JPH0455743A - エックス線検査装置 - Google Patents

エックス線検査装置

Info

Publication number
JPH0455743A
JPH0455743A JP2168904A JP16890490A JPH0455743A JP H0455743 A JPH0455743 A JP H0455743A JP 2168904 A JP2168904 A JP 2168904A JP 16890490 A JP16890490 A JP 16890490A JP H0455743 A JPH0455743 A JP H0455743A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rays
ray
wavelength
different
diffraction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2168904A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Suzuki
伸二 鈴木
Moritoshi Ando
護俊 安藤
Satoshi Iwata
敏 岩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2168904A priority Critical patent/JPH0455743A/ja
Publication of JPH0455743A publication Critical patent/JPH0455743A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 エックス線検査装置に関し、 少ないエックス線照射時間で検査を行うことができ、し
かも特殊な手法を必要としないエックス線検査装置を提
供することを目的とし、ビーム状のエックス線を発生す
るエックス線発土手段と、該エックス線をn個の経路に
振り分ける振り分け手段と、各々が前記各軽路上に位置
し、前記振り分けられたエックス線を回折するn個の回
折格子と、該回折されたエックス線の中からn個の回折
格子毎に異なる波長の単一波長エックス線を選択する選
択手段と、各単一波長エックス線の軸を平行に揃えて被
検査物体に照射する照射手段と、該検査物体を透過した
単一波長エックス線を個別に受信し、電気信号に変換す
る変換手段と、を備えることを特徴とし、 好ましくは、単一波長エックス線が透過する検査物体の
材質の種類に合わせて前記個数nを決定し、 または、前記回折格子の格子間隔が、各回折格子毎に異
なるようにし または、前記回折格子のエックス線を受ける面とエック
ス線の軸とのなす角度が、各回折格子毎に異なるように
構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エックス線検査装置に関し、特に、材質の異
なる複数材料からなる物体に対してラジオグラフィーに
よる検査を行うエックス線検査装置に関する。
一般に、物体内部に発生した空洞(ボイド)や傷等の欠
陥部位に対してラジオグラフィー、すなわちエックス(
X)線やガンマ(γ)線といった放射線(以下エックス
線で代表する)による被破壊検査を行うことが多い。
〔従来の技術〕
第5図は従来のエックス線検査装置を簡単に説明する図
である。
裏側にフィルム10(または蛍光スクリーン)を配置し
た検査物体11に対してエックス線12を照射すると、
その透過エックス線によってフィルム10上に濃淡画像
I3が形成され、この濃淡画像13を解析することによ
り、検査物体11内部の欠陥部位14を発見することが
できる。
濃淡画像13の形成は、欠陥部位とそうでない部位にお
けるエックス線12の透過量の差によって引き起こされ
る。ここで、フィルムIO上のエックス線強度I (λ
)は、次式■に示すランバート・ベールの法則で与えら
れる。
■ (λ)””Io(λ)exp  (μt  (λ)
ρD)・・・・・・■ 但し、λ−はエックス線の波長、Io (λ)は照射す
るエックス線の強度、μm (λ)は波長λのエックス
線に対する物質(例えば元素iからなる)の質量吸収係
数、ρ(gcee−9は当該物質の密度、D (cm)
は当該物質の厚さである。
上式■から、元素iからなる物質を透過したエックス線
の強度I (λ)は、当該物質の質量吸収係数μ! (
λ)が変化するとその強度も変化することが判る0例え
ば空気を含むボイドが存在する箇所では、空気の質量吸
収係数(ボイドを包囲する物質のそれとは当然具なる)
の影響を受けて強度が変化し、これにより濃淡画像が形
成される。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、かかる従来のエックス線検査装置にあっ
ては、周波数帯域の広い例えばエックス線を用いて物体
内部の質量吸収係数の違いを検査する構成となっていた
ため、単一材料からなる物質を検査する場合には良好な
検査結果が得られるものの、元素の異なる複数材料から
なる物質を検査する場合、検査手順が複雑化し、しかも
画像解析に特殊な手法を必要とするといった問題点があ
った。
第6図はIC(集積回路)リードの半田付けを検査する
場合の図であり、エックス線20の透過系路上には、I
Cリード21半田22、パッド23および基板24等、
元素の異なる複数物質が存在している。透過後のエック
ス線強度は、これら複数物質の各質量吸収係数の影響を
受けるので、1度の検査では望む結果が得られない。こ
のため、エックス線の照射角度を小刻みに変えて検査を
繰返して実行し、さらに各検査毎のエックス線透過画像
を特殊な手法を駆使して再構成し、解析する〔例えばC
T (Computed Tomography )ス
キャナー技術〕必要があった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
少ないエックス線照射時間で検査を行うことができ、し
かも特殊な手法を必要としないエックス線検査装置を提
供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、上記目的を達成するために、ビーム状のエッ
クス線を発生するエックス線発生手段と、該エックス線
をn個の経路に振り分ける振り分け手段と、各々が前記
各経路上に位置し、前記振り分けられたエックス線を回
折するn個の回折格子と、該回折されたエックス線の中
からn個の回折格子毎に異なる波長の単一波長エックス
線を選択する選択手段と、各単一波長エックス線の軸を
平行に揃えて被検査物体に照射する照射手段と、該検査
物体を透過した単一波長エックス線を個別そこ受信し、
電気信号に変換する変換手段と、を備えることを特徴と
し、 好ましくは、単一波長エックス線が透過する検査物体の
材質の種類に合わせて前記個数nを決定し、 または、前記回折格子の格子間隔が、各回折格子毎に異
なるようにし または、前記回折格子のエックス線を受ける面とエック
ス線の軸とのなす角度が、各回折格子毎に異なるように
構成する。
〔作用〕
本発明では、エックス線発生手段からのエックス線がn
個の回折格子によって回折され、多数の回折エックス線
の中から、回折格子毎に周波数の異なるn個の単一波長
エックス線が選択され、検査物体に照射される。
ここで、検査物体を透過した後の各単一波長エックス線
の強度は、削代■から、周波数差に応じた強度差を生じ
る。これは検査対象物体を構成している材料の質量吸収
係数が周波数毎に相違するためで、例えば、アルミニウ
ム(A I )の質量吸収係数を調べると、波長が1.
0オングストロームのときで13.8.1.2オングス
トロームのときで23.5と大きく相違している。
したがって、検査物体が元素の異なるn種の材料(例え
ば第6図においてICリード21、半田22、パッド2
3および基Fi、24等)からなる場合、1番目の単一
波長エックス線による検査を行った後、同じ箇所を2番
目の単一波長エックス線で検査を行い、これをn番目の
単一波長エックス線まで繰り返せば、n種の材料からな
る物体に対するエックス線強度データを得ることができ
、少ないエックス線照射時間とすることができる。
また、得られたデータに各材料の質量吸収係数を加味し
、例えば前記ランバート・ベールの法則による所定の解
析演算を実行すれば、CTスキャナー技術といった特殊
な手法を必要としないエックス線検査装置が実現できる
〔実施例〕 以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1〜3図は本発明に係るエックス線検査装置の一実施
例を示す図である。
第1図において、30は広帯域のエックス線31を円錐
状ビーム(ファンビーム)にして発生するエックス線発
生手段であり、エックス線発生手段30からのエックス
線31は第1マスク32によって遮られている。この第
1マスク32にはn個(本実施例ではn=3)の微細な
透過孔33〜35が形成されており、各透過孔33〜3
5は、エックス線発生手段30からのエックス線3工の
一部(以下、第1〜第3エツクス線36〜38)を取り
出して各々異なった経路39〜41に振り分けている。
各経路39〜41の延長線上には、それぞれ回折格子4
2〜44が配置されており、各回折格子42〜44のひ
とつの面45〜47に第1〜第3エツクス線36〜38
が入射するようになっている。
ここで、各ひとつの面45〜47と第1〜第3エツクス
線36〜38の軸(経路39〜41)のなす角度θ1〜
θ、は、第2図に示すように各々異なって設定する(θ
1〉θ、〉θ、)。各回折格子42〜44に所定格子間
隔の単結晶を用いると、周知のラウェ法によるエックス
線回折現象が観測される。第3図はその様子を示す図で
あり、詳細には、円形中心に向けて紙面上垂直に第i 
(iは1〜3)エックス線を照射し、任意の回折格子の
面がこのエックス線に曝されるようにした場合の観測図
である。
円形中心から半径方向に並ぶ多数の黒点は、各々が次数
の異なる回折エックス線スペクトルであり、各回折スペ
クトルの周波数は、次式■のブラッグ条件から与えられ
、単一波長となる。
Nλ=2dsjnθ・・・・・・■ 但し、N:回折次数(正の整数) λ:第iエックス線の波長 d:格子面間隔 θ:回折が起こる角度 第1図において、48は第2マスクであり、第2マスク
48にはn=3個の微細な透過孔49〜51が形成され
ている。各透過孔49〜51は、各回折格子42〜44
毎に回折エックス線スペクトルのひとつを選択するが、
これは、第2図において、各回折格子42〜44の入射
角度61〜θ、と回折が起こる角度(削代■のθ)を一
致させ、且つ、選択された各回折エックス線スペクトル
(以下、回折エックス線52〜54)が平行状態となる
ようにすると達成できる。平行状態にされた各回折エッ
クス線52〜54は、例えばI CI7−ド55、半田
56、バ・ンド57および基板58等、元素の異なる複
数材料からなる検査物体59に照射される。
検査物体59を透過した後の回折エックス線(以下、透
過エックス線60〜62)は検知部63〜65で個別に
検出され、検知部63〜65から出力されるエックス線
強度に応じた電気信号S、〜S、のうちのs、、S、に
対しては、エックス線発生手段30からの距離が最も遠
いSlを基準とした遅延量が遅延回路66.67で与え
られる。これらのS、〜S。
は計算機68に送られて計算機68で後述の演算処理が
実行され、その結果が表示装置やプリンタ等の出力部6
9に出力される。
このような構成において、検知部63〜65で個別に検
出された各透過エックス線60〜62の強度は、各回折
エックス線52〜54の周波数が単一であり、且つ異な
っているから、複数材料からなる検査物体59の同一箇
所を測定した場合に各々異なる値が測定される。したが
って、検査対象物体59の測定対象全範囲について測定
を行い、その観測結果を計算機68に与え、以下に述べ
る演算を実行することにより、波長の異なるエックス線
に対する質量吸収係数の差から複数材料の厚さを定量的
に分析することができる。
すなわち、検査物体58がふたつの材料A、Bからなる
ものとし、各材料の質量吸収係数をμ1、μ1、各材料
の厚さを66% dl、回折エックス線の波長をλ1、
λ□、照射エックス線の強度をro+、rot、透過エ
ックス線の強度をI+、Itとすると、削代■に示した
ランバート・ベールの法則から、次式■■が成立する。
1+ =Io+eXP ((μA (λI)dA十μm
 (λI)dl))・・・・・・■Iz =IoteX
P  ((μA (λ2)d、十μl (λりdl))
・・・・・・■この両辺のInをとると、 I n (1,/ Iol) =  (μA (λI)
dA十μ、(λ1)dl )・・・・・・■In (L
 /log)=  (#A (λ2)d、十μ、(λ*
 ) ctw )・・・・・・■この方程式を解けば、
da、diは次式■■から求めることができる。
dA=(us(λ+ )  r n (Iz / 1o
z)us  (λz )  I n (1+ / 1o
t) )/(μA (λl)μ、(At)−μ。
CAt )μm (λ1))・・・・・・■dm=(μ
A (λl ’)  I n (It /loz)am
  (λz )  In (1+ /1ot) )/(
μA (λ□)μl (λ1)−μ。
(λ、)μ、(At))・・・・・・■よって、 μA (λ2)μ、 (λ1 )= μA (λ、)μ、 (λ、) でない限り、ふたつの材料の厚さdA、dllを測定す
ることができる。
なお、材料の数がふたつを越える場合は、その数だけの
複数波長のエックス線を使用すればよく、同様にして材
料の厚さを測定できる。但し、材料ごとに質量吸収係数
が異なるように波長を選択する必要がある 以上述べたように、本実施例によれば、波長の異なる複
数のエックス線を用いて対象物体の測定を行うようにし
たので、当該物体が複数材料からなる場合でも、少ない
エックス線照射時間で測定を行うことができ、しかもC
Tスキャナー技術などの特殊な手法を用いることなく、
簡単な演算によって測定を行うことができる。
なお、上記実施例を発展させて、第4図に示すようにし
てもよい。この好ましい他の実施例では、第1図とほぼ
同一の構成を二組備える(なお、第1図の符号にダッシ
ュを付して識別する)。すなわち左半分で第1図と同様
に検査対象物体を測定してそのデータS、〜S13を得
、右半分で基準となる物体(例えば両方に共通の基板5
8゛)を測定してそのデータR8〜R1を得る。3つの
差動アンプ70〜72でR1−R3とSll〜S[3の
差を求め、この差信号S U B 1〜SUB、を計算
機68′に与える。こうすると、各工・ンクス線周波数
に対する基準物体(基Fi)の吸収係数の違いをリファ
レンス信号として使用でき、測定精度を向上できるとい
った特有の効果がある。
なお、上記各実施例では、回折格子の角度を変えて各エ
ックス線の周波数を異ならせてし)るが、結晶格子面間
隔を異ならせてもよい。これは、削代■のブラッグ条件
で与えられる単一波長の値力く、その格子面間隔dを変
えることによっても変り得るからである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、上記のように構成したので、少ないエ
ックス線照射時間で検査を行うことができ、しかも特殊
な手法を必要としない工・ンクス線検査装置を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1〜3図は本発明に係るエックス線検査装置の一実施
例を示す図であり、 第1図はその構成図、 第2図はその要部を示す図、 第3図はそのラウェ法によるエックス線回折現象の様子
を示す図、 第4図は本発明に係るエックス線検査装置の他の実施例
を示すその構成図である。 第5.6図は従来例を示す図であり、 第5図はそのエックス線検査装置を簡単に説明する図、 第6図はその複数材料からなる検査物体の測定を説明す
る図である。 30・・・・・・エックス線発生手段、31・・・・・
・エックス線、 32・・・・・・第1マスク、 33〜35・・・・・・透過孔、 36〜38・・・・・・第1〜第3エツクス線、39〜
41・・・・・・経路、 42〜44・・・・・・回折格子、 45〜47・・・・・・面、 48・・・・・・第2マスク、 49〜51・・・・・・透過孔、 52〜54・・・・・・回折エックス線、55・・・・
・・ICリード、 56・・・・・・半田、 57・・・・・・パッド、 58・・・・・・基板、 59・・・・・・検査物体、 60〜62・・・・・・透過エックス線、63〜65・
・・・・・検知部、 66.67・・・・・・遅延回路、 68・・・・・・計算機、 69・・・・・・出力部。 一実施例の要部の構成図 第2図 第 図 第 図 ゑ 従来例の複数材料からなる検査物体の測定を説明する1
第 図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ビーム状のエックス線を発生するエックス線発生
    手段と、 該エックス線をn個の経路に振り分ける振り分け手段と
    、 各々が前記各経路上に位置し、前記振り分けられたエッ
    クス線を回折するn個の回折格子と、該回折されたエッ
    クス線の中からn個の回折格子毎に異なる波長の単一波
    長エックス線を選択する選択手段と、 各単一波長エックス線の軸を平行に揃えて被検査物体に
    照射する照射手段と、 該検査物体を透過した単一波長エックス線を個別に受信
    し、電気信号に変換する変換手段と、を備えることを特
    徴とするエックス線検査装置。
  2. (2)単一波長エックス線が透過する検査物体の材質の
    種類に合わせて前記個数nを決定することを特徴とする
    請求項1記載のエックス線検査装置。
  3. (3)前記回折格子の格子間隔が、各回折格子毎に異な
    ることを特徴とする請求項1または2記載のエックス線
    検査装置。
  4. (4)前記回折格子のエックス線を受ける面とエックス
    線の軸とのなす角度が、各回折格子毎に異なることを特
    徴とする請求項1または2記載のエックス線検査装置。
JP2168904A 1990-06-26 1990-06-26 エックス線検査装置 Pending JPH0455743A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2168904A JPH0455743A (ja) 1990-06-26 1990-06-26 エックス線検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2168904A JPH0455743A (ja) 1990-06-26 1990-06-26 エックス線検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0455743A true JPH0455743A (ja) 1992-02-24

Family

ID=15876720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2168904A Pending JPH0455743A (ja) 1990-06-26 1990-06-26 エックス線検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0455743A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2058623A2 (en) * 2000-06-14 2009-05-13 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Method and apparatus for measuring a bump on a substrate
JP2010286406A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sii Nanotechnology Inc X線透過検査装置及びx線透過検査方法
JP2010286405A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sii Nanotechnology Inc X線透過検査装置及びx線透過検査方法
JP2015135325A (ja) * 2013-12-30 2015-07-27 同方威視技▲術▼股▲分▼有限公司 X線蛍光透視イメージングシステム

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2058623A2 (en) * 2000-06-14 2009-05-13 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Method and apparatus for measuring a bump on a substrate
EP2058623A3 (en) * 2000-06-14 2009-12-02 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Method and apparatus for measuring a bump on a substrate
JP2010286406A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sii Nanotechnology Inc X線透過検査装置及びx線透過検査方法
JP2010286405A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sii Nanotechnology Inc X線透過検査装置及びx線透過検査方法
JP2015135325A (ja) * 2013-12-30 2015-07-27 同方威視技▲術▼股▲分▼有限公司 X線蛍光透視イメージングシステム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5390075B2 (ja) X線を用いるオーバレイ計測
US7076024B2 (en) X-ray apparatus with dual monochromators
JP2016161577A (ja) 定量x線分析及びマトリックス厚み補正方法
JP2007024894A (ja) 試料の検査方法および装置
US6281498B1 (en) Infrared measuring gauges
WO2020135540A1 (zh) 一种量子产率的测试方法
JP2016502119A (ja) 面内斜入射回折を用いた表面マッピングのための装置、および、方法
US20070041492A1 (en) X-ray diffraction microscope apparatus and x-ray diffraction measuring method with the x-ray diffraction microscope apparatus
US20060072702A1 (en) Diffraction enhanced imaging method using a line x-ray source
KR920003050A (ko) 단결정 소재의 외부상 침전물의 검사방법
JPH0455743A (ja) エックス線検査装置
JPS6280541A (ja) 1次ビ−ムが横切る被検物体の区域の光減衰を測定する方法および装置
JP3968350B2 (ja) X線回折装置及び方法
JP3989836B2 (ja) サンプル状態検査装置及び方法
KR100781393B1 (ko) 결정격자를 갖는 피검체의 방사선 촬영 제어
JP2685726B2 (ja) X線分析装置
JPH1151883A (ja) 蛍光x線分析装置および方法
RU2137114C1 (ru) Способ малоугловой интроскопии и устройства для его осуществления (варианты)
JP2921597B2 (ja) 全反射スペクトル測定装置
RU2191369C1 (ru) Рентгенографическое устройство
JPH07260598A (ja) X線応力測定装置およびx線応力測定方法
JPH02266249A (ja) 結晶面のx線回折測定方法
RU2171980C2 (ru) Способ распознавания химического состава объектов по ослаблению ими рентгеновского излучения
US3023311A (en) X-ray diffractometry
RU2037773C1 (ru) Рентгеновский способ изменения толщины материала