JPH07115131A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH07115131A JPH07115131A JP28439193A JP28439193A JPH07115131A JP H07115131 A JPH07115131 A JP H07115131A JP 28439193 A JP28439193 A JP 28439193A JP 28439193 A JP28439193 A JP 28439193A JP H07115131 A JPH07115131 A JP H07115131A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクト孔に対する金属配線の合わせ余裕
を不要にして集積度を高め、且つコンタクト孔内におけ
る金属配線の耐水性を高めて信頼性も高める。 【構成】 自己平滑化効果を有するＯ3 −ＴＥＯＳ膜２
１でコンタクト孔１３の内側面が覆われているので、コ
ンタクト孔１３の形成時にボイド１６が形成されても、
このボイド１６をＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１で埋めることが
可能である。このため、Ａｌ配線１１に合わせ余裕を確
保する必要がない。しかも、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の一
部がＴＥＯＳ膜２２で覆われているので、Ａｌ配線１５
及び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１との接触面
積が少なくて、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１中の水分に対する
Ａｌ配線１５及び金属プラグ１４の耐性が高い。
を不要にして集積度を高め、且つコンタクト孔内におけ
る金属配線の耐水性を高めて信頼性も高める。 【構成】 自己平滑化効果を有するＯ3 −ＴＥＯＳ膜２
１でコンタクト孔１３の内側面が覆われているので、コ
ンタクト孔１３の形成時にボイド１６が形成されても、
このボイド１６をＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１で埋めることが
可能である。このため、Ａｌ配線１１に合わせ余裕を確
保する必要がない。しかも、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の一
部がＴＥＯＳ膜２２で覆われているので、Ａｌ配線１５
及び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１との接触面
積が少なくて、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１中の水分に対する
Ａｌ配線１５及び金属プラグ１４の耐性が高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、下層側の金属配線
と上層側の金属配線とがコンタクト孔を介して互いに接
続されている半導体装置に関するものである。
と上層側の金属配線とがコンタクト孔を介して互いに接
続されている半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、２層のＡｌ配線を有する半導体
装置の一従来例を示している。この一従来例では、図４
（ａ）に示す様に、下地の層間絶縁膜（図示せず）上に
第１層目のＡｌ配線１１が形成されており、このＡｌ配
線１１を層間絶縁膜１２が覆っている。層間絶縁膜１２
にはＡｌ配線１１に達するコンタクト孔１３が形成され
ており、タングステン等の金属プラグ１４がコンタクト
孔１３に埋め込まれている。
装置の一従来例を示している。この一従来例では、図４
（ａ）に示す様に、下地の層間絶縁膜（図示せず）上に
第１層目のＡｌ配線１１が形成されており、このＡｌ配
線１１を層間絶縁膜１２が覆っている。層間絶縁膜１２
にはＡｌ配線１１に達するコンタクト孔１３が形成され
ており、タングステン等の金属プラグ１４がコンタクト
孔１３に埋め込まれている。
【０００３】層間絶縁膜１２上には第２層目のＡｌ配線
１５が形成されており、金属プラグ１４を介して、Ａｌ
配線１５がＡｌ配線１１に接続されている。なお、第１
層目のＡｌ配線１１に対してコンタクト孔１３に合わせ
に誤差が生じても両者の合わせを保障するために、図４
（ｂ）に示す様に、Ａｌ配線１１のうちでコンタクト孔
１３を形成すべき部分の幅をそれ以外の部分の幅よりも
広くして、合わせ余裕を確保している。
１５が形成されており、金属プラグ１４を介して、Ａｌ
配線１５がＡｌ配線１１に接続されている。なお、第１
層目のＡｌ配線１１に対してコンタクト孔１３に合わせ
に誤差が生じても両者の合わせを保障するために、図４
（ｂ）に示す様に、Ａｌ配線１１のうちでコンタクト孔
１３を形成すべき部分の幅をそれ以外の部分の幅よりも
広くして、合わせ余裕を確保している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の集積度を高めるためには、図１（ｅ）に示す様に、Ａ
ｌ配線１１のうちでコンタクト孔１３を形成すべき部分
の幅もそれ以外の部分の幅と同じにすること、つまり、
合わせ余裕を確保しないことが望ましい。しかし、合わ
せ余裕を確保しなければ、図１（ａ）に示す様に、コン
タクト孔１３がＡｌ配線１１からずれ、Ａｌ配線１１の
側面の層間絶縁膜１２がスリット状にエッチングされ
て、この側面にボイド１６が形成される可能性がある。
の集積度を高めるためには、図１（ｅ）に示す様に、Ａ
ｌ配線１１のうちでコンタクト孔１３を形成すべき部分
の幅もそれ以外の部分の幅と同じにすること、つまり、
合わせ余裕を確保しないことが望ましい。しかし、合わ
せ余裕を確保しなければ、図１（ａ）に示す様に、コン
タクト孔１３がＡｌ配線１１からずれ、Ａｌ配線１１の
側面の層間絶縁膜１２がスリット状にエッチングされ
て、この側面にボイド１６が形成される可能性がある。
【０００５】ボイド１６がその後の工程でも埋められな
ければ、このボイド１６にガスの滞留等が生じ、その結
果、Ａｌ配線１１の信頼性が低下したり、層間絶縁膜１
２にクラックが生じたりする可能性があって、好ましく
ない。但し、自己平滑化効果を有するＯ3 −ＴＥＯＳ膜
を常圧ＣＶＤ法で堆積させれば、スリット状のボイド１
６でも埋めることができる。
ければ、このボイド１６にガスの滞留等が生じ、その結
果、Ａｌ配線１１の信頼性が低下したり、層間絶縁膜１
２にクラックが生じたりする可能性があって、好ましく
ない。但し、自己平滑化効果を有するＯ3 −ＴＥＯＳ膜
を常圧ＣＶＤ法で堆積させれば、スリット状のボイド１
６でも埋めることができる。
【０００６】しかし、常圧ＣＶＤ法で堆積させたＯ3 −
ＴＥＯＳ膜は、水分を多量に含んでいる。このため、ボ
イド１６をＯ3 −ＴＥＯＳ膜で埋めたとしても、このＯ
3 −ＴＥＯＳ膜にＡｌ配線１１、１５や金属プラグ１４
を直接に接触させることは、半導体装置の信頼性上から
好ましくない。従って、従来の半導体装置では、集積度
と信頼性とを同時に高めることが困難であった。
ＴＥＯＳ膜は、水分を多量に含んでいる。このため、ボ
イド１６をＯ3 −ＴＥＯＳ膜で埋めたとしても、このＯ
3 −ＴＥＯＳ膜にＡｌ配線１１、１５や金属プラグ１４
を直接に接触させることは、半導体装置の信頼性上から
好ましくない。従って、従来の半導体装置では、集積度
と信頼性とを同時に高めることが困難であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置で
は、コンタクト孔１３の内側面がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１
に覆われており、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の少なくと
も一部がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１以外の絶縁膜２２に覆わ
れており、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１及び前記絶縁膜２
２が形成されている状態の前記コンタクト孔１３を介し
て、下層側の金属配線１１と上層側の金属配線１４、１
５とが互いに接続されている。
は、コンタクト孔１３の内側面がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１
に覆われており、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の少なくと
も一部がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１以外の絶縁膜２２に覆わ
れており、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１及び前記絶縁膜２
２が形成されている状態の前記コンタクト孔１３を介し
て、下層側の金属配線１１と上層側の金属配線１４、１
５とが互いに接続されている。
【０００８】請求項２の半導体装置では、請求項１の半
導体装置において、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１のうちで
前記コンタクト孔１３の底部及び開口部以外の部分が前
記絶縁膜２２に覆われている。
導体装置において、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１のうちで
前記コンタクト孔１３の底部及び開口部以外の部分が前
記絶縁膜２２に覆われている。
【０００９】請求項３の半導体装置では、請求項１の半
導体装置において、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１のうちで
前記上層側の金属配線１４、１５との対向部が前記絶縁
膜２２に覆われている。
導体装置において、前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１のうちで
前記上層側の金属配線１４、１５との対向部が前記絶縁
膜２２に覆われている。
【００１０】請求項４の半導体装置では、請求項２また
は３の半導体装置において、前記下層側の金属配線１１
のうちで前記コンタクト孔１３内に臨んでいる部分が窒
化されている。
は３の半導体装置において、前記下層側の金属配線１１
のうちで前記コンタクト孔１３内に臨んでいる部分が窒
化されている。
【００１１】
【作用】請求項１の半導体装置では、自己平滑化効果を
有するＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１にコンタクト孔１３の内側
面が覆われているので、下層側の金属配線１１に対する
コンタクト孔１３の合わせ誤差のために、コンタクト孔
１３の形成に際して下層側の金属配線１１の側面にスリ
ット状のボイド１６が形成されても、このスリット状の
ボイド１６をＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１で埋めることが可能
である。このため、金属配線１１に合わせ余裕を確保す
る必要がなくて、集積度を高めることができる。
有するＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１にコンタクト孔１３の内側
面が覆われているので、下層側の金属配線１１に対する
コンタクト孔１３の合わせ誤差のために、コンタクト孔
１３の形成に際して下層側の金属配線１１の側面にスリ
ット状のボイド１６が形成されても、このスリット状の
ボイド１６をＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１で埋めることが可能
である。このため、金属配線１１に合わせ余裕を確保す
る必要がなくて、集積度を高めることができる。
【００１２】そして、この様に集積度を高めることがで
きるにも拘らず、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の少なくとも一
部がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１以外の絶縁膜２２に覆われて
いるので、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１と上層側の金属配線１
４、１５との接触面積が少なくて、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２
１中の水分に対する上層側の金属配線１４、１５の耐性
が高い。
きるにも拘らず、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の少なくとも一
部がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１以外の絶縁膜２２に覆われて
いるので、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１と上層側の金属配線１
４、１５との接触面積が少なくて、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２
１中の水分に対する上層側の金属配線１４、１５の耐性
が高い。
【００１３】請求項２の半導体装置では、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜２１及び絶縁膜２２を連続的に堆積させ且つ連続的
にエッチバックするだけで、側壁状のＯ3 −ＴＥＯＳ膜
２１及び絶縁膜２２をコンタクト孔１３内に容易に形成
することができる。
Ｓ膜２１及び絶縁膜２２を連続的に堆積させ且つ連続的
にエッチバックするだけで、側壁状のＯ3 −ＴＥＯＳ膜
２１及び絶縁膜２２をコンタクト孔１３内に容易に形成
することができる。
【００１４】請求項３の半導体装置では、Ｏ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜２１のうちで上層側の金属配線１４、１５との対向
部が絶縁膜２２に覆われているので、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜
２１と上層側の金属配線１４、１５との接触面積が更に
少なくて、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１中の水分に対する上層
側の金属配線１４、１５の耐性が更に高い。
Ｓ膜２１のうちで上層側の金属配線１４、１５との対向
部が絶縁膜２２に覆われているので、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜
２１と上層側の金属配線１４、１５との接触面積が更に
少なくて、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１中の水分に対する上層
側の金属配線１４、１５の耐性が更に高い。
【００１５】請求項４の半導体装置では、下層側の金属
配線１１のうちでコンタクト孔１３内に臨んでいる部分
が窒化されているので、上層側の金属配線１４、１５の
みならず下層側の金属配線１１もＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１
中の水分に対する耐性が高い。
配線１１のうちでコンタクト孔１３内に臨んでいる部分
が窒化されているので、上層側の金属配線１４、１５の
みならず下層側の金属配線１１もＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１
中の水分に対する耐性が高い。
【００１６】
【実施例】以下、２層のＡｌ配線を有する半導体装置に
適用した本願の発明の第１〜第３実施例を、図１〜３を
参照しながら説明する。なお、図４に示した一従来例と
対応する構成部分には、同一の符号を付してある。
適用した本願の発明の第１〜第３実施例を、図１〜３を
参照しながら説明する。なお、図４に示した一従来例と
対応する構成部分には、同一の符号を付してある。
【００１７】図１が、第１実施例の製造方法を示してい
る。この第１実施例並びに以下の第２及び第３実施例で
は、図１（ｅ）に示す様に、２層のＡｌ配線１１、１５
同士を接続するためのコンタクト孔１３に対する合わせ
余裕を、これらのＡｌ配線１１、１５に確保していな
い。この第１実施例を製造するためには、図１（ａ）に
示す様に、第１層目のＡｌ配線１１を層間絶縁膜１２で
覆った後、Ａｌ配線１１に達するコンタクト孔１３を層
間絶縁膜１２に形成する。
る。この第１実施例並びに以下の第２及び第３実施例で
は、図１（ｅ）に示す様に、２層のＡｌ配線１１、１５
同士を接続するためのコンタクト孔１３に対する合わせ
余裕を、これらのＡｌ配線１１、１５に確保していな
い。この第１実施例を製造するためには、図１（ａ）に
示す様に、第１層目のＡｌ配線１１を層間絶縁膜１２で
覆った後、Ａｌ配線１１に達するコンタクト孔１３を層
間絶縁膜１２に形成する。
【００１８】但し、図１（ｅ）はＡｌ配線１１に対して
コンタクト孔１３に合わせ誤差がない状態を示している
が、実際には、図１（ａ）に示した様に、いくらかの合
わせ誤差が生じる。このため、Ａｌ配線１１の側面の層
間絶縁膜１２がスリット状にエッチングされて、この側
面にボイド１６が形成される。
コンタクト孔１３に合わせ誤差がない状態を示している
が、実際には、図１（ａ）に示した様に、いくらかの合
わせ誤差が生じる。このため、Ａｌ配線１１の側面の層
間絶縁膜１２がスリット状にエッチングされて、この側
面にボイド１６が形成される。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示す様に、Ｏ3 −ＴＥ
ＯＳ膜２１を常圧ＣＶＤ法で堆積させ、引き続いて、Ｔ
ＥＯＳ膜２２をプラズマＣＶＤ法で堆積させる。ＴＥＯ
Ｓ膜２２のみではボイド１６を埋めることが困難である
が、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１は自己平滑化効果を有してい
るのでボイド１６を埋めることができる。なお、ＴＥＯ
Ｓ膜２２の代わりに、ＳｉＯ2 膜をプラズマＣＶＤ法で
堆積させてもよい。
ＯＳ膜２１を常圧ＣＶＤ法で堆積させ、引き続いて、Ｔ
ＥＯＳ膜２２をプラズマＣＶＤ法で堆積させる。ＴＥＯ
Ｓ膜２２のみではボイド１６を埋めることが困難である
が、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１は自己平滑化効果を有してい
るのでボイド１６を埋めることができる。なお、ＴＥＯ
Ｓ膜２２の代わりに、ＳｉＯ2 膜をプラズマＣＶＤ法で
堆積させてもよい。
【００２０】次に、ＴＥＯＳ膜２２とＯ3 −ＴＥＯＳ膜
２１とに対して連続的に全面ＲＩＥによるエッチバック
を行って、図１（ｃ）に示す様に、これらのＴＥＯＳ膜
２２とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１とをコンタクト孔１３の内
側面にのみ側壁状に残す。この結果、コンタクト孔１３
の内側面がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１に覆われ、このＯ3−
ＴＥＯＳ膜２１のうちでコンタクト孔１３の底部及び開
口部以外の部分がＴＥＯＳ膜２２に覆われると共に、最
終的なコンタクト孔２３が形成される。
２１とに対して連続的に全面ＲＩＥによるエッチバック
を行って、図１（ｃ）に示す様に、これらのＴＥＯＳ膜
２２とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１とをコンタクト孔１３の内
側面にのみ側壁状に残す。この結果、コンタクト孔１３
の内側面がＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１に覆われ、このＯ3−
ＴＥＯＳ膜２１のうちでコンタクト孔１３の底部及び開
口部以外の部分がＴＥＯＳ膜２２に覆われると共に、最
終的なコンタクト孔２３が形成される。
【００２１】次に、図１（ｄ）に示す様に、タングステ
ン等の金属プラグ１４でコンタクト孔１３を埋め込む。
そして、層間絶縁膜１２上に第２層目のＡｌ配線１５を
形成し、金属プラグ１４を介して、Ａｌ配線１５をＡｌ
配線１１に接続する。その後、従来公知の工程を実行し
て、この第１実施例を完成させる。
ン等の金属プラグ１４でコンタクト孔１３を埋め込む。
そして、層間絶縁膜１２上に第２層目のＡｌ配線１５を
形成し、金属プラグ１４を介して、Ａｌ配線１５をＡｌ
配線１１に接続する。その後、従来公知の工程を実行し
て、この第１実施例を完成させる。
【００２２】以上の様にして製造した第１実施例では、
図１（ｄ）中に太線で示す様に、Ａｌ配線１１とＯ3 −
ＴＥＯＳ膜２１とが接触している他は、Ａｌ配線１５及
び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１とが、コンタ
クト孔１３の底部及び開口部で接触しているのみであ
る。従って、ＴＥＯＳ膜２２が設けられていない構造に
比べて、Ａｌ配線１５及び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥ
ＯＳ膜２１との接触面積が少ない。
図１（ｄ）中に太線で示す様に、Ａｌ配線１１とＯ3 −
ＴＥＯＳ膜２１とが接触している他は、Ａｌ配線１５及
び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１とが、コンタ
クト孔１３の底部及び開口部で接触しているのみであ
る。従って、ＴＥＯＳ膜２２が設けられていない構造に
比べて、Ａｌ配線１５及び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥ
ＯＳ膜２１との接触面積が少ない。
【００２３】図２が、第２実施例の製造方法を示してい
る。この第２実施例の製造に際しても、図２（ａ）に示
す様に、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の堆積までは、図１に示
した第１実施例の製造方法と実質的に同様の工程を実行
する。しかし、この第２実施例を製造するためには、そ
の後、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１に対して全面ＲＩＥによる
エッチバックを行って、図２（ｂ）に示す様に、このＯ
3 −ＴＥＯＳ膜２１をコンタクト孔１３の内側面にのみ
残す。
る。この第２実施例の製造に際しても、図２（ａ）に示
す様に、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１の堆積までは、図１に示
した第１実施例の製造方法と実質的に同様の工程を実行
する。しかし、この第２実施例を製造するためには、そ
の後、Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜２１に対して全面ＲＩＥによる
エッチバックを行って、図２（ｂ）に示す様に、このＯ
3 −ＴＥＯＳ膜２１をコンタクト孔１３の内側面にのみ
残す。
【００２４】次に、図２（ｃ）に示す様に、ＴＥＯＳ膜
２２をプラズマＣＶＤ法で堆積させる。ＴＥＯＳ膜２２
は段差被覆性が良くないので、層間絶縁膜１２上のＴＥ
ＯＳ膜２２の膜厚に比べて、コンタクト孔２３の底部に
おけるＴＥＯＳ膜２２の膜厚が薄い。なお、この第２実
施例でも、ＴＥＯＳ膜２２の代わりに、ＳｉＯ2 膜をプ
ラズマＣＶＤ法で堆積させてもよい。
２２をプラズマＣＶＤ法で堆積させる。ＴＥＯＳ膜２２
は段差被覆性が良くないので、層間絶縁膜１２上のＴＥ
ＯＳ膜２２の膜厚に比べて、コンタクト孔２３の底部に
おけるＴＥＯＳ膜２２の膜厚が薄い。なお、この第２実
施例でも、ＴＥＯＳ膜２２の代わりに、ＳｉＯ2 膜をプ
ラズマＣＶＤ法で堆積させてもよい。
【００２５】次に、図２（ｄ）に示す様に、Ａｌ配線１
１が露出するまで、ＴＥＯＳ膜２２に対して全面ＲＩＥ
によるエッチバックを行う。上述の様に、層間絶縁膜１
２上のＴＥＯＳ膜２２の膜厚に比べて、コンタクト孔２
３の底部におけるＴＥＯＳ膜２２の膜厚が薄いので、Ａ
ｌ配線１１が露出した時点では、層間絶縁膜１２上にＴ
ＥＯＳ膜２２が残っている。このため、コンタクト孔２
３の底部及び開口部においてもＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１が
露出しない。
１が露出するまで、ＴＥＯＳ膜２２に対して全面ＲＩＥ
によるエッチバックを行う。上述の様に、層間絶縁膜１
２上のＴＥＯＳ膜２２の膜厚に比べて、コンタクト孔２
３の底部におけるＴＥＯＳ膜２２の膜厚が薄いので、Ａ
ｌ配線１１が露出した時点では、層間絶縁膜１２上にＴ
ＥＯＳ膜２２が残っている。このため、コンタクト孔２
３の底部及び開口部においてもＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１が
露出しない。
【００２６】次に、図２（ｅ）に示す様に、図１に示し
た第１実施例を製造する場合と実質的に同様の工程を実
行して、この第２実施例を完成させる。以上の様にして
製造した第２実施例では、図２（ｅ）中に太線で示す様
に、Ａｌ配線１１とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１とが接触して
いるのみである。従って、第１実施例に比べても更に、
Ａｌ配線１１、１５及び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜２１との接触面積が少ない。
た第１実施例を製造する場合と実質的に同様の工程を実
行して、この第２実施例を完成させる。以上の様にして
製造した第２実施例では、図２（ｅ）中に太線で示す様
に、Ａｌ配線１１とＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１とが接触して
いるのみである。従って、第１実施例に比べても更に、
Ａｌ配線１１、１５及び金属プラグ１４とＯ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜２１との接触面積が少ない。
【００２７】図３が、第３実施例の製造方法を示してい
る。この第３実施例の製造に際しては、図３に示す様
に、コンタクト孔１３を層間絶縁膜１２に形成した後、
Ｎ2 雰囲気中におけるプラズマ処理を行って、Ａｌ配線
１１の露出部に窒化膜２４を形成する。その後は、上述
の第１実施例または第２実施例を製造する場合と実質的
に同様の工程を実行して、この第３実施例を完成させ
る。以上の様にして製造した第３実施例では、窒化膜２
４のためにＡｌ配線１１もＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１と接触
しておらず、しかもこの窒化膜２４は耐水性を有してい
る。
る。この第３実施例の製造に際しては、図３に示す様
に、コンタクト孔１３を層間絶縁膜１２に形成した後、
Ｎ2 雰囲気中におけるプラズマ処理を行って、Ａｌ配線
１１の露出部に窒化膜２４を形成する。その後は、上述
の第１実施例または第２実施例を製造する場合と実質的
に同様の工程を実行して、この第３実施例を完成させ
る。以上の様にして製造した第３実施例では、窒化膜２
４のためにＡｌ配線１１もＯ3 −ＴＥＯＳ膜２１と接触
しておらず、しかもこの窒化膜２４は耐水性を有してい
る。
【００２８】
【発明の効果】請求項１の半導体装置では、集積度を高
めることができるにも拘らず、コンタクト孔内における
Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜中の水分に対する上層側の金属配線の
耐性が高いので、信頼性も高い。
めることができるにも拘らず、コンタクト孔内における
Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜中の水分に対する上層側の金属配線の
耐性が高いので、信頼性も高い。
【００２９】請求項２の半導体装置では、側壁状のＯ3
−ＴＥＯＳ膜及び絶縁膜をコンタクト孔内に容易に形成
することができるので、高い信頼性を容易に得ることが
できる。
−ＴＥＯＳ膜及び絶縁膜をコンタクト孔内に容易に形成
することができるので、高い信頼性を容易に得ることが
できる。
【００３０】請求項３の半導体装置では、コンタクト孔
内におけるＯ3 −ＴＥＯＳ膜中の水分に対する上層側の
金属配線の耐性が更に高いので、信頼性が更に高い。
内におけるＯ3 −ＴＥＯＳ膜中の水分に対する上層側の
金属配線の耐性が更に高いので、信頼性が更に高い。
【００３１】請求項４の半導体装置では、上層側の金属
配線のみならず下層側の金属配線もＯ3 −ＴＥＯＳ膜中
の水分に対する耐性が高いので、信頼性が更に高い。
配線のみならず下層側の金属配線もＯ3 −ＴＥＯＳ膜中
の水分に対する耐性が高いので、信頼性が更に高い。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本願の発明の第１実施例の製
造方法を工程順に示す側断面図、（ｅ）は第１実施例の
平面図であり、（ａ）〜（ｄ）は（ｅ）のＳ−Ｓ線に沿
う位置における側断面図である。
造方法を工程順に示す側断面図、（ｅ）は第１実施例の
平面図であり、（ａ）〜（ｄ）は（ｅ）のＳ−Ｓ線に沿
う位置における側断面図である。
【図２】本願の発明の第２実施例の製造方法を工程順に
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図３】本願の発明の第３実施例の製造方法の最初の工
程を示す側断面図である。
程を示す側断面図である。
【図４】（ａ）は本願の発明の一従来例の側断面図、
（ｂ）は一従来例の平面図であり、（ａ）は（ｂ）のＳ
−Ｓ線に沿う位置における側断面図である。
（ｂ）は一従来例の平面図であり、（ａ）は（ｂ）のＳ
−Ｓ線に沿う位置における側断面図である。
１１ Ａｌ配線 １３ コンタクト孔 １４ 金属プラグ １５ Ａｌ配線 ２１ Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜 ２２ ＴＥＯＳ膜
Claims (4)
- 【請求項１】 コンタクト孔の内側面がＯ3 −ＴＥＯＳ
膜に覆われており、 前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜の少なくとも一部がＯ3 −ＴＥＯ
Ｓ膜以外の絶縁膜に覆われており、 前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜及び前記絶縁膜が形成されている
状態の前記コンタクト孔を介して、下層側の金属配線と
上層側の金属配線とが互いに接続されている半導体装
置。 - 【請求項２】 前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜のうちで前記コン
タクト孔の底部及び開口部以外の部分が前記絶縁膜に覆
われている請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記Ｏ3 −ＴＥＯＳ膜のうちで前記上層
側の金属配線との対向部が前記絶縁膜に覆われている請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記下層側の金属配線のうちで前記コン
タクト孔内に臨んでいる部分が窒化されている請求項２
または３記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28439193A JPH07115131A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28439193A JPH07115131A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115131A true JPH07115131A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17677975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28439193A Pending JPH07115131A (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8025093B2 (en) | 2006-03-08 | 2011-09-27 | Kobe Steel, Ltd. | Process for manufacturing cast aluminum alloy plate |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP28439193A patent/JPH07115131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8025093B2 (en) | 2006-03-08 | 2011-09-27 | Kobe Steel, Ltd. | Process for manufacturing cast aluminum alloy plate |
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