JPH07101649B2 - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPH07101649B2 JPH07101649B2 JP4249671A JP24967192A JPH07101649B2 JP H07101649 B2 JPH07101649 B2 JP H07101649B2 JP 4249671 A JP4249671 A JP 4249671A JP 24967192 A JP24967192 A JP 24967192A JP H07101649 B2 JPH07101649 B2 JP H07101649B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドなどに用
いられる軟磁性薄膜に関するものである。
いられる軟磁性薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の高密度化にともなって磁
気ヘッドに用いる薄膜磁性材料には、高飽和磁束密度、
低保磁力の軟磁気特性が必要となってきている。これま
でに飽和磁束密度が１テスラ程度のＮｉ−Ｆｅ系合金薄
膜、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系
アモルファス合金薄膜等が実用化されている。これらの
合金磁性膜の飽和磁束密度では高密度化に対し限界が見
えており、今後２テスラ程度の飽和磁束密度を持つ軟磁
性薄膜が必要になってきている。最近、遷移金属中で最
も高い飽和磁束密度（２．１テスラ）を持つＦｅ薄膜の
軟磁性化の研究がさかんに行われている。軟磁気特性の
向上には、Ｆｅに数％程度の異種元素の添加や中間層と
の多層化によりＦｅ薄膜を微細結晶粒組織にする事が有
効であるといわれている。一方鉄の格子とミスマッチの
小さなガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上に鉄をエピタキ
シャル成長させることによって鉄薄膜の軟磁気特性が向
上したという報告がある（例えば ジャーナル オブ
クリスタル グロース（Ｊ．ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇ
ｒｏｗｔｈ）第８１巻 ５２４ページ １９８７年）。
また、ＧａＡｓ（００１）基板上にエピタキシャル成長
させたＦｅ1 6 Ｎ2 （００１）薄膜が、２．５テスラと
いうＦｅ単体を上回る高飽和磁束密度を持つことが特開
平２−３０８５０４号公報に示されている。
気ヘッドに用いる薄膜磁性材料には、高飽和磁束密度、
低保磁力の軟磁気特性が必要となってきている。これま
でに飽和磁束密度が１テスラ程度のＮｉ−Ｆｅ系合金薄
膜、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系
アモルファス合金薄膜等が実用化されている。これらの
合金磁性膜の飽和磁束密度では高密度化に対し限界が見
えており、今後２テスラ程度の飽和磁束密度を持つ軟磁
性薄膜が必要になってきている。最近、遷移金属中で最
も高い飽和磁束密度（２．１テスラ）を持つＦｅ薄膜の
軟磁性化の研究がさかんに行われている。軟磁気特性の
向上には、Ｆｅに数％程度の異種元素の添加や中間層と
の多層化によりＦｅ薄膜を微細結晶粒組織にする事が有
効であるといわれている。一方鉄の格子とミスマッチの
小さなガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上に鉄をエピタキ
シャル成長させることによって鉄薄膜の軟磁気特性が向
上したという報告がある（例えば ジャーナル オブ
クリスタル グロース（Ｊ．ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇ
ｒｏｗｔｈ）第８１巻 ５２４ページ １９８７年）。
また、ＧａＡｓ（００１）基板上にエピタキシャル成長
させたＦｅ1 6 Ｎ2 （００１）薄膜が、２．５テスラと
いうＦｅ単体を上回る高飽和磁束密度を持つことが特開
平２−３０８５０４号公報に示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｆｅ1 6 Ｎ2 単結晶膜
は、飽和磁束密度が大きいので軟磁性材料への期待が大
きいが、その製造方法がむずかしく、成長速度が極めて
遅いことから実用的でない。これに対して、鉄単結晶薄
膜は、添加元素を必要としないために高い飽和磁束密度
が実現されること、そもそも単結晶であるためにきわめ
て安定であること、等から微細結晶粒化による鉄薄膜の
軟磁性化よりも磁気ヘッド用薄膜磁性材料として有望で
ある。しかしながら基板として用いているＧａＡｓは、
機械的強度が小さいために、機械的信頼性が必要とされ
る磁気ヘッドなどのような電子部品にＧａＡｓ基板上の
単結晶Ｆｅ膜を用いるのはむずかしい。さらにＧａＡｓ
基板上にエピタキシャル成長させたＦｅ単結晶薄膜は、
基板との合金化が起こり飽和磁束密度が低下するなどの
問題があった。
は、飽和磁束密度が大きいので軟磁性材料への期待が大
きいが、その製造方法がむずかしく、成長速度が極めて
遅いことから実用的でない。これに対して、鉄単結晶薄
膜は、添加元素を必要としないために高い飽和磁束密度
が実現されること、そもそも単結晶であるためにきわめ
て安定であること、等から微細結晶粒化による鉄薄膜の
軟磁性化よりも磁気ヘッド用薄膜磁性材料として有望で
ある。しかしながら基板として用いているＧａＡｓは、
機械的強度が小さいために、機械的信頼性が必要とされ
る磁気ヘッドなどのような電子部品にＧａＡｓ基板上の
単結晶Ｆｅ膜を用いるのはむずかしい。さらにＧａＡｓ
基板上にエピタキシャル成長させたＦｅ単結晶薄膜は、
基板との合金化が起こり飽和磁束密度が低下するなどの
問題があった。
【０００４】本発明の目的は、飽和磁束密度が高く、軟
磁気特性に優れた単結晶鉄軟磁性薄膜を提供することに
ある。
磁気特性に優れた単結晶鉄軟磁性薄膜を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、サファイヤ単
結晶基板上にエピタキシャル成長させたバッファー層を
有し、該バッファー層上にエピタキシャル鉄単結晶膜を
有することを特徴とする軟磁性薄膜であり、サファイヤ
単結晶基板、バッファー層、エピタキシャル鉄単結晶膜
の方位の組み合わせとして４種、すなわちサファイヤ
（１−１０２）単結晶基板−（００１）方位のバッファ
ー層−（００１）エピタキシャル鉄単結晶膜、サファ
イヤ（１１−２０）単結晶基板−（１１０）方位のバッ
ファー層−（１１０）エピタキシャル鉄単結晶膜、サ
ファイヤ（０００１）単結晶基板−（１１１）方位のバ
ッファー層−（１１１）エピタキシャル鉄単結晶膜、
サファイヤ（１−１００）単結晶基板−（１１２）方位
のバッファー層−（１１２）エピタキシャル鉄単結晶膜
のいずれかであることを特徴とする軟磁性薄膜である。
また、エピタキシャルバッファー層としては体心立方晶
金属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ））または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種類
以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄（Ｆ
ｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍとか
らなる体心立方晶の合金よりなるか、もしくは下層が前
記体心立方晶金属Ｍ、又は該体心立方晶金属Ｍより選ば
れた２種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、又
は、鉄（Ｆｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶
金属Ｍとからなる体心立方晶の合金で、上層がクロム
（Ｃｒ）で構成された２層よりなることを特徴とする軟
磁性薄膜である。
結晶基板上にエピタキシャル成長させたバッファー層を
有し、該バッファー層上にエピタキシャル鉄単結晶膜を
有することを特徴とする軟磁性薄膜であり、サファイヤ
単結晶基板、バッファー層、エピタキシャル鉄単結晶膜
の方位の組み合わせとして４種、すなわちサファイヤ
（１−１０２）単結晶基板−（００１）方位のバッファ
ー層−（００１）エピタキシャル鉄単結晶膜、サファ
イヤ（１１−２０）単結晶基板−（１１０）方位のバッ
ファー層−（１１０）エピタキシャル鉄単結晶膜、サ
ファイヤ（０００１）単結晶基板−（１１１）方位のバ
ッファー層−（１１１）エピタキシャル鉄単結晶膜、
サファイヤ（１−１００）単結晶基板−（１１２）方位
のバッファー層−（１１２）エピタキシャル鉄単結晶膜
のいずれかであることを特徴とする軟磁性薄膜である。
また、エピタキシャルバッファー層としては体心立方晶
金属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ））または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種類
以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄（Ｆ
ｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍとか
らなる体心立方晶の合金よりなるか、もしくは下層が前
記体心立方晶金属Ｍ、又は該体心立方晶金属Ｍより選ば
れた２種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、又
は、鉄（Ｆｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶
金属Ｍとからなる体心立方晶の合金で、上層がクロム
（Ｃｒ）で構成された２層よりなることを特徴とする軟
磁性薄膜である。
【０００６】
【作用】サファイヤ基板はガリウム砒素基板と異なり、
物理的・化学的に安定でかつ機械的強度も高いことか
ら、高信頼性を要求される磁気ヘッドなどの磁性薄膜の
基板として優れている。したがってサファイヤ単結晶基
板上に直接Ｆｅ単結晶膜がエピタキシャル成長すればよ
いのだが、体心立方晶のＦｅ（格子定数２．８７オング
ストローム）は疑似六方晶のサファイヤとの格子ミスマ
ッチがかなり大きいために、サファイヤ基板上の直接Ｆ
ｅのエピタキシャル膜を形成することは困難である。こ
れに対して、Ｆｅと同じ体心立方晶の金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、それぞれの格子定数は、３．０
３、３．３０、３．１５、３．３０、３．１６オングス
トローム）または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種
類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄
（Ｆｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍ
とからなる体心立方晶の合金は、サファイヤとの格子ミ
スマッチがかなり小さくなるので、サファイヤ基板上に
エピタキシャル成長する。このエピタキシャルバッファ
ー層は、Ｆｅと同じ結晶対称性を持ち、かつＦｅの対応
する結晶面間との格子ミスマッチが小さいために、Ｆｅ
単結晶膜がこのエピタキシャルバッファー層上に容易に
成長する。Ｆｅのエピタキシャル膜の成長にあたって
は、バッファー金属・合金との格子ミスマッチが小さい
ので、成長温度は低くできるために、Ｆｅとバッファー
層金属との合金化反応を抑制することができる。したが
ってサファイヤ基板上にエピタキシャルバッファー層を
介してエピタキシャル成長した鉄単結晶薄膜の飽和磁束
密度はバルクの値から減少することがない。
物理的・化学的に安定でかつ機械的強度も高いことか
ら、高信頼性を要求される磁気ヘッドなどの磁性薄膜の
基板として優れている。したがってサファイヤ単結晶基
板上に直接Ｆｅ単結晶膜がエピタキシャル成長すればよ
いのだが、体心立方晶のＦｅ（格子定数２．８７オング
ストローム）は疑似六方晶のサファイヤとの格子ミスマ
ッチがかなり大きいために、サファイヤ基板上の直接Ｆ
ｅのエピタキシャル膜を形成することは困難である。こ
れに対して、Ｆｅと同じ体心立方晶の金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、それぞれの格子定数は、３．０
３、３．３０、３．１５、３．３０、３．１６オングス
トローム）または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種
類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄
（Ｆｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍ
とからなる体心立方晶の合金は、サファイヤとの格子ミ
スマッチがかなり小さくなるので、サファイヤ基板上に
エピタキシャル成長する。このエピタキシャルバッファ
ー層は、Ｆｅと同じ結晶対称性を持ち、かつＦｅの対応
する結晶面間との格子ミスマッチが小さいために、Ｆｅ
単結晶膜がこのエピタキシャルバッファー層上に容易に
成長する。Ｆｅのエピタキシャル膜の成長にあたって
は、バッファー金属・合金との格子ミスマッチが小さい
ので、成長温度は低くできるために、Ｆｅとバッファー
層金属との合金化反応を抑制することができる。したが
ってサファイヤ基板上にエピタキシャルバッファー層を
介してエピタキシャル成長した鉄単結晶薄膜の飽和磁束
密度はバルクの値から減少することがない。
【０００７】またＦｅとエピタキシャルバッファー金属
とのミスマッチの大きさは、例えばＮｂ、Ｔａでは１３
％、Ｍｏ、Ｗでは９％、Ｖにおいてさえ５．３％と比較
的大きいのに対して、鉄とクロムのミスマッチは、０．
４５％であるために特に膜厚が薄い鉄単結晶薄膜の形成
にあたっては、エピタキシャルバッファー層を２層構造
とし、下層を体心立方晶の金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｗ）または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた
２種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、
鉄（Ｆｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属
Ｍとからなる体心立方晶の合金、上層をクロムとするこ
とによって、欠陥の少ない鉄単結晶薄膜を得ることがで
き、そのために軟磁気特性を改善できるものである。
とのミスマッチの大きさは、例えばＮｂ、Ｔａでは１３
％、Ｍｏ、Ｗでは９％、Ｖにおいてさえ５．３％と比較
的大きいのに対して、鉄とクロムのミスマッチは、０．
４５％であるために特に膜厚が薄い鉄単結晶薄膜の形成
にあたっては、エピタキシャルバッファー層を２層構造
とし、下層を体心立方晶の金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｗ）または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた
２種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、
鉄（Ｆｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属
Ｍとからなる体心立方晶の合金、上層をクロムとするこ
とによって、欠陥の少ない鉄単結晶薄膜を得ることがで
き、そのために軟磁気特性を改善できるものである。
【０００８】一方上記のような鉄単結晶軟磁性薄膜の製
造にあたっては、エピタキシャル成長および鉄薄膜中の
磁壁の移動を阻害する要因を排除することが重要であ
る。そのために鉄原料の純度は少なくとも９９．９９５
％以上であること、及び１０-8 トールより圧力が低い
超高真空中で鉄を成長させることが必要となる。
造にあたっては、エピタキシャル成長および鉄薄膜中の
磁壁の移動を阻害する要因を排除することが重要であ
る。そのために鉄原料の純度は少なくとも９９．９９５
％以上であること、及び１０-8 トールより圧力が低い
超高真空中で鉄を成長させることが必要となる。
【０００９】
【実施例】以下本発明について実施例により説明する。
図１は本発明の軟磁性薄膜の断面模式図である。図１
（ａ）ではサファイヤ単結晶基板１上に体心立方晶の金
属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ））または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種類
以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄（Ｆ
ｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍとか
らなる体心立方晶の合金エピタキシャルバッファー層２
上に、鉄膜３がエピタキシャル成長している。サファイ
ヤ単結晶基板とエピタキシャルバッファー層ならびにエ
ピタキシャルＦｅ膜の成長面との関係は、（１）サファ
イヤ（１−１０２）面に対してはバッファー層が（００
１）面、Ｆｅが（００１）面、（２）サファイヤ（１１
−２０）面に対してはバッファー層が（１１０）面、Ｆ
ｅが（１１０）面、（３）サファイヤ（０００１）面に
対してはバッファー層が（１１１）面、Ｆｅが（１１
１）面、（４）サファイヤ（１−１００）面に対しては
バッファー層が（１１２）面、Ｆｅが（１１２）面であ
る。
図１は本発明の軟磁性薄膜の断面模式図である。図１
（ａ）ではサファイヤ単結晶基板１上に体心立方晶の金
属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ））または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種類
以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄（Ｆ
ｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍとか
らなる体心立方晶の合金エピタキシャルバッファー層２
上に、鉄膜３がエピタキシャル成長している。サファイ
ヤ単結晶基板とエピタキシャルバッファー層ならびにエ
ピタキシャルＦｅ膜の成長面との関係は、（１）サファ
イヤ（１−１０２）面に対してはバッファー層が（００
１）面、Ｆｅが（００１）面、（２）サファイヤ（１１
−２０）面に対してはバッファー層が（１１０）面、Ｆ
ｅが（１１０）面、（３）サファイヤ（０００１）面に
対してはバッファー層が（１１１）面、Ｆｅが（１１
１）面、（４）サファイヤ（１−１００）面に対しては
バッファー層が（１１２）面、Ｆｅが（１１２）面であ
る。
【００１０】図１（ｂ）では、エピタキシャルバッファ
ー層が２層より成り、下層２’が体心立方晶の金属Ｍ
（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）または該体心立方晶
金属Ｍより選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方
晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒと該体心立方晶金
属Ｍとからなる体心立方晶の合金で、上層２”がクロム
エピタキシャルバッファー層で構成され、この上にＦｅ
膜３がエピタキシャル成長している。
ー層が２層より成り、下層２’が体心立方晶の金属Ｍ
（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）または該体心立方晶
金属Ｍより選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方
晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒと該体心立方晶金
属Ｍとからなる体心立方晶の合金で、上層２”がクロム
エピタキシャルバッファー層で構成され、この上にＦｅ
膜３がエピタキシャル成長している。
【００１１】本発明の実施にあったては図２に示した超
高真空電子ビーム蒸着装置を用いて行った。図２の蒸着
装置の真空チャンバー内には鉄とクロムまたはバッファ
ー層用の金属Ｍあるいは金属Ｍより選ばれた２種以上の
金属より成る合金またはＦｅあるいはＣｒと金属Ｍより
成る合金を充填した２つの電子ビーム蒸着源４ａ、４
ｂ、４ｃ、サファイヤ単結晶基板をマウントした基板ホ
ルダー５、基板加熱用ヒータ６、３つの電子ビーム蒸着
源の蒸着速度をモニターするための水晶振動子膜厚計７
ａ、７ｂ、７ｃ、３つの蒸着源から出た分子線束の開閉
を行うためのシャッター８ａ、８ｂ、８ｃ、真空ゲージ
９、サファイヤ単結晶基板上に成長した鉄あるいはバッ
ファー層の表面構造評価を行うための反射高速電子線回
折（ＲＨＥＥＤ）用の電子銃１０、および蛍光スクリー
ン１１を備え、ゲートバルブ１２をとおしてクライオポ
ンプ１３により真空排気される。超高真空を得るために
チャンバーの外周にはヒーターがとりつけられ、ベーキ
ングができるようになっている。１０- 8 トールより圧
力の低い超高真空下での蒸着は、チャンバーを１５０℃
で２０時間ベーキングした後行ったが、これより圧力の
高い真空下での蒸着では成長室に取り付けられたバリア
ブルリークバルブ１４により所望の真空度になるように
空気をリークしながら行った。ベーキングを行った後の
到達真空度は１ｘ１０- 1 0 トール、超高真空下におけ
る蒸着時の真空度は、典型的には１０-9 トール台であ
った。
高真空電子ビーム蒸着装置を用いて行った。図２の蒸着
装置の真空チャンバー内には鉄とクロムまたはバッファ
ー層用の金属Ｍあるいは金属Ｍより選ばれた２種以上の
金属より成る合金またはＦｅあるいはＣｒと金属Ｍより
成る合金を充填した２つの電子ビーム蒸着源４ａ、４
ｂ、４ｃ、サファイヤ単結晶基板をマウントした基板ホ
ルダー５、基板加熱用ヒータ６、３つの電子ビーム蒸着
源の蒸着速度をモニターするための水晶振動子膜厚計７
ａ、７ｂ、７ｃ、３つの蒸着源から出た分子線束の開閉
を行うためのシャッター８ａ、８ｂ、８ｃ、真空ゲージ
９、サファイヤ単結晶基板上に成長した鉄あるいはバッ
ファー層の表面構造評価を行うための反射高速電子線回
折（ＲＨＥＥＤ）用の電子銃１０、および蛍光スクリー
ン１１を備え、ゲートバルブ１２をとおしてクライオポ
ンプ１３により真空排気される。超高真空を得るために
チャンバーの外周にはヒーターがとりつけられ、ベーキ
ングができるようになっている。１０- 8 トールより圧
力の低い超高真空下での蒸着は、チャンバーを１５０℃
で２０時間ベーキングした後行ったが、これより圧力の
高い真空下での蒸着では成長室に取り付けられたバリア
ブルリークバルブ１４により所望の真空度になるように
空気をリークしながら行った。ベーキングを行った後の
到達真空度は１ｘ１０- 1 0 トール、超高真空下におけ
る蒸着時の真空度は、典型的には１０-9 トール台であ
った。
【００１２】軟磁気特性の評価は室温で振動試料型磁力
計（ＶＳＭ）により飽和磁束密度と保磁力を測定した。
計（ＶＳＭ）により飽和磁束密度と保磁力を測定した。
【００１３】サファイヤ単結晶基板上へのエピタキシャ
ル膜の成長について、バッファー層に用いる金属あるい
は合金の種類を変えて調べた。エピタキシャル膜の成長
面に関してはＲＨＥＥＤおよびＸ線回折により評価し
た。なお用いたバッファー層金属・合金母材の純度は、
９９．９〜９９．９９９％、蒸着速度は、０．１〜２オ
ングストローム／秒、基板温度は、８５０〜１１００℃
（典型的には９００〜９５０℃）とした。本実施例にお
いてはチャンバーのベーキングを行い超高真空中でエピ
タキシャルバッファー層の成長を行った。表１から、Ｆ
ｅあるいはＣｒはいずれの面方位のサファイヤ基板上に
もエピタキシャル成長しないこと、また体心立方晶金属
Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）あるいはＭより選
ばれた２種類以上の金属より成る体心立方晶の合金、あ
るいはＦｅまたはＣｒと金属Ｍより成る体心立方晶の合
金は、サファイヤ基板の結晶面の対称性にしたがってエ
ピタキシャル成長することがわかる。すなわちサファイ
ヤの（１−１０２）、（１１−２０）、（０００１）、
（１−１００）面のそれぞれに対して、体心立方晶金属
・合金の（００１）、（１１０）、（１１１）、（１１
２）面が成長する。なお表中の体心立方晶金属・合金の
成長面の欄の×印はエピタキシャル膜が得られず、多結
晶膜あるいは配向膜となったことを表している。またバ
ッファー層の膜厚は、１０〜２０００オングストローム
まで変えて調べたが結果は同じであった。
ル膜の成長について、バッファー層に用いる金属あるい
は合金の種類を変えて調べた。エピタキシャル膜の成長
面に関してはＲＨＥＥＤおよびＸ線回折により評価し
た。なお用いたバッファー層金属・合金母材の純度は、
９９．９〜９９．９９９％、蒸着速度は、０．１〜２オ
ングストローム／秒、基板温度は、８５０〜１１００℃
（典型的には９００〜９５０℃）とした。本実施例にお
いてはチャンバーのベーキングを行い超高真空中でエピ
タキシャルバッファー層の成長を行った。表１から、Ｆ
ｅあるいはＣｒはいずれの面方位のサファイヤ基板上に
もエピタキシャル成長しないこと、また体心立方晶金属
Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）あるいはＭより選
ばれた２種類以上の金属より成る体心立方晶の合金、あ
るいはＦｅまたはＣｒと金属Ｍより成る体心立方晶の合
金は、サファイヤ基板の結晶面の対称性にしたがってエ
ピタキシャル成長することがわかる。すなわちサファイ
ヤの（１−１０２）、（１１−２０）、（０００１）、
（１−１００）面のそれぞれに対して、体心立方晶金属
・合金の（００１）、（１１０）、（１１１）、（１１
２）面が成長する。なお表中の体心立方晶金属・合金の
成長面の欄の×印はエピタキシャル膜が得られず、多結
晶膜あるいは配向膜となったことを表している。またバ
ッファー層の膜厚は、１０〜２０００オングストローム
まで変えて調べたが結果は同じであった。
【００１４】
【表１】
【００１５】次にエピタキシャルバッファー層とこの上
に成長させたエピタキシャルＦｅ膜の成長面の関係を調
べた実施例について述べる。実験の結果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくともこの中か
ら選ばれた２種類の金属からなる体心立方晶の合金、ま
たはＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗより
成る体心立方晶の合金のエピタキシャルバッファー層と
しての効果に特に大きな違いがみられなかったことから
以下の実施例では主に、Ｎｂバッファー層上のエピタキ
シャルＦｅ膜を例に説明する。
に成長させたエピタキシャルＦｅ膜の成長面の関係を調
べた実施例について述べる。実験の結果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくともこの中か
ら選ばれた２種類の金属からなる体心立方晶の合金、ま
たはＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗより
成る体心立方晶の合金のエピタキシャルバッファー層と
しての効果に特に大きな違いがみられなかったことから
以下の実施例では主に、Ｎｂバッファー層上のエピタキ
シャルＦｅ膜を例に説明する。
【００１６】チャンバーをベーキングし、到達真空度１
０- 1 0 トール、成膜時の真空度１０- 8 トール台で、
膜厚５００オングストロームのＮｂバッファー膜を基板
温度９００℃、成長速度０．１〜０．５オングストロー
ム／秒でサファイヤ単結晶基板上に成長させた。得られ
たエピタキシャルＮｂ膜はサファイヤ基板と表１のよう
なエピタキシャル関係を持っている。このエピタキシャ
ルＮｂバッファー層上に、成膜時の真空度１０- 9 トー
ル台で、母材純度９９．９９９％のＦｅを１オングスト
ローム／秒の成長速度で２０００オングストローム成長
させた。基板温度を室温から５００℃の範囲で変えなが
ら調べたが、Ｆｅ単結晶膜の成長面は基板温度には依存
せず、表２に示すようにバッファー層の面方位で決定さ
れる。すなわち体心立方晶金属・合金バッファー層の
（００１）、（１１０）、（１１１）、（１１２）面の
それぞれに対し、Ｆｅがエピタキシャルバッファー層と
同一の結晶面で成長する。
０- 1 0 トール、成膜時の真空度１０- 8 トール台で、
膜厚５００オングストロームのＮｂバッファー膜を基板
温度９００℃、成長速度０．１〜０．５オングストロー
ム／秒でサファイヤ単結晶基板上に成長させた。得られ
たエピタキシャルＮｂ膜はサファイヤ基板と表１のよう
なエピタキシャル関係を持っている。このエピタキシャ
ルＮｂバッファー層上に、成膜時の真空度１０- 9 トー
ル台で、母材純度９９．９９９％のＦｅを１オングスト
ローム／秒の成長速度で２０００オングストローム成長
させた。基板温度を室温から５００℃の範囲で変えなが
ら調べたが、Ｆｅ単結晶膜の成長面は基板温度には依存
せず、表２に示すようにバッファー層の面方位で決定さ
れる。すなわち体心立方晶金属・合金バッファー層の
（００１）、（１１０）、（１１１）、（１１２）面の
それぞれに対し、Ｆｅがエピタキシャルバッファー層と
同一の結晶面で成長する。
【００１７】
【表２】
【００１８】次に、サファイヤ単結晶基板上の体心立方
晶金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）あるいはＭ
より選ばれた２種類以上の金属より成る体心立方晶の合
金、あるいはＦｅまたはＣｒと金属Ｍより成る体心立方
晶の合金のエピタキシャルバッファー層上に成長させた
エピタキシャルＦｅ膜について、室温で飽和磁束密度と
保磁力を測定した。エピタキシャルバッファー層の膜厚
は５００オングストロームとし、エピタキシャルＦｅ膜
は基板温度２５０℃、成長速度２オングストローム／秒
で３０００オングストローム成長させた。なお成膜時の
真空度１０- 9トール台で、母材純度９９．９９９％の
Ｆｅを用いた。実験の結果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ
のいずれかあるいは少なくともこの中から選ばれた２種
類以上の金属からなる体心立方晶の合金、またはＦｅあ
るいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立
方晶の合金のエピタキシャルバッファー層としての効果
に大きな違いがみられなかったことから、以下の実施例
では主に、Ｔａ、Ｖ2 0 Ｎｂ8 0 、Ｔａ3 0 Ｆｅ7 0 お
よびＭｏ3 0 Ｃｒ7 0 バッファー層上のエピタキシャル
Ｆｅ膜を例に説明する。その結果を表３にまとめた。な
お比較のため、直接サファイヤ単結晶基板上に作製した
多結晶あるいは（１１０）配向のＦｅ膜の結果について
も示した。表３に示すようにエピタキシャルバッファー
層上に成長させたＦｅ単結晶膜は、多結晶あるいは配向
膜に比べ保磁力が小さく、高飽和磁束密度を維持しなが
ら保磁力の小さい軟磁性膜となっていることがわかる。
晶金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）あるいはＭ
より選ばれた２種類以上の金属より成る体心立方晶の合
金、あるいはＦｅまたはＣｒと金属Ｍより成る体心立方
晶の合金のエピタキシャルバッファー層上に成長させた
エピタキシャルＦｅ膜について、室温で飽和磁束密度と
保磁力を測定した。エピタキシャルバッファー層の膜厚
は５００オングストロームとし、エピタキシャルＦｅ膜
は基板温度２５０℃、成長速度２オングストローム／秒
で３０００オングストローム成長させた。なお成膜時の
真空度１０- 9トール台で、母材純度９９．９９９％の
Ｆｅを用いた。実験の結果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ
のいずれかあるいは少なくともこの中から選ばれた２種
類以上の金属からなる体心立方晶の合金、またはＦｅあ
るいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立
方晶の合金のエピタキシャルバッファー層としての効果
に大きな違いがみられなかったことから、以下の実施例
では主に、Ｔａ、Ｖ2 0 Ｎｂ8 0 、Ｔａ3 0 Ｆｅ7 0 お
よびＭｏ3 0 Ｃｒ7 0 バッファー層上のエピタキシャル
Ｆｅ膜を例に説明する。その結果を表３にまとめた。な
お比較のため、直接サファイヤ単結晶基板上に作製した
多結晶あるいは（１１０）配向のＦｅ膜の結果について
も示した。表３に示すようにエピタキシャルバッファー
層上に成長させたＦｅ単結晶膜は、多結晶あるいは配向
膜に比べ保磁力が小さく、高飽和磁束密度を維持しなが
ら保磁力の小さい軟磁性膜となっていることがわかる。
【００１９】
【表３】
【００２０】サファイヤ（１１−２０）単結晶基板上に
Ｔａ（１１０）エピタキシャルバッファー層、Ｆｅ（１
１０）単結晶膜を成長させたサンプルについてオージェ
電子分光法により膜の深さ方向で組成分析を行い、Ｔａ
とＦｅの界面における拡散状態について調べた。Ｆｅ膜
は基板温度、２５０℃で成長させた。図３に示すように
ＴａとＦｅの界面は明確に分かれており、両者の拡散は
ほとんど起きていないことがわかる。
Ｔａ（１１０）エピタキシャルバッファー層、Ｆｅ（１
１０）単結晶膜を成長させたサンプルについてオージェ
電子分光法により膜の深さ方向で組成分析を行い、Ｔａ
とＦｅの界面における拡散状態について調べた。Ｆｅ膜
は基板温度、２５０℃で成長させた。図３に示すように
ＴａとＦｅの界面は明確に分かれており、両者の拡散は
ほとんど起きていないことがわかる。
【００２１】つぎに、サファイヤ単結晶基板上のエピタ
キシャルバッファー層を２層構造とし、下層をＶ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかあるいは少なくともこの
中から選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶の
合金、またはＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金、上層をＣｒとし、こ
の２層構造エピタキシャルバッファー層上に成長させた
エピタキシャルＦｅ膜について、室温で飽和磁束密度と
保磁力を測定した。上層ならびに下層のエピタキシャル
バッファー層の膜厚はいずれも２５０オングストローム
とし、エピタキシャルＦｅ膜は基板温度１００℃、成長
速度１オングストローム／秒で２０００オングストロー
ム成長させた。なお成膜時の真空度は１０- 9 トール台
で、母材純度９９．９９９％のＦｅを用いた。実験の結
果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかあるいは少な
くともこの中から選ばれた２種類以上の金属からなる体
心立方晶の合金、またはＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金の下層エピタ
キシャルバッファー層としての効果に大きな違いがみら
れなかったことから、以下の実施例では主に、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ2 0 Ｗ8 0 、Ｖ5 0 Ｆｅ5 0 およびＶ5 0 Ｃｒ
5 0 を下層のバッファー層とし、Ｃｒを上層のバッファ
ー層としたとき、この上に成長させたエピタキシャルＦ
ｅ膜を例に説明する。下層の体心立方晶金属・合金なら
びに上層のクロム、そして鉄はお互いに同一結晶面が平
行にエピタキシャル成長することがわかった。本実施例
の結果を表４にまとめた。表４に示したようにエピタキ
シャルバッファー層を２層構造にし、上層をＣｒバッフ
ァーとすると、このＣｒバッファーがない場合に比べ、
保磁力が小さく、軟磁性膜として優れていることがわか
る。
キシャルバッファー層を２層構造とし、下層をＶ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかあるいは少なくともこの
中から選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶の
合金、またはＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金、上層をＣｒとし、こ
の２層構造エピタキシャルバッファー層上に成長させた
エピタキシャルＦｅ膜について、室温で飽和磁束密度と
保磁力を測定した。上層ならびに下層のエピタキシャル
バッファー層の膜厚はいずれも２５０オングストローム
とし、エピタキシャルＦｅ膜は基板温度１００℃、成長
速度１オングストローム／秒で２０００オングストロー
ム成長させた。なお成膜時の真空度は１０- 9 トール台
で、母材純度９９．９９９％のＦｅを用いた。実験の結
果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれかあるいは少な
くともこの中から選ばれた２種類以上の金属からなる体
心立方晶の合金、またはＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金の下層エピタ
キシャルバッファー層としての効果に大きな違いがみら
れなかったことから、以下の実施例では主に、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｔａ2 0 Ｗ8 0 、Ｖ5 0 Ｆｅ5 0 およびＶ5 0 Ｃｒ
5 0 を下層のバッファー層とし、Ｃｒを上層のバッファ
ー層としたとき、この上に成長させたエピタキシャルＦ
ｅ膜を例に説明する。下層の体心立方晶金属・合金なら
びに上層のクロム、そして鉄はお互いに同一結晶面が平
行にエピタキシャル成長することがわかった。本実施例
の結果を表４にまとめた。表４に示したようにエピタキ
シャルバッファー層を２層構造にし、上層をＣｒバッフ
ァーとすると、このＣｒバッファーがない場合に比べ、
保磁力が小さく、軟磁性膜として優れていることがわか
る。
【００２２】
【表４】
【００２３】サファイヤ（０００１）単結晶基板上にＭ
ｏ（１１１）エピタキシャルバッファー下層、Ｃｒ（１
１１）エピタキシャルバファー上層、Ｆｅ（１１１）単
結晶膜を成長させたサンプルについてオージェ電子分光
法により膜の深さ方向で組成分析を行い、ＣｒとＦｅの
界面における拡散状態について調べた。Ｆｅ膜は基板温
度、２５０℃で成長させた。図４に示すようにＣｒとＦ
ｅの界面は明確に分かれており、両者の拡散はほとんど
起きていないことがわかる。
ｏ（１１１）エピタキシャルバッファー下層、Ｃｒ（１
１１）エピタキシャルバファー上層、Ｆｅ（１１１）単
結晶膜を成長させたサンプルについてオージェ電子分光
法により膜の深さ方向で組成分析を行い、ＣｒとＦｅの
界面における拡散状態について調べた。Ｆｅ膜は基板温
度、２５０℃で成長させた。図４に示すようにＣｒとＦ
ｅの界面は明確に分かれており、両者の拡散はほとんど
起きていないことがわかる。
【００２４】Ｆｅ母材の純度ならびにＦｅ成長時の真空
度を変えてＦｅ単結晶膜を成長させ、それの飽和磁束密
度、保磁力を測定した実施例について述べる。サファイ
ヤ基板の方位ならびにエピタキシャルバッファー層の効
果に大きな違いがみられなかったことから、以下の実施
例では主に、サファイヤ基板の方位（１−１０２）で、
下層がＴａ（００１）、上層がＣｒ（００１）より成る
２層構造エピタキシャルバッファー層上に成長させたＦ
ｅ膜を例に説明する。エピタキシャルバッファー層の成
長は超高真空中で行い、Ｆｅ膜の成長を１０- 8 トール
より高い圧力の下で行う場合は成長室に取り付けられた
バリアブルリークバルブにより所望の真空度になるよう
に空気を意識的にリークするようにした。
度を変えてＦｅ単結晶膜を成長させ、それの飽和磁束密
度、保磁力を測定した実施例について述べる。サファイ
ヤ基板の方位ならびにエピタキシャルバッファー層の効
果に大きな違いがみられなかったことから、以下の実施
例では主に、サファイヤ基板の方位（１−１０２）で、
下層がＴａ（００１）、上層がＣｒ（００１）より成る
２層構造エピタキシャルバッファー層上に成長させたＦ
ｅ膜を例に説明する。エピタキシャルバッファー層の成
長は超高真空中で行い、Ｆｅ膜の成長を１０- 8 トール
より高い圧力の下で行う場合は成長室に取り付けられた
バリアブルリークバルブにより所望の真空度になるよう
に空気を意識的にリークするようにした。
【００２５】表５に示すように９９．９９５％以上の純
度を有する鉄原料を用い、１０- 8トールより圧力の低
い超高真空下で蒸着した場合にエピタキシャル単結晶鉄
薄膜が得られ、このときに高飽和磁束密度を維持した軟
磁性膜となることがわかる。なお表中のエピタキシャル
関係の欄の○印は上述したエピタキシャル関係を持つ単
結晶膜であることを示し、×印はエピタキシャル関係の
認められない多結晶膜あるいは配向膜であることを意味
する。
度を有する鉄原料を用い、１０- 8トールより圧力の低
い超高真空下で蒸着した場合にエピタキシャル単結晶鉄
薄膜が得られ、このときに高飽和磁束密度を維持した軟
磁性膜となることがわかる。なお表中のエピタキシャル
関係の欄の○印は上述したエピタキシャル関係を持つ単
結晶膜であることを示し、×印はエピタキシャル関係の
認められない多結晶膜あるいは配向膜であることを意味
する。
【００２６】
【表５】
【００２７】
【発明の効果】以上実施例にて説明したように本発明に
よれば、鉄の持っている大きな飽和磁束密度を保持した
鉄単結晶軟磁性薄膜が得られる。この軟磁性薄膜は、飽
和磁束密度が２テスラ程度の大きさを持っているので、
磁気記録媒体の高密度化に対応できる磁気ヘッド材料と
して用いることができるものである。また基板に化学的
・物理的に極めて安定で、機械的強度も高いサファイヤ
を用いるために信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供でき
るものである。
よれば、鉄の持っている大きな飽和磁束密度を保持した
鉄単結晶軟磁性薄膜が得られる。この軟磁性薄膜は、飽
和磁束密度が２テスラ程度の大きさを持っているので、
磁気記録媒体の高密度化に対応できる磁気ヘッド材料と
して用いることができるものである。また基板に化学的
・物理的に極めて安定で、機械的強度も高いサファイヤ
を用いるために信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供でき
るものである。
【図１】本発明の軟磁性薄膜の構造を示す断面模式図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例で用いた電子ビーム蒸着装置の
概略図である。
概略図である。
【図３】オージェ電子分光分析による深さ方向の組成分
析の結果を示す図である。
析の結果を示す図である。
【図４】オージェ電子分光分析による深さ方向の組成分
析の結果を示す図である。
析の結果を示す図である。
１ サファイヤ単結晶基板 ２ エピタキシャルバッファー層 ２’ エピタキシャルバッファー下層 ２” エピタキシャルＣｒバッファー上層 ３ 単結晶鉄膜 ４ａ、４ｂ、４ｃ 電子ビーム蒸着源 ５ 基板ホルダー ６ 基板加熱ヒータ ７ａ、７ｂ、７ｃ 膜厚計 ８ａ、８ｂ、８ｃ シャッター ９ 真空ゲージ １０ 反射高速電子線回折用電子銃 １１ 蛍光スクリーン １２ ゲートバルブ １３ クライオポンプ １４ バリアブルリークバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 41/20
Claims (6)
- 【請求項１】 サファイヤ（１−１０２）単結晶基板上
にエピタキシャル成長させた（００１）方位のバッファ
ー層を有し、該バッファー層上に成長面が（００１）で
あるエピタキシャル鉄単結晶膜を有することを特徴とす
る軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 サファイヤ（１１−２０）単結晶基板上
にエピタキシャル成長させた（１１０）方位のバッファ
ー層を有し、該バッファー層上に成長面が（１１０）で
あるエピタキシャル鉄単結晶膜を有することを特徴とす
る軟磁性薄膜。 - 【請求項３】 サファイヤ（０００１）単結晶基板上に
エピタキシャル成長させた（１１１）方位のバッファー
層を有し、該バッファー層上に成長面が（１１１）であ
るエピタキシャル鉄単結晶膜を有することを特徴とする
軟磁性薄膜。 - 【請求項４】 サファイヤ（１−１００）単結晶基板上
にエピタキシャル成長させた（１１２）方位のバッファ
ー層を有し、該バッファー層上に成長面が（１１２）で
あるエピタキシャル鉄単結晶膜を有することを特徴とす
る軟磁性薄膜。 - 【請求項５】 エピタキシャルバッファー層が体心立方
晶金属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ））または該体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種類
以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄（Ｆ
ｅ）あるいはクロム（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍとか
らなる体心立方晶の合金であることを特徴とする請求項
１ないし４記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項６】 エピタキシャルバッファー層が２層より
なり、下層が請求項２の体心立方晶金属Ｍ、または該体
心立方晶金属Ｍより選ばれた２種類以上の金属からなる
体心立方晶の合金、または、鉄（Ｆｅ）あるいはクロム
（Ｃｒ）と該体心立方晶金属Ｍとからなる体心立方晶の
合金で、上層がクロム（Ｃｒ）で構成されることを特徴
とする請求項１ないし４記載の軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249671A JPH07101649B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249671A JPH07101649B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 軟磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104118A JPH06104118A (ja) | 1994-04-15 |
| JPH07101649B2 true JPH07101649B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=17196478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249671A Expired - Lifetime JPH07101649B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101649B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009026394A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Univ Chuo | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3996095A (en) * | 1975-04-16 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Epitaxial process of forming ferrite, Fe3 O4 and γFe2 O3 thin films on special materials |
| JPS5567928A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Fujitsu Ltd | Forming method for closely contacted layer of thin-film magnetic head |
| JPS5817828B2 (ja) * | 1978-12-25 | 1983-04-09 | 富士通株式会社 | 密着層形成法 |
| JPH0492402A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気光学薄膜 |
| JP2882039B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1999-04-12 | 日本電気株式会社 | 軟磁性薄膜 |
| JP2921103B2 (ja) * | 1990-11-14 | 1999-07-19 | 日本電気株式会社 | 軟磁性薄膜およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4249671A patent/JPH07101649B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104118A (ja) | 1994-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960416 |