JPH07106266A - ダイアモンド半導体の製造方法 - Google Patents
ダイアモンド半導体の製造方法Info
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- JPH07106266A JPH07106266A JP5268391A JP26839193A JPH07106266A JP H07106266 A JPH07106266 A JP H07106266A JP 5268391 A JP5268391 A JP 5268391A JP 26839193 A JP26839193 A JP 26839193A JP H07106266 A JPH07106266 A JP H07106266A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1602—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
- H01L21/041—Making n- or p-doped regions
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイアモンド構造の破壊のおそれなく、ダイ
アモンドにｎ型ドーピングを行うことができ、また高濃
度のｎ型ドーピングも可能とする技術を提供する。 【構成】 炭素を主成分とするダイアモンド半導体の製
造方法において、必要に応じ表面をクリーニングしたダ
イアモンド１０２にリチウム原子（リチウムの窒素化合
物例えばアジ化リチウムから生成されたものであってよ
い）をＥＣＲプラズマを用いてドーピングして拡散層１
０６を得るダイアモンド半導体の製造方法。
アモンドにｎ型ドーピングを行うことができ、また高濃
度のｎ型ドーピングも可能とする技術を提供する。 【構成】 炭素を主成分とするダイアモンド半導体の製
造方法において、必要に応じ表面をクリーニングしたダ
イアモンド１０２にリチウム原子（リチウムの窒素化合
物例えばアジ化リチウムから生成されたものであってよ
い）をＥＣＲプラズマを用いてドーピングして拡散層１
０６を得るダイアモンド半導体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイアモンド半導体の製
造方法に関する。特に、ダイアモンド半導体へのドーピ
ング技術を改良したダイアモンド半導体の製造方法に関
するものである。
造方法に関する。特に、ダイアモンド半導体へのドーピ
ング技術を改良したダイアモンド半導体の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】ダイアモンドを人工的に
合成しようとする試みは古くから行われてきているが、
１９６０年代に入り、低圧下でもダイアモンド合成に成
功し出し始め、現在では真空下に近い圧力でその薄膜が
作製できるようになってきた。これに伴い、ダイアモン
ドの薄膜によりダイアモンド半導体を得、これを使っ
て、半導体デバイスを作ろうとする動きが盛んになって
きた。
合成しようとする試みは古くから行われてきているが、
１９６０年代に入り、低圧下でもダイアモンド合成に成
功し出し始め、現在では真空下に近い圧力でその薄膜が
作製できるようになってきた。これに伴い、ダイアモン
ドの薄膜によりダイアモンド半導体を得、これを使っ
て、半導体デバイスを作ろうとする動きが盛んになって
きた。
【０００３】ダイアモンドはシリコンに比べ、 （１）キャリアー移動度が大きいため、動作速度が数倍
速い。 （２）バンドギャップが５．５ｅＶと広く、シリコンよ
り圧倒的に高い７００℃でも壊れずに動作する。（シリ
コンでは１５０℃位で動作状態の劣化の傾向が出る。） （３）放射線に強い。とりわけ、超ＬＳＩで問題となる
α線によるソフトエラーが少ない。よって使用環境の悪
い所でも使用できる。 等の特性を有し、シリコンでは対応できない宇宙空間や
原子炉周り等の使用環境の厳しい所での使用が期待され
ている。
速い。 （２）バンドギャップが５．５ｅＶと広く、シリコンよ
り圧倒的に高い７００℃でも壊れずに動作する。（シリ
コンでは１５０℃位で動作状態の劣化の傾向が出る。） （３）放射線に強い。とりわけ、超ＬＳＩで問題となる
α線によるソフトエラーが少ない。よって使用環境の悪
い所でも使用できる。 等の特性を有し、シリコンでは対応できない宇宙空間や
原子炉周り等の使用環境の厳しい所での使用が期待され
ている。
【０００４】しかし、ダイアモンド半導体の実用化にあ
たっては、解決しなければならないいくつかの問題点も
ある。即ち、 単結晶の薄膜を成長させる安価な方法がまだない。 ｎ型のドーピングができない。 複雑な回路を描くためのエッチング技術がまだ確立し
ていない。 等が今後解決すべき問題である。
たっては、解決しなければならないいくつかの問題点も
ある。即ち、 単結晶の薄膜を成長させる安価な方法がまだない。 ｎ型のドーピングができない。 複雑な回路を描くためのエッチング技術がまだ確立し
ていない。 等が今後解決すべき問題である。
【０００５】特に上記のｎ型ドーピングができないと
いう問題は、デバイスを作る上で致命的と言うことすら
でき、今後のダイアモンド半導体の実用化の隘路になっ
ている。
いう問題は、デバイスを作る上で致命的と言うことすら
でき、今後のダイアモンド半導体の実用化の隘路になっ
ている。
【０００６】この点について以下に詳しく説明する。ダ
イアモンド自体、半導体材料として用いるには、一般に
ドープの効率は極めて悪い。例えば、ｐ型の半導体に関
しても、１０００ｐｐｍのボロン（硼素）のドーピング
によって、１０Ｅ１６ｃｍ-3程度のキャリアー濃度しか
得られていない。
イアモンド自体、半導体材料として用いるには、一般に
ドープの効率は極めて悪い。例えば、ｐ型の半導体に関
しても、１０００ｐｐｍのボロン（硼素）のドーピング
によって、１０Ｅ１６ｃｍ-3程度のキャリアー濃度しか
得られていない。
【０００７】また、ｎ型ドーピングに対しては、ダイア
モンドの構成元素が炭素であり、シリコンなどに比べる
と、その原子半径が小さいことから、シリコンプロセス
で用いられている燐などは用いることはできず、勢い、
原子半径が炭素に近い窒素を用いることになる（例えば
特開平４−２６６０２０号参照）。しかし窒素を用いる
と、つぎに述べるような問題がある。
モンドの構成元素が炭素であり、シリコンなどに比べる
と、その原子半径が小さいことから、シリコンプロセス
で用いられている燐などは用いることはできず、勢い、
原子半径が炭素に近い窒素を用いることになる（例えば
特開平４−２６６０２０号参照）。しかし窒素を用いる
と、つぎに述べるような問題がある。
【０００８】即ち、窒素原子の５番目の価電子は窒素原
子に強く束縛されており、これを開放するには、１．７
ｅＶと大きな電子エネルギーが必要で、室温では極く僅
かの電子しか結晶内を移動できないので、有効にデバイ
スが作用しなくなる。従って、窒素原子をドーパントと
して用いる場合、結晶構造を破壊することなく、しかも
高濃度でドーピングする必要があり、ドーピング方法に
工夫を要するという問題があり、よってドーピング手段
としては使いにくいものであった。従って、窒素以外を
用いるｎ型ドーピング技術が求められていた。
子に強く束縛されており、これを開放するには、１．７
ｅＶと大きな電子エネルギーが必要で、室温では極く僅
かの電子しか結晶内を移動できないので、有効にデバイ
スが作用しなくなる。従って、窒素原子をドーパントと
して用いる場合、結晶構造を破壊することなく、しかも
高濃度でドーピングする必要があり、ドーピング方法に
工夫を要するという問題があり、よってドーピング手段
としては使いにくいものであった。従って、窒素以外を
用いるｎ型ドーピング技術が求められていた。
【０００９】従来技術として、リチウムまたはリチウム
化合物を含有する液状有機化合物（アセトン、メタノー
ル、エタノール、アルトアルデヒド等にリチウム単体、
酸化リチウム、水酸化リチウム、塩化リチウム、リチウ
ムエチラート等を溶解したもの）を原料として熱フィラ
メント法を用いた気相成長（ＣＶＤ）によりダイアモン
ド半導体を形成する技術（特開平３−２０５３９８
号）、また上記のようなリチウムまたはリチウム化合物
を加熱装置により原料ガス（メタン等）中に混入させて
熱フィラメントＣＶＤ、各種プラズマＣＶＤによってダ
イアモンド半導体を形成する技術（特開平４−１７５２
９５号）が提案されている。しかしこれらは必ずしもそ
の実現性が明らかとは言えず、また、いずれもダイアモ
ンド半導体薄膜形成と同時に不純物を導入するもので、
形成されたダイアモンド半導体にドーピングを行う技術
ではない。
化合物を含有する液状有機化合物（アセトン、メタノー
ル、エタノール、アルトアルデヒド等にリチウム単体、
酸化リチウム、水酸化リチウム、塩化リチウム、リチウ
ムエチラート等を溶解したもの）を原料として熱フィラ
メント法を用いた気相成長（ＣＶＤ）によりダイアモン
ド半導体を形成する技術（特開平３−２０５３９８
号）、また上記のようなリチウムまたはリチウム化合物
を加熱装置により原料ガス（メタン等）中に混入させて
熱フィラメントＣＶＤ、各種プラズマＣＶＤによってダ
イアモンド半導体を形成する技術（特開平４−１７５２
９５号）が提案されている。しかしこれらは必ずしもそ
の実現性が明らかとは言えず、また、いずれもダイアモ
ンド半導体薄膜形成と同時に不純物を導入するもので、
形成されたダイアモンド半導体にドーピングを行う技術
ではない。
【００１０】本発明は前記問題点に鑑みて創案されたも
ので、前記問題点を解決し、ダイアモンド構造の破壊の
おそれなく、ダイアモンドにｎ型ドーピングを行うこと
ができ、また高濃度のｎ型ドーピングをも可能とする技
術を提供せんとするものである。
ので、前記問題点を解決し、ダイアモンド構造の破壊の
おそれなく、ダイアモンドにｎ型ドーピングを行うこと
ができ、また高濃度のｎ型ドーピングをも可能とする技
術を提供せんとするものである。
【００１１】本出願の請求項１の発明は、炭素を主成分
とするダイアモンド半導体の製造方法において、リチウ
ム原子をＥＣＲプラズマを用いてドーピングすることを
特徴とするダイアモンド半導体の製造方法であって、こ
の構成により上記問題を解決するものである。
とするダイアモンド半導体の製造方法において、リチウ
ム原子をＥＣＲプラズマを用いてドーピングすることを
特徴とするダイアモンド半導体の製造方法であって、こ
の構成により上記問題を解決するものである。
【００１２】本出願の請求項２の発明は、前記リチウム
原子はリチウムの窒素化合物から生成されたものである
ことを特徴とする請求項１に記載のダイアモンド半導体
の製造方法であって、この構成により上記問題を解決す
るものである。
原子はリチウムの窒素化合物から生成されたものである
ことを特徴とする請求項１に記載のダイアモンド半導体
の製造方法であって、この構成により上記問題を解決す
るものである。
【００１３】本出願の請求項３の発明は、前記リチウム
の窒素化合物はアジ化リチウムであることを特徴とする
請求項２に記載のダイアモンド半導体の製造方法であっ
て、この構成により上記問題を解決するものであ。
の窒素化合物はアジ化リチウムであることを特徴とする
請求項２に記載のダイアモンド半導体の製造方法であっ
て、この構成により上記問題を解決するものであ。
【００１４】本出願の各発明の実施にあたって、前記Ｅ
ＣＲプラズマは、マイクロ波がパルス状に供給される構
成をとることができる。
ＣＲプラズマは、マイクロ波がパルス状に供給される構
成をとることができる。
【００１５】また、前記ドーピングに先立ち、ダイアモ
ンド表面をドライクリーニングする工程を含む構成をと
ることができる。
ンド表面をドライクリーニングする工程を含む構成をと
ることができる。
【００１６】また、前記ドライクリーニングする工程
を、ＥＣＲプラズマを用い、前記ドーピングと同じ装置
を用いる構成をとることができる。
を、ＥＣＲプラズマを用い、前記ドーピングと同じ装置
を用いる構成をとることができる。
【００１７】本発明は、本発明者による次の知見により
なされたものである。即ち、ダイアモンド半導体のｐ型
ドーパントとして、ボロンが使われることは周知のこと
であるが、これに中性子があたるとボロンがリチウムに
なってｎ型化するということが問題点として指摘されて
いるので、この問題を逆に利用し、リチウムを用いるよ
うにした。リチウムは炭素原子より原子半径が小さいの
で、ドーバントとして好適である。
なされたものである。即ち、ダイアモンド半導体のｐ型
ドーパントとして、ボロンが使われることは周知のこと
であるが、これに中性子があたるとボロンがリチウムに
なってｎ型化するということが問題点として指摘されて
いるので、この問題を逆に利用し、リチウムを用いるよ
うにした。リチウムは炭素原子より原子半径が小さいの
で、ドーバントとして好適である。
【００１８】ＥＣＲ放電では、いわゆる電子サイクロト
ロン共鳴を用いることにより、１０12ｃｍ-3程度の高密
度プラズマを形成できる。このため、活性なリチウム原
子を高密度で生成できる。しかも、イオンエネルギーは
小さいので結晶構造を破壊することはない。
ロン共鳴を用いることにより、１０12ｃｍ-3程度の高密
度プラズマを形成できる。このため、活性なリチウム原
子を高密度で生成できる。しかも、イオンエネルギーは
小さいので結晶構造を破壊することはない。
【００１９】ここでリチウム元素のソースであるが、リ
チウム化合物は殆どが常温で固体であり、前記参照した
リチウムまたはリチウム化合物を用いてダイアモンド半
導体を得る従来技術で提供されている化合物は、必ずし
も使い易いものではなく、ガス化し易いものを用いるの
が好ましい。そのような化合物の例として、リチウム窒
素化合物があり、とりわけアジ化リチウムは１２０℃位
で分解するので、ＣＶＤ等のソースとして好ましく用い
ることができる。また、アジ化リチウムが分解したと
き、他に生成する元素は窒素であり、窒素はダイアモン
ドに対してｎ型のドーパントになるものであり（特開平
４−２６６０２０号参照。本出願人による提案もあ
る）、汚染の問題はない。
チウム化合物は殆どが常温で固体であり、前記参照した
リチウムまたはリチウム化合物を用いてダイアモンド半
導体を得る従来技術で提供されている化合物は、必ずし
も使い易いものではなく、ガス化し易いものを用いるの
が好ましい。そのような化合物の例として、リチウム窒
素化合物があり、とりわけアジ化リチウムは１２０℃位
で分解するので、ＣＶＤ等のソースとして好ましく用い
ることができる。また、アジ化リチウムが分解したと
き、他に生成する元素は窒素であり、窒素はダイアモン
ドに対してｎ型のドーパントになるものであり（特開平
４−２６６０２０号参照。本出願人による提案もあ
る）、汚染の問題はない。
【００２０】また、一般的に言って、プラズマ発生装置
においてパルス状にマイクロ波を供給すると、高電離度
のプラズマを、装置に負担をかけずに得ることができ
る。例えば、イオン密度にして１０14ｃｍ-3以上の高温
プラズマを得るためには、一般にマイクロ波の出力は１
０Ｗ／ｃｍ2 以上でなければならないが、このような大
電力のマイクロ波を連続波としてチャンバーに供給する
と、チャンバーと導波管の間の窓材やチャンバーの内壁
に大きなダメージを与えてしまうおそれがあるが、マイ
クロ波をパルス状に供給すれば、このような問題なく高
密度プラズマが得られ、ガスの解離も進み、活性なリチ
ウム原子を高密度で生成できる。
においてパルス状にマイクロ波を供給すると、高電離度
のプラズマを、装置に負担をかけずに得ることができ
る。例えば、イオン密度にして１０14ｃｍ-3以上の高温
プラズマを得るためには、一般にマイクロ波の出力は１
０Ｗ／ｃｍ2 以上でなければならないが、このような大
電力のマイクロ波を連続波としてチャンバーに供給する
と、チャンバーと導波管の間の窓材やチャンバーの内壁
に大きなダメージを与えてしまうおそれがあるが、マイ
クロ波をパルス状に供給すれば、このような問題なく高
密度プラズマが得られ、ガスの解離も進み、活性なリチ
ウム原子を高密度で生成できる。
【００２１】また、同じＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用
いてアジ化リチウムガスを流す前にＲＦバイアスを印加
して窒素系ガスを流してやれば、ダイアモンド半導体表
面のクリーニングができ、しかも、窒素系ガスなので汚
染が問題となることはない。
いてアジ化リチウムガスを流す前にＲＦバイアスを印加
して窒素系ガスを流してやれば、ダイアモンド半導体表
面のクリーニングができ、しかも、窒素系ガスなので汚
染が問題となることはない。
【００２２】以上述べたように本発明を用いれば、ダイ
アモンド半導体の有効なｎ型ドーピングができ、高濃度
でダイアモンド半導体に窒素をドープしてやることも可
能である。
アモンド半導体の有効なｎ型ドーピングができ、高濃度
でダイアモンド半導体に窒素をドープしてやることも可
能である。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し、当然のことながら、本発明は以下の
実施例に限定されるものでなはく、本発明の範囲内で種
々の態様をとることができ、例えば各構造、条件等は適
宜変更可能である。
て説明する。但し、当然のことながら、本発明は以下の
実施例に限定されるものでなはく、本発明の範囲内で種
々の態様をとることができ、例えば各構造、条件等は適
宜変更可能である。
【００２４】実施例１ この実施例は、本発明を、アジ化ナトリウムガスを用
い、ＲＦバイアスをかけずにＥＣＲプラズマによりリチ
ウムをドーピングする態様で実施したものである。
い、ＲＦバイアスをかけずにＥＣＲプラズマによりリチ
ウムをドーピングする態様で実施したものである。
【００２５】図２に、本実施例に用いたＥＣＲプラズマ
ドーピング装置を示す。この装置は、有磁場マイクロ波
プラズマドーピング装置であって、これについて略述す
ると、マグネトロン１で発生されたマイクロ波２を、必
要に応じてパルス発生器でパルス状にして（本実施例で
はパルス状にはしない）、導波管３を通じて、石英ベル
ジャー４にて囲まれた反応室５に移送し、この反応室５
を囲む形で設置されているソレノイドコイル６にて、マ
イクロ波の周波数（２．４５ＧＨｚ）といわゆるＥＣＲ
放電をおこす磁場（８．７５Ｅ−２Ｔ）を発生させ、そ
れにより、ガスプラズマ７を生ぜしめる。基板８は、サ
セプター９上に載置され、これは図示しない搬送手段で
搬送、設置される。基板８を載置するサセプター９は、
ヒーター（図示せず）から、加熱管１０を通じて加熱さ
れ、これにより基板８も加熱される。ガスは、ガス導入
管１１を通じて導入され、図示しない排気系で、排気管
より排気される。なお、図示はしていないが、アジ化ナ
トリウムは加熱可能なタンクに収納して、１２０℃に加
熱して供給した。
ドーピング装置を示す。この装置は、有磁場マイクロ波
プラズマドーピング装置であって、これについて略述す
ると、マグネトロン１で発生されたマイクロ波２を、必
要に応じてパルス発生器でパルス状にして（本実施例で
はパルス状にはしない）、導波管３を通じて、石英ベル
ジャー４にて囲まれた反応室５に移送し、この反応室５
を囲む形で設置されているソレノイドコイル６にて、マ
イクロ波の周波数（２．４５ＧＨｚ）といわゆるＥＣＲ
放電をおこす磁場（８．７５Ｅ−２Ｔ）を発生させ、そ
れにより、ガスプラズマ７を生ぜしめる。基板８は、サ
セプター９上に載置され、これは図示しない搬送手段で
搬送、設置される。基板８を載置するサセプター９は、
ヒーター（図示せず）から、加熱管１０を通じて加熱さ
れ、これにより基板８も加熱される。ガスは、ガス導入
管１１を通じて導入され、図示しない排気系で、排気管
より排気される。なお、図示はしていないが、アジ化ナ
トリウムは加熱可能なタンクに収納して、１２０℃に加
熱して供給した。
【００２６】本実施例では、次のようにして、ダイアモ
ンド半導体へのドーピングを行った。図１を参照する。
ンド半導体へのドーピングを行った。図１を参照する。
【００２７】基板１０１上にダイアモンド半導体膜１０
２を低圧合成で形成し、更にその上の絶縁膜（ＳｉＯ2
膜）１０３を通常のプラズマＣＶＤで２００ｎｍ形成
し、レジストパターン１０４を形成した。その後、エッ
チングにより開口部を形成し、露出部１０５とした（図
１（Ａ））。
２を低圧合成で形成し、更にその上の絶縁膜（ＳｉＯ2
膜）１０３を通常のプラズマＣＶＤで２００ｎｍ形成
し、レジストパターン１０４を形成した。その後、エッ
チングにより開口部を形成し、露出部１０５とした（図
１（Ａ））。
【００２８】次に、ダイアモンド半導体膜１０２の露出
部１０５に、以下の条件で、上記説明した図２の装置を
用いて、ドーピングを行い、拡散層１０６を形成した。 ガス流量：ＬｉＮ3 ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：１５０℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ
部１０５に、以下の条件で、上記説明した図２の装置を
用いて、ドーピングを行い、拡散層１０６を形成した。 ガス流量：ＬｉＮ3 ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：１５０℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ
【００２９】この時、マイクロ波を供給してあるので、
ＥＣＲ放電により高密度（１０12ｃｍ-3程度）のプラズ
マが発生し、高密度にリチウム原子がドープされ、図１
（Ｂ）に示すように、効率良く拡散層１０６が形成され
た。
ＥＣＲ放電により高密度（１０12ｃｍ-3程度）のプラズ
マが発生し、高密度にリチウム原子がドープされ、図１
（Ｂ）に示すように、効率良く拡散層１０６が形成され
た。
【００３０】このダイアモンド半導体を作動試験したと
ころ、良好な半導体動作がなされた。
ころ、良好な半導体動作がなされた。
【００３１】以上のように本実施例によれば、従来技術
の隘路になっていたダイアモンド半導体へのｎ型のドー
ピングを効率良く行うことができ、生産性良く、かつ安
価に高性能なダイアモンド半導体を製造することができ
る。
の隘路になっていたダイアモンド半導体へのｎ型のドー
ピングを効率良く行うことができ、生産性良く、かつ安
価に高性能なダイアモンド半導体を製造することができ
る。
【００３２】実施例２ 本実施例は、プラズマをパルス状にして、ダイアモンド
半導体へのドーピングを行った例である。ＥＣＲプラズ
マドーピング装置は、実施例１と同様の、図２に示す装
置を用いた。
半導体へのドーピングを行った例である。ＥＣＲプラズ
マドーピング装置は、実施例１と同様の、図２に示す装
置を用いた。
【００３３】以下、被処理体の構造は実施例１と同様の
ものを用いたので、図１を参照して説明する。
ものを用いたので、図１を参照して説明する。
【００３４】実施例１と同様に、基板１０１上にダイア
モンド半導体膜１０２を低圧合成で形成し、更にその上
のＳｉＯ2 膜１０３を通常のプラズマＣＶＤで２００ｎ
ｍ形成し、レジストパターン１０４を形成した後、エッ
チングにより、開口部を形成して露出部１０５とした。
これにより、図１（Ａ）の構造とした。
モンド半導体膜１０２を低圧合成で形成し、更にその上
のＳｉＯ2 膜１０３を通常のプラズマＣＶＤで２００ｎ
ｍ形成し、レジストパターン１０４を形成した後、エッ
チングにより、開口部を形成して露出部１０５とした。
これにより、図１（Ａ）の構造とした。
【００３５】次に、ダイアモンド半導体膜１０２の露出
部１０５に、以下の条件で、図２の装置を用いて、ドー
ピングを行い、拡散層１０６を形成した。 ガス流量：ＬｉＮ3 ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：１５０℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ パルス比：１：２
部１０５に、以下の条件で、図２の装置を用いて、ドー
ピングを行い、拡散層１０６を形成した。 ガス流量：ＬｉＮ3 ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：１５０℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ パルス比：１：２
【００３６】この時、本実施例ではパルス状にマイクロ
波を供給してあるので、高密度（１０14ｃｍ-3）程度の
プラズマが発生し、高密度にリチウム原子がドープさ
れ、これにより図１（Ｂ）の構造が得られた。そのほ
か、本実施例により、実施例１と同様の効果が得られ
た。
波を供給してあるので、高密度（１０14ｃｍ-3）程度の
プラズマが発生し、高密度にリチウム原子がドープさ
れ、これにより図１（Ｂ）の構造が得られた。そのほ
か、本実施例により、実施例１と同様の効果が得られ
た。
【００３７】実施例３ この実施例は、表面クリーニングと組み合わせて実施す
る態様をとった例である。ＥＣＲプラズマドーピング装
置は、実施例１と同様のものを用いた。
る態様をとった例である。ＥＣＲプラズマドーピング装
置は、実施例１と同様のものを用いた。
【００３８】以下、同じく本発明を実際のダイアモンド
半導体へのドーピングに用いた例を図１を参照して説明
する。
半導体へのドーピングに用いた例を図１を参照して説明
する。
【００３９】基板１０１上にダイアモンド半導体膜１０
２を低圧合成で形成し、更にその上のＳｉＯ2 膜１０３
を通常のプラズマＣＶＤで２００ｎｍ形成し、レジスト
パターン１０４を形成した後、エッチングにより、開口
部を形成し、露出部１０５とした（図１（Ａ））。
２を低圧合成で形成し、更にその上のＳｉＯ2 膜１０３
を通常のプラズマＣＶＤで２００ｎｍ形成し、レジスト
パターン１０４を形成した後、エッチングにより、開口
部を形成し、露出部１０５とした（図１（Ａ））。
【００４０】次に、ダイアモンド半導体膜１０２の露出
部１０５に、以下の条件で、図２の装置を用いて表面の
クリーニングを行った。この時、ＲＦバイアスを印加し
てやれば、エッチングも行うことができるのは言うまで
もなく、本実施例はその原理を利用したものである。な
お、基板温度はは３０℃とした。また、マイクロ波は常
時オンとした。このときに用いるＮ2 Ｏガスは、ダイア
モンドのエッチングガスとして知られているものであ
り、ダイアモンドに対して悪い影響を与えず、汚染のお
それもない。もちろん窒素ガスなど他の窒素系ガスを用
いることも可能である。このように窒素系ガスを用いる
と、クロスコンタミネーション（相互汚染）を避けるこ
とができる。 ガス流量：Ｎ2 Ｏ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：３０℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
部１０５に、以下の条件で、図２の装置を用いて表面の
クリーニングを行った。この時、ＲＦバイアスを印加し
てやれば、エッチングも行うことができるのは言うまで
もなく、本実施例はその原理を利用したものである。な
お、基板温度はは３０℃とした。また、マイクロ波は常
時オンとした。このときに用いるＮ2 Ｏガスは、ダイア
モンドのエッチングガスとして知られているものであ
り、ダイアモンドに対して悪い影響を与えず、汚染のお
それもない。もちろん窒素ガスなど他の窒素系ガスを用
いることも可能である。このように窒素系ガスを用いる
と、クロスコンタミネーション（相互汚染）を避けるこ
とができる。 ガス流量：Ｎ2 Ｏ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：３０℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：３０Ｗ
【００４１】次に、同じく、ダイアモンド半導体膜１０
２の露出部１０５に、以下の条件で図２の装置を用い
て、ドーピングを行い、拡散層１０６を形成した。この
場合下記のように実施例２と同じ条件にした。 ガス流量：ＬｉＮ3 ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：１００℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ パルス比：１：２ 上記のように、パルス状にマイクロ波を供給したので、
高密度（１０14ｃｍ-3程度）のプラズマが発生し、高密
度にリチウム原子がドープされた（図１（Ｂ））。
２の露出部１０５に、以下の条件で図２の装置を用い
て、ドーピングを行い、拡散層１０６を形成した。この
場合下記のように実施例２と同じ条件にした。 ガス流量：ＬｉＮ3 ＝３０ＳＣＣＭ 圧力：１．３３Ｐａ 温度：１００℃ マイクロ波：８５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス：０Ｗ パルス比：１：２ 上記のように、パルス状にマイクロ波を供給したので、
高密度（１０14ｃｍ-3程度）のプラズマが発生し、高密
度にリチウム原子がドープされた（図１（Ｂ））。
【００４２】本実施例は、実施例２についてクリーニン
グを併用する形のものであるが、クリーニングを併用し
て実施例１と同様に行っても、効果的である。
グを併用する形のものであるが、クリーニングを併用し
て実施例１と同様に行っても、効果的である。
【００４３】本発明によれば、ダイアモンド構造に悪影
響を与えずに、ダイアモンドにｎ型ドーピングを行うこ
とができ、高濃度のｎ型ドーピングも可能な技術を提供
することができた。
響を与えずに、ダイアモンドにｎ型ドーピングを行うこ
とができ、高濃度のｎ型ドーピングも可能な技術を提供
することができた。
【図１】 実施例の工程を示す図である。
【図２】 実施例に用いたＥＣＲプラズマドーピング装
置である。
置である。
１０１ 基板 １０２ ダイアモンド半導体膜 １０３ ＳｉＯ2 膜 １０４ レジストパターン １０５ 開口部（露出部） １０６ 拡散層 １ マグネトロン ２ マイクロ波 ３ 導波管 ４ 石英ベルジャー ５ 反応室 ６ ソレノイドコイル ７ ガスプラズマ ８ 基板 ９ サセプター １０ 加熱管 １１ ガス導入管 １２ 排気管
Claims (3)
- 【請求項１】炭素を主成分とするダイアモンド半導体の
製造方法において、リチウム原子をＥＣＲプラズマを用
いてドーピングすることを特徴とするダイアモンド半導
体の製造方法。 - 【請求項２】前記リチウム原子はリチウムの窒素化合物
から生成されたものであることを特徴とする請求項１に
記載のダイアモンド半導体の製造方法。 - 【請求項３】前記リチウムの窒素化合物はアジ化リチウ
ムであることを特徴とする請求項２に記載のダイアモン
ド半導体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26839193A JP3334286B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | ダイアモンド半導体の製造方法 |
| US08/313,370 US5508208A (en) | 1993-09-30 | 1994-09-27 | Method of manufacturing diamond semiconductor |
| DE69402024T DE69402024T2 (de) | 1993-09-30 | 1994-09-30 | Verfahren zur Herstellung eines Diamanthalbleiters |
| EP94115430A EP0646968B1 (en) | 1993-09-30 | 1994-09-30 | Method of manufacturing diamond semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26839193A JP3334286B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | ダイアモンド半導体の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106266A true JPH07106266A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3334286B2 JP3334286B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=17457827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26839193A Expired - Fee Related JP3334286B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | ダイアモンド半導体の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5508208A (ja) |
| EP (1) | EP0646968B1 (ja) |
| JP (1) | JP3334286B2 (ja) |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005041279A1 (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンド |
| US7255744B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-08-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Low-resistivity n-type semiconductor diamond and method of its manufacture |
| CN100409408C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-08-06 | 住友电气工业株式会社 | 制备n-型半导体金刚石的方法及n-型半导体金刚石 |
| WO2023199954A1 (ja) * | 2022-04-14 | 2023-10-19 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 不純物ドープ半導体の製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863831A (en) * | 1995-08-14 | 1999-01-26 | Advanced Materials Engineering Research, Inc. | Process for fabricating semiconductor device with shallow p-type regions using dopant compounds containing elements of high solid solubility |
| US6452338B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
| FR2848335B1 (fr) * | 2002-12-06 | 2005-10-07 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'elaboration de diamant de type n a haute conductivite electrique |
| WO2008089147A2 (en) | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Cha Corporation | Microwave induced destruction of siloxanes and hydrogen sulfide in biogas |
| US7641874B2 (en) * | 2007-01-15 | 2010-01-05 | Cha Corporation | Microwave induced destruction of impurities from biogas and nitrogen oxides from engine exhaust |
| WO2008123391A2 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-16 | Panasonic Corporation | Apparatus and method for plasma doping |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS604174A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 核酸塩基およびヌクレオシドとヌクレオチドの分離方法 |
| US4571447A (en) * | 1983-06-24 | 1986-02-18 | Prins Johan F | Photovoltaic cell of semi-conducting diamond |
| DE3818719C2 (de) * | 1987-06-02 | 2000-03-23 | Sumitomo Electric Industries | Halbleitender Diamant vom n-Typ und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US4778561A (en) * | 1987-10-30 | 1988-10-18 | Veeco Instruments, Inc. | Electron cyclotron resonance plasma source |
| JPH03205398A (ja) * | 1989-12-30 | 1991-09-06 | Canon Inc | ダイヤモンドの製造方法 |
| EP0445754B1 (en) * | 1990-03-06 | 1996-02-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for growing a diamond or c-BN thin film |
| US5099296A (en) * | 1990-04-06 | 1992-03-24 | Xerox Corporation | Thin film transistor |
| JPH04174517A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Canon Inc | ダイヤモンド半導体の製造方法 |
| JPH04175295A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-23 | Canon Inc | 半導体ダイヤモンドの製造方法 |
| JP2836790B2 (ja) * | 1991-01-08 | 1998-12-14 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜へのオーミック電極形成方法 |
| JPH04266020A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体ダイヤモンド |
| EP0543392A3 (en) * | 1991-11-21 | 1993-10-20 | Canon Kk | Diamond semiconductor device and method of producing the same |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP26839193A patent/JP3334286B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-27 US US08/313,370 patent/US5508208A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-30 EP EP94115430A patent/EP0646968B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-30 DE DE69402024T patent/DE69402024T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7255744B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-08-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Low-resistivity n-type semiconductor diamond and method of its manufacture |
| WO2005041279A1 (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンド |
| CN100409408C (zh) * | 2003-10-29 | 2008-08-06 | 住友电气工业株式会社 | 制备n-型半导体金刚石的方法及n-型半导体金刚石 |
| WO2023199954A1 (ja) * | 2022-04-14 | 2023-10-19 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 不純物ドープ半導体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5508208A (en) | 1996-04-16 |
| JP3334286B2 (ja) | 2002-10-15 |
| EP0646968A1 (en) | 1995-04-05 |
| DE69402024D1 (de) | 1997-04-17 |
| EP0646968B1 (en) | 1997-03-12 |
| DE69402024T2 (de) | 1997-10-02 |
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