JPH0697138A - シリコンウェーハの保管方法 - Google Patents
シリコンウェーハの保管方法Info
- Publication number
- JPH0697138A JPH0697138A JP27087192A JP27087192A JPH0697138A JP H0697138 A JPH0697138 A JP H0697138A JP 27087192 A JP27087192 A JP 27087192A JP 27087192 A JP27087192 A JP 27087192A JP H0697138 A JPH0697138 A JP H0697138A
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- JP
- Japan
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- silicon wafer
- stocked
- cleaned
- enclosed
- container
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウェーハ表面の自然酸化膜の成長を
抑止して保管し、後工程の自由度（処理開始時間の遅
延、場所の移動等）を高める。 【構成】 例えばＨＦ洗浄液による洗浄後のシリコンウ
ェーハを樹脂製のケース内に保管する。ケース内は室温
に保持しておく。ケース内は大気を満たすが、窒素等不
活性ガスを封入してもよい。
抑止して保管し、後工程の自由度（処理開始時間の遅
延、場所の移動等）を高める。 【構成】 例えばＨＦ洗浄液による洗浄後のシリコンウ
ェーハを樹脂製のケース内に保管する。ケース内は室温
に保持しておく。ケース内は大気を満たすが、窒素等不
活性ガスを封入してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄後のシリコンウェ
ーハの保管方法に関する。
ーハの保管方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体装置の高集積化が進展するに
伴い、デバイスプロセスで用いられる熱酸化膜の膜厚が
５０オングストローム程度と極めて薄くなってきてい
る。このため、熱酸化膜に与える自然酸化膜の影響が大
きくなっており、シリコンウェーハで自然酸化膜の生成
を抑えることが重要な課題となっている。
伴い、デバイスプロセスで用いられる熱酸化膜の膜厚が
５０オングストローム程度と極めて薄くなってきてい
る。このため、熱酸化膜に与える自然酸化膜の影響が大
きくなっており、シリコンウェーハで自然酸化膜の生成
を抑えることが重要な課題となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
この自然酸化膜の生成、成長を抑止する方法は知られて
いなかった。したがって、デバイスプロセスにあって
は、シリコンウェーハをアンモニア系洗浄液（例えばＳ
Ｃ１洗浄液）、フッ酸系洗浄液等により洗浄した後、直
ちにシリコンウェーハを電気炉内に搬入し、熱処理工程
を開始するほかに手だてがなかった。
この自然酸化膜の生成、成長を抑止する方法は知られて
いなかった。したがって、デバイスプロセスにあって
は、シリコンウェーハをアンモニア系洗浄液（例えばＳ
Ｃ１洗浄液）、フッ酸系洗浄液等により洗浄した後、直
ちにシリコンウェーハを電気炉内に搬入し、熱処理工程
を開始するほかに手だてがなかった。
【０００４】そこで、本発明は、自然酸化膜の成長を抑
止可能なシリコンウェーハの保管方法を提供し、もって
デバイスプロセスの自由度を高めることを、その目的と
している。
止可能なシリコンウェーハの保管方法を提供し、もって
デバイスプロセスの自由度を高めることを、その目的と
している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、洗浄後のシリ
コンウェーハを密閉容器中に保持するシリコンウェーハ
の保管方法である。密閉容器にはプラスチックケース、
ガラスシャーレ等がある。この場合の洗浄は例えばＨＦ
洗浄液によりウェーハ表面の自然酸化膜を除去するもの
とする。
コンウェーハを密閉容器中に保持するシリコンウェーハ
の保管方法である。密閉容器にはプラスチックケース、
ガラスシャーレ等がある。この場合の洗浄は例えばＨＦ
洗浄液によりウェーハ表面の自然酸化膜を除去するもの
とする。
【０００６】
【作用】本発明方法によれば、洗浄後のシリコンウェー
ハを密閉容器中に保持するため、そのシリコンウェーハ
の表面には自然酸化膜はわずかに生成するのみである。
例えば密閉容器外部のクリーンルーム内にシリコンウェ
ーハを放置した場合に比べてきわめて薄い自然酸化膜が
生成される。これはシリコンウェーハ表面への有機物の
供給が断たれるからであると推量される。
ハを密閉容器中に保持するため、そのシリコンウェーハ
の表面には自然酸化膜はわずかに生成するのみである。
例えば密閉容器外部のクリーンルーム内にシリコンウェ
ーハを放置した場合に比べてきわめて薄い自然酸化膜が
生成される。これはシリコンウェーハ表面への有機物の
供給が断たれるからであると推量される。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例について詳述する。本
発明方法は、鏡面研磨後の洗浄工程を経たシリコンウェ
ーハを密閉容器中に保管するものである。
発明方法は、鏡面研磨後の洗浄工程を経たシリコンウェ
ーハを密閉容器中に保管するものである。
【０００８】図１、図２は本発明の保管方法の第１実施
例として、シリコンウェーハをＨＦ（希フッ酸）洗浄液
による洗浄処理後、下記の密閉容器中に以下の条件で保
管した場合を示している。ＨＦ洗浄は、室温の１％フッ
酸水溶液中に数十秒シリコンウェーハを浸漬することに
より行う。用いるシリコンウェーハとしては、切断後、
ラップ、面取り、エッチング、鏡面研磨を施したもので
ある。使用した密閉容器は、容量５リットル、プラスチ
ック製とし、シリコンウェーハの密閉はクリーンルーム
内（大気中）で行った。密閉容器の内部温度は２５℃、
湿度は５０％とした。
例として、シリコンウェーハをＨＦ（希フッ酸）洗浄液
による洗浄処理後、下記の密閉容器中に以下の条件で保
管した場合を示している。ＨＦ洗浄は、室温の１％フッ
酸水溶液中に数十秒シリコンウェーハを浸漬することに
より行う。用いるシリコンウェーハとしては、切断後、
ラップ、面取り、エッチング、鏡面研磨を施したもので
ある。使用した密閉容器は、容量５リットル、プラスチ
ック製とし、シリコンウェーハの密閉はクリーンルーム
内（大気中）で行った。密閉容器の内部温度は２５℃、
湿度は５０％とした。
【０００９】図１は自然酸化膜厚の経時変化を（ＸＰＳ
の測定値）、図２は接触角の経時変化を、それぞれ示し
ている。図１に示すように、密閉系である上記ケース内
に該シリコンウェーハを保管した場合は、２４時間後に
その自然酸化膜厚が１オングストロームであった。これ
に対して、開放系であるクリーンルーム中に同一条件の
洗浄後のシリコンウェーハを２４時間保管した場合は、
その自然酸化膜は６オングストロームの厚さにまで成長
した。また、同様に該シリコンウェーハについて接触角
を測定したところ、図２に示すように、密閉系に保管し
た場合の方が開放系の場合よりも接触角が大きい値を示
している。この結果、密閉系での保管はシリコンウェー
ハ上の自然酸化膜の成長を抑制することが明かである。
の測定値）、図２は接触角の経時変化を、それぞれ示し
ている。図１に示すように、密閉系である上記ケース内
に該シリコンウェーハを保管した場合は、２４時間後に
その自然酸化膜厚が１オングストロームであった。これ
に対して、開放系であるクリーンルーム中に同一条件の
洗浄後のシリコンウェーハを２４時間保管した場合は、
その自然酸化膜は６オングストロームの厚さにまで成長
した。また、同様に該シリコンウェーハについて接触角
を測定したところ、図２に示すように、密閉系に保管し
た場合の方が開放系の場合よりも接触角が大きい値を示
している。この結果、密閉系での保管はシリコンウェー
ハ上の自然酸化膜の成長を抑制することが明かである。
【００１０】図３、図４は本発明の第２実施例を示して
いる。図３はＸＰＳによる自然酸化膜厚の測定結果を、
図４はその場合の接触角の変化を、それぞれ示してい
る。この図に示すように、シリコンウェーハを密閉系
（ケース内湿度５０％、１００％、シャーレ内に密閉）
に保管した場合は、これを開放系（クリーンルーム中）
に保持した場合に比べて、自然酸化膜厚の成長が抑制さ
れ、その接触角が大きくなっていることが判明した。な
お、保管時間は３時間と６時間の場合である。
いる。図３はＸＰＳによる自然酸化膜厚の測定結果を、
図４はその場合の接触角の変化を、それぞれ示してい
る。この図に示すように、シリコンウェーハを密閉系
（ケース内湿度５０％、１００％、シャーレ内に密閉）
に保管した場合は、これを開放系（クリーンルーム中）
に保持した場合に比べて、自然酸化膜厚の成長が抑制さ
れ、その接触角が大きくなっていることが判明した。な
お、保管時間は３時間と６時間の場合である。
【００１１】図５は本発明の第３実施例を示すものであ
る。この実施例は、各種有機物雰囲気下での密閉容器中
にシリコンウェーハを２４時間保管した場合を示すもの
である。この結果、有機物（特にアセトン）は自然酸化
膜の成長を促進するものといえる。
る。この実施例は、各種有機物雰囲気下での密閉容器中
にシリコンウェーハを２４時間保管した場合を示すもの
である。この結果、有機物（特にアセトン）は自然酸化
膜の成長を促進するものといえる。
【００１２】なお、本発明にあっては、密閉容器内に窒
素ガス等を封入することにより、自然酸化膜の成長をさ
らに抑止することが可能である。また、容器中の温度、
湿度は低い程自然酸化膜の成長抑止効果が大きいと考え
られる。さらに、密閉容器中に活性炭、乾燥剤等を収納
しておくことにより、上記効果をより高めることができ
る。
素ガス等を封入することにより、自然酸化膜の成長をさ
らに抑止することが可能である。また、容器中の温度、
湿度は低い程自然酸化膜の成長抑止効果が大きいと考え
られる。さらに、密閉容器中に活性炭、乾燥剤等を収納
しておくことにより、上記効果をより高めることができ
る。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、洗浄後のシリコンウェ
ーハをその表面をクリーンな状態に維持しつつ長期間に
わたって保管することができる。この結果、シリコンウ
ェーハについての後工程、例えばデバイスプロセスでの
熱処理に関しての自由度が増すという大きな効果が生じ
る。例えばウェーハプロセスとデバイスプロセスとを別
個の場所で、また、時間を異ならせて行うことができ
る。
ーハをその表面をクリーンな状態に維持しつつ長期間に
わたって保管することができる。この結果、シリコンウ
ェーハについての後工程、例えばデバイスプロセスでの
熱処理に関しての自由度が増すという大きな効果が生じ
る。例えばウェーハプロセスとデバイスプロセスとを別
個の場所で、また、時間を異ならせて行うことができ
る。
【図１】本発明の第１実施例に係る自然酸化膜厚と保管
時間との関係を示すグラフである。
時間との関係を示すグラフである。
【図２】本発明の第１実施例に係る接触角と保管時間と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第２実施例に係る自然酸化膜厚と保管
時間との関係を示すグラフである。
時間との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施例に係る接触角と保管時間と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第３実施例に係る自然酸化膜の膜厚と
各種有機物雰囲気との関係を示すグラフである。
各種有機物雰囲気との関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 龍田 次郎 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 森田 悦郎 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 洗浄後のシリコンウェーハを密閉容器内
に保持することを特徴とするシリコンウェーハの保管方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27087192A JPH0697138A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | シリコンウェーハの保管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27087192A JPH0697138A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | シリコンウェーハの保管方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697138A true JPH0697138A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17492130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27087192A Pending JPH0697138A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | シリコンウェーハの保管方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311536A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Covalent Materials Corp | 半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法および半導体基板 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP27087192A patent/JPH0697138A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311536A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Covalent Materials Corp | 半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法および半導体基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000222 |