JPH069954A - 蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体の製造方法Info
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- JPH069954A JPH069954A JP4170484A JP17048492A JPH069954A JP H069954 A JPH069954 A JP H069954A JP 4170484 A JP4170484 A JP 4170484A JP 17048492 A JP17048492 A JP 17048492A JP H069954 A JPH069954 A JP H069954A
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- flux
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便な手段により、蛍光体の発光輝度を向上
させることにある。 【構成】 硫化亜鉛〔ＺｎＳ〕に適量の硫酸銅〔ＣｕＳ
Ｏ4〕を添加し、その発 光母材に、硫化亜鉛に対し融剤
及び共付活剤として作用するフラックスを添加して焼成
するに際して、ＭｇＣｌ2のフラックス基材に、ＮａＣ
ｌまたはＫＣｌ等のハロゲン化アルカリ金属塩〔ＸＣ
ｌ〕を添加する。この時、ハロゲン化アルカリ金属塩の
添加量は、フラックス基材に対するモル比で０.０１〜
０.２とする。例えば硫化亜鉛に硫酸銅を０.１〜０.２m
ol％添加した発光母材にフラックスを添加し、フラック
スとしては、フラックス基材のＭｇＣｌ2を１０mol％に
対して、ＮａＣｌを０.１〜２.０mol％添加する。
させることにある。 【構成】 硫化亜鉛〔ＺｎＳ〕に適量の硫酸銅〔ＣｕＳ
Ｏ4〕を添加し、その発 光母材に、硫化亜鉛に対し融剤
及び共付活剤として作用するフラックスを添加して焼成
するに際して、ＭｇＣｌ2のフラックス基材に、ＮａＣ
ｌまたはＫＣｌ等のハロゲン化アルカリ金属塩〔ＸＣ
ｌ〕を添加する。この時、ハロゲン化アルカリ金属塩の
添加量は、フラックス基材に対するモル比で０.０１〜
０.２とする。例えば硫化亜鉛に硫酸銅を０.１〜０.２m
ol％添加した発光母材にフラックスを添加し、フラック
スとしては、フラックス基材のＭｇＣｌ2を１０mol％に
対して、ＮａＣｌを０.１〜２.０mol％添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は蛍光体の製造方法に関
し、詳しくは、有機分散型電界発光灯の製造において、
その電界発光灯の発光層を構成する蛍光体を焼成する蛍
光体の製造方法に関する。
し、詳しくは、有機分散型電界発光灯の製造において、
その電界発光灯の発光層を構成する蛍光体を焼成する蛍
光体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイパネルのバックライト
等に使用される有機分散型電界発光灯（1）〔以下、Ｅ
Ｌパネルと称す〕は、図６及び図７に示すように、Ａｌ
の蒸着膜からなる背面電極（2）、有機バインダにチタ
ン酸バリウムの粉末を分散させた反射絶縁層（3）、銅
で活性化した硫化亜鉛等の蛍光体を有機バインダに分散
させた発光層（4）、及びＩ.Ｔ.Ｏ.からなる透明電極
（5）を順次積層したＥＬ発光素子（6）の上下に、ポリ
アミド樹脂等の吸湿フィルム（7）を配置し、この吸湿
フィルム（7）を含むＥＬ発光素子（6）の全体をフッ素
系樹脂等からなる外皮フィルム（8）で気密的に封止す
ると共に、背面電極（2）及び透明電極（5）から外皮フ
ィルム（8）の封止部位を介してリード（9）（10）を外
部に導出した構造を有する。
等に使用される有機分散型電界発光灯（1）〔以下、Ｅ
Ｌパネルと称す〕は、図６及び図７に示すように、Ａｌ
の蒸着膜からなる背面電極（2）、有機バインダにチタ
ン酸バリウムの粉末を分散させた反射絶縁層（3）、銅
で活性化した硫化亜鉛等の蛍光体を有機バインダに分散
させた発光層（4）、及びＩ.Ｔ.Ｏ.からなる透明電極
（5）を順次積層したＥＬ発光素子（6）の上下に、ポリ
アミド樹脂等の吸湿フィルム（7）を配置し、この吸湿
フィルム（7）を含むＥＬ発光素子（6）の全体をフッ素
系樹脂等からなる外皮フィルム（8）で気密的に封止す
ると共に、背面電極（2）及び透明電極（5）から外皮フ
ィルム（8）の封止部位を介してリード（9）（10）を外
部に導出した構造を有する。
【０００３】上記構成からなるＥＬパネル（1）では、
リード（9）（10）からＥＬ発光素子（6）の背面電極
（2）と透明電極（5）間に高電圧を印加することによ
り、両電極（2）（5）間に挟まれた発光層（4）の蛍光
体を発光させ、所望の発光輝度で点灯させている。
リード（9）（10）からＥＬ発光素子（6）の背面電極
（2）と透明電極（5）間に高電圧を印加することによ
り、両電極（2）（5）間に挟まれた発光層（4）の蛍光
体を発光させ、所望の発光輝度で点灯させている。
【０００４】上記ＥＬ用蛍光体を製造するに際しては、
まず、硫化亜鉛〔ＺｎＳ〕の微粉末に適量の硫酸銅〔Ｃ
ｕＳＯ4〕を添加し、その発光母材に、融剤及び共付活
剤として作用するフラックスとしてＭｇＣｌ2又はＮａ
Ｃｌ等を適量添加した上で所定温度及び時間で焼成す
る。この焼成後、洗浄及び精製により、ＥＬ用蛍光体を
得る。
まず、硫化亜鉛〔ＺｎＳ〕の微粉末に適量の硫酸銅〔Ｃ
ｕＳＯ4〕を添加し、その発光母材に、融剤及び共付活
剤として作用するフラックスとしてＭｇＣｌ2又はＮａ
Ｃｌ等を適量添加した上で所定温度及び時間で焼成す
る。この焼成後、洗浄及び精製により、ＥＬ用蛍光体を
得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来製法では、蛍光体を焼成するに際して、硫化亜鉛に添
加するフラックスとして、各種のハロゲン化物を単独で
使用していた。
来製法では、蛍光体を焼成するに際して、硫化亜鉛に添
加するフラックスとして、各種のハロゲン化物を単独で
使用していた。
【０００６】その結果、従来のＥＬパネル（1）の発光
輝度が低く、このＥＬパネル（1）を液晶ディスプレイ
パネルのバックライトとして使用した場合には、画面表
示が暗くなり、品質の高いＥＬパネルを提供することが
困難であった。
輝度が低く、このＥＬパネル（1）を液晶ディスプレイ
パネルのバックライトとして使用した場合には、画面表
示が暗くなり、品質の高いＥＬパネルを提供することが
困難であった。
【０００７】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、簡便な手段に
より、発光輝度を向上させ得る蛍光体の製造方法を提供
することにある。
されたもので、その目的とするところは、簡便な手段に
より、発光輝度を向上させ得る蛍光体の製造方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段として、本発明方法は、硫化亜鉛を主成分
とする発光母材に、硫化亜鉛に対し融剤及び共付活剤と
して作用するフラックスを添加して焼成するに際して、
ＭｇＣｌ2等のフラックス基材に、ＮａＣｌ、ＫＣｌ等
のハロゲン化アルカリ金属塩を添加することを特徴とす
る。
の技術的手段として、本発明方法は、硫化亜鉛を主成分
とする発光母材に、硫化亜鉛に対し融剤及び共付活剤と
して作用するフラックスを添加して焼成するに際して、
ＭｇＣｌ2等のフラックス基材に、ＮａＣｌ、ＫＣｌ等
のハロゲン化アルカリ金属塩を添加することを特徴とす
る。
【０００９】尚、上記製造方法において、ハロゲン化ア
ルカリ金属塩の添加量は、フラックス基材に対するモル
比で０.０１〜０.２であることが望ましい。
ルカリ金属塩の添加量は、フラックス基材に対するモル
比で０.０１〜０.２であることが望ましい。
【００１０】
【作用】本発明に係る蛍光体の製造方法では、フラック
ス基材にハロゲン化アルカリ金属塩を添加するようにし
たから、焼成により結晶を成長させた硫化亜鉛系蛍光体
に含まれるハロゲンの含有量が増加し、このハロゲンの
含有量の増加により、蛍光体の発光輝度が高くなる。
ス基材にハロゲン化アルカリ金属塩を添加するようにし
たから、焼成により結晶を成長させた硫化亜鉛系蛍光体
に含まれるハロゲンの含有量が増加し、このハロゲンの
含有量の増加により、蛍光体の発光輝度が高くなる。
【００１１】
【実施例】本発明に係る蛍光体の製造方法の実施例を図
１乃至図５に示して説明する。尚、以下の実施例では、
図６及び図７に示すＥＬ発光素子（6）に適用した場合
について詳述する。
１乃至図５に示して説明する。尚、以下の実施例では、
図６及び図７に示すＥＬ発光素子（6）に適用した場合
について詳述する。
【００１２】本発明の特徴は、フラックス基材に、ハロ
ゲン化アルカリ金属塩を添加することにある。このハロ
ゲン化アルカリ金属塩の添加量は、フラックス基材に対
するモル比で０.０１〜０.２であることが望ましい。
ゲン化アルカリ金属塩を添加することにある。このハロ
ゲン化アルカリ金属塩の添加量は、フラックス基材に対
するモル比で０.０１〜０.２であることが望ましい。
【００１３】具体的には、ＥＬ発光素子（6）を製造す
るに際して、まず、硫化亜鉛〔ＺｎＳ〕の微粉末に適量
の硫酸銅〔ＣｕＳＯ4〕を添加し、その発光母材に、融
剤及び共付活剤として作用するフラックスを添加する。
るに際して、まず、硫化亜鉛〔ＺｎＳ〕の微粉末に適量
の硫酸銅〔ＣｕＳＯ4〕を添加し、その発光母材に、融
剤及び共付活剤として作用するフラックスを添加する。
【００１４】この時、本発明方法では、上記フラックス
として、ＭｇＣｌ2のフラックス基材に、ＮａＣｌ又は
ＫＣｌ等のハロゲン化アルカリ金属塩〔ＸＣｌ〕を適量
添加する。例えば、硫化亜鉛に硫酸銅を０.１〜０.２mo
l％添加した発光母材にフラックスを添加し、フラック
スとしては、フラックス基材のＭｇＣｌ2を１０mol％に
対して、ＮａＣｌを０.１〜２.０mol％添加する。
として、ＭｇＣｌ2のフラックス基材に、ＮａＣｌ又は
ＫＣｌ等のハロゲン化アルカリ金属塩〔ＸＣｌ〕を適量
添加する。例えば、硫化亜鉛に硫酸銅を０.１〜０.２mo
l％添加した発光母材にフラックスを添加し、フラック
スとしては、フラックス基材のＭｇＣｌ2を１０mol％に
対して、ＮａＣｌを０.１〜２.０mol％添加する。
【００１５】このようにして、硫化亜鉛及び硫酸銅の発
光母材にフラックスを添加した状態でもって、例えば、
１１００℃で３時間焼成〔高温による一次焼成〕する。
その後、水洗及び乾燥させた上で、６００〜８００℃で
３時間焼成〔低温による二次焼成〕する。この焼成後、
シアン化カリウム水溶液等で洗浄し精製することによ
り、図１に示すように硫化亜鉛中に微小発光部〔コメッ
ト〕（11）が分散した微細な蛍光体（12）を得る。
光母材にフラックスを添加した状態でもって、例えば、
１１００℃で３時間焼成〔高温による一次焼成〕する。
その後、水洗及び乾燥させた上で、６００〜８００℃で
３時間焼成〔低温による二次焼成〕する。この焼成後、
シアン化カリウム水溶液等で洗浄し精製することによ
り、図１に示すように硫化亜鉛中に微小発光部〔コメッ
ト〕（11）が分散した微細な蛍光体（12）を得る。
【００１６】ここで、焼成時、フラックスは、粒径が１
μｍ程度のＺｎＳを焼成によって粒径が２０〜３０μｍ
程度の蛍光体（12）に結晶成長させる融剤として機能す
るだけでなく、フラックスに含有するＣｌが硫酸銅のＣ
ｕと共に蛍光体中に含有され、共付活剤として機能す
る。本発明では、フラックス基材に、ＮａＣｌ又はＫＣ
ｌ等のハロゲン化アルカリ金属塩を添加することによ
り、Ｃｌの含有量が増加し、その結果、図２に示す蛍光
体（12）のＤＡペア発光過程、及び図３に示す蛍光体
（12）のＳＡ〔自己付活〕発光過程において、その発光
中心が増加することに寄与し、発光輝度が上昇する。
μｍ程度のＺｎＳを焼成によって粒径が２０〜３０μｍ
程度の蛍光体（12）に結晶成長させる融剤として機能す
るだけでなく、フラックスに含有するＣｌが硫酸銅のＣ
ｕと共に蛍光体中に含有され、共付活剤として機能す
る。本発明では、フラックス基材に、ＮａＣｌ又はＫＣ
ｌ等のハロゲン化アルカリ金属塩を添加することによ
り、Ｃｌの含有量が増加し、その結果、図２に示す蛍光
体（12）のＤＡペア発光過程、及び図３に示す蛍光体
（12）のＳＡ〔自己付活〕発光過程において、その発光
中心が増加することに寄与し、発光輝度が上昇する。
【００１７】本発明で行った実験結果によれば、従来品
では、蛍光体（12）のＣｕの含有量が０.１mol％で、Ｃ
ｌの含有量が０.１mol％であったのに対して、本発明品
では、Ｃｕの含有量が０.１mol％で変化せず同程度であ
ったにもかかわらず、Ｃｌの含有量が０.１２mol％に増
加し、その結果、発光輝度が４０％上昇することが判明
した。
では、蛍光体（12）のＣｕの含有量が０.１mol％で、Ｃ
ｌの含有量が０.１mol％であったのに対して、本発明品
では、Ｃｕの含有量が０.１mol％で変化せず同程度であ
ったにもかかわらず、Ｃｌの含有量が０.１２mol％に増
加し、その結果、発光輝度が４０％上昇することが判明
した。
【００１８】図４は本発明で行った実験結果に基づくデ
ータを示すもので、一定電力の場合、フラックス基材の
ＭｇＣｌ2が１０mol％について、ＮａＣｌを０.１〜２.
０mol％〔モル比で０.０１〜０.２〕の範囲で添加した
時の輝度の変化を示す。この結果から、ＮａＣｌの添加
量が０.１mol％〔モル比では０.０１〕より小さい場
合、及び、その添加量が２.０mol％〔モル比では０.
２〕より大きい場合、従来品と同程度か或いはそれ以下
の輝度しか得られないことが明らかで、これに対して、
本発明品では、ＮａＣｌの添加量が０.１〜２.０mol％
〔モル比で０.０１〜０.２〕の範囲で、従来品よりも大
きな輝度が得られて、特に、ＮａＣｌの添加量が１.０m
ol％〔モル比では０.１〕の時が最適で、従来品よりも
４０％上昇したことが明白である。
ータを示すもので、一定電力の場合、フラックス基材の
ＭｇＣｌ2が１０mol％について、ＮａＣｌを０.１〜２.
０mol％〔モル比で０.０１〜０.２〕の範囲で添加した
時の輝度の変化を示す。この結果から、ＮａＣｌの添加
量が０.１mol％〔モル比では０.０１〕より小さい場
合、及び、その添加量が２.０mol％〔モル比では０.
２〕より大きい場合、従来品と同程度か或いはそれ以下
の輝度しか得られないことが明らかで、これに対して、
本発明品では、ＮａＣｌの添加量が０.１〜２.０mol％
〔モル比で０.０１〜０.２〕の範囲で、従来品よりも大
きな輝度が得られて、特に、ＮａＣｌの添加量が１.０m
ol％〔モル比では０.１〕の時が最適で、従来品よりも
４０％上昇したことが明白である。
【００１９】また、図５は電力に対する輝度の関係を示
し、フラックス基材のＭｇＣｌ2が１０mol％のみである
従来品Ａよりも、１０mol％のＭｇＣｌ2に対してＮａＣ
ｌを１.０mol％〔モル比では０.１〕添加した本発明品
Ｂの方が高輝度となっていることが明らかである。
し、フラックス基材のＭｇＣｌ2が１０mol％のみである
従来品Ａよりも、１０mol％のＭｇＣｌ2に対してＮａＣ
ｌを１.０mol％〔モル比では０.１〕添加した本発明品
Ｂの方が高輝度となっていることが明らかである。
【００２０】
【発明の効果】本発明に係る蛍光体の製造方法によれ
ば、フラックス基材にハロゲン化アルカリ金属塩を添加
することにより、簡便な手段でもって、蛍光体の発光輝
度を向上させることが実現容易となり、このような蛍光
体をＥＬ発光素子に使用した場合、高輝度のＥＬパネル
を提供することができる。
ば、フラックス基材にハロゲン化アルカリ金属塩を添加
することにより、簡便な手段でもって、蛍光体の発光輝
度を向上させることが実現容易となり、このような蛍光
体をＥＬ発光素子に使用した場合、高輝度のＥＬパネル
を提供することができる。
【図１】本発明に係る蛍光体の製造方法を説明するため
のもので、発光母材を焼成した蛍光体を示す模式図
のもので、発光母材を焼成した蛍光体を示す模式図
【図２】図１の蛍光体のＤＡペア発光過程を示す模式図
【図３】図１の蛍光体のＳＡ〔自己付活〕発光過程を示
す模式図
す模式図
【図４】本発明で行った実験結果に基づくデータで、Ｎ
ａＣｌの添加量に対する発光輝度の関係を示す特性図
ａＣｌの添加量に対する発光輝度の関係を示す特性図
【図５】本発明で行った実験結果に基づくデータで、電
力に対する発光輝度の関係を示す特性図
力に対する発光輝度の関係を示す特性図
【図６】ＥＬパネルの構造例を示す断面図
【図７】図６に示すＥＬパネルの平面図
12 蛍光体
Claims (3)
- 【請求項１】 硫化亜鉛を主成分とする発光母材に、硫
化亜鉛に対し融剤及び共付活剤として作用するフラック
スを添加して焼成するに際して、フラックス基材に、ハ
ロゲン化アルカリ金属塩を添加することを特徴とする蛍
光体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のハロゲン化アルカリ金属
塩の添加量が、フラックス基材に対するモル比で０.０
１〜０.２であることを特徴とする蛍光体の製造方法。 - 【請求項３】 前記フラックス基材がＭｇＣｌ2であ
り、前記ハロゲン化アルカリ金属塩がＮａＣｌ及び／又
はＫＣｌであることを特徴とする請求項２記載の蛍光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4170484A JPH069954A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 蛍光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4170484A JPH069954A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH069954A true JPH069954A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=15905811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4170484A Pending JPH069954A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 蛍光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069954A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751108A (en) * | 1995-08-25 | 1998-05-12 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent device and method for producing same |
| KR100432681B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2004-05-22 | 티디케이가부시기가이샤 | 형광체박막 및 ｅｌ패널 |
| KR100474834B1 (ko) * | 2000-05-10 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저전압 황화물 형광체의 제조 방법 |
| US7604312B2 (en) | 2004-02-27 | 2009-10-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with feedback circuit |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4170484A patent/JPH069954A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751108A (en) * | 1995-08-25 | 1998-05-12 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent device and method for producing same |
| KR100474834B1 (ko) * | 2000-05-10 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저전압 황화물 형광체의 제조 방법 |
| KR100432681B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2004-05-22 | 티디케이가부시기가이샤 | 형광체박막 및 ｅｌ패널 |
| US7604312B2 (en) | 2004-02-27 | 2009-10-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with feedback circuit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020927 |