JP2541426B2 - 磁気抵抗効果素子薄膜 - Google Patents
磁気抵抗効果素子薄膜Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気センサーや薄膜磁気
ヘッドなどに用いられる磁気抵抗効果素子薄膜およびそ
の製造方法に関するものである。
ヘッドなどに用いられる磁気抵抗効果素子薄膜およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】１９８８年に発見された鉄（Ｆｅ）とク
ロム（Ｃｒ）を積層したＦｅ／Ｃｒ人工格子のいわゆる
巨大磁気抵抗効果（フィジカル レビュー レターズ
（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第６１巻 ２４７２ページ １９８８年）は、従来知ら
れているパーマロイ薄膜の４〜５％の磁気抵抗比に比べ
ると、室温における磁気抵抗比が１０数％にもなり、磁
気センサーや磁気ヘッドとしての応用が考えられてい
る。特に磁気センサーとして用いる場合には、ヒステリ
シスがないこと、磁気抵抗の変化量が磁場に対して直線
的に変化することが望ましい。
ロム（Ｃｒ）を積層したＦｅ／Ｃｒ人工格子のいわゆる
巨大磁気抵抗効果（フィジカル レビュー レターズ
（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ）
第６１巻 ２４７２ページ １９８８年）は、従来知ら
れているパーマロイ薄膜の４〜５％の磁気抵抗比に比べ
ると、室温における磁気抵抗比が１０数％にもなり、磁
気センサーや磁気ヘッドとしての応用が考えられてい
る。特に磁気センサーとして用いる場合には、ヒステリ
シスがないこと、磁気抵抗の変化量が磁場に対して直線
的に変化することが望ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれまで
に報告されているＦｅ／Ｃｒ人工格子は、ヒステリシス
が大きく、磁気抵抗の磁場依存性も直線的でない（特開
平３−１５０８８１号公報）。
に報告されているＦｅ／Ｃｒ人工格子は、ヒステリシス
が大きく、磁気抵抗の磁場依存性も直線的でない（特開
平３−１５０８８１号公報）。
【０００４】本発明の目的は、ヒステリシスがなく、磁
気抵抗の磁場依存性が直線的な磁気抵抗効果素子薄膜を
提供することにある。
気抵抗の磁場依存性が直線的な磁気抵抗効果素子薄膜を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、サファイヤ単
結晶基板上にエピタキシャルバッファー層を有し、前記
エピタキシャルバッファー層上に、鉄（Ｆｅ）とクロム
（Ｃｒ）が交互にエピタキシャル成長した人工格子膜を
有する磁気抵抗効果素子薄膜であって、前記エピタキシ
ャルバッファー層が、（１）体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝バ
ナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍ
ｏ）,タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ））より選
ばれた金属よりなる金属層、（２）前記体心立方晶金属
Ｍより選ばれた２種以上の金属よりなる合金層、（３）
前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた金属と鉄（Ｆｅ）と
からなる体心立方晶の合金層、（４）前記体心立方晶金
属Ｍより選ばれた金属とクロム（Ｃｒ）とからなる体心
立方晶の合金層、のいずれかよりなることを特徴とする
磁気抵抗効果素子薄膜である。ここでサファイヤ単結晶
基板の結晶面と該エピタキシャルバッファー層の成長面
と、エピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工講師の成長面との関
係が、 サファイヤ（１−１０２）面に対してはバッフ
ァー層が（００１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（００１
面）、 サファイヤ（１１−２０）面に対してはバッフ
ァー層が（１１０）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
０）面、 サファイヤ（０００１）面に対してはバッフ
ァー層が（１１１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
１）面、 サファイヤ（１−１００）面に対してはバッ
ファー層が（１１２）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
２）面であることを特徴としている。また望ましくは、
エピタキシャルバッファー層が２層構造より成り、下層
が（１）請求項１記載の体心立方晶金属Ｍより選ばれた
金属よりなる金属層、（２）前記体心立方晶金属Ｍより
選ばれた２種以上の金属よりなる合金層、（３）前記体
心立方晶金属Ｍより選ばれた金属と鉄（Ｆｅ）とからな
る体心立方晶の合金層、（４）前記体心立方晶金属Ｍよ
り選ばれた金属とクロム（Ｃｒ）とからなる体心立方晶
の合金層、のいずれかからなり、かつ上層がＣｒで構成
されたエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子膜からなる磁
気抵抗効果素子薄膜である。
結晶基板上にエピタキシャルバッファー層を有し、前記
エピタキシャルバッファー層上に、鉄（Ｆｅ）とクロム
（Ｃｒ）が交互にエピタキシャル成長した人工格子膜を
有する磁気抵抗効果素子薄膜であって、前記エピタキシ
ャルバッファー層が、（１）体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝バ
ナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍ
ｏ）,タンタル（Ｔａ），タングステン（Ｗ））より選
ばれた金属よりなる金属層、（２）前記体心立方晶金属
Ｍより選ばれた２種以上の金属よりなる合金層、（３）
前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた金属と鉄（Ｆｅ）と
からなる体心立方晶の合金層、（４）前記体心立方晶金
属Ｍより選ばれた金属とクロム（Ｃｒ）とからなる体心
立方晶の合金層、のいずれかよりなることを特徴とする
磁気抵抗効果素子薄膜である。ここでサファイヤ単結晶
基板の結晶面と該エピタキシャルバッファー層の成長面
と、エピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工講師の成長面との関
係が、 サファイヤ（１−１０２）面に対してはバッフ
ァー層が（００１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（００１
面）、 サファイヤ（１１−２０）面に対してはバッフ
ァー層が（１１０）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
０）面、 サファイヤ（０００１）面に対してはバッフ
ァー層が（１１１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
１）面、 サファイヤ（１−１００）面に対してはバッ
ファー層が（１１２）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
２）面であることを特徴としている。また望ましくは、
エピタキシャルバッファー層が２層構造より成り、下層
が（１）請求項１記載の体心立方晶金属Ｍより選ばれた
金属よりなる金属層、（２）前記体心立方晶金属Ｍより
選ばれた２種以上の金属よりなる合金層、（３）前記体
心立方晶金属Ｍより選ばれた金属と鉄（Ｆｅ）とからな
る体心立方晶の合金層、（４）前記体心立方晶金属Ｍよ
り選ばれた金属とクロム（Ｃｒ）とからなる体心立方晶
の合金層、のいずれかからなり、かつ上層がＣｒで構成
されたエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子膜からなる磁
気抵抗効果素子薄膜である。
【０００６】
【作用】特開平３−１５０８８１号公報に述べられてい
るＦｅ／Ｃｒ人工格子は、積層方向にエピタキシャル成
長したＦｅとＣｒとの単結晶上の人工格子の群からな
り、全体として多結晶構造を有している。このために磁
気抵抗曲線にヒステリシスが生じ、磁気抵抗の磁場依存
性が直線的でなくなるものと考えられる。
るＦｅ／Ｃｒ人工格子は、積層方向にエピタキシャル成
長したＦｅとＣｒとの単結晶上の人工格子の群からな
り、全体として多結晶構造を有している。このために磁
気抵抗曲線にヒステリシスが生じ、磁気抵抗の磁場依存
性が直線的でなくなるものと考えられる。
【０００７】これに対して本発明の磁気抵抗効果素子薄
膜は、膜全体がエピタキシャル成長したＦｅ／Ｃｒ人工
格子より成り、薄膜の成長方向のみならず面内の結晶方
位もはっきり定義された単結晶膜であり、多結晶構造あ
るいは配向構造に基づく結晶方位のゆらぎがないので、
磁壁の動きが可逆的になり、そのために磁気抵抗曲線の
ヒステリシスがなくなり磁気抵抗の磁場依存も直線的に
なると考えられる。
膜は、膜全体がエピタキシャル成長したＦｅ／Ｃｒ人工
格子より成り、薄膜の成長方向のみならず面内の結晶方
位もはっきり定義された単結晶膜であり、多結晶構造あ
るいは配向構造に基づく結晶方位のゆらぎがないので、
磁壁の動きが可逆的になり、そのために磁気抵抗曲線の
ヒステリシスがなくなり磁気抵抗の磁場依存も直線的に
なると考えられる。
【０００８】この様な単結晶のＦｅ／Ｃｒ人工格子膜の
作製にあたっては、超高真空下におけるいわゆる分子線
エピタキシー法によるエピタキシャル成長が不可避であ
る。エピタキシャル成長には、少なくとも基板あるいは
下地バッファー層とこの上に成長させる材料との間に、
類似の結晶対称性と格子ミスマッチの小さいことが要求
される。
作製にあたっては、超高真空下におけるいわゆる分子線
エピタキシー法によるエピタキシャル成長が不可避であ
る。エピタキシャル成長には、少なくとも基板あるいは
下地バッファー層とこの上に成長させる材料との間に、
類似の結晶対称性と格子ミスマッチの小さいことが要求
される。
【０００９】サファイヤは、化学的・物理的に極めて安
定でありかつ高品質の単結晶が人工的に作られ、機械的
強度も高いことから、信頼性の高い磁気センサーや薄膜
磁気ヘッドの基板として優れている。体心立方晶のＦｅ
あるいはＣｒ（格子定数はそれぞれ２．８７、２．８８
オングストローム）は、疑似六方晶のサファイヤとの格
子ミスマッチがかなり大きいために、サファイヤ基板上
に直接ＦｅあるいはＣｒのエピタキシャル膜を形成する
ことは困難である。これに対して、ＦｅあるいはＣｒと
同じ体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｗ、それぞれの格子定数は３．０３、３．３０、３．１
５、３．３０、３．１６オングストローム）あるいはこ
れら金属Ｍより選ばれた２種類以上の金属よりなる体心
立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとこれら金属
Ｍよりなる体心立方晶の合金は、サファイヤとの格子ミ
スマッチがかなり小さくなるので、サファイヤ基板上に
エピタキシャル成長する。サファイヤの（１−１０２）
面、（１１−２０）面、（０００１）面、（１−１０
０）面に対して、それぞれ、体心立方晶金属であるＶ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗあるいはこれらの２種類以上の金
属からなる体心立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣ
ｒとこれら金属からなる体心立方晶の合金の（００１）
面、（１１０）面、（１１１）面、（１１２）面がエピ
タキシャル成長する。Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗあるい
はこれら金属からなる体心立方晶の合金または、Ｆｅあ
るいはＣｒとこれら金属からなる体心立方晶の合金のエ
ピタキシャル膜は、ＦｅまたはＣｒと同じ結晶対称性を
有し、かつ格子定数から予想される格子ミスマッチも小
さいので、エピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子成長のた
めのバッファー層として用いることができる。エピタキ
シャルバッファー層上のＦｅあるいはＣｒの成長面は、
結晶対称性が同一であるために、エピタキシャルバッフ
ァー層と同じ結晶面が成長する。エピタキシャルバッフ
ァー層を設けることによってエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ
人工格子の成長が可能となり、このために、ヒステリシ
スのない直線性に優れた磁気抵抗曲線が得られる。しか
し、エピタキシャルバッファー層とＦｅ／Ｃｒ人工格子
との間には、小さいけれども有限な格子ミスマッチがあ
るために、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子には、格子不整合に基づ
く応力あるいは転位などの欠陥が生じ、特に低磁場域で
磁気抵抗曲線に小さなヒステリシスがみられる。
定でありかつ高品質の単結晶が人工的に作られ、機械的
強度も高いことから、信頼性の高い磁気センサーや薄膜
磁気ヘッドの基板として優れている。体心立方晶のＦｅ
あるいはＣｒ（格子定数はそれぞれ２．８７、２．８８
オングストローム）は、疑似六方晶のサファイヤとの格
子ミスマッチがかなり大きいために、サファイヤ基板上
に直接ＦｅあるいはＣｒのエピタキシャル膜を形成する
ことは困難である。これに対して、ＦｅあるいはＣｒと
同じ体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｗ、それぞれの格子定数は３．０３、３．３０、３．１
５、３．３０、３．１６オングストローム）あるいはこ
れら金属Ｍより選ばれた２種類以上の金属よりなる体心
立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとこれら金属
Ｍよりなる体心立方晶の合金は、サファイヤとの格子ミ
スマッチがかなり小さくなるので、サファイヤ基板上に
エピタキシャル成長する。サファイヤの（１−１０２）
面、（１１−２０）面、（０００１）面、（１−１０
０）面に対して、それぞれ、体心立方晶金属であるＶ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗあるいはこれらの２種類以上の金
属からなる体心立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣ
ｒとこれら金属からなる体心立方晶の合金の（００１）
面、（１１０）面、（１１１）面、（１１２）面がエピ
タキシャル成長する。Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗあるい
はこれら金属からなる体心立方晶の合金または、Ｆｅあ
るいはＣｒとこれら金属からなる体心立方晶の合金のエ
ピタキシャル膜は、ＦｅまたはＣｒと同じ結晶対称性を
有し、かつ格子定数から予想される格子ミスマッチも小
さいので、エピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子成長のた
めのバッファー層として用いることができる。エピタキ
シャルバッファー層上のＦｅあるいはＣｒの成長面は、
結晶対称性が同一であるために、エピタキシャルバッフ
ァー層と同じ結晶面が成長する。エピタキシャルバッフ
ァー層を設けることによってエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ
人工格子の成長が可能となり、このために、ヒステリシ
スのない直線性に優れた磁気抵抗曲線が得られる。しか
し、エピタキシャルバッファー層とＦｅ／Ｃｒ人工格子
との間には、小さいけれども有限な格子ミスマッチがあ
るために、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子には、格子不整合に基づ
く応力あるいは転位などの欠陥が生じ、特に低磁場域で
磁気抵抗曲線に小さなヒステリシスがみられる。
【００１０】そこでエピタキシャルバッファー層を２層
構造とし、下層を体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）、またはこの体心立方晶金属Ｍよ
り選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶の合
金、または、ＦｅあるいはＣｒと該体心立方晶金属Ｍか
らなる体心立方晶の合金とし、上層をＣｒとすると、エ
ピタキシャルバッファー層とＦｅ／Ｃｒ人工格子との間
の格子ミスマッチを０にすることができる。そのために
Ｃｒバッファー上層がない場合よりもヒステリシスがな
く直線性に優れた磁気抵抗曲線が得られる。
構造とし、下層を体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝Ｖ、Ｃｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）、またはこの体心立方晶金属Ｍよ
り選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶の合
金、または、ＦｅあるいはＣｒと該体心立方晶金属Ｍか
らなる体心立方晶の合金とし、上層をＣｒとすると、エ
ピタキシャルバッファー層とＦｅ／Ｃｒ人工格子との間
の格子ミスマッチを０にすることができる。そのために
Ｃｒバッファー上層がない場合よりもヒステリシスがな
く直線性に優れた磁気抵抗曲線が得られる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。
【００１２】図１は本発明の磁気抵抗効果素子薄膜の断
面図である。図１（ａ）ではサファイヤ単結晶基板１上
に、体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ）、クロム
（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ））、またはこの体心
立方晶金属Ｍより選ばれた２種類以上の金属からなる体
心立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒと体心立方
晶金属Ｍとよりなる体心立方晶の合金のエピタキシャル
バッファー層２上に、Ｆｅ層３とＣｒ層４が交互にエピ
タキシャル成長したＦｅ／Ｃｒ人工格子膜が形成されて
いる。ここでサファイヤ単結晶基板１の結晶面とエピタ
キシャルバッファー層２の成長面、ならびにエピタキシ
ャルＦｅ／Ｃｒ人工格子の成長面との関係が、（１）サ
ファイヤ（１−１０２）面に対してはバッファー層が
（００１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（００１）面、
（２）サファイヤ（１１−２０）面に対してはバッファ
ー層が（１１０）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１０）
面、（３）サファイヤ（０００１）面に対してはバッフ
ァー層が（１１１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
１）面、（４）サファイヤ（１−１００）面に対しては
バッファー層が（１１２）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が
（１１２）面である。
面図である。図１（ａ）ではサファイヤ単結晶基板１上
に、体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ）、クロム
（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ））、またはこの体心
立方晶金属Ｍより選ばれた２種類以上の金属からなる体
心立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒと体心立方
晶金属Ｍとよりなる体心立方晶の合金のエピタキシャル
バッファー層２上に、Ｆｅ層３とＣｒ層４が交互にエピ
タキシャル成長したＦｅ／Ｃｒ人工格子膜が形成されて
いる。ここでサファイヤ単結晶基板１の結晶面とエピタ
キシャルバッファー層２の成長面、ならびにエピタキシ
ャルＦｅ／Ｃｒ人工格子の成長面との関係が、（１）サ
ファイヤ（１−１０２）面に対してはバッファー層が
（００１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（００１）面、
（２）サファイヤ（１１−２０）面に対してはバッファ
ー層が（１１０）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１０）
面、（３）サファイヤ（０００１）面に対してはバッフ
ァー層が（１１１）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が（１１
１）面、（４）サファイヤ（１−１００）面に対しては
バッファー層が（１１２）面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子が
（１１２）面である。
【００１３】図１（ｂ）では、エピタキシャルバッファ
ー層が２層より成り、下層が体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝
Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）、またはこの体心立
方晶金属より選ばれた２種類以上からなる合金、また
は、ＦｅあるいはＣｒと該体心立方晶金属Ｍからなる合
金のエピタキシャルバッファー層２で、上層がＣｒエピ
タキシャルバッファー層５で構成され、この上に、Ｆｅ
層３とＣｒ層４が交互にエピタキシャル成長したＦｅ／
Ｃｒ人工格子膜が形成されている。
ー層が２層より成り、下層が体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝
Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ）、またはこの体心立
方晶金属より選ばれた２種類以上からなる合金、また
は、ＦｅあるいはＣｒと該体心立方晶金属Ｍからなる合
金のエピタキシャルバッファー層２で、上層がＣｒエピ
タキシャルバッファー層５で構成され、この上に、Ｆｅ
層３とＣｒ層４が交互にエピタキシャル成長したＦｅ／
Ｃｒ人工格子膜が形成されている。
【００１４】本発明の実施にあたっては図２に示した超
高真空蒸着装置を用いて行った。図２の蒸着装置の真空
チャンバー内には鉄とクロムを充填した２つの電子ビー
ム蒸着源６ａ、６ｂ、およびバッファー層用の金属Ｍを
充填した電子ビーム蒸着源６ｃ、サファイヤ単結晶基板
をマウントした基板ホルダー７、基板加熱用ヒータ８、
３つの電子ビーム蒸着源の蒸着速度をモニターするため
の水晶振動子膜厚計９ａ、９ｂ、９ｃ、３つの蒸着源か
ら出た分子線束の開閉を行うためのシャッター１０ａ、
１０ｂ、１０ｃ、真空ゲージ１１、サファイヤ基板上に
成長したバッファー層およびＦｅ層とＣｒ層の表面構造
評価を行うための反射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）用
の電子銃１２、および蛍光スクリーン１３を備え、ゲー
トバルブ１４を通してクライオポンプ１５により真空排
気される。超高真空を得るためにチャンバーの外周には
ヒーターがとりつけられ、ベーキングができるようにな
っている。到達真空度は１ｘ１０- 1 0 トール、蒸着時
の真空度は、１０- 9 トール台であった。磁気抵抗は、
リソグラフィーにより作製したパターンを用い、室温、
１０キロエルステッドまでの磁場中で直流４端子法によ
り測定した。端子の取り出しはアルミニウムワイヤを超
音波ボンディングにより行った。測定電流は５ｍＡとし
た。
高真空蒸着装置を用いて行った。図２の蒸着装置の真空
チャンバー内には鉄とクロムを充填した２つの電子ビー
ム蒸着源６ａ、６ｂ、およびバッファー層用の金属Ｍを
充填した電子ビーム蒸着源６ｃ、サファイヤ単結晶基板
をマウントした基板ホルダー７、基板加熱用ヒータ８、
３つの電子ビーム蒸着源の蒸着速度をモニターするため
の水晶振動子膜厚計９ａ、９ｂ、９ｃ、３つの蒸着源か
ら出た分子線束の開閉を行うためのシャッター１０ａ、
１０ｂ、１０ｃ、真空ゲージ１１、サファイヤ基板上に
成長したバッファー層およびＦｅ層とＣｒ層の表面構造
評価を行うための反射高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）用
の電子銃１２、および蛍光スクリーン１３を備え、ゲー
トバルブ１４を通してクライオポンプ１５により真空排
気される。超高真空を得るためにチャンバーの外周には
ヒーターがとりつけられ、ベーキングができるようにな
っている。到達真空度は１ｘ１０- 1 0 トール、蒸着時
の真空度は、１０- 9 トール台であった。磁気抵抗は、
リソグラフィーにより作製したパターンを用い、室温、
１０キロエルステッドまでの磁場中で直流４端子法によ
り測定した。端子の取り出しはアルミニウムワイヤを超
音波ボンディングにより行った。測定電流は５ｍＡとし
た。
【００１５】サファイヤ単結晶基板上へのエピタキシャ
ル膜の成長について、バッファー層に用いる金属あるい
は合金の種類を変えて調べた。エピタキシャル膜の成長
面についてはＲＨＥＥＤおよびＸ線回折により評価し
た。なお用いた金属母材の純度は、９９．９〜９９．９
９９％、蒸着速度は、０．１オングストローム／秒、基
板温度は、８５０〜１１００℃（典型的には９００〜９
５０℃）であった。表１から、ＦｅあるいはＣｒはいず
れの面方位のサファイヤ基板上にもエピタキシャル成長
しないこと、またＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗあるいはサ
ファイヤ基板の結晶面の対称性にしたがってエピタキシ
ャル成長することがわかる。なお表中の体心立方晶金属
・合金の成長面の欄のＸ印はエピタキシャル膜が得られ
ず、多結晶膜あるいは配向膜となったことを表してい
る。またバッファー層の膜厚は、１０から２０００オン
グストロームまで変えて調べたが結果は同じであった。
ル膜の成長について、バッファー層に用いる金属あるい
は合金の種類を変えて調べた。エピタキシャル膜の成長
面についてはＲＨＥＥＤおよびＸ線回折により評価し
た。なお用いた金属母材の純度は、９９．９〜９９．９
９９％、蒸着速度は、０．１オングストローム／秒、基
板温度は、８５０〜１１００℃（典型的には９００〜９
５０℃）であった。表１から、ＦｅあるいはＣｒはいず
れの面方位のサファイヤ基板上にもエピタキシャル成長
しないこと、またＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗあるいはサ
ファイヤ基板の結晶面の対称性にしたがってエピタキシ
ャル成長することがわかる。なお表中の体心立方晶金属
・合金の成長面の欄のＸ印はエピタキシャル膜が得られ
ず、多結晶膜あるいは配向膜となったことを表してい
る。またバッファー層の膜厚は、１０から２０００オン
グストロームまで変えて調べたが結果は同じであった。
【００１６】
【表１】
【００１７】次にエピタキシャルバッファー層とこの上
に成長させたエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子膜の成
長面の関係を調べた実施例について述べる。実験の結
果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少
なくともこの中から選ばれた２種類の金属からなる体心
立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金のエピタキシ
ャルバッァー層としての効果に特に大きな違いがみられ
たなかったことから以下の実施例では主に、Ｎｂバッフ
ァー層上のＦｅ／Ｃｒ人工格子膜を例に説明する。
に成長させたエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子膜の成
長面の関係を調べた実施例について述べる。実験の結
果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少
なくともこの中から選ばれた２種類の金属からなる体心
立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金のエピタキシ
ャルバッァー層としての効果に特に大きな違いがみられ
たなかったことから以下の実施例では主に、Ｎｂバッフ
ァー層上のＦｅ／Ｃｒ人工格子膜を例に説明する。
【００１８】膜厚１００オングストロームのＮｂバッフ
ァー膜を基板温度９００℃、成長速度０．１オングスト
ローム／秒でサファイヤ単結晶基板上に成長させた。得
られたエピタキシャルＮｂ膜はサファイヤ基板と表１の
ようなエピタキシャル関係を持っている。このエピタキ
シャルＮｂバッファー層上に、Ｆｅ（３０オングストロ
ーム）とＣｒ（３０オングストローム）を２０回積層さ
せた人工格子（以下［Ｆｅ（３０Ａ）／Ｃｒ（３０
Ａ）］2 0 と記す）を成長させた。基板温度を室温から
４００℃の範囲で変えながら調べたが、Ｆｅ／Ｃｒ人工
格子の成長面は基板温度には依存せず、表２に示すよう
にバッファー層の面方位で決定される。人工格子のエピ
タキシャル関係についてはＲＨＥＥＤおよびＸ線回折よ
り評価した。なお用いたニオブ、鉄、クロムの母材の純
度はそれぞれ、９９．９９％、９９．９９９％、９９．
９％であった。また蒸着速度は、いずれも０．１オング
ストローム／秒であった。また人工格子の成長順序に関
しては、Ｆｅから成長を始めようがＣｒから成長を始め
ようが結果に違いは認められなかった。
ァー膜を基板温度９００℃、成長速度０．１オングスト
ローム／秒でサファイヤ単結晶基板上に成長させた。得
られたエピタキシャルＮｂ膜はサファイヤ基板と表１の
ようなエピタキシャル関係を持っている。このエピタキ
シャルＮｂバッファー層上に、Ｆｅ（３０オングストロ
ーム）とＣｒ（３０オングストローム）を２０回積層さ
せた人工格子（以下［Ｆｅ（３０Ａ）／Ｃｒ（３０
Ａ）］2 0 と記す）を成長させた。基板温度を室温から
４００℃の範囲で変えながら調べたが、Ｆｅ／Ｃｒ人工
格子の成長面は基板温度には依存せず、表２に示すよう
にバッファー層の面方位で決定される。人工格子のエピ
タキシャル関係についてはＲＨＥＥＤおよびＸ線回折よ
り評価した。なお用いたニオブ、鉄、クロムの母材の純
度はそれぞれ、９９．９９％、９９．９９９％、９９．
９％であった。また蒸着速度は、いずれも０．１オング
ストローム／秒であった。また人工格子の成長順序に関
しては、Ｆｅから成長を始めようがＣｒから成長を始め
ようが結果に違いは認められなかった。
【００１９】
【表２】
【００２０】次に、サファイヤ単結晶基板上のＶ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくともこ
の中から選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶
の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金エピタキシャルバッ
ファー層上に成長させたエピタキシャル［Ｆｅ（３０
Ａ）／Ｃｒ（１０Ａ）］2 0 人工格子膜について、室温
で磁気抵抗を測定した実施例について述べる。エピタキ
シャルバッファー層の膜厚は５０オングストロームと
し、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子は基板温度２００℃、成長速度
０．１オングストローム／秒で成長させた。実験の結
果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少
なくともこの中から選ばれた２種類の金属からなる体心
立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金のエピタキシ
ャルバッファー層としての効果に特に大きな違いがみら
れなかったことから以下の実施例では主に、Ｔａ、Ｖ
2 0 Ｎｂ8 0 、Ｔａ3 0 Ｆｅ7 0 およびＭｏ3 0 Ｃｒ
7 0 バッファー層上のエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格
子膜を例に説明する。その結果を表３にまとめた。なお
比較のため、直接サファイヤ単結晶基板上に成長させた
多結晶あるいは（１１０）配向のＦｅ／Ｃｒ人工格子の
結果についても示した。表中、磁気抵抗比は、磁場０の
時の抵抗Ｒ（０）から磁場１０キロエルステッドの時の
抵抗Ｒ（１０ｋＯｅ）を差引いた値と磁場０の抵抗値と
の比 ｛Ｒ（０）−Ｒ（１０ｋＯｅ）｝ｘ１００／Ｒ（０） であり、ヒステリシスの有無は、図３の磁気抵抗曲線に
おいて、（ａ）のように磁場掃引にたいして磁気抵抗が
履歴を持つ場合を「ａ」とし、（ｂ）のように低磁場域
で履歴があるもののこれ以外では履歴のない場合を
「ｂ」、また（ｃ）のように履歴の全くない場合を
「ｃ」とした。また磁気抵抗の直線性は、図４の磁気抵
抗曲線において、（ａ）のように直線的に減少する場合
を「○」とし、（ｂ）のように上に凸の曲線にしたがっ
て減少する場合を「×」とした。表３に示すようにエピ
タキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子の方が多結晶あるいは配
向膜の人工格子に比べ、磁気抵抗にヒステリシスがな
く、磁気抵抗が磁場に対し直線的な依存性を持っている
ことがわかる。ただし、図３（ｂ）に示すように低磁場
減に少なからずヒステリシスが存在する。
ｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくともこ
の中から選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶
の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金エピタキシャルバッ
ファー層上に成長させたエピタキシャル［Ｆｅ（３０
Ａ）／Ｃｒ（１０Ａ）］2 0 人工格子膜について、室温
で磁気抵抗を測定した実施例について述べる。エピタキ
シャルバッファー層の膜厚は５０オングストロームと
し、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子は基板温度２００℃、成長速度
０．１オングストローム／秒で成長させた。実験の結
果、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少
なくともこの中から選ばれた２種類の金属からなる体心
立方晶の合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金のエピタキシ
ャルバッファー層としての効果に特に大きな違いがみら
れなかったことから以下の実施例では主に、Ｔａ、Ｖ
2 0 Ｎｂ8 0 、Ｔａ3 0 Ｆｅ7 0 およびＭｏ3 0 Ｃｒ
7 0 バッファー層上のエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格
子膜を例に説明する。その結果を表３にまとめた。なお
比較のため、直接サファイヤ単結晶基板上に成長させた
多結晶あるいは（１１０）配向のＦｅ／Ｃｒ人工格子の
結果についても示した。表中、磁気抵抗比は、磁場０の
時の抵抗Ｒ（０）から磁場１０キロエルステッドの時の
抵抗Ｒ（１０ｋＯｅ）を差引いた値と磁場０の抵抗値と
の比 ｛Ｒ（０）−Ｒ（１０ｋＯｅ）｝ｘ１００／Ｒ（０） であり、ヒステリシスの有無は、図３の磁気抵抗曲線に
おいて、（ａ）のように磁場掃引にたいして磁気抵抗が
履歴を持つ場合を「ａ」とし、（ｂ）のように低磁場域
で履歴があるもののこれ以外では履歴のない場合を
「ｂ」、また（ｃ）のように履歴の全くない場合を
「ｃ」とした。また磁気抵抗の直線性は、図４の磁気抵
抗曲線において、（ａ）のように直線的に減少する場合
を「○」とし、（ｂ）のように上に凸の曲線にしたがっ
て減少する場合を「×」とした。表３に示すようにエピ
タキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子の方が多結晶あるいは配
向膜の人工格子に比べ、磁気抵抗にヒステリシスがな
く、磁気抵抗が磁場に対し直線的な依存性を持っている
ことがわかる。ただし、図３（ｂ）に示すように低磁場
減に少なからずヒステリシスが存在する。
【００２１】
【表３】
【００２２】次に、サファイヤ単結晶基板上のエピタキ
シャルバッファー層を２層構造とし、下層をＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくともこの中
から選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶の合
金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金、上層をＣｒとし、こ
の２層構造エピタキシャルバッファー層上に成長させた
エピタキシャル［Ｆｅ（３０Ａ）／Ｃｒ（１０Ａ）］
2 0 人工格子膜について、室温で磁気抵抗を測定した実
施例について述べる。ここで下層ならびに上層バッファ
ー層の膜厚は、いずれも２５オングストロームとし、Ｆ
ｅ／Ｃｒ人工格子は基板温度１５０℃、成長速度０．１
オングストローム／秒で成長させた。実験の結果、Ｖ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくとも
この中から選ばれた２種類の金属からなる体心立方晶の
合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金のエピタキシャルバッ
ファー層としての効果に特に大きな違いが見られなかっ
たことから以下の実施例では主に、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ
80 Ｗ2 0 、Ｖ5 0 Ｆｅ5 0 およびＶ5 0 Ｃｒ5 0 バッ
ファー層上のエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子膜を例
に説明する。得られた結果を表４にまとめた。表中、磁
気抵抗比、ヒステリシスの有無、磁気抵抗の直線性は、
表３における定義と同じである。表４に示すようにバッ
ファー層を２層とし、下層をＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ
のいずれか、あるいは少なくともこの中から選ばれた２
種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、Ｆ
ｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体
心立方晶の合金、上層をＣｒとしたエピタキシャルＦｅ
／Ｃｒ人工格子は、バッファー層が単層のＦｅ／Ｃｒ人
工格子に比べ、図３（ｃ）に示すように低磁場領域にお
いても磁気抵抗にヒステリシスがなく、磁気抵抗が磁場
に対し直線的な依存性を持っていることがわかる。
シャルバッファー層を２層構造とし、下層をＶ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくともこの中
から選ばれた２種類以上の金属からなる体心立方晶の合
金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金、上層をＣｒとし、こ
の２層構造エピタキシャルバッファー層上に成長させた
エピタキシャル［Ｆｅ（３０Ａ）／Ｃｒ（１０Ａ）］
2 0 人工格子膜について、室温で磁気抵抗を測定した実
施例について述べる。ここで下層ならびに上層バッファ
ー層の膜厚は、いずれも２５オングストロームとし、Ｆ
ｅ／Ｃｒ人工格子は基板温度１５０℃、成長速度０．１
オングストローム／秒で成長させた。実験の結果、Ｖ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗのいずれか、あるいは少なくとも
この中から選ばれた２種類の金属からなる体心立方晶の
合金、または、ＦｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗよりなる体心立方晶の合金のエピタキシャルバッ
ファー層としての効果に特に大きな違いが見られなかっ
たことから以下の実施例では主に、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ
80 Ｗ2 0 、Ｖ5 0 Ｆｅ5 0 およびＶ5 0 Ｃｒ5 0 バッ
ファー層上のエピタキシャルＦｅ／Ｃｒ人工格子膜を例
に説明する。得られた結果を表４にまとめた。表中、磁
気抵抗比、ヒステリシスの有無、磁気抵抗の直線性は、
表３における定義と同じである。表４に示すようにバッ
ファー層を２層とし、下層をＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ
のいずれか、あるいは少なくともこの中から選ばれた２
種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、Ｆ
ｅあるいはＣｒとＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗよりなる体
心立方晶の合金、上層をＣｒとしたエピタキシャルＦｅ
／Ｃｒ人工格子は、バッファー層が単層のＦｅ／Ｃｒ人
工格子に比べ、図３（ｃ）に示すように低磁場領域にお
いても磁気抵抗にヒステリシスがなく、磁気抵抗が磁場
に対し直線的な依存性を持っていることがわかる。
【００２３】
【表４】
【００２４】
【発明の効果】以上実施例にて説明したように本発明に
よれば、磁気抵抗にヒステリシスがなく、磁気抵抗の変
化量が磁場に対し直線的な依存性を有する磁気抵抗効果
素子薄膜を得ることができる。この磁気抵抗効果薄膜
は、磁気抵抗にヒステリシスがなく、磁気抵抗が磁場に
対し直線的に変化するために磁気センサーや薄膜磁気ヘ
ッドとして用いるもとができるものである。また、基板
に化学的・物理的に極めて安定で、機械的強度も高いサ
ファイヤを用いるために信頼性の高い磁気センサーや薄
膜磁気ヘッドを提供することができるものである。
よれば、磁気抵抗にヒステリシスがなく、磁気抵抗の変
化量が磁場に対し直線的な依存性を有する磁気抵抗効果
素子薄膜を得ることができる。この磁気抵抗効果薄膜
は、磁気抵抗にヒステリシスがなく、磁気抵抗が磁場に
対し直線的に変化するために磁気センサーや薄膜磁気ヘ
ッドとして用いるもとができるものである。また、基板
に化学的・物理的に極めて安定で、機械的強度も高いサ
ファイヤを用いるために信頼性の高い磁気センサーや薄
膜磁気ヘッドを提供することができるものである。
【図１】本発明の磁気抵抗効果素子薄膜の構造を示す断
面模式図である。
面模式図である。
【図２】本発明の実施例で用いた蒸着装置の概略図であ
る。
る。
【図３】磁気抵抗曲線の測定結果を示す図である。
【図４】磁気抵抗曲線の測定結果を示す図である。
１ サファイヤ単結晶基板 ２ エピタキシャルバッファー層 ３ （人工格子膜中の）エピタキシャル鉄層 ４ （人工格子膜中の）エピタキシャルクロム層 ５ エピタキシャルクロムバッファー層 ６ａ、６ｂ、６ｃ 電子ビーム蒸着源 ７ 基板ホルダー ８ 基板加熱ヒータ ９ａ、９ｂ、９ｃ 膜厚計 １０ａ、１０ｂ、１０ｃ シャッター １１ 真空ゲージ １２ 反射高速電子線回折用電子銃 １３ 蛍光スクリーン １４ ゲートバルブ １５ クライオポンプ
Claims (6)
- 【請求項１】サファイヤ単結晶基板上にエピタキシャル
バッファー層を有し、前記エピタキシャルバッファー層
上に、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）が交互にエピタキシ
ャル成長した人工格子膜を有する磁気抵抗効果素子薄膜
であって、前記エピタキシャルバッファー層が、 （１）体心立方晶金属Ｍ（Ｍ＝バナジウム（Ｖ），ニオ
ブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍｏ）,タンタル（Ｔａ），
タングステン（Ｗ））より選ばれた金属よりなる金属層 （２）前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種以上の金
属よりなる合金層 （３）前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた金属と鉄（Ｆ
ｅ）とからなる体心立方晶の合金層 （４）前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた金属とクロム
（Ｃｒ）とからなる体心立方晶の合金層のいずれかより
なること を特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜。 - 【請求項２】 サファイヤ単結晶基板が（１−１０２）
面、エピタキシャルバッファー層の成長面が（００１）
面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子の成長面が（００１）面である
請求項１の記載の磁気抵抗効果素子薄膜。 - 【請求項３】 サファイヤ単結晶基板が（１１−２０）
面、エピタキシャルバッファー層の成長面が（１１０）
面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子の成長面が（１１０）面である
請求項１記載の磁気抵抗効果素子薄膜。 - 【請求項４】 サファイヤ単結晶基板が（０００１）
面、エピタキシャルバッファー層の成長面が（１１１）
面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子の成長面が（１１１）面である
請求項１記載の磁気抵抗効果素子薄膜。 - 【請求項５】 サファイヤ単結晶基板が（１−１００）
面、エピタキシャルバッファー層の成長面が（１１２）
面、Ｆｅ／Ｃｒ人工格子の成長面が（１１２）面である
請求項１記載の磁気抵抗効果素子薄膜。 - 【請求項６】エピタキシャルバッファー層が２層より成
り、下層が（１）請求項１記載の体心立方晶金属Ｍより選ばれた金
属よりなる金属層 （２）前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた２種以上の金
属よりなる合金層 （３）前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた金属と鉄（Ｆ
ｅ）とからなる体心立方晶の合金層 （４）前記体心立方晶金属Ｍより選ばれた金属とクロム
（Ｃｒ）とからなる体心立方晶の合金層のいずれかから
なり、かつ 上層がクロム（Ｃｒ）で構成されていること
を特徴とする請求項１、２、３、４又は５に記載の磁気
抵抗効果素子薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200748A JP2541426B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200748A JP2541426B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177453A JPH06177453A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2541426B2 true JP2541426B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=16429521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4200748A Expired - Fee Related JP2541426B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541426B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2616561B2 (ja) * | 1994-07-05 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子 |
| US5874886A (en) * | 1994-07-06 | 1999-02-23 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element and magnetoresistance device |
| JP3651619B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2005-05-25 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果型トランスデューサ及び磁気記録装置 |
| JP3833362B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2006-10-11 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| US20130341743A1 (en) * | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Seagate Technology Llc | Devices including tantalum alloy layers |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632391A (ja) * | 1986-06-21 | 1988-01-07 | Daido Steel Co Ltd | 磁電変換素子 |
| JPS6379386A (ja) * | 1986-06-21 | 1988-04-09 | Daido Steel Co Ltd | ホ−ル素子アレイ |
| JPH0815594B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1996-02-21 | 長谷川 照二 | 光エネルギー吸収励起水製造装置及び光エネルギー吸収励起水の製造方法 |
| JPH03106085A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 磁電変換素子 |
| JPH03150881A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-27 | Res Inst For Prod Dev | 磁気抵抗効果膜 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP4200748A patent/JP2541426B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06177453A (ja) | 1994-06-24 |
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|---|---|---|---|
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