JPH07114715A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】磁気抵抗効果材料として、磁性層５に反強磁性
層６からの交換バイアス磁界を印加し、磁性層３には直
接的には、反強磁性層６からの交換バイアス磁界を印加
しない多層膜を用い、二層の磁性層３，５のトラック幅
方向における両端を接触させた。 【効果】オフトラック特性に優れ、非常に高いトラック
密度の磁気記録再生装置に有利である。また、多層膜を
用いているため、従来のパーマロイ単層膜を用いた磁気
抵抗効果素子よりも約２.５ 倍高い出力が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は多層磁気抵抗効果膜を用
いた磁気抵抗効果型ヘッド、および、磁気記録再生装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、再生用磁気
ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料として、高い感度を示
す材料が求められている。最近、ディーニイ(Dieny）ら
によるフィジカル・レビュー・Ｂ(Pysical Review B)，
第４３巻，第１号，１２９７〜１３００ペ−ジに記載の
「軟磁性多層膜における巨大磁気抵抗効果」（Giant Ma
gnetoresistance in Soft Ferromagnetic Multilayers)
のように二層の磁性層を非磁性層で分離し、一方の磁性
層に反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加する方法
が考案された。この多層膜は一層の磁性層の厚さが薄い
ため、磁気抵抗効果素子を形成した時の反磁界係数が小
さく、このため、低い磁界で磁気抵抗効果を示す。ま
た、磁気抵抗変化量も大きい。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のような高感度磁
気抵抗効果材料を再生用磁気ヘッドに用いる場合、現在
の再生用磁気抵抗効果型ヘッドよりもトラック幅の狭い
領域で使用する。このため、狭いトラック幅を有する磁
気ヘッドの構造が非常に重要である。

【０００４】本発明の目的は、多層膜を用いた磁気抵抗
効果素子の問題の解決方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々の構
造を有する磁気抵抗効果型ヘッドについて鋭意研究を重
ねた結果、非磁性層のトラック幅方向の長さを再生ヘッ
ドの実効的なトラック幅とすることにより、オフトラッ
ク特性の優れた磁気抵抗効果型ヘッドが得られることを
見出し、本発明を完成するに至った。

【０００６】すなわち、二層の磁性層を有し、一層の磁
性層が反強磁性層に接触している多層膜を用いた磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記二層の磁性層の一部を非
磁性層で分割し、前記二層の磁性層のトラック幅方向に
おける両端を互いに接触させることにより、オフトラッ
ク特性の優れた磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。さら
に、磁性層にトラック幅方向の交換バイアス磁界を印加
する反強磁性層を設けることにより、バルクハウゼンノ
イズの少ない磁気抵抗効果型ヘッドを得ることができ
る。また、トラック幅方向の交換バイアス磁界の高さ
は、反強磁性層と磁性層との間に非磁性層を設け、この
非磁性層の厚さで調整する。また、前記磁性層が面心立
方構造を有する時、反強磁性層と磁性層との間の非磁性
層をＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂとすると、磁性層が
（１１１）配向し、多層膜が優れた磁気抵抗効果を示
す。また、前記磁気抵抗効果型ヘッドを磁気記録再生装
置に用いるには、誘導型磁気ヘッドを組み合わせること
が好ましい。

【０００７】

【作用】上述のように、二層の磁性層を有し、一層の磁
性層が反強磁性層に接触している多層膜を用いた磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、二層の磁性層の一部を非磁性
層で分割し、二層の磁性層のトラック幅方向における両
端を互いに接触させることにより、オフトラック特性の
優れた磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。さらに、磁性
層にトラック幅方向の交換バイアス磁界を印加する反強
磁性層を設けることにより、バルクハウゼンノイズの少
ない磁気抵抗効果型ヘッドを得ることができる。また、
磁気抵抗効果型ヘッドを磁気記録再生装置に用いるに
は、誘導型磁気ヘッドを組み合わせることが好ましい。

【０００８】

【実施例】

〔実施例１〕本発明および比較例の磁気抵抗効果素子の
各層の形成にはイオンビームスパッタリング法を用い
た。到達真空度は、３／１０⁵Ｐａ 、スパッタリング時
のＡｒ圧力は０.０２Ｐａ である。また、膜形成速度
は、０.０１〜０.０２ｎｍ／ｓである。また、各層のパ
ターニングには、リフトオフ法を用いた。

【０００９】比較例の磁気抵抗効果素子の断面構造を図
２に示す。基板２１にはガラス基板を用いた。また、バ
ッファ層２２として、厚さ５.０ｎｍ のＨｆを用いた。
磁性層２３および２５には、厚さ５.０ｎｍ のＮｉ−１
６ａｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏ合金を用いた。非磁性層
２４には、厚さ２.２ｎｍ のＣｕを用いた。また、反強
磁性層２６には、厚さ５.０ｎｍ のＦｅ−４０ａｔ％Ｍ
ｎ合金を用いた。素子を磁気ヘッドとして使用した時の
トラック幅方向と直交し、かつ、多層膜面内の方向に、
磁性層２５に交換バイアス磁界を印加するように反強磁
性層２６をスピン配列させた。すなわち、磁性層２５に
は、素子を磁気ヘッドとして使用した時の磁界印加方向
に、交換バイアス磁界が印加されている。また、保護層
２７には、厚さ５.０ｎｍ のＨｆを用いた。電極２８に
は、厚さ３００ｎｍのＣｕを用いた。二つの電極間距離
２９は、１μｍである。

【００１０】比較例の磁気抵抗効果素子では、磁性層２
５の全域に、反強磁性層２６からの交換バイアス磁界が
印加されている。従って、反強磁性層２６からの交換バ
イアス磁界より低い外部磁界が印加されても、磁性層２
５の磁化は反転しない。これに対し、磁性層２３は、反
強磁性層２６からの交換バイアス磁界を直接には受けな
い。非磁性層２４の厚さが十分に厚ければ、非磁性層４
を通して印加される磁性層２３に対する交換バイアス磁
界は十分に低くなる。従って、磁性層２３は、全域、外
部磁界に対応して磁化回転する。

【００１１】多層膜では、非磁性層の上下の磁性層の磁
化の向きのなす角度により、電気抵抗率が変化する。非
磁性層の上下の磁性層の磁化の向きのなす角度が反平行
の時、電気抵抗率が高く、磁化の向きのなす角度が平行
の時、電気抵抗率は低い。電極２８にセンス電流を流
し、電気抵抗率の変化を検出することにより、外部磁界
を検出する。電極２８が十分に厚ければ、二つの電極間
の部分の多層膜にのみセンス電流が流れる。このため、
この比較例の磁気抵抗効果素子の構造的なトラック幅
は、電極間距離２９になる。

【００１２】本発明の磁気抵抗効果素子の断面構造を図
１に示す。基板１にはガラス基板を用いた。また、バッ
ファ層２として、厚さ５.０ｎｍ のＨｆを用いた。磁性
層３および５には、厚さ５.０ｎｍ のＮｉ−１６ａｔ％
Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏ合金を用いた。非磁性層４には、
厚さ２.２ｎｍ のＣｕを用いた。また、反強磁性層６に
は、厚さ５.０ｎｍ のＦｅ−４０ａｔ％Ｍｎ合金を用い
た。素子を磁気ヘッドとして使用した時のトラック幅方
向と直交し、かつ、多層膜面内の方向に、磁性層５に交
換バイアス磁界を印加するように反強磁性層６をスピン
配列させた。すなわち、磁性層５には、素子を磁気ヘッ
ドとして使用した時の磁界印加方向に、交換バイアス磁
界が印加されている。また、保護層７には、厚さ５.０
ｎｍ のＨｆを用いた。電極８には、厚さ３００ｎｍの
Ｃｕを用いた。二つの電極間距離９は、１μｍである。

【００１３】図のように、本発明の磁気抵抗効果素子で
は、Ｃｕからなる非磁性層４は、トラック幅方向に、長
さ１０を有する。（本実施例では、非磁性層のトラック
幅方向の長さ１０を１μｍとした。）このため、磁性層
３および磁性層５は、非磁性層４のある部分以外で、接
触している。従って、磁性層３の磁性層５に接触してい
る部分は、磁性層５を通して、反強磁性層６からの交換
バイアス磁界を受けている。また、その方向は、トラッ
ク幅と直交する、多層膜面内の方向である。

【００１４】このように、磁性層５の全域、および、磁
性層５に接触している磁性層３の領域には、反強磁性層
６からの交換バイアス磁界が印加されている。このた
め、反強磁性層６からの交換バイアス磁界より低い外部
磁界が印加されても、領域の磁化は反転しない。すなわ
ち、外部磁界により、磁化が回転、あるいは、反転する
領域は、磁性層５に接触していない磁性層３の部分であ
る。従って、非磁性層４のトラック幅方向の長さ１０
が、本発明の磁気抵抗効果素子の構造的なトラック幅と
なる。

【００１５】二種類の磁気抵抗効果素子のオフトラック
特性を調べた。測定に際し、あらかじめ、トラック幅１
μｍの誘導型磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体に信号
を記録した。

【００１６】図３に結果を示す。図３では、トラックの
中心に磁気抵抗効果素子を乗せた場合を基準に、各位置
での磁気抵抗効果素子の出力を示してある。この図のよ
うに、非磁性層４の幅を１μｍとした本発明の磁気抵抗
効果素子の出力３１は、比較例の磁気抵抗効果素子の出
力３２よりも、磁気抵抗効果素子の位置に対する出力の
変化が大きい。すなわち、本発明の磁気抵抗効果素子
は、オフトラック特性が優れ、磁気記録媒体上のトラッ
ク間隔が狭まった場合でも、隣接するトラックの情報の
影響を受けず、本来読み取るべきトラックの情報を的確
に再生することができる。

【００１７】本発明の磁気抵抗効果素子のオフトラック
特性が優れている原因は以下のように考えられる。すな
わち、本発明の磁気抵抗効果素子において、外部磁界に
より磁化が回転、あるいは、反転する領域は、磁性層５
に接触していない磁性層３の部分のみである。これに対
し、比較例の磁気抵抗効果素子では、トラック幅は、電
極間距離２８で規定される。これは、二層の電極で挾ま
れた部分の電気抵抗の変化のみ出力として得られるとい
う原理に基づいている。しかし、比較例の磁気抵抗効果
素子では、磁性層２３が、トラック幅以外の部分でも、
磁気記録媒体からの漏洩磁界によって磁化回転し、磁性
層２３のトラック幅の部分に影響を与える。この現象
は、トラック幅が１０μｍ程度の磁気抵抗効果素子で
は、大きな問題にはならなかった。しかし、パーマロイ
に代わる磁気抵抗効果材料としての多層膜は、従来より
も高い記録密度の磁気記録再生装置に用いられるため、
必然的にトラック幅の狭い磁気抵抗効果素子に用いられ
る。

【００１８】なお、本実施例では、磁性層３および磁性
層５が、完全に接触している場合について述べたが、磁
性層３および磁性層５の界面に異種原子が若干存在して
も、磁性層３および磁性層５が磁気的に強く結合してい
れば、優れたオフトラック特性を有する磁気抵抗効果素
子を得ることができる。

【００１９】本実施例では、磁性層としてＮｉ−Ｆｅ−
Ｃｏ系合金を使用したが、他の磁性層を用いても、本発
明の構造の磁気抵抗効果素子を形成することにより、優
れたオフトラック特性を有する磁気抵抗効果素子を得る
ことができる。しかし、反強磁性層から直接交換バイア
ス磁界が印加されていない磁性層は、軟磁性を示すこと
が必要であり、磁性層として、Ｎｉ−Ｆｅ系合金，Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｃｏ系合金を用いることが好ましい。

【００２０】また、本実施例では、非磁性層として、Ｃ
ｕを用いたが、電気抵抗率の低い、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌを
用いても同様の結果が得られる。しかし、磁性層として
３ｄ遷移金属を用いる場合には、磁性層とのフェルミ面
のマッチングの観点から、非磁性層はＣｕであることが
好ましい。

【００２１】また、本実施例では、反強磁性層として、
Ｆｅ−Ｍｎ系合金を用いたが、他の反強磁性材料を用い
ることもできる。反強磁性材料は、Ｆｅ−Ｍｎ系合金お
よびＦｅ−Ｍｎ系合金に耐食性向上元素を添加した合
金、ＮｉＯなどが好ましい。

【００２２】Ｆｅ−Ｍｎ系合金に耐食性向上元素を添加
した合金は、Ｆｅ−ＭｎーＲｕ系合金が、耐食性，ネー
ル温度の高さの点から好ましい。

【００２３】また、本実施例では、バッファ層２とし
て、Ｈｆを用いたが、実質的にＨｆを主成分とする非磁
性合金であれば、実施例と同様の効果が得られる。ま
た、バッファ層材料としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎ
ｂ、あるいは、これらを主成分とする合金が好ましい。
これは、Ｈｆ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂ、あるいは、こ
れらを主成分とする合金をバッファ層材料とすると、磁
性層が強い（１１１）配向となり、磁性層が薄くても、
優れた軟磁気特性が得られるためである。また、反強磁
性層材料にＦｅ−Ｍｎ系合金を用いる場合には、（１１
１）配向の磁性層上に、Ｆｅ−Ｍｎ系合金を形成しない
と、Ｆｅ−Ｍｎ系合金は面心立方構造にならず、室温で
反強磁性を示さなくなる。

【００２４】また、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ磁性層とＣｕ層と
の界面に厚さ１ｎｍのＣｏ層を形成すると、多層膜の磁
気抵抗変化率が高くなる。

【００２５】〔実施例２〕図１に示す、実施例１と類似
した構造を有する磁気抵抗効果素子を形成した。図４お
よび５に磁気抵抗効果素子の構造を示す。

【００２６】これらの図のように、本実施例の磁気抵抗
効果素子では、実施例１で述べた磁気抵抗効果素子と同
様に、磁性層３および磁性層５のトラック幅方向の両端
が接触している。磁性層３の非磁性層４に接触する部分
が薄くなっているのは、リフトオフ法で非磁性層４を形
成する際、あらかじめ、酸化層除去の目的で、イオンミ
リングしたためである。

【００２７】これらの構造の磁気抵抗効果素子のオフト
ラック特性を測定したところ、実施例１で述べた磁気抵
抗効果素子と同様の優れたオフトラック特性を示した。

【００２８】〔実施例３〕磁気抵抗効果素子のバルクハ
ウゼンノイズを抑制するためには、磁性層のトラック幅
方向に反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加する方
法が知られている。そこで、本実施例では、多層膜を用
いた磁気抵抗効果素子に最適な、バイアス印加法を検討
した。

【００２９】図６に、検討した多層膜の構造を示す。基
板４１には、Ｓｉ（１００）単結晶を用いた。反強磁性
層４２には、厚さ５０ｎｍのＮｉＯを用いた。磁性層４
４には、厚さ５.０ｎｍ のＮｉ−１６ａｔ％Ｆｅ−１８
ａｔ％Ｃｏ合金を用い、磁性層４４と反強磁性層４２の
間に、交換バイアス磁界制御層４３を形成した。本実施
例では、交換バイアス磁界制御層４３としてＨｆを用
い、その厚さを変化した。また、保護層４５には、厚さ
５.０ｎｍ のＨｆを用いた。

【００３０】Ｈｆからなる交換バイアス磁界制御層４３
の厚さと、磁性層４４に印加される交換バイアス磁界お
よび磁性層４４の保磁力との関係を図７に示す。同図の
ように、Ｈｆ層厚が０ｎｍ、すなわち、Ｈｆ層がない
時、交換バイアス磁界Ｈｂは９ｋＡ／ｍ程度である。Ｈ
ｆ層厚とともに交換バイアス磁界は減少する。

【００３１】この膜を用いて磁気抵抗効果素子を形成し
た。各Ｈｆ層厚に対して、２０個の磁気抵抗効果素子を
形成した。表１に２０個の磁気抵抗効果素子のうち、バ
ルクハウゼンノイズを示さない磁気抵抗効果素子が何個
あるかを示す。

【００３２】

【表１】

【００３３】表１のように、Ｈｆ層厚が０.７ｎｍ 以上
の時、バルクハウゼンノイズを示さない磁気抵抗効果素
子は６個以下である。これは、図７のように、磁性層に
交換バイアス磁界が印加されていないためである。これ
に対し、Ｈｆ層厚が０.６nm以下の時、バルクハウゼン
ノイズを示さない磁気抵抗効果素子は１５個以上である
（但し、Ｈｆ層厚が０.２ｎｍ 以下の時は、交換バイア
ス磁界が高いため、磁気抵抗効果は観測されなかっ
た。）。従って、バルクハウゼンノイズを示さない磁気
抵抗効果素子を多く得るためには、Ｈｆ層厚を０.６ｎ
ｍ 以下にする必要がある。また、図７のように、磁性
膜の保磁力を０.８ｋＡ／ｍ 以下にするためには、Ｈｆ
層厚を０.３ｎｍ以上にする必要がある。

【００３４】このように、磁性層の保磁力を低くし、か
つ、バルクハウゼンノイズを示さない磁気抵抗効果素子
を多く得るためには、Ｈｆ層厚を０.３から０.６ｎｍに
する必要がある。

【００３５】また、多層膜の断面構造を透過電子顕微鏡
により観察したところ、Ｈｆ層は非晶質であった。

【００３６】本実施例では、交換バイアス磁界制御層４
３としてＨｆを用いたが、他の非磁性金属を用いても、
層厚により交換バイアス磁界を制御することができる。
他の非磁性金属を用いた場合も、磁性層の保磁力を低く
し、かつ、バルクハウゼンノイズを示さない磁気抵抗効
果素子を多く得るには、層厚を０.３から０.６ｎｍにす
る必要がある。また、Ｈｆ以外の交換バイアス磁界制御
層４３は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂ、あるいは、これら
を主成分とする合金が好ましい。これは、実施例１のバ
ッファ層材料について述べた結果と同様に、磁性層を
（１１１）配向にするためである。

【００３７】〔実施例４〕図８にバルクハウゼンノイズ
を抑制した磁気抵抗効果素子の構造を示す。基板５１に
はガラス基板を用いた。また、反強磁性層５２として、
厚さ５０ｎｍのＮｉＯを用いた。交換バイアス磁界制御
層５３としては、厚さ０.５ｎｍ のＨｆを用いた。磁性
層５４および５６には、厚さ５.０ｎｍ のＮｉ−１６ａ
ｔ％Ｆｅ−１８ａｔ％Ｃｏ合金を用いた。非磁性層５５
には、厚さ２.２ｎｍ のＣｕを用いた。また、反強磁性
層５７には、厚さ５.０ｎｍ のＦｅ−４０ａｔ％Ｍｎ合
金を用いた。素子を磁気ヘッドとして使用した時のトラ
ック幅方向と直交し、かつ、多層膜面内の方向に、磁性
層５６に交換バイアス磁界を印加するように反強磁性層
５７をスピン配列させた。また、保護層５８には、厚さ
５.０ｎｍ のＨｆを用いた。電極５９には、厚さ３００
ｎｍのＣｕを用いた。二つの電極間距離６０は、１μｍ
である。

【００３８】図のように、実施例１と同様、本実施例の
磁気抵抗効果素子においても、Ｃｕからなる非磁性層５
５は、トラック幅方向に長さ６１を有する。（本実施例
では、非磁性層のトラック幅方向の長さ６１を１μｍと
した。）このため、磁性層５４および磁性層５６は、非
磁性層５５のある部分以外で接触している。

【００３９】本実施例の磁気抵抗効果素子のオフトラッ
ク特性を調べたところ、実施例１の場合と同様、優れた
オフトラック特性が観測された。また、本実施例の磁気
抵抗効果素子は、バルクハウゼンノイズを示さなかっ
た。

【００４０】〔実施例５〕実施例１で述べた本発明の磁
気抵抗効果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘ
ッドの構造を以下に示す。図９は、記録再生分離型ヘッ
ドの一部分を切断した場合の斜視図である。多層磁気抵
抗効果膜７１をシールド層７２，７３で挾んだ部分が再
生ヘッドとして働き、コイル７４を挾む下部磁極７５，
上部磁極７６の部分が記録ヘッドとして働く。また、電
極７８には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の材料を
用いた。

【００４１】以下にこのヘッドの作製方法を示す。

【００４２】Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣを主成分とする焼結体を
スライダ用の基板７７とした。シールド層、記録磁極に
はスパッタリング法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金を用い
た。各磁性膜の膜厚は、以下のようにした。上下のシー
ルド層７２,７３は１.０μｍ、下部磁極７５，上部７６
は３.０μｍ 、各層間のギャップ材としてはスパッタリ
ングで形成したＡｌ₂Ｏ₃を用いた。ギャップ層の膜厚
は、シールド層と磁気抵抗効果素子間で０.１μｍ、記
録磁極間では０.２μｍとした。さらに再生ヘッドと記
録ヘッドの間隔は約３μｍとし、このギャップもＡｌ₂
Ｏ₃で形成した。コイル７４には膜厚３μｍのＣｕを使
用した。

【００４３】この構造の磁気ヘッドで記録再生を行った
ところ、Ｎｉ−Ｆｅ単層膜を用いた磁気ヘッドと比較し
て、２.５ 倍高い再生出力を得た。これは、本発明の磁
気ヘッドに高磁気抵抗効果を示す多層膜を用いたためと
考えられる。また、図２に示す素子構造の磁気抵抗効果
素子を用いた場合と比較して、優れたオフトラック特性
を示した。

【００４４】また、本発明の磁気抵抗効果素子は、磁気
ヘッド以外の磁界検出器にも用いることができる。

【００４５】また、さらに、磁気ヘッドを磁気記録再生
装置に用いることにより、高性能の磁気記録再生装置が
得られ、特に１Ｇｂ／ｉｎ² 以上の記録密度を有する磁
気記録再生装置に有効である。また、１０Ｇｂ／ｉｎ²
以上の記録密度を有する磁気記録再生装置には必須であ
る。

【００４６】

【発明の効果】磁性層の一部に反強磁性層からの交換バ
イアス磁界を印加した多層膜において、二層の磁性層の
トラック幅方向の両端を接触させることにより、磁気記
録媒体からの漏洩磁界により磁化回転する磁性層の長さ
を実質的なトラック幅とする、オフトラック特性の優れ
た磁気ヘッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気抵抗効果素子の断面図。

【図２】従来の磁気抵抗効果素子の断面図。

【図３】本発明の磁気抵抗効果素子および従来の磁気抵
抗効果素子のオフトラック特性。

【図４】本発明の磁気抵抗効果素子の断面図。

【図５】本発明の磁気抵抗効果素子の断面図。

【図６】反強磁性層と磁性層との間に交換バイアス磁界
制御層を形成した多層膜の断面図。

【図７】Ｈｆ層厚と磁性層に印加される交換バイアス磁
界との関係を示す特性図。

【図８】本発明の磁気抵抗効果素子の断面図。

【図９】本発明の磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド
の斜視図。

【符号の説明】

１…基板、２…バッファ層、３，５…磁性層、４…非磁
性層、６…反強磁性層、７…保護層、８…電極、９…電
極間距離、１０…非磁性層のトラック幅方向の長さ。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】二層の磁性層を有し、一層の磁性層が反強
   磁性層に接触している多層膜を用いた磁気抵抗効果型ヘ
   ッドにおいて、前記二層の磁性層の一部が非磁性層で分
   割されており、前記二層の磁性層のトラック幅方向にお
   ける両端が互いに接触していることを特徴とする磁気抵
   抗効果型ヘッド。
2. 【請求項２】二層の磁性層を有し、一層の磁性層が反強
   磁性層に接触している多層膜を用いた磁気抵抗効果型ヘ
   ッドにおいて、前記二層の磁性層の少なくとも一部が非
   磁性層で分割されており、前記二層の磁性層のトラック
   幅方向における両端が互いに磁気的に結合していること
   を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
3. 【請求項３】請求項１または２において、前記反強磁性
   層から前記磁性層に印加される交換バイアス磁界の方向
   が、トラック幅方向と直角をなし、多層膜面内方向にあ
   る磁気抵抗効果型ヘッド。
4. 【請求項４】請求項１，２または３において、前記磁性
   層にトラック幅方向の交換バイアス磁界を印加する反強
   磁性層を有する磁気抵抗効果型ヘッド。
5. 【請求項５】請求項４において、前記磁性層にトラック
   幅方向の交換バイアス磁界を印加する反強磁性層と磁性
   層との間に非磁性層が設けてある磁気抵抗効果型ヘッ
   ド。
6. 【請求項６】請求項５において、前記非磁性層の厚さが
   ０.３から０.６ｎｍである磁気抵抗効果型ヘッド。
7. 【請求項７】請求項６において、反強磁性層と磁性層と
   の間に設けた非磁性層が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎ
   ｂである磁気抵抗効果型ヘッド。
8. 【請求項８】請求項７において、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
   ｆ，Ｔａ，Ｎｂからなる非磁性層が非晶質である磁気抵
   抗効果型ヘッド。
9. 【請求項９】請求項７または８において、前記磁性層が
   面心立方構造を有し、（１１１）配向している磁気抵抗
   効果型ヘッド。
10. 【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８
    または９において、前記磁性層がＮｉ−Ｆｅ系合金ない
    しＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金である磁気抵抗効果型ヘッ
    ド。
11. 【請求項１１】請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９または１０において、前記二層の磁性層を分割す
    る非磁性層がＣｕである磁気抵抗効果素子。
12. 【請求項１２】請求項１，２，３，４，５，６，７，
    ８，９，１０または１１に記載の前記磁気抵抗効果型ヘ
    ッドと誘導型磁気ヘッドを組み合わせた複合型磁気ヘッ
    ド。
13. 【請求項１３】請求項１２に記載の前記磁気ヘッドを用
    いた磁気記録再生装置。