平行になっている。
【００１７】この蛍光Ｘ線分析装置には、それぞれ、図
１の試料２および全反射ミラー７を、軸線Ｃ１およびＣ
２のまわりに回転させる第１および第２の回転機構（図
示せず）が設けられている。この２つの回転機構は、そ
れぞれ、試料２および全反射ミラー７を同一の角速度で
同一方向に回転させる。これにより、蛍光Ｘ線Ｂ５の検
出中に試料２を回転させても、試料２と全反射ミラー７
の格子面の平行性が保たれる。
１の試料２および全反射ミラー７を、軸線Ｃ１およびＣ
２のまわりに回転させる第１および第２の回転機構（図
示せず）が設けられている。この２つの回転機構は、そ
れぞれ、試料２および全反射ミラー７を同一の角速度で
同一方向に回転させる。これにより、蛍光Ｘ線Ｂ５の検
出中に試料２を回転させても、試料２と全反射ミラー７
の格子面の平行性が保たれる。
【００１８】なお、その他の構成は上記図７の従来例と
同様であり、同一部分または相当部分に同一符号を付し
て、その詳しい説明を省略する。
同様であり、同一部分または相当部分に同一符号を付し
て、その詳しい説明を省略する。
【００１９】ここで、図１の全反射ミラー７が結晶構造
を有しているので、一次Ｘ線Ｂ２は、種々の波長のＸ線
が、全反射ミラー７の内部に存在する多数の格子面によ
って回折される。しかし、全反射ミラー７が試料２と同
じ結晶構造を有しているから、試料２において回折され
てＸ線検出器３に入射するような長波長の成分Ｂ２３，
Ｂ２４は、全反射ミラー７に対向ないし直交する方向に
全反射ミラー７の格子面によって、予め、回折されて除
去される。したがって、試料２に対向するＸ線検出器３
には、試料２で回折された回折Ｘ線が入射しない。
を有しているので、一次Ｘ線Ｂ２は、種々の波長のＸ線
が、全反射ミラー７の内部に存在する多数の格子面によ
って回折される。しかし、全反射ミラー７が試料２と同
じ結晶構造を有しているから、試料２において回折され
てＸ線検出器３に入射するような長波長の成分Ｂ２３，
Ｂ２４は、全反射ミラー７に対向ないし直交する方向に
全反射ミラー７の格子面によって、予め、回折されて除
去される。したがって、試料２に対向するＸ線検出器３
には、試料２で回折された回折Ｘ線が入射しない。
【００２０】なお、全反射ミラー７で回折されたＸ線の
うち一部の回折Ｘ線は、一次Ｘ線Ｂ２１として試料２に
入射し、試料２によって回折されるが、全反射ミラー７
と試料２の結晶構造が同一であるから、一次Ｘ線Ｂ２１
が全反射ミラー７で回折されたと同様に、試料２の表面
に沿った小さな角度で回折されるので、Ｘ線検出器３に
入射するおそれはない。
うち一部の回折Ｘ線は、一次Ｘ線Ｂ２１として試料２に
入射し、試料２によって回折されるが、全反射ミラー７
と試料２の結晶構造が同一であるから、一次Ｘ線Ｂ２１
が全反射ミラー７で回折されたと同様に、試料２の表面
に沿った小さな角度で回折されるので、Ｘ線検出器３に
入射するおそれはない。
【００２１】また、図２の一次Ｘ線Ｂ２に含まれている
短波長の高次線Ｂ２２（図４）は、全反射ミラー７に進
入して全反射ミラー７によって吸収されるので、試料２
に入射しないから、図１のＸ線検出器３に高次線の散乱
線が入射するおそれもない。
短波長の高次線Ｂ２２（図４）は、全反射ミラー７に進
入して全反射ミラー７によって吸収されるので、試料２
に入射しないから、図１のＸ線検出器３に高次線の散乱
線が入射するおそれもない。
【００２２】なお、分光素子１およびＸ線管５は、図５
に示す第２の実施例にように、配設してもよい。また、
上記各実施例は、全反射蛍光Ｘ線分析に適用した例につ
いて説明したが、この発明は、以下に説明する第３実施
例のように、他の蛍光Ｘ線分析装置についても適用する
ことができる。
に示す第２の実施例にように、配設してもよい。また、
上記各実施例は、全反射蛍光Ｘ線分析に適用した例につ
いて説明したが、この発明は、以下に説明する第３実施
例のように、他の蛍光Ｘ線分析装置についても適用する
ことができる。
【００２３】図６は第３実施例を示す。この図におい
て、照射装置１０はＸ線管５からのＸ線Ｂ１を分光素子
１で単色化し、この単色化した一次Ｘ線Ｂ２を集光させ
るとともに試料２の表面２ａに対向する方向から試料２
に照射する。上記分光素子１から試料２への一次Ｘ線Ｂ
２の光路には、全反射ミラー７が設けられている。全反
射ミラー７は試料２に対して平行には設けられておら
ず、また、その格子面も試料２の格子面と平行になって
いないが、試料２に向う一次Ｘ線Ｂ２のうち長波長のＸ
線Ｂ２３，Ｂ２４を予め回折させて除去するとともに、
高次線Ｂ２２（図４）を吸収する。したがって、一次Ｘ
線Ｂ２に含まれる１次線Ｂ２１が、試料２に入射する。
て、照射装置１０はＸ線管５からのＸ線Ｂ１を分光素子
１で単色化し、この単色化した一次Ｘ線Ｂ２を集光させ
るとともに試料２の表面２ａに対向する方向から試料２
に照射する。上記分光素子１から試料２への一次Ｘ線Ｂ
２の光路には、全反射ミラー７が設けられている。全反
射ミラー７は試料２に対して平行には設けられておら
ず、また、その格子面も試料２の格子面と平行になって
いないが、試料２に向う一次Ｘ線Ｂ２のうち長波長のＸ
線Ｂ２３，Ｂ２４を予め回折させて除去するとともに、
高次線Ｂ２２（図４）を吸収する。したがって、一次Ｘ
線Ｂ２に含まれる１次線Ｂ２１が、試料２に入射する。
【００２４】１次線Ｂ２１を受けた試料２からの蛍光Ｘ
線Ｂ５は、Ｘ線検出器３で検出される。試料２からＸ線
検出器３までの光路には、試料２からの蛍光Ｘ線Ｂ５を
たとえば、０．０５°〜０．２０°の取出角δで取り出
して、Ｘ線検出器３に入射させる光学素子８が設けられ
ている。なお、その他の構成は前述の第１実施例と同様
であり、同一部分または相当部分に同一符号を付して、
その詳しい説明を省略する。
線Ｂ５は、Ｘ線検出器３で検出される。試料２からＸ線
検出器３までの光路には、試料２からの蛍光Ｘ線Ｂ５を
たとえば、０．０５°〜０．２０°の取出角δで取り出
して、Ｘ線検出器３に入射させる光学素子８が設けられ
ている。なお、その他の構成は前述の第１実施例と同様
であり、同一部分または相当部分に同一符号を付して、
その詳しい説明を省略する。
【００２５】この第３実施例のように、試料２の表面２
ａに対向する方向から一次Ｘ線Ｂ２（１次線Ｂ２１）を
照射した場合、反射Ｘ線Ｂ４や散乱Ｘ線は、取出角δが
４５°の付近において最も大きくなり、取出角δが１°
以下になると著しく小さくなる。したがって、この実施
例のように取出角δを小さくすることで、一般の全反射
蛍光Ｘ線分析と同様にノイズが小さくなる。
ａに対向する方向から一次Ｘ線Ｂ２（１次線Ｂ２１）を
照射した場合、反射Ｘ線Ｂ４や散乱Ｘ線は、取出角δが
４５°の付近において最も大きくなり、取出角δが１°
以下になると著しく小さくなる。したがって、この実施
例のように取出角δを小さくすることで、一般の全反射
蛍光Ｘ線分析と同様にノイズが小さくなる。
【００２６】かかる分析装置においても、全反射ミラー
７によって回折された回折Ｘ線Ｂ２３および連続Ｘ線Ｂ
２４は、１次線Ｂ２１に比べ全反射ミラー７の表面７ａ
に直交する方向に回折される。したがって、Ｘ線検出器
３には、回折Ｘ線Ｂ２３および連続Ｘ線２４が入射しな
い。
７によって回折された回折Ｘ線Ｂ２３および連続Ｘ線Ｂ
２４は、１次線Ｂ２１に比べ全反射ミラー７の表面７ａ
に直交する方向に回折される。したがって、Ｘ線検出器
３には、回折Ｘ線Ｂ２３および連続Ｘ線２４が入射しな
い。
【００２７】また、一次Ｘ線Ｂ２に含まれている短波長
の成分は、全反射ミラー７によって吸収されるので、Ｘ
線検出器３に入射するおそれがない。
の成分は、全反射ミラー７によって吸収されるので、Ｘ
線検出器３に入射するおそれがない。
【００２８】なお、上記各実施例では、全反射ミラー７
を分光素子１と試料２の間のＸ線Ｂ２の光路に設けた
が、全反射ミラー７をターゲット材５１と分光素子１と
の間のＸ線Ｂ１の光路に設けてもよい。また、上記各実
施例では、分光素子１を設けたが、分光素子１を設けず
に、Ｘ線Ｂ１を平行光にするための平行光学系を設ける
とともに、Ｘ線管５と試料２とに間に全反射ミラー７を
設けてもよい。
を分光素子１と試料２の間のＸ線Ｂ２の光路に設けた
が、全反射ミラー７をターゲット材５１と分光素子１と
の間のＸ線Ｂ１の光路に設けてもよい。また、上記各実
施例では、分光素子１を設けたが、分光素子１を設けず
に、Ｘ線Ｂ１を平行光にするための平行光学系を設ける
とともに、Ｘ線管５と試料２とに間に全反射ミラー７を
設けてもよい。
【００２９】また、上記各実施例では、シリコンウエハ
を試料とした場合について説明したが、この発明はガリ
ウム砒素やゲルマニウムなどの単結晶の構造を有する試
料についても適用できる。
を試料とした場合について説明したが、この発明はガリ
ウム砒素やゲルマニウムなどの単結晶の構造を有する試
料についても適用できる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、試料に入射するＸ線の光路に全反射ミラーを設けて
いるので、試料表面で全反射されないような短波長の成
分は、全反射ミラーに入射して吸収される。一方、全反
射ミラーは試料と同じ結晶構造を有しているから、試料
において回折されるような長波長の成分は、全反射ミラ
ーの格子面によって予め回折されて除去される。したが
って、バックグラウンド成分となる短波長の散乱線や長
波長の回折線がＸ線検出器に入射しないので、極く微量
の元素についても分析することができる。
ば、試料に入射するＸ線の光路に全反射ミラーを設けて
いるので、試料表面で全反射されないような短波長の成
分は、全反射ミラーに入射して吸収される。一方、全反
射ミラーは試料と同じ結晶構造を有しているから、試料
において回折されるような長波長の成分は、全反射ミラ
ーの格子面によって予め回折されて除去される。したが
って、バックグラウンド成分となる短波長の散乱線や長
波長の回折線がＸ線検出器に入射しないので、極く微量
の元素についても分析することができる。
【図１】この発明の第１実施例にかかる全反射蛍光Ｘ線
分析装置の概略構成図である。
分析装置の概略構成図である。
【図２】全反射ミラーの拡大断面図である。
【図３】全反射ミラーと試料の位置関係を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】分光素子で分光されたＸ線のスペクトルを示す
特性図である。
特性図である。
【図５】第２実施例にかかる全反射蛍光Ｘ線分析装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図６】第３実施例にかかるＸ線分析装置を示す概略構
成図である。
成図である。
【図７】従来の全反射蛍光Ｘ線分析装置を示す概略構成
図である。
図である。
２…試料、３…Ｘ線検出器、７…全反射ミラー、Ｂ１，
Ｂ２，Ｂ２１…Ｘ線、γ…入射角度。
Ｂ２，Ｂ２１…Ｘ線、γ…入射角度。
Claims (3)
- 【請求項１】 結晶構造を有する試料の表面にＸ線を照
射する照射装置と、上記Ｘ線を受けた試料からの蛍光Ｘ
線を検出するＸ線検出器とを備え、このＸ線検出器での
検出結果に基づいて試料の分析を行う蛍光Ｘ線分析装置
において、 上記試料に入射するＸ線の光路に、上記試料と同じ結晶
構造を有する全反射ミラーを設けたことを特徴とする蛍
光Ｘ線分析装置。 - 【請求項２】 結晶構造を有する試料の表面にＸ線を微
小な入射角度で照射する照射装置と、上記試料の表面に
対向して配設され上記Ｘ線を受けた試料からの蛍光Ｘ線
を検出するＸ線検出器とを備え、このＸ線検出器での検
出結果に基づいて蛍光Ｘ線を分析する全反射蛍光Ｘ線分
析装置において、 上記試料に入射するＸ線の光路に試料と同じ結晶構造を
有する全反射ミラーを設けたことを特徴とする全反射蛍
光Ｘ線分析装置。 - 【請求項３】 請求項２において、上記全反射ミラー
は、上記試料の格子面と同一の格子面が、互いにほぼ平
行ないし平行に設定されている全反射蛍光Ｘ線分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28783793A JPH07120417A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28783793A JPH07120417A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120417A true JPH07120417A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17722415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28783793A Pending JPH07120417A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 蛍光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6463165B1 (en) | 1998-03-31 | 2002-10-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Individuals checking apparatus |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP28783793A patent/JPH07120417A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6463165B1 (en) | 1998-03-31 | 2002-10-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Individuals checking apparatus |
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