JPH07115055A - 基板露光装置 - Google Patents

基板露光装置

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JPH07115055A
JPH07115055A JP5281875A JP28187593A JPH07115055A JP H07115055 A JPH07115055 A JP H07115055A JP 5281875 A JP5281875 A JP 5281875A JP 28187593 A JP28187593 A JP 28187593A JP H07115055 A JPH07115055 A JP H07115055A
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JP
Japan
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substrate
mask
expansion
stage
relative position
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Pending
Application number
JP5281875A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Yamamoto
正昭 山本
Masahiko Oka
正彦 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP5281875A priority Critical patent/JPH07115055A/ja
Publication of JPH07115055A publication Critical patent/JPH07115055A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マスクを損傷すること無く、マスクに対して
基板の大きさを精度良く補正して基板上に回路パターン
を転写できるようにする基板露光装置を提供する。 【構成】 マスク1を水平姿勢で保持するマスクホルダ
ー2と、その下部で基板3を吸着保持する吸着ステージ
4と、吸着ステージ4の隣合う2辺を並列状に支持する
複数の伸縮ユニット6と、テーブル7に設けられ相対位
置調整を行うθステージ8a,Yステージ8bおよびX
ステージ8cと、マスク1と基板3とのアライメントマ
ークの相対位置を検出するマーク位置検出器10と、こ
の位置ズレ量を算出することによって伸縮補正量を求め
る演算装置11と、伸縮ユニット6を駆動して伸縮補正
量が零になるように基板3を伸縮させる制御装置12と
を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置用のガラ
ス基板やフォトマスク用のガラス基板、半導体ウエハな
どの基板に対して回路パターンを転写するために、回路
パターンを形成したマスクに対向して基板を保持する基
板保持手段と、マスクを介在させて基板に露光用照明光
を照射する光源と、マスクと基板との相対位置を調整す
る相対位置調整手段とを備えた基板露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の基板露光装置では、そこに搬入
される基板自体がその前工程の熱処理等により歪みを生
じ、基板とマスクとの間での重ね合わせ露光をする際
に、その歪みのために基板とマスク間で誤差を生じるこ
ととなり、正確な重ね合わせができないという問題があ
った。そこで、このような誤差を補正するための基板露
光装置として、従来では次のような技術があった。
【0003】例えば、特開平4−195053号公報に
は、露光用照明光の照射角をマスクに対して拡がるよう
に、あるいは狭めるように制御することにより、マスク
パターンを拡大あるいは縮小して基板に転写させ、基板
とマスクとの間の誤差を補正する露光装置が開示されて
いる。
【0004】また、特開昭63−285931号公報に
は、マスクと基板との誤差を検出して、この誤差に応じ
てマスクを伸縮させることにより補正を行う露光装置が
開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た露光用照明光の照射角を制御する装置では、補正する
倍率は同心円状にのみ制御が可能であり、実際の基板は
同心円状に伸縮するのではなく、その基板の結晶方位性
や、熱処理プロセスなどによって、均等な伸縮にはなら
ない。そのために高精度の補正ができないという欠点が
あった。
【0006】また、マスクを伸縮させる装置では、マス
クの厚みが基板より3〜5倍もあり、マスクを変形させ
るには、かなり大きな伸縮ユニットが必要となる。ま
た、マスク自体を伸縮させるので、多数の基板に対する
原版となるマスクの回路パターンが損傷し、品質が低下
するといった欠点があった。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、請求項1に係る発明の基板露光装置
は、マスクを損傷すること無く、マスクに対して基板の
大きさを精度良く補正して基板上に回路パターンを転写
できるようにすることを目的とし、また、請求項2に係
る発明の基板露光装置は、基板の損傷を抑制しながら基
板を伸縮できるようにすることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明の基
板露光装置は、上述のような目的を達成するために、回
路パターンを形成したマスクに対向して基板を保持する
基板保持手段と、マスクを介在させて基板に露光用照明
光を照射する光源と、マスクと基板との相対位置を調整
する相対位置調整手段とを備えた基板露光装置におい
て、基板をその面方向に伸縮させる伸縮手段と、マスク
と基板それぞれの位置合わせマークによって両者の相対
位置を検出する相対位置検出手段と、その相対位置検出
手段によって検出された相対位置に基づいて修正すべき
伸縮補正量を算出する演算手段と、その演算手段によっ
て算出された伸縮補正量が零になるように伸縮手段を作
動する補正制御手段とを備えて構成する。
【0009】また、請求項2に係る発明の基板露光装置
は、上述のような目的を達成するために、請求項1に係
る発明の基板露光装置における基板保持手段が、基板を
真空吸着保持する吸着ステージを有し、かつ、伸縮手段
が吸着ステージを伸縮するように構成する。
【0010】
【作用】請求項1に係る発明の基板露光装置の構成によ
れば、回路パターンを形成したマスクに対向して基板を
基板保持手段に保持し、相対位置検出手段によってマス
クと基板それぞれの位置合わせマークから両者の相対位
置を検出する。そして、相対位置に基づいてマスクと基
板との大きさにズレが有れば、検出された相対位置に基
づいて修正すべき伸縮補正量を演算手段によって算出
し、算出された伸縮補正量が零になるように伸縮手段を
補正制御手段で作動することによって、基板をその面方
向に伸縮し、マスクに対応した大きさに補正することが
できる。
【0011】また、請求項2に係る発明の基板露光装置
の構成によれば、基板を真空吸着保持する吸着ステージ
を伸縮することによって、その吸着ステージに一体的に
保持された基板を伸縮することができる。
【0012】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図1は、本発明の実施例に係る基板露光装
置の模式的全体概略側面図、図2は一部切欠全体概略平
面図であり、回路パターンが形成されたマスク1を水平
姿勢で保持するマスクホルダー2の下方に、マスク1と
所定間隔を隔てて対向した状態でガラス基板3を真空吸
着保持する基板保持手段としての吸着ステージ4が設け
られている。
【0013】吸着ステージ4の隣合う2辺が一対の第1
のブロック5a,5aと並列状に設けられた伸縮手段と
しての複数の伸縮ユニット6とを介してテーブル7に支
持され、かつ、前記2辺それぞれに対向する吸着ステー
ジ4の他の2辺が第2のブロック5b,5bを介してテ
ーブル7に支持されている。
【0014】吸着ステージ4は、図2に示すように、ガ
ラス基板3の載置面である上面に格子状に吸着用溝4a
が形成され、吸着用溝4a内に形成された吸引孔を介し
て図示しない真空吸引源により吸引することによってガ
ラス基板3が真空吸着保持されるように構成されてい
る。
【0015】テーブル7は、鉛直方向の軸芯P周りで回
転可能にθステージ8aに設けられ、このθステージ8
aが水平二次元方向の直交する一方に移動可能にYステ
ージ8bに設けられ、そして、Yステージ8bが水平二
次元方向の直交する他方に移動可能にXステージ8cに
設けられている。これらのθステージ8a,Yステージ
8bおよびXステージ8cによって相対位置調整手段が
構成されている。
【0016】マスク1の外周縁に近い上方箇所には、マ
スク1の外周全周にわたって所定間隔を隔てて検出光学
系9が設けられ、この検出光学系9に相対位置検出手段
としてのマーク位置検出器10が付設され、マスク1に
形成された十字形状の第1の位置合わせマーク1aとガ
ラス基板3に形成された四角形の第2の位置合わせマー
ク3aそれぞれの位置を検出するように構成されてい
る。
【0017】マーク位置検出器10が演算手段としての
演算装置11に接続されるとともに、その演算装置11
に補正制御手段としての制御装置12が接続され、制御
装置12に伸縮ユニット6が接続されている。図示しな
いが、制御装置12にはθステージ8a,Yステージ8
bおよびXステージ8cそれぞれの駆動部も接続されて
いる。
【0018】演算装置11では、マーク位置検出器10
によって検出されたマスク1とガラス基板3との位置ズ
レ量に基づいて伸縮補正量およびマスク1とガラス基板
3との相対位置の位置誤差を算出するようになってお
り、そして、制御装置12では、演算装置11で算出さ
れた伸縮補正量および位置誤差に基づき、伸縮ユニット
6を作動して伸縮補正量が零になるように調整するとと
もに、θステージ8a,Yステージ8bおよびXステー
ジ8cそれぞれを作動して位置誤差が零になるように位
置合わせするようになっている。
【0019】マスク1の上方には、補正後のガラス基板
3に照明光を照射する露光照明系13が設けられてい
る。図中、太実線は電気信号路を示す。
【0020】伸縮ユニット6,6それぞれは、図3の一
部切欠拡大側面図に示すように構成されている。すなわ
ち、テーブル7の端部に支持部材20を介して固定され
た正逆転可能なモータ21にカップリング22を介して
ネジホルダー23が連結され、このネジホルダー23
が、支持部材24内で回動自在に支持されている。
【0021】ネジホルダー23の他端に内周面がネジ加
工されたネジナット25が一体に連結され、モータ21
の回転により回転するように構成され、ネジナット25
に螺合するネジ軸26が支持部材24にスライド可能に
支持されるとともに、支持部材24に取付けられた回り
止め27によって回転が規制され、直線移動のみ可能に
構成されている。そして、ネジ軸26の先端がナット2
8とナットホルダー29とを介して第一のブロック5a
に取付られ、吸着ステージ4と連結されている。
【0022】次に、ガラス基板3の伸縮補正手順につい
て説明する。先ず、図2に示すように、検出光学系9お
よびマーク位置検出器10によって、各端縁に形成され
た、マスク1の複数の第1の位置合わせマーク1a,1
aそれぞれとガラス基板3の複数の第2の位置合わせマ
ーク3a,3aそれぞれの相対位置を読み取り、この位
置ズレ量を演算装置11で算出することによって伸縮補
正量及び位置誤差を求める。そして、この伸縮補正量に
基づいた動作信号を各伸縮ユニット6に、また位置誤差
に基づいた動作信号をθステージ8a,Yステージ8
b,Xステージ8cそれぞれに制御装置12によって出
力する。
【0023】伸縮ユニット6では、動作信号に応答し
て、モータ21を所定量回転し、例えばマスク1に対し
てガラス基板3が縮んでいる場合、ネジ軸26をネジナ
ット25の回転によりモータ21側に直進動作させ、ナ
ットホルダー29と第1のブロック5aとを介して、吸
着ステージ4およびその上に吸着保持されたガラス基板
3を伸縮補正量が零になるように伸張する。マスク1に
対してガラス基板3が伸びている場合は、逆回転する。
【0024】次に、θステージ8a,Yステージ8b,
Xステージ8cによってマスク1とガラス基板3との位
置誤差が零になるようにX,Y軸方向および、θ軸芯周
りに、テーブル7の位置を調整する。
【0025】そして、マスク1とガラス基板3との位置
合わせを行った後、露光照明系13からマスク1を通し
て照明光を照射し、ガラス基板3の露光処理を行う。
【0026】このように、マスク1とガラス基板3とが
全面にわたって均等に重ね合わせができるので、一括露
光処理を精度良く行うことができる。なお、本発明はス
テッパーにも適応できる。
【0027】上記実施例では、伸縮ユニット6をガラス
基板3の一辺に対して複数個並列設置することによっ
て、変形の分解能が増し、ガラス基板3の変形が非線型
の場合にも対応できるように構成されているが、本発明
としてはその個数に限定されるものでは無い。
【0028】また、上記実施例では、吸着ステージ4を
伸縮することによってガラス基板3を伸縮しているが、
ガラス基板3の外周縁を把持してガラス基板3を直接的
に伸縮するように構成しても良い。また、吸着ステージ
4の裏面に格子状に切り溝を入れて伸縮させやすいよう
に構成しても良い。基板の伸縮量としては、例えば30
0mm×300mm角で、厚さ1.1mmの液晶表示装
置用ガラス基板の場合で10μm程度である。
【0029】また、上記実施例では、ガラス基板3とマ
スク1とを水平姿勢で対向させているが、鉛直姿勢な
ど、その対向姿勢はどのような姿勢であっても良い。本
実施例では、マスク1の下方にガラス基板3と伸縮ユニ
ット6を配置しているので、マスクやガラス基板に塵埃
が付着するおそれも少ない。
【0030】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に係る発明の基板露光装置によれば、熱処理後の歪み
等に起因するマスクと基板との大きさの変化を、基板を
伸縮することによって補正するから、露光照明系で補正
する場合に比べてマスクと基板とを精度良く位置合わせ
することができるようになった。また、マスクを伸縮さ
せないから、マスクの損傷を少なくでき、原版として長
期にわたって良好に使用でき、経済的にできる。
【0031】また、請求項2に係る発明の基板露光装置
によれば、基板を真空吸着保持する吸着ステージを伸縮
して基板を伸縮するから、基板の端縁を保持して基板を
直接的に伸縮させる場合に比べて基板の破損を抑制でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る基板露光装置の模式的全
体概略側面図である。
【図2】基板露光装置の一部切欠全体概略平面図であ
る。
【図3】伸縮ユニットの一部切欠拡大側面図である。
【符号の説明】
1…マスク 3…ガラス基板 4…吸着ステージ 6…伸縮ユニット 10…マーク位置検出器 11…演算装置 12…制御装置 13…露光照明系

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路パターンを形成したマスクに対向し
    て基板を保持する基板保持手段と、前記マスクを介在さ
    せて前記基板に露光用照明光を照射する光源と、前記マ
    スクと前記基板との相対位置を調整する相対位置調整手
    段とを備えた基板露光装置において、 前記基板をその面方向に伸縮させる伸縮手段と、 前記マスクと前記基板それぞれの位置合わせマークによ
    って両者の相対位置を検出する相対位置検出手段と、 前記相対位置検出手段によって検出された相対位置に基
    づいて修正すべき伸縮補正量を算出する演算手段と、 前記演算手段によって算出された伸縮補正量が零になる
    ように前記伸縮手段を作動する補正制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板露光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板保持手段が、基板
    を真空吸着保持する吸着ステージを有し、かつ、伸縮手
    段が前記吸着ステージを伸縮するものである基板露光装
    置。
JP5281875A 1993-10-15 1993-10-15 基板露光装置 Pending JPH07115055A (ja)

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JP5281875A JPH07115055A (ja) 1993-10-15 1993-10-15 基板露光装置

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JP5281875A JPH07115055A (ja) 1993-10-15 1993-10-15 基板露光装置

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ID=17645193

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JP5281875A Pending JPH07115055A (ja) 1993-10-15 1993-10-15 基板露光装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008139643A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Sanei Giken Co., Ltd. 露光方法および露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008139643A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Sanei Giken Co., Ltd. 露光方法および露光装置

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