JPS6258614A - 砒素化ガリウムエピタキシヤルウエハ及びその製造方法 - Google Patents
砒素化ガリウムエピタキシヤルウエハ及びその製造方法Info
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- JPS6258614A JPS6258614A JP19562885A JP19562885A JPS6258614A JP S6258614 A JPS6258614 A JP S6258614A JP 19562885 A JP19562885 A JP 19562885A JP 19562885 A JP19562885 A JP 19562885A JP S6258614 A JPS6258614 A JP S6258614A
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- Japan
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- gallium arsenide
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- phosphide
- gallium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
本発明は、各種の砒素化ガリウム系の化合物半導体装置
の製作に有用な砒素化ガリウムエピタキシャルウェハと
その製造方法に関する。
の製作に有用な砒素化ガリウムエピタキシャルウェハと
その製造方法に関する。
砒素化ガリウム系の■−Ｖ化合物半導体は、高移動度、
直接遷移型のバンド構造、３元、４元系の化合物による
バンドギャブと格子定数の可変性等の性質のため、高速
トランジスタ、レーザダイオード、発光ダイオード、フ
ォトトランジスタ、フォトダイオード、太陽電池等の個
別素子は勿論、これらの半導体素子を組み込んだＩＣへ
の応用が注目されている。これらの能動素子を形戊した
活性層は、選択拡散、選択イオン注入等により砒素化ガ
リウム単結晶基板内に形成されるか、砒素化ガリウム単
結晶基板に、砒素化ガリウム系半導体をエピタキシャル
成長させたエピタキシャル層に形成させる方法が採用さ
れている。
直接遷移型のバンド構造、３元、４元系の化合物による
バンドギャブと格子定数の可変性等の性質のため、高速
トランジスタ、レーザダイオード、発光ダイオード、フ
ォトトランジスタ、フォトダイオード、太陽電池等の個
別素子は勿論、これらの半導体素子を組み込んだＩＣへ
の応用が注目されている。これらの能動素子を形戊した
活性層は、選択拡散、選択イオン注入等により砒素化ガ
リウム単結晶基板内に形成されるか、砒素化ガリウム単
結晶基板に、砒素化ガリウム系半導体をエピタキシャル
成長させたエピタキシャル層に形成させる方法が採用さ
れている。
ところが、上記の砒素化ガリウム単結晶基板は、シリコ
ン単結晶基板に比べて口径の大きなものが得難いこと、
製造コストが高いこと、機械的強度に欠けること、等の
欠点がある。そこで、半導体材料のうち半導体のインゴ
ットの製造技術及び処理技術の最も進んだ単結晶シリコ
ンを基板として、砒素化ガリウムをその上にエピタキシ
ャル成長させて活性層を形成することが考えられている
が、格子不整合の為、未だ結晶性の高いエピタキシャル
成長膜は、得られていない。 本発明は、単結晶シリコン基板上に結晶性の良い砒素化
ガリウムのエピタキシャル成長層を形戊することを主た
る目的とするものであり、そのことにより、砒素化ガリ
ウム系半導体装置の低コスト化、量産性の向上、光ＩＣ
等の新しい素子構成の実現化を図るものである。
ン単結晶基板に比べて口径の大きなものが得難いこと、
製造コストが高いこと、機械的強度に欠けること、等の
欠点がある。そこで、半導体材料のうち半導体のインゴ
ットの製造技術及び処理技術の最も進んだ単結晶シリコ
ンを基板として、砒素化ガリウムをその上にエピタキシ
ャル成長させて活性層を形成することが考えられている
が、格子不整合の為、未だ結晶性の高いエピタキシャル
成長膜は、得られていない。 本発明は、単結晶シリコン基板上に結晶性の良い砒素化
ガリウムのエピタキシャル成長層を形戊することを主た
る目的とするものであり、そのことにより、砒素化ガリ
ウム系半導体装置の低コスト化、量産性の向上、光ＩＣ
等の新しい素子構成の実現化を図るものである。
本発明者らは、単結晶シリコン基板上に砒素化ガリウム
をエピタキシャル成長させるのに、シリコンと砒素化ガ
リウムの格子定数を整合させるための中間層（バッファ
層）と、基板結晶のエピタキシャル成長させるだめの主
面の面方位について各種検討を重ねて来た。 その結果、単結晶シリコン基板の主面の面方位が（１０
０）面に対する一定の範囲のオフ角を有する時に、エピ
タキシャル成長した砒素化ガリウムの結晶性が高くなる
ことが判明した。又その時の中間層の材料の選択及び超
格子等に形成する等の工夫により、更に砒素化ガリウム
の結晶性が向上することが判明した。本発明は上記の発
見に基づいて戊されたものである。 即ち、本第１発明は、主面の面方位が（１００）面に対
し０．５〜５度の範囲で傾斜したシリコン単結晶基板と
、 該シリコン単結晶基板の主面上にエピタキシャル成長さ
せた、シリコンと砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の格子不
整合を緩和する中間層と、該中間層の主面上にエピタキ
シャル成長させた砒素化ガリウム層と、 から戊る砒素化ガリウムエピタキシャルウェハであり、
本第２発明は、主面の面方位が（１００）面に対し０．
５〜５度の範囲で傾斜したシリコン単結晶基板の主面上
に、シリコンと砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の格子不整
合を緩和する中間層をエピタキシャル成長させ、該中間
層の主面上に砒素化ガリウム層をエピタキシャル成長さ
せる砒素化ガリウムのエピタキシャル成長方法である。 エピタキシャル成長した砒素化ガリウムの結晶性の評価
は、接触式表面粗さ計による表面精度、フォトルミネッ
センス半値幅、光学写真による表面像を測定することに
よって行った。上記０．５〜５°のオフ角は、従来、エ
ピタキシャル成長に使用される一般的な（１００）面に
エピタキシャル成長させた場合の結晶と比べて、結晶表
面の粗さが小さく、フォトルミネッセンスの半値幅が狭
い範囲として決定した。オフ角は望ましくは１〜３°、
最も望ましくは約２°である。 上記の中間層は、望ましくは燐化ガリウム（ＧａＰ）で
あり、さらに望ましくは超格子層を有するものである。 超格子の場合には、中間層を前記シリコン基板の主面側
から、燐化ガリウム（ＧａＰ）と砒素化燐化ガリウム（
ＧａＡｓＰ）の超格子層と、砒素化燐化ガリウム（Ｇａ
ＡｓＰ）と砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格子層とを
積層するのが良い。さらに、前記の超格子層とシリコン
基板との間にシリコン基板側から燐化アルミニウム（Ａ
ＬＰ）から成る層と燐化ガリウムアルミニウム（Ａ］Ｇ
ａＰ）から成る層の複層、または燐化ガリウム（ＧａＰ
）の単層を介在させると更に砒素化ガリウムの結晶性の
向上がみられた。
をエピタキシャル成長させるのに、シリコンと砒素化ガ
リウムの格子定数を整合させるための中間層（バッファ
層）と、基板結晶のエピタキシャル成長させるだめの主
面の面方位について各種検討を重ねて来た。 その結果、単結晶シリコン基板の主面の面方位が（１０
０）面に対する一定の範囲のオフ角を有する時に、エピ
タキシャル成長した砒素化ガリウムの結晶性が高くなる
ことが判明した。又その時の中間層の材料の選択及び超
格子等に形成する等の工夫により、更に砒素化ガリウム
の結晶性が向上することが判明した。本発明は上記の発
見に基づいて戊されたものである。 即ち、本第１発明は、主面の面方位が（１００）面に対
し０．５〜５度の範囲で傾斜したシリコン単結晶基板と
、 該シリコン単結晶基板の主面上にエピタキシャル成長さ
せた、シリコンと砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の格子不
整合を緩和する中間層と、該中間層の主面上にエピタキ
シャル成長させた砒素化ガリウム層と、 から戊る砒素化ガリウムエピタキシャルウェハであり、
本第２発明は、主面の面方位が（１００）面に対し０．
５〜５度の範囲で傾斜したシリコン単結晶基板の主面上
に、シリコンと砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の格子不整
合を緩和する中間層をエピタキシャル成長させ、該中間
層の主面上に砒素化ガリウム層をエピタキシャル成長さ
せる砒素化ガリウムのエピタキシャル成長方法である。 エピタキシャル成長した砒素化ガリウムの結晶性の評価
は、接触式表面粗さ計による表面精度、フォトルミネッ
センス半値幅、光学写真による表面像を測定することに
よって行った。上記０．５〜５°のオフ角は、従来、エ
ピタキシャル成長に使用される一般的な（１００）面に
エピタキシャル成長させた場合の結晶と比べて、結晶表
面の粗さが小さく、フォトルミネッセンスの半値幅が狭
い範囲として決定した。オフ角は望ましくは１〜３°、
最も望ましくは約２°である。 上記の中間層は、望ましくは燐化ガリウム（ＧａＰ）で
あり、さらに望ましくは超格子層を有するものである。 超格子の場合には、中間層を前記シリコン基板の主面側
から、燐化ガリウム（ＧａＰ）と砒素化燐化ガリウム（
ＧａＡｓＰ）の超格子層と、砒素化燐化ガリウム（Ｇａ
ＡｓＰ）と砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格子層とを
積層するのが良い。さらに、前記の超格子層とシリコン
基板との間にシリコン基板側から燐化アルミニウム（Ａ
ＬＰ）から成る層と燐化ガリウムアルミニウム（Ａ］Ｇ
ａＰ）から成る層の複層、または燐化ガリウム（ＧａＰ
）の単層を介在させると更に砒素化ガリウムの結晶性の
向上がみられた。
本発明では、シリコン単結晶基板のエピタキシャル成長
面となる主面の面方位を（１００）に対して０．５〜５
°の範囲で傾斜させ、その基板の主面上に中間層と砒素
化ガリウムを順次エピタキシャル成長させてウェハを構
成したため、結晶性の良い砒素化ガリウムのエピタキシ
ャル成長層かえられた。その結果、シリコンを基板とし
、活性層を砒素化ガリウム系半導体とする各種の高性能
半導体素子、ＩＣ１及び従来のシリコンＩＣと砒素化ガ
リウム系■−■化合物半導体ＩＣとのハイブリッドＩＣ
例えば光ＩＣ等の半導体装置の安価な多量生産が可能と
なる。
面となる主面の面方位を（１００）に対して０．５〜５
°の範囲で傾斜させ、その基板の主面上に中間層と砒素
化ガリウムを順次エピタキシャル成長させてウェハを構
成したため、結晶性の良い砒素化ガリウムのエピタキシ
ャル成長層かえられた。その結果、シリコンを基板とし
、活性層を砒素化ガリウム系半導体とする各種の高性能
半導体素子、ＩＣ１及び従来のシリコンＩＣと砒素化ガ
リウム系■−■化合物半導体ＩＣとのハイブリッドＩＣ
例えば光ＩＣ等の半導体装置の安価な多量生産が可能と
なる。
実施例１
第１図は、本発明の具体的な一実施例に係るウェハの構
成を示した断面図である。図に於いて、１０はｎ型のシ
リコン単結晶基板、３０は燐化ガリウムから成る中間層
、５０は砒素化ガリウムエピタキシャル層である。層の
厚さは、シリコン単結晶基板１０が３００Ａｔｍ、中間
層３０が０．５μｍ、ＧａＡｓのエピタキシ十ル１１５
０が２μｍである。中間層３０とエピタキシャル層５０
は、有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、
順次シリコン基板１０上に連続的にエピタキシャル成長
させて形成した。反応炉は横型の誘導加熱常圧炉を用い
た。原料ガスには、トリメチルガリウム（Ｔ Ｍ Ｇ
ａ 、Ｇａ（Ｃ１ｌｓ）３） 、水素希釈のアルシン（
ＡｓＨ３）、ホスフィン（Ｐ Ｈ３）を用いて、それら
のガスの流速は、一定の結晶成長速度が得られるように
流量制御装置によって正確に制御されている。又Ｖ族元
素のブレクラッキング（ｐｒｅ−ｃｒａｃｋｉｎｇ）は
行っていない。シリコン基板１０は、まず酸化膜を除去
する為、水素雰囲気中で１０００℃で１０分加熱してア
ニーリングを行った。その後、成長温度を９００℃に保
持してＧａＰをエピタキシャル成長させて中間層３０を
形成し、成長温度を６５（１℃に保持してＧａＡｓエビ
タキシャルヅ５０を形成した。 上記の製造方法により、シリコン単結晶基板の主面１１
の面方位を［１００：１方位に対して各種変化させた基
板にエピタキシャル成長させたウェハを多数製作した。 それらのウェハについて、接触式表面粗さ計により、Ｇ
ａＡｓエピタキシャル層５０の表面の粗さを測定した。 その結果を第２図に示す。損軸は基板１０の主面の面方
位の〔１００〕方位に対するずれ角（オフ角）を、縦軸
は表面の粗さくｐｅａｋｔｏ ｐｅａｋ）を表す。同図
から明らかなように、オフ角が０゜５〜５°の範囲に有
る時、オフ角０°で成長させた場合に比べて表面精度が
向上しているのが分る。最も望ましいのは、オフ角１〜
２°の時である。その時の表面精度は５０Å以下であり
、オフ角Ｏ°の場合の表面精度１５０八に比べて３倍以
上に向上しているのが分る。 実施例２ 第３図は、他の実施例に係るウェハの構成を示したウェ
ハの断面図である。図に於いて、１０はｎ型のシリコン
単結晶基板、３０は格子不整合を緩和するための中間層
、５０は、ＧａＡｓのエビタキシャル層である。第１実
施例とは、中間層３０の構成が異なる。即ち中間層３０
は、シリコンと強力に接合し、基板１０上に容易に成長
させることが可能な燐化アルミニウム（ΔＩＦ）から戊
るｊｌｌｒ！１中間層３１と、混晶比０．５の燐化ガリ
ウムアルミニウム（Ａ Ｉ＋１．５ Ｇａｏ、ｓ Ｐ）
から成る第２中間層３２と、燐化ガリウム（ＧａＰ）と
混晶比０．５の砒素化燐化ガリウム（ＧａＡｓａ、ｓＰ
ｏ、ｓ）の超格子から成る第３中間層３３と、混晶比０
．５の砒素化燐化ガリウム（ＧａΔＳＯ，ＳＰ。、、）
と砒素化ガリウムの超格子から成る第４中間層３４とで
構成されている。層の厚さは、基板１０が３００μｍ、
中間層３０が０．４２μｍ。 ＧａＡｓエピタキシャル層５０が２μｍである。 中間層について更に詳しく言えば、第１中間層３１、第
２中間層３２はそれぞれ１００人のホロ、第３中間層３
３、第４中間層３４がそれぞれ２００への層を１０層積
層した超格子で構成されている。 これらの層の形成は第１実施例と同様にＭＯＣＶＤによ
り形成された。用いられた原料ガスは第１実施例のもの
に加えて、トリメチルアルミニウム（ＴＭΔＩ 、 Ａ
Ｉ （ＣＩＬ） ３ ）が用いられている。成長温度は
、第１〜第４中間層３１〜３４が８３０℃、ＧａＡｓエ
ピタキシャル層５０が７３０℃である。その他の条件は
第１実施例と同様である。 上記の製造方法により、シリコン単結晶基板の主面１１
の面方位を［：１００）方位に対して各種変化させた基
板にエピタキシャル成長させたウェハを多数製作した。 それらのウェハについてフォトルミネッセンス半値幅を
測定した。その結果を第４図に示す。第４図から明らか
な様にオフ角０．５〜５°の範囲に於いて、オフ角Ｏ°
の基板を用いたウェハに比べてフォトルミネッセンス半
値幅は、小さくなっている。即ちＧａＡｓエピタキシャ
ル層５０の結晶性が高いことを示している。望ましい範
囲はオフ角１〜３°であり、最も望ましいのは、オフ角
が約２゛の場合である。 実施例３ 第３図の構成に於いて、第１及び第２中間層３１．３２
を設けないウェハについて、実施例２と同様の実験を行
った結果、同様な実験結果かえられ、基板の主面のオフ
角が０．５〜５°の範囲にある時、ＧａＡｓエピタキシ
ャル層５０の結晶性が良くなる事が判明した。 実りノｍ 例４ 第３図の第１及び第２中間ＦｆＪ３１．３２の代わりに
層の厚さ０．５μｍのＧａＰの中間層を設けた構成のウ
ェハについて実施例２ど同様の実験を行ったところ、同
様の結果が得られ、基板の主面のオフ角が０．５〜５°
の範囲にある時、ＧａＡｓエピタキシャル層５０の結晶
性が良くなる事が判明した。
成を示した断面図である。図に於いて、１０はｎ型のシ
リコン単結晶基板、３０は燐化ガリウムから成る中間層
、５０は砒素化ガリウムエピタキシャル層である。層の
厚さは、シリコン単結晶基板１０が３００Ａｔｍ、中間
層３０が０．５μｍ、ＧａＡｓのエピタキシ十ル１１５
０が２μｍである。中間層３０とエピタキシャル層５０
は、有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、
順次シリコン基板１０上に連続的にエピタキシャル成長
させて形成した。反応炉は横型の誘導加熱常圧炉を用い
た。原料ガスには、トリメチルガリウム（Ｔ Ｍ Ｇ
ａ 、Ｇａ（Ｃ１ｌｓ）３） 、水素希釈のアルシン（
ＡｓＨ３）、ホスフィン（Ｐ Ｈ３）を用いて、それら
のガスの流速は、一定の結晶成長速度が得られるように
流量制御装置によって正確に制御されている。又Ｖ族元
素のブレクラッキング（ｐｒｅ−ｃｒａｃｋｉｎｇ）は
行っていない。シリコン基板１０は、まず酸化膜を除去
する為、水素雰囲気中で１０００℃で１０分加熱してア
ニーリングを行った。その後、成長温度を９００℃に保
持してＧａＰをエピタキシャル成長させて中間層３０を
形成し、成長温度を６５（１℃に保持してＧａＡｓエビ
タキシャルヅ５０を形成した。 上記の製造方法により、シリコン単結晶基板の主面１１
の面方位を［１００：１方位に対して各種変化させた基
板にエピタキシャル成長させたウェハを多数製作した。 それらのウェハについて、接触式表面粗さ計により、Ｇ
ａＡｓエピタキシャル層５０の表面の粗さを測定した。 その結果を第２図に示す。損軸は基板１０の主面の面方
位の〔１００〕方位に対するずれ角（オフ角）を、縦軸
は表面の粗さくｐｅａｋｔｏ ｐｅａｋ）を表す。同図
から明らかなように、オフ角が０゜５〜５°の範囲に有
る時、オフ角０°で成長させた場合に比べて表面精度が
向上しているのが分る。最も望ましいのは、オフ角１〜
２°の時である。その時の表面精度は５０Å以下であり
、オフ角Ｏ°の場合の表面精度１５０八に比べて３倍以
上に向上しているのが分る。 実施例２ 第３図は、他の実施例に係るウェハの構成を示したウェ
ハの断面図である。図に於いて、１０はｎ型のシリコン
単結晶基板、３０は格子不整合を緩和するための中間層
、５０は、ＧａＡｓのエビタキシャル層である。第１実
施例とは、中間層３０の構成が異なる。即ち中間層３０
は、シリコンと強力に接合し、基板１０上に容易に成長
させることが可能な燐化アルミニウム（ΔＩＦ）から戊
るｊｌｌｒ！１中間層３１と、混晶比０．５の燐化ガリ
ウムアルミニウム（Ａ Ｉ＋１．５ Ｇａｏ、ｓ Ｐ）
から成る第２中間層３２と、燐化ガリウム（ＧａＰ）と
混晶比０．５の砒素化燐化ガリウム（ＧａＡｓａ、ｓＰ
ｏ、ｓ）の超格子から成る第３中間層３３と、混晶比０
．５の砒素化燐化ガリウム（ＧａΔＳＯ，ＳＰ。、、）
と砒素化ガリウムの超格子から成る第４中間層３４とで
構成されている。層の厚さは、基板１０が３００μｍ、
中間層３０が０．４２μｍ。 ＧａＡｓエピタキシャル層５０が２μｍである。 中間層について更に詳しく言えば、第１中間層３１、第
２中間層３２はそれぞれ１００人のホロ、第３中間層３
３、第４中間層３４がそれぞれ２００への層を１０層積
層した超格子で構成されている。 これらの層の形成は第１実施例と同様にＭＯＣＶＤによ
り形成された。用いられた原料ガスは第１実施例のもの
に加えて、トリメチルアルミニウム（ＴＭΔＩ 、 Ａ
Ｉ （ＣＩＬ） ３ ）が用いられている。成長温度は
、第１〜第４中間層３１〜３４が８３０℃、ＧａＡｓエ
ピタキシャル層５０が７３０℃である。その他の条件は
第１実施例と同様である。 上記の製造方法により、シリコン単結晶基板の主面１１
の面方位を［：１００）方位に対して各種変化させた基
板にエピタキシャル成長させたウェハを多数製作した。 それらのウェハについてフォトルミネッセンス半値幅を
測定した。その結果を第４図に示す。第４図から明らか
な様にオフ角０．５〜５°の範囲に於いて、オフ角Ｏ°
の基板を用いたウェハに比べてフォトルミネッセンス半
値幅は、小さくなっている。即ちＧａＡｓエピタキシャ
ル層５０の結晶性が高いことを示している。望ましい範
囲はオフ角１〜３°であり、最も望ましいのは、オフ角
が約２゛の場合である。 実施例３ 第３図の構成に於いて、第１及び第２中間層３１．３２
を設けないウェハについて、実施例２と同様の実験を行
った結果、同様な実験結果かえられ、基板の主面のオフ
角が０．５〜５°の範囲にある時、ＧａＡｓエピタキシ
ャル層５０の結晶性が良くなる事が判明した。 実りノｍ 例４ 第３図の第１及び第２中間ＦｆＪ３１．３２の代わりに
層の厚さ０．５μｍのＧａＰの中間層を設けた構成のウ
ェハについて実施例２ど同様の実験を行ったところ、同
様の結果が得られ、基板の主面のオフ角が０．５〜５°
の範囲にある時、ＧａＡｓエピタキシャル層５０の結晶
性が良くなる事が判明した。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係るウェハの構成
を示したウェハの断面図である。第２図はそのウェハに
於けるＧａΔＳエピタキシャル層の表面の粗さと基板の
主面のオフ角との関係を示した測定図である。第３図は
他の実施例に係るウェハの構成を示した断面図である。 第４図はそのウェハに於けるＧａΔＳエピタキシャル層
のフォトルミネッセンス半値幅と基板の主面のオフ角と
の関係を示した測定図である。 １０°゛・シリコン単結晶基板 ３０ 中間層 ５０ ・−ＧａＡｓエピタキシャル層 特許出願人 大同特殊鋼株式会社 同 名古屋工業大学長 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第１図 第３図
を示したウェハの断面図である。第２図はそのウェハに
於けるＧａΔＳエピタキシャル層の表面の粗さと基板の
主面のオフ角との関係を示した測定図である。第３図は
他の実施例に係るウェハの構成を示した断面図である。 第４図はそのウェハに於けるＧａΔＳエピタキシャル層
のフォトルミネッセンス半値幅と基板の主面のオフ角と
の関係を示した測定図である。 １０°゛・シリコン単結晶基板 ３０ 中間層 ５０ ・−ＧａＡｓエピタキシャル層 特許出願人 大同特殊鋼株式会社 同 名古屋工業大学長 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第１図 第３図
Claims (7)
- （１）主面の面方位が（１００）面に対し０．５〜５度
の範囲で傾斜したシリコン単結晶基板と、該シリコン単
結晶基板の主面上にエピタキシャル成長させた、シリコ
ンと砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の格子不整合を緩和す
る中間層と、 該中間層の主面上にエピタキシャル成長させた砒素化ガ
リウム層と、 から成る砒素化ガリウムエピタキシャルウェハ。 - （２）前記中間層は、燐化ガリウム（ＧａＰ）であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の砒素化ガリ
ウムエピタキシャルウェハ。 - （３）前記中間層は、超格子層を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の砒素化ガリウムエピタキ
シャルウェハ。 - （４）前記中間層は、前記シリコン基板の主面側から、
燐化ガリウム（ＧａＰ）と砒素化燐化ガリウム（ＧａＡ
ｓＰ）の超格子層と、砒素化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ
）と砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の超格子層とで形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
砒素化ガリウムエピタキシャルウェハ。 - （５）前記中間層は、前記シリコン基板の主面側から、
燐化アルミニウム（ＡｌＰ）から成る層、燐化ガリウム
アルミニウム（ＡｌＧａＰ）から成る層、燐化ガリウム
（ＧａＰ）と砒素化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ）の超格
子層、及び砒素化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ）と砒素化
ガリウム（ＧａＡｓ）の超格子層とから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の砒素化ガリウムエピ
タキシャルウェハ。 - （６）前記中間層は、前記シリコン基板の主面側から、
燐化ガリウム（ＧａＰ）から成る層、燐化ガリウム（Ｇ
ａＰ）と砒素化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ）の超格子層
、及び砒素化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ）と砒素化ガリ
ウム（ＧａＡｓ）の超格子層とから成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の砒素化ガリウムエピタキ
シャルウェハ。 - （７）主面の面方位が（１００）面に対し０．５〜５度
の範囲で傾斜したシリコン単結晶基板の主面上に、シリ
コンと砒素化ガリウム（ＧａＡｓ）の格子不整合を緩和
する中間層をエピタキシャル成長させ、該中間層の主面
上に砒素化ガリウム層をエピタキシャル成長させる砒素
化ガリウムのエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19562885A JPS6258614A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 砒素化ガリウムエピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
| EP19860112178 EP0214610B1 (en) | 1985-09-03 | 1986-09-03 | Epitaxial gallium arsenide semiconductor wafer and method of producing the same |
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Cited By (2)
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| JPS60233112A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 水酸基含有ジエン系重合体の製造方法 |
| EP0723039A2 (en) | 1995-01-19 | 1996-07-24 | Nippon Steel Corporation | Compound semiconductor substrate and process of producing same |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP19562885A patent/JPS6258614A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JAPAN.J.APPL.PHYS=1985 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233112A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 水酸基含有ジエン系重合体の製造方法 |
| JPS6361324B2 (ja) * | 1984-05-07 | 1988-11-29 | ||
| EP0723039A2 (en) | 1995-01-19 | 1996-07-24 | Nippon Steel Corporation | Compound semiconductor substrate and process of producing same |
| US5833749A (en) * | 1995-01-19 | 1998-11-10 | Nippon Steel Corporation | Compound semiconductor substrate and process of producing same |
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