JPS632391A - 磁電変換素子 - Google Patents
磁電変換素子Info
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- JPS632391A JPS632391A JP61145538A JP14553886A JPS632391A JP S632391 A JPS632391 A JP S632391A JP 61145538 A JP61145538 A JP 61145538A JP 14553886 A JP14553886 A JP 14553886A JP S632391 A JPS632391 A JP S632391A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、シリコン単結晶を基板として、ヒ化ガリウム
をエピタキシャル成長して成る活性層を有する磁電変換
素子に関する。
をエピタキシャル成長して成る活性層を有する磁電変換
素子に関する。
ヒ化ガリウム等のＩＩＩ−Ｖ化合物半導体は、高移動度
、直接遷移型のバンド構造、３元、４元系の化合物によ
るバンドギャブと格子定数の可変性等ノ性質のため、高
速トランジスタ、レーザダイオード、発光ダイオード、
フォトトランジスタ、フォトダイオード、太陽電池等の
個別素子は勿論、これらの半導体素子を組み込んだＩＣ
への応用が注目されている。これらの素子を構成する活
性層は、選択拡散、選択イオン注入等によりヒ化ガリウ
ム単結晶基板内に形成されるか、ヒ化ガリウム単結晶基
板に、ヒ化ガリウムをエピタキシャル成長させたエピタ
キシャル層に形成させる方法が採用されている。
、直接遷移型のバンド構造、３元、４元系の化合物によ
るバンドギャブと格子定数の可変性等ノ性質のため、高
速トランジスタ、レーザダイオード、発光ダイオード、
フォトトランジスタ、フォトダイオード、太陽電池等の
個別素子は勿論、これらの半導体素子を組み込んだＩＣ
への応用が注目されている。これらの素子を構成する活
性層は、選択拡散、選択イオン注入等によりヒ化ガリウ
ム単結晶基板内に形成されるか、ヒ化ガリウム単結晶基
板に、ヒ化ガリウムをエピタキシャル成長させたエピタ
キシャル層に形成させる方法が採用されている。
ところが、上記のヒ化ガリウム単結晶基板は、シリコン
単結晶基板に比べて口径の大きなものが得難いこと、製
造コストが高いこと、機械的強度に欠けること、等の欠
点がある。そこで、半導体材料のうち半導体のインゴッ
トの製造技術及び処理技術の最も進んだ単結晶シリコン
を基板として、その上に目的とするヒ化ガリウムをエピ
タキシャル成長させて活性層を形成することが考えられ
ているが、格子不整合の為未だ結晶性の高いエピタキシ
ャル成長膜は得られておらず、シリコンを基板としてヒ
化ガリウムを活性層とした磁電変換素子の構成は知られ
ていない。 その為、従来の磁電変換素子は、基板に活性層を構成す
る半導体と同種の半導体を用い、その基板と活性層とを
、ＰＮ接合、その他適当な手段で絶縁させた構造のもの
であった。 本発明は、単結晶シリコン基板上に結晶性が良く、基板
と絶縁されたヒ化ガリウムのエピタキシャル成長層を活
性層として磁電変換素子を構成することにより、素子製
造の低コスト化、量産性の向上を図るものである。
単結晶基板に比べて口径の大きなものが得難いこと、製
造コストが高いこと、機械的強度に欠けること、等の欠
点がある。そこで、半導体材料のうち半導体のインゴッ
トの製造技術及び処理技術の最も進んだ単結晶シリコン
を基板として、その上に目的とするヒ化ガリウムをエピ
タキシャル成長させて活性層を形成することが考えられ
ているが、格子不整合の為未だ結晶性の高いエピタキシ
ャル成長膜は得られておらず、シリコンを基板としてヒ
化ガリウムを活性層とした磁電変換素子の構成は知られ
ていない。 その為、従来の磁電変換素子は、基板に活性層を構成す
る半導体と同種の半導体を用い、その基板と活性層とを
、ＰＮ接合、その他適当な手段で絶縁させた構造のもの
であった。 本発明は、単結晶シリコン基板上に結晶性が良く、基板
と絶縁されたヒ化ガリウムのエピタキシャル成長層を活
性層として磁電変換素子を構成することにより、素子製
造の低コスト化、量産性の向上を図るものである。
上記問題点を解決するための発明の構成は、シリコン単
結晶基板と、該シリコン単結晶基板の主面上にエピタキ
シャル成長させた、シリコンとヒ化ガリウム（ＧａＡｓ
）との格子不整合を緩和する中間層と、該中間層の主面
上にエピタキシャル成長させたヒ化ガリウム（ＧａＡｓ
）層を、磁気的物理量を電気的物理量に変換する活性層
として形成された磁気検出素子部と、から成り、前記中
間層を半絶縁性に構成したことである。 上記の中間層は、望ましくはリン化ガリウム（ＧａＰ）
であり、さらに望ましくは超格子層を有するものである
。超格子の場合には、中間層を前記シリコン単結晶基板
の主面側から、リン化ガリウム（ＧａＰ）とヒ化リン化
ガリウム（ＧａＡｓＰ）の超格子層と、ヒ化リン化ガリ
ウム（ＧａＡｓｈ）とヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格
子層とを積層するのが良い。さらに、前記の超格子層と
シリコン単結晶基板との間にシリコン単結晶基板側から
リン化アルミニウム（ＡｌＰ）から成る層とリン化ガリ
ウムアルミニウム（ΔＩＧａＰ）から成る層の複層、ま
たはリン化ガリウム（ＧａＰ）の単層を介在させると更
にヒ化ガリウムから成る活性層の結晶性の向上がみられ
た。 中間層の絶縁性は、成長条件によりコントロール出来る
。また、バナジウムをドーピングしても良い。
結晶基板と、該シリコン単結晶基板の主面上にエピタキ
シャル成長させた、シリコンとヒ化ガリウム（ＧａＡｓ
）との格子不整合を緩和する中間層と、該中間層の主面
上にエピタキシャル成長させたヒ化ガリウム（ＧａＡｓ
）層を、磁気的物理量を電気的物理量に変換する活性層
として形成された磁気検出素子部と、から成り、前記中
間層を半絶縁性に構成したことである。 上記の中間層は、望ましくはリン化ガリウム（ＧａＰ）
であり、さらに望ましくは超格子層を有するものである
。超格子の場合には、中間層を前記シリコン単結晶基板
の主面側から、リン化ガリウム（ＧａＰ）とヒ化リン化
ガリウム（ＧａＡｓＰ）の超格子層と、ヒ化リン化ガリ
ウム（ＧａＡｓｈ）とヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格
子層とを積層するのが良い。さらに、前記の超格子層と
シリコン単結晶基板との間にシリコン単結晶基板側から
リン化アルミニウム（ＡｌＰ）から成る層とリン化ガリ
ウムアルミニウム（ΔＩＧａＰ）から成る層の複層、ま
たはリン化ガリウム（ＧａＰ）の単層を介在させると更
にヒ化ガリウムから成る活性層の結晶性の向上がみられ
た。 中間層の絶縁性は、成長条件によりコントロール出来る
。また、バナジウムをドーピングしても良い。
本発明では格子不整合を緩和する中間層を半絶縁性とし
て構成しているため、シリコン単結晶基板上に結晶性の
良いヒ化ガリウムの活性層が形成されると共に、その活
性層は、自動的に基板から絶縁されたものとなる。した
がって、特に、絶縁層を設ける工程が必要でなく、製造
が簡単になる。 本発明磁電変換素子はシリコンの単結晶基板を用いてい
るため、大きなウェハが使用出来るので、安価な多量生
産が可能となる。
て構成しているため、シリコン単結晶基板上に結晶性の
良いヒ化ガリウムの活性層が形成されると共に、その活
性層は、自動的に基板から絶縁されたものとなる。した
がって、特に、絶縁層を設ける工程が必要でなく、製造
が簡単になる。 本発明磁電変換素子はシリコンの単結晶基板を用いてい
るため、大きなウェハが使用出来るので、安価な多量生
産が可能となる。
実施例１
第１図は、本発明の具体的な一実施例に係るホール素子
の構成を示した断面図、第３図はその斜視図である。図
に於いて、１０は主面が（１００〕方位に対してオフ角
２度で（１１０）方向に傾斜しているｎ型のシリコン単
結晶基板である。 ３０は中間層、５０はｎ型ヒ化ガリウムエピタキシャル
層から成る活性層、６１．６２はＡｕ−３ｎから成る電
流電極である。また、６３．６４は、電流電極６１．６
２の配設方向に直交する方向に設けられたＡｕ−３ｎか
ら成る出力電極である。 磁気検出素子部Ａは、活性ＦＬＩ５０と、電流電極６１
．６２と出力電極６３．６４とで構成されている。 層の厚さは、シリコン単結晶基板１０が５０μｍ１中間
層３０が０．０７μｍ、活性層５０が０゜２μｍである
。中間層３０は、リン化ガリウム（ＧａＰ）の単層から
成る第１中間層３１と、リン化ガリウム（ＧａＰ）と混
晶比０．５のヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓｏ、、Ｐａ
、ｓ ）の超格子から成る第２中間層３２と、混晶比０
．５のヒ化リン化ガリウム（Ｇ’ａ Ａ ｓ Ｏ，５Ｐ
ｏ、ｓ ）とヒ化ガリウムの超格子から成る第３中間
層３３とで構成されている。第１中間層３１は５００人
の厚さの単層、第２中間層３２、ｉ３中間層３３は、そ
れぞれ、厚さ１０人の層を、それぞれ１０層積層した超
格子で構成されている。 このホール素子は、有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＣ
ＶＤ）により、順次シリコン単結晶基板１０上に連続的
にエピタキシャル成長させて形成した。反応炉は横型の
誘導加熱常圧炉を用いた。 原料ガスには、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ、Ｇａ
（Ｃ１ｌ’ｓ） ｓ ）、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡＩ。 ＡＩ（Ｃｌｌｓ）ｓ） 、水素希釈のアルシン（ＡｓＨ
ｓ）、ホスフィン（Ｐ Ｈａ）を用いている。又ｎ型、
ｎ型のドーパントには、それぞれジエチル亜鉛（ＤＥＺ
ｎ）、水素希釈の１１２ Ｓ ｅを用いた。それらのガ
スの流速は、−定の結晶成長速度が得られるように流量
制御装置によって正確に制御されている。又■族元素の
ブレクラッキング（ｐｒｅ−ｃｒａｃｋ ｉｎｇ）は行
っていない。シリコン基板１０は、まず酸化膜を除去す
る為、水素雰囲気中で１０００℃で１０分加熱してアニ
ーリングを行った。その後、成長温度を９００℃に保持
してＧａＰをエピタキシャル成長させて第１中間層３１
を形成し、次に成長温度を７００℃に保持して超格子の
第２中間層３２及び第３中間層３３をエピタキシャル成
長させた。 中間層３０を半絶縁性とする為に、■族原料（ＡｓＨａ
あるいはＡＳＨ３＋ＰＨ３）と■族原料（ＴＭＧａある
いはＴＭＧａ＋ＴＭＡ １ ）の供給モル比を３０とし
た。この中間層３０の比抵抗は１×１ＯＳΩ印以上であ
る。また、シリコン単結晶基板１０の比抵抗は２．４Ｘ
１０−’ΩｃＬ１１である。 次に成長温度を７００℃に保持して、ｎ型のＧａＡｓエ
ピタキシャル層の活性層５０を連続成長させた。活性層
５０の比抵抗は１．６Ｘ１０−’Ω印である。次に、フ
ォトリソグラフ、エツチングの工程により、活性層５０
のみ、第３図の如く削除した。次に、Ａｕ−３ｎを活性
層５０の表面の端部にマスク蒸着し拡散処理を施して電
流電極６１．６２と出力電極６３．６４を形成した。 このようにして作成したホール素子の特性をＧａＡｓ基
板にｎ型のＧａＡｓエピタキシャル層を活性層として形
成したホール素子の特性と比較して第２図示す。図から
明らかな様に、同種半導体で構成したホール素子に比べ
特性上の差異は見られなかった。 実施例２ 第４図は、他の実施例に係るホール素子の構成を示した
断面図である。図に於いて、１０はｎ型のシリコン単結
晶基板、３０は格子不整合を緩和するための中間層、５
０は、ＧａＡｓのエピタキシャル層から成る活性層であ
る。第１実施例とは、中間層３０の構成が異なる。即ち
中間層３０は、シリコンと強力に接合し、基板１０上に
容易に成長させることが可能なリン化アルミニウム（Ａ
ｌＰ）から成る第１中間層３１と、混晶比０．５のリン
化ガリウムアルミニウム（Ａ ｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓＰ
）から成る第２中間層３２と、リン化ガリウム（ＧａＰ
）と混晶比０．５のヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓｏ、
ｓ Ｐａ、ｓ ）の超格子から成る第３中間層３３と、
混晶比０．５のヒ化リン化ガリウム（Ｇ ａ Ａ ｓ
６．５ Ｐａ、ｓ ）とヒ化ガＵウム（７）！格子から
成るｍ４中間層３４とで構成されている。層の厚さは、
基板１０が５０μｍ１中間層３０が０゜４２μｍ５Ｇａ
Ａｓ工ピタキシヤル層の活性層５０が０．２μｍである
。中間層について更に詳しく言えば、第１中間層３１、
第２中間層３２はそれぞれ１００人の単層、第３中間層
３３、第４中間層３４がそれぞれ２００人の層を１０層
積層した超格子で構成されている。 これらの層の形成は第１実施例と同様にＭＯＣＶＤによ
り形成された。成長温度は、第１〜第４中間層３１〜３
４が８３０℃、ＧａＡｓ：ｃピタキシャル層の活性層５
０が７３０℃である。また、中間層３０を半絶縁性とす
る為、Ｖ練原料（ＡｓＨ８あるいはＡｓＨｓ ＋ＰＨ３
）と■練原料（ＴＭＧａあるいはＴＭＧａ＋ＴＭＡ１）
の供給モル比を３０とした。この時の比抵抗はＬＸＩＯ
’Ω印である。 このホール素子について実施例１と同様に特性を測定し
た結果、従来のヒ化ガリウム基板を用いたホール素子と
同様の特性が得られた。
の構成を示した断面図、第３図はその斜視図である。図
に於いて、１０は主面が（１００〕方位に対してオフ角
２度で（１１０）方向に傾斜しているｎ型のシリコン単
結晶基板である。 ３０は中間層、５０はｎ型ヒ化ガリウムエピタキシャル
層から成る活性層、６１．６２はＡｕ−３ｎから成る電
流電極である。また、６３．６４は、電流電極６１．６
２の配設方向に直交する方向に設けられたＡｕ−３ｎか
ら成る出力電極である。 磁気検出素子部Ａは、活性ＦＬＩ５０と、電流電極６１
．６２と出力電極６３．６４とで構成されている。 層の厚さは、シリコン単結晶基板１０が５０μｍ１中間
層３０が０．０７μｍ、活性層５０が０゜２μｍである
。中間層３０は、リン化ガリウム（ＧａＰ）の単層から
成る第１中間層３１と、リン化ガリウム（ＧａＰ）と混
晶比０．５のヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓｏ、、Ｐａ
、ｓ ）の超格子から成る第２中間層３２と、混晶比０
．５のヒ化リン化ガリウム（Ｇ’ａ Ａ ｓ Ｏ，５Ｐ
ｏ、ｓ ）とヒ化ガリウムの超格子から成る第３中間
層３３とで構成されている。第１中間層３１は５００人
の厚さの単層、第２中間層３２、ｉ３中間層３３は、そ
れぞれ、厚さ１０人の層を、それぞれ１０層積層した超
格子で構成されている。 このホール素子は、有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＣ
ＶＤ）により、順次シリコン単結晶基板１０上に連続的
にエピタキシャル成長させて形成した。反応炉は横型の
誘導加熱常圧炉を用いた。 原料ガスには、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ、Ｇａ
（Ｃ１ｌ’ｓ） ｓ ）、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡＩ。 ＡＩ（Ｃｌｌｓ）ｓ） 、水素希釈のアルシン（ＡｓＨ
ｓ）、ホスフィン（Ｐ Ｈａ）を用いている。又ｎ型、
ｎ型のドーパントには、それぞれジエチル亜鉛（ＤＥＺ
ｎ）、水素希釈の１１２ Ｓ ｅを用いた。それらのガ
スの流速は、−定の結晶成長速度が得られるように流量
制御装置によって正確に制御されている。又■族元素の
ブレクラッキング（ｐｒｅ−ｃｒａｃｋ ｉｎｇ）は行
っていない。シリコン基板１０は、まず酸化膜を除去す
る為、水素雰囲気中で１０００℃で１０分加熱してアニ
ーリングを行った。その後、成長温度を９００℃に保持
してＧａＰをエピタキシャル成長させて第１中間層３１
を形成し、次に成長温度を７００℃に保持して超格子の
第２中間層３２及び第３中間層３３をエピタキシャル成
長させた。 中間層３０を半絶縁性とする為に、■族原料（ＡｓＨａ
あるいはＡＳＨ３＋ＰＨ３）と■族原料（ＴＭＧａある
いはＴＭＧａ＋ＴＭＡ １ ）の供給モル比を３０とし
た。この中間層３０の比抵抗は１×１ＯＳΩ印以上であ
る。また、シリコン単結晶基板１０の比抵抗は２．４Ｘ
１０−’ΩｃＬ１１である。 次に成長温度を７００℃に保持して、ｎ型のＧａＡｓエ
ピタキシャル層の活性層５０を連続成長させた。活性層
５０の比抵抗は１．６Ｘ１０−’Ω印である。次に、フ
ォトリソグラフ、エツチングの工程により、活性層５０
のみ、第３図の如く削除した。次に、Ａｕ−３ｎを活性
層５０の表面の端部にマスク蒸着し拡散処理を施して電
流電極６１．６２と出力電極６３．６４を形成した。 このようにして作成したホール素子の特性をＧａＡｓ基
板にｎ型のＧａＡｓエピタキシャル層を活性層として形
成したホール素子の特性と比較して第２図示す。図から
明らかな様に、同種半導体で構成したホール素子に比べ
特性上の差異は見られなかった。 実施例２ 第４図は、他の実施例に係るホール素子の構成を示した
断面図である。図に於いて、１０はｎ型のシリコン単結
晶基板、３０は格子不整合を緩和するための中間層、５
０は、ＧａＡｓのエピタキシャル層から成る活性層であ
る。第１実施例とは、中間層３０の構成が異なる。即ち
中間層３０は、シリコンと強力に接合し、基板１０上に
容易に成長させることが可能なリン化アルミニウム（Ａ
ｌＰ）から成る第１中間層３１と、混晶比０．５のリン
化ガリウムアルミニウム（Ａ ｌｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓＰ
）から成る第２中間層３２と、リン化ガリウム（ＧａＰ
）と混晶比０．５のヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓｏ、
ｓ Ｐａ、ｓ ）の超格子から成る第３中間層３３と、
混晶比０．５のヒ化リン化ガリウム（Ｇ ａ Ａ ｓ
６．５ Ｐａ、ｓ ）とヒ化ガＵウム（７）！格子から
成るｍ４中間層３４とで構成されている。層の厚さは、
基板１０が５０μｍ１中間層３０が０゜４２μｍ５Ｇａ
Ａｓ工ピタキシヤル層の活性層５０が０．２μｍである
。中間層について更に詳しく言えば、第１中間層３１、
第２中間層３２はそれぞれ１００人の単層、第３中間層
３３、第４中間層３４がそれぞれ２００人の層を１０層
積層した超格子で構成されている。 これらの層の形成は第１実施例と同様にＭＯＣＶＤによ
り形成された。成長温度は、第１〜第４中間層３１〜３
４が８３０℃、ＧａＡｓ：ｃピタキシャル層の活性層５
０が７３０℃である。また、中間層３０を半絶縁性とす
る為、Ｖ練原料（ＡｓＨ８あるいはＡｓＨｓ ＋ＰＨ３
）と■練原料（ＴＭＧａあるいはＴＭＧａ＋ＴＭＡ１）
の供給モル比を３０とした。この時の比抵抗はＬＸＩＯ
’Ω印である。 このホール素子について実施例１と同様に特性を測定し
た結果、従来のヒ化ガリウム基板を用いたホール素子と
同様の特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の具体的な一実施例に係る磁電変換素
子の構成を示した断面図、第２図は、その磁気検出特性
の測定図、第３図は、その素子の構成を示した斜視図、
第４図は、他の実施例に係る磁電変換素子の構成を示し
た断面図である。 １０・・・シリコン単結晶基板 ３０−・・・中間層 ５０・・・・ＧａＡｓエピタキシャル層から成る活性層 ６１．６２・・・・電流電極 ６３．６４・・・出力電
極特許出願人 大同特殊鋼株式会社 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第２図 磁場（Ｇ） 第４図 第３図
子の構成を示した断面図、第２図は、その磁気検出特性
の測定図、第３図は、その素子の構成を示した斜視図、
第４図は、他の実施例に係る磁電変換素子の構成を示し
た断面図である。 １０・・・シリコン単結晶基板 ３０−・・・中間層 ５０・・・・ＧａＡｓエピタキシャル層から成る活性層 ６１．６２・・・・電流電極 ６３．６４・・・出力電
極特許出願人 大同特殊鋼株式会社 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第２図 磁場（Ｇ） 第４図 第３図
Claims (4)
- （１）シリコン単結晶基板と、 該シリコン単結晶基板の主面上にエピタキシャル成長さ
せた、シリコンとヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）との格子不
整合を緩和する中間層と、 該中間層の主面上にエピタキシャル成長させたヒ化ガリ
ウム（ＧａＡｓ）層を、磁気的物理量を電気的物理量に
変換する活性層として形成された磁気検出素子部と、 から成り、前記中間層を半絶縁性に構成したことを特徴
とする磁電変換素子。 - （２）前記中間層は、前記シリコン単結晶基板の主面側
から、リン化ガリウム（ＧａＰ）とヒ化リン化ガリウム
（ＧａＡｓＰ）の超格子層と、ヒ化リン化ガリウム（Ｇ
ａＡｓＰ）とヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格子層とで
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の磁電変換素子。 - （３）前記中間層は、前記シリコン単結晶基板の主面側
から、リン化ガリウム（ＧａＰ）から成る層、リン化ガ
リウム（ＧａＰ）とヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）
の超格子層、及びヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）と
ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格子層とから成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁電変換素子。 - （４）前記中間層は、前記シリコン単結晶基板の主面側
から、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）から成る層、リン
化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＰ）から成る層、リ
ン化ガリウム（ＧａＰ）とヒ化リン化ガリウム（ＧａＡ
ｓＰ）の超格子層、及びヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓ
Ｐ）とヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格子層とから成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁電変換
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61145538A JPS632391A (ja) | 1986-06-21 | 1986-06-21 | 磁電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61145538A JPS632391A (ja) | 1986-06-21 | 1986-06-21 | 磁電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632391A true JPS632391A (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=15387509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61145538A Pending JPS632391A (ja) | 1986-06-21 | 1986-06-21 | 磁電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632391A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298983A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH06177453A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-06-24 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
-
1986
- 1986-06-21 JP JP61145538A patent/JPS632391A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298983A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置 |
| US6559480B1 (en) | 1988-10-05 | 2003-05-06 | Denso Corporation | Semiconductor device such as a hall-effect sensor or solar cell barrier layer for controlling current flow to substrate |
| JPH06177453A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-06-24 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
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