JPH0696489A

JPH0696489A - 光磁気情報再生装置

Info

Publication number: JPH0696489A
Application number: JP4267928A
Authority: JP
Inventors: Masakuni Yamamoto; 昌邦山本; Susumu Matsumura; 進松村; Eiji Yamaguchi; 英司山口; Hiroaki Hoshi; 宏明星
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-09-11
Filing date: 1992-09-11
Publication date: 1994-04-08

Abstract

(57)【要約】【目的】光学系を小型化することが可能な光磁気情報
再生装置を提供する。【構成】光磁気記録媒体に光ビームを照射し、その反
射光をもとに記録情報を再生する光磁気情報再生装置に
おいて、前記記録媒体からの反射光路に、光を収束する
ためのレンズ、複屈折を有する位相板及び検光子を設
け、この検光子の前面の前記位相板を通過後のファーフ
ィールド面には多分割光検出器を配置し、前記検光子を
通過した光の光量分布の変化を検出することにより、前
記記録媒体に記録された情報ピットのエッジを検出す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に記録
された情報を再生する光磁気情報再生装置に関し、特に
ピットエッジ記録方式で記録された情報を再生する光磁
気情報再生装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光磁気ディスクを記録媒体として
用いた光磁気情報記録再生装置は、可搬性があること、
記憶容量が大きいこと、消去書き換えが可能なことなど
より、大きな期待が寄せられている。図１３はその従来
の光磁気情報記録再生装置の光学系を示した構成図であ
る。図１３において、１０１は記録再生用光源として用
いられた半導体レーザである。この半導体レーザ１０１
から射出された発散光束はコリメータレンズ１０２で平
行化され、ビーム整形プリズム１０３で断面円形状の平
行光束に修正される。この平行光束は、偏光ビームスプ
リッタ１０４を透過し、更に対物レンズ１０５により光
磁気記録媒体１０６の磁性層上に微小光スポットとして
結像される。また、この光スポット照射部に磁気ヘッド
１０７から外部磁界が印加され、磁性層上に情報ピット
が記録される。

【０００３】光磁気記録媒体１０６からの反射光は、対
物レンズ１０５を介して偏光ビームスプリッタ１０４に
戻され、ここで反射光の一部が分離されて制御光学系へ
もたらされる。制御光学系では分離光束を別に用意した
偏光ビームスプリッタ１０９で更に分離し、一方を再生
光学系１１０へ与えることで再生信号が生成される。ま
た、偏光ビームスプリッタ１０９で分離された他方の光
束は集光レンズ１１６を介してハーフプリズム１１７へ
導かれ、ここで２つに分割されて、一方が光検出器１１
８に、他方がナイフエッジ１１９を介して光検出器１２
０へ導かれる。そして、これらの制御光学系の光検出器
１１８及び１２０の検出信号をもとにオートトラッキン
グ制御やオートフォーカシング制御のためのサーボエラ
ー信号が生成される。

【０００４】再生光学系１１０は、光束の偏光方向を４
５度回転させるための１／２波長板１１１、光束を集光
する集光レンズ１１２、偏光ビームスプリッタ１１３、
偏光ビームスプリッタ１１３により分離された光束をそ
れぞれ検出する光検出器１１４及び１１５から構成され
ている。光検出器１１４と１１５で検出された信号は図
示しない差動アンプで差動検出され、光磁気信号として
再生される。

【０００５】ところで、光磁気記録媒体においては垂直
磁化の方向の違いにより情報を記録するのであるが、こ
れに直線偏光の光を照射すると、その反射光の偏光方向
は磁化の方向の違いにより右回りか左回りかに回転す
る。例えば、光磁気記録媒体に入射する直線偏光の偏光
方向を図１４に示すように、座標軸Ｐ方向とし、下向き
磁化に対する反射光は＋θ_K回転したＲ₊、上向き磁化
に対する反射光は−θ_K回転したＲ_-とする。そこで、
図１４に示すような方向に検光子を置くと、検光子を透
過してくる光はＲ₊に対しＡ、Ｒ_-に対しＢとなり、こ
れを光検出器で検出すると、光強度の差として情報を得
ることができる。図５の例では偏光ビームスプリッタ１
１３が検光子の役目をしていて、分離した一方の光束に
対し、Ｐ軸から＋４５度、他方の光束に対し、Ｐ軸から
−４５度の方向の検光子となる。つまり、光検出器１１
４と１１５で得られる信号成分は逆相となるので、個々
の信号を差動検出することで、ノイズが低減された再生
信号を得ることができる。

【０００６】このように光磁気記録媒体に磁化方向の違
いとして情報ピット（以下、ピットと略す）を記録する
のであるが、その記録形態にはピットのセンターの位置
に情報の意味を持たせるピット位置記録方式と、ピット
のエッジの位置に情報の意味を持たせるピットエッジ記
録方式がある。光磁気記録媒体に光学的手段を用いて情
報を記録する場合、光スポットによる熱に対して光磁気
記録媒体のピットが書かれる記録感度がなだらかである
ときは、ピットの大きさにばらつきが生じてしまう。し
かし、ピットのセンターの位置は変らない。従来、この
理由により光学的手段を用いる光磁気記録媒体では多く
の場合、ピット位置記録が行なわれている。それに対
し、光スポットによる熱に対して光磁気記録媒体のピッ
トが書かれる記録感度が急峻な場合、ピットの大きさの
ばらつきをある一定量以下にすることができるので、ピ
ットエッジ記録が可能になり、記憶密度を増加させるこ
とができる。そのため、最近ではピットエッジ記録に適
した光磁気記録媒体の開発やピットの記録方式の開発が
行なわれ、ピット位置記録からピットエッジ記録へ移行
しつつある。

【０００７】ところで、ピットエッジ記録の情報を再生
する場合、図１３の再生光学系で得られた再生信号と所
定のスライスレベルを比較し、再生信号がスライスレベ
ルを横切る位置を検出することで、ピットのエッジが検
出される。そして、得られたエッジ位置により情報が再
生され、元の記録情報が復元される。しかし、更に情報
の高密度化がなされ、最小ピットの大きさが光スポット
の大きさと同程度か、それ以下になってくると、光ヘッ
ドなどの伝達特性が劣化してくるために、光学的に検出
された信号の直流成分が変動してしまい、一定のスライ
スレベルでピットのエッジを検出しようとすると、エッ
ジシフトが生じるという問題があった。

【０００８】そこで、これを解決するためにトラックと
直交方向に分割された分割光検出器を用いて差動検出す
ることにより、光学的に微分検出を行ない、直流成分の
変動を抑制してピットエッジを検出する方式がある。具
体的には、例えば特開昭６２−１８８０４７号公報に
は、情報記録媒体からの反射光束を円偏光に変換し、上
向き磁化と下向き磁化とで生じるそれぞれの反射円偏光
の位相差による分割光検出器上の光量分布を検出する方
式が開示されている。しかし、この円偏光に変換する方
式では、位相差が非常に小さく、検出信号が微弱である
ために、ピットのエッジを正確に検出することは困難で
あった。

【０００９】また、「Detecting Transition Regions I
n Magnetooptical Disk Systems ,Appl.Phys.Lett.55
(8),716-7(1989)」には、１つの多分割光検出器による
オートフォーカス制御信号及びオートトラッキング制御
信号の検出と、光学的微分によるピットエッジの検出方
式について述べられている。しかし、この例においても
情報記録媒体に円偏光の光を入射し、その位相差を利用
してエッジを検出するために、やはり検出信号が微弱で
あった。

【００１０】一方、図１４から明らかなようにＳ₊，Ｓ
_-の２つの成分は大きさが同じで位相がπだけずれた成
分である。つまり、Ｓ偏光成分のみに注目すると、光磁
気のピットは位相差がπの位相ピットとみなすことがで
きる。そこで、特開昭６１−１９８４５８号公報には、
このことについて述べられており、Ｓ偏光成分とＰ偏光
成分の位相差を補正し、再生信号の品質を高める方式が
開示されている。しかし、この方式は再生信号の品質改
善を目的としたもので、ピットのエッジを光学的に再生
するものではない。また、従来位相ピットのエッジ部か
らの反射光の光量分布が変化することは知られており、
例えば実開昭５６−９０７４４号公報には凹凸位相ピッ
トのエッジ部からの反射光の光量分布がファーフィール
ド面で非対称になることを利用し、多分割光検出器で光
学的微分を行なうことで、再生信号を得る方式が開示さ
れている。しかし、光磁気ピットは凹凸ピットではない
ので、Ｓ偏光のみではファーフィールド面での非対称は
非常に小さく、そのままでは光磁気ピットの再生に応用
できない。

【００１１】更に、特開平２−４６５４４号公報には、
光磁気ピットのエッジ部からの反射光のうちＳ偏光成分
を見ると非対称な光量分布になることを利用した方式が
開示されている。しかし、この方式においてもやはり前
述のようにＳ偏光のみではファーフィールド面での非対
称は非常に小さく、そのままでは光磁気ピットの再生に
応用できないばかりでなく、Ｓ偏光成分だけでは光量が
非常に少ないために、正確な情報再生は困難であった。
また、「Edge Detection For MagnetoopticalData Stor
age .Appl.Opt.30.232-252(1991) 」及び特開平３−１
２０６４５号公報には、Ｓ偏光成分とＰ偏光成分の両方
を利用してピットのエッジ部を光学的に検出する方式が
開示されている。しかし、この方式では光学系の部品点
数が多くなり、構成が複雑化してしまう問題があった。

【００１２】図１５は光磁気記録媒体に直線偏光を入射
した場合に、その反射光束の振幅分布、位相分布、偏光
分布をそれぞれ記録媒体から反射された位置、ファーフ
ィールド面、集光レンズによる収束面で示した図であ
る。但し、位相板と検光子の影響はないものとする。ま
ず、図１５（ａ）は光磁気記録媒体の磁化状態と対物レ
ンズにより絞られた再生用光スポットの照射位置を
（Ａ）〜（Ｄ）の４つのケースで示した図である。
（Ａ）は全て下向き磁化でその１つに光スポットが照射
され、（Ｂ）は全て上向き磁化でその１つに光スポット
が照射されている。また、（Ｃ）は図面上左側が下向き
磁化、右側が上向き磁化で、その境界のピットのエッジ
に光スポットが照射されている。更に、（Ｄ）は図面上
左側が上向き磁化、右側が下向き磁化であり、その境界
のピットのエッジに光スポットが照射されている。矢印
Ｔ（Ｔ′）は光スポットの移動方向である。

【００１３】図１５（ｂ）は上記（Ａ）〜（Ｄ）のそれ
ぞれについて光磁気記録媒体を反射されてすぐの反射光
の分布を示した図である。入射光束は前述のようにＰ偏
光の直線偏光である。（ｂ−１）はＰ偏光の振幅分布、
（ｂ−２）はＳ偏光の振幅分布（大きさは無視）であ
る。（ｂ−３）はＰ偏光を基準としたときのＳ偏光の位
相分布、（ｂ−４）は対物レンズを基準とした光束左側
の偏光状態、（ｂ−５）は光束右側の偏光状態を示した
図である。この光束の右側と左側は、トラック方向の光
スポットの進む前と後に対応する。

【００１４】図１５（ｃ）は同様に（Ａ）〜（Ｄ）のそ
れぞれについてファーフィールド面での反射光束の分布
を示した図である。（ｃ−１）はＰ偏光の振幅分布、
（ｃ−２）はＳ偏光の振幅分布（大きさは無視）、（ｃ
−３）はＰ偏光を基準としたときのＳ偏光の位相分布、
（ｃ−４）は光束左側の偏光状態、（ｃ−５）は光束右
側の偏光状態である。また、図１５（ｄ）も同様に
（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞれについて集光レンズの収束面
での反射光束の分布を示した図である。（ｄ−１）はＰ
偏光の振幅分布、（ｄ−２）はＳ偏光の振幅分布（大き
さは無視）、（ｄ−３）はＰ偏光を基準としたときのＳ
偏光の位相分布、（ｄ−４）は光束左側の偏光状態、
（ｄ−５）は光束右側の偏光状態である。

【００１５】（Ａ）の下向き磁化を再生する場合、（ｂ
−１），（ｂ−２）に示すように光磁気記録媒体を反射
されたすぐのＰ偏光、Ｓ偏光の振幅分布はいずれも左右
対称の分布となる。また、左側と右側の光束の偏光状態
は（ｂ−４），（ｂ−５）に示すように左右とも同じ
で、右回りに回転した直線偏光となる。このときのＰ偏
光とＳ偏光の位相差は、（ｂ−３）に示す如く０であ
る。ファーフィールド面及び収束面においても、（ｃ−
１），（ｃ−２）及び（ｄ−１），（ｄ−２）に示すよ
うにＰ偏光とＳ偏光の振幅分布は左右対称となり、また
Ｓ偏光の位相も（ｃ−３），（ｄ−３）に示すように０
となる。左側と右側光束の偏光状態も（ｃ−４），（ｃ
−５）及び（ｄ−４），（ｄ−５）に示すように左右と
も同じで、右回りに回転した状態となる。

【００１６】（Ｂ）の上向き磁化を再生する場合は、光
磁気記録媒体を反射されてすぐではＰ偏光、Ｓ偏光の振
幅分布は前記と同様に左右対称となる。但し、Ｓ偏光の
Ｐ偏光に対する位相はπだけ違っている。左右の偏光状
態は各々下向き磁化のときに比べて反対に左回りに回転
した直線偏光となる。ファーフィールド面、収束面にお
いても、Ｐ偏光とＳ偏光の振幅分布は左右対称、Ｓ偏光
の位相はπ、左右の偏光状態は左回りに回転した直線偏
光となる。

【００１７】（Ｃ）の下向き磁化と上向き磁化の境界の
ピットのエッジを再生する場合は、光磁気記録媒体を反
射されてすぐでは、Ｐ偏光の振幅分布は左右対称である
が、Ｓ偏光の振幅分布は磁化方向に対応して２つに分か
れ、その位相分布も左側が０で、右側がπとなる。この
ときの偏光状態は左側が右回りに回転した直線偏光、右
側が左回りに回転した直線偏光となる。ファーフィール
ド面では、Ｐ偏光の振幅分布は左右対称、Ｓ偏光の振幅
分布は２つに分かれたままであるが、Ｓ偏光の位相分布
は変化して左側が−π／２、右側が＋π／２となる。つ
まり、偏光状態は左側が例えば右回りの楕円偏光、右側
が左回りの楕円偏光となる。それぞれの楕円偏光の楕円
率、大きさは同じで、楕円の長軸はＰ偏光方向にある。
集光レンズの収束面では、Ｐ偏光の振幅分布は左右対
称、Ｓ偏光の振幅分布は２つに分かれたままであるが、
Ｓ偏光の位相分布は再び元に戻って左側が０、右側がπ
となる。よって、偏光状態は左側が右回りに回転した直
線偏光、右側が左回りに回転した直線偏光となる。
（Ｄ）の上向き磁化と下向き磁化の境界のピットエッジ
を再生する場合は、（Ｃ）のときに比べて左右が逆にな
る。

【００１８】特願平２−２７９７１０号では、図１５で
説明したように収束面において左右の偏光状態が異なる
向きの直線偏光になることに着目して、トラック方向に
分割された２分割光検出器を収束面の近傍に配置し、こ
の光検出器の検出信号の差または和信号により、ピット
エッジ信号及びピット位置信号を検出する方式が提案さ
れている。以下、図１６〜図１８に基づいて詳細に説明
する。まず、図１６は光ヘッドの中の再生光学系を示し
た図である。図中１１１は１／２波長板、１１２は集光
レンズ、１１３は偏光ビームスプリッタで、これらはい
ずれも図１３に示したものと同じである。１２１と１２
２はそれぞれ情報記録媒体のトラック方向（Ｔ，Ｔ′方
向）に直交する方向に２つに分割された２分割光検出器
である。２分割光検出器１２１の検出片１２１ａ，１２
１ｂの検出信号は差動アンプ１２３で差動検出され、他
方の２分割光検出器１２２の検出片１２２ａ，１２２ｂ
の検出信号は差動アンプ１２４で差動検出される。そし
て、得られた差動検出信号を更に差動アンプ１２５で差
動検出することにより、ピットエッジ記録で記録された
ピットの再生信号、即ちピットのエッジを検出するピッ
トエッジ検出信号が得られる。

【００１９】図１７は光スポットが下向き磁化のピット
から磁化の反転する境界（エッジ）を経て上向き磁化の
ピットへ移行するときの２分割光検出器１２１，１２２
上の光強度の変化を示した図である。図１７（ａ）〜
（ｃ）は２分割光検出器１２１に、図１７（ｄ）〜
（ｆ）は２分割光検出器１２２に対応する。また、図中
Ｘ軸はその下に示す２分割光検出器上の位置、Ｙ軸は光
強度の大きさである。Ｙ軸は２分割光検出器の分割線上
にある。光スポットが下向き磁化のピット上にある場
合、２分割光検出器１２１，１２２上の強度の分布は、
図１７（ａ），（ｄ）に示す通りとなる。それぞれの分
布はＹ軸について対称で、強度のピークはＹ軸上にあ
る。ピークの大きさは図１７（ａ）の光検出器１２１の
方が大きい。この場合、２分割光検出器１２１及び１２
２の個々の検出片１２１ａと１２１ｂ、検出片１２２ａ
と１２２ｂで得られる検出信号はそれぞれ同じであり、
差動アンプ１２３及び１２４で各々差動検出して得られ
る信号はどちらも０となる。従って、差動アンプ１２５
の出力信号も０となる。

【００２０】逆に、光スポットが上向き磁化のピット上
にある場合は、２分割光検出器１２１，１２２上の光強
度の分布は、図１７（ｃ），（ｄ）に示す通りとなり、
先の図１７（ａ）と（ｄ）が反対になった状態となる。
この場合においても、２分割光検出器１２１，１２２の
各検出片１２１ａと１２１ｂ、検出片１２２ａと１２２
ｂの検出信号はそれぞれ同じであるので、差動アンプ１
２３，１２４の差動検出信号は０となり、差動アンプ１
２５の出力信号も０となる。

【００２１】光スポットが下向き磁化から上向き磁化へ
反転する位置にある場合は、２分割光検出器１２１，１
２２上の光強度の分布は図１７（ｂ），（ｅ）に示す通
りとなる。両方の光強度の分布ともＹ軸を中心にＸ軸の
＋側と−側に分かれ、そのピークは図１７（ｂ）では−
側の方が大きく、図１７（ｅ）では＋側の方が大きくな
る。従って、差動アンプ１２３で２分割光検出器１２１
の２つの検出片１２１ａと１２１ｂの信号を差動検出す
ると負の信号が得られ、差動アンプ１２４で２分割光検
出器１２２の検出片１２２ａ，１２２ｂの信号を差動検
出すると正の信号が得られる。更に、この得られた正負
の信号を差動アンプ１２５で差動検出すると、正の値の
信号が得られる。つまり、下向き磁化から上向き磁化に
光スポットが移動する際には、磁化方向が反転する位
置、即ちピットのエッジの位置で正方向にピークを有す
る信号を得ることができる。

【００２２】一方、上向き磁化から下向き磁化に光スポ
ットが移動する場合は、前記とは反対に磁化方向が反転
するピットのエッジの位置で負の方向にピークを有する
信号が得られる。図１８に以上説明したピットとピット
エッジ検出信号を示す。図１８（ａ）は情報トラック上
のピット列で斜線で示すピットは上向き磁化、それ以外
は下向き磁化である。図１８（ｂ）は差動アンプ１２５
で得られたピットエッジ検出信号である。光スポットが
矢印方向に移動した場合、前述したように下向き磁化か
ら上向き磁化に反転するエッジ位置では正方向の信号、
上向き磁化から下向き磁化に反転するエッジ位置では負
方向の信号が得られ、この正負のピーク位置によってピ
ットのエッジを検出することができる。以上の検出方式
によればピット上での信号は０となり、ピットのエッジ
でのみ信号が現われるので、ピットの大きさの違いによ
る光ヘッドなどの伝達特性の違いの影響を少なくするこ
とができる。従って、直流成分の変動も小さくなり、エ
ッジシフトの問題も解消することができる。

【００２３】また、図１６において、１２７及び１２８
は２分割光検出器１２１及び１２２の各検出片の検出信
号をそれぞれ加算するための加算アンプ、１２９はこの
加算アンプ１２７，１２８で得られた加算信号を差動検
出するための差動アンプである。差動アンプ１２９の出
力信号はピット位置記録で記録されたピットの再生信
号、即ちピット位置検出信号となる。ここで得られるピ
ット位置検出信号は、図１３に示した再生光学系で得ら
れる信号と同様に、ピットの中央でピークをもつ信号と
なる。

【００２４】

【発明が解決しようとしている課題】ところで、上記図
１６〜図１８で説明したピットエッジ検出方式では、エ
ッジシフトの問題点を効果的に解決でき、ピットエッジ
を正確に検出することが可能である。しかし、一方では
高性能に加えて光学系の小型化が要求され、更に改良を
加えることによって光学系を小型化することが望まれて
いた。

【００２５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、記録媒体からの反射光路に複屈折を有する位相
板を設けることにより、光検出器を集光レンズの収束面
よりも前方に配置し、更に光学系を小型化できるように
した光磁気情報再生装置を提供することを目的としたも
のである。

【００２６】また、本発明は検光子を通過した光束を集
光レンズの収束位置に配置された１つの多分割光検出器
で検出することにより、光学系を小型化できるようにし
た光磁気情報再生装置を提供することを目的としたもの
である。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、光磁気
記録媒体に光ビームを照射し、その反射光をもとに記録
情報を再生する光磁気情報再生装置において、前記記録
媒体からの反射光路に光を収束するためのレンズ、複屈
折を有する位相板及び検光子を設け、この検光子の前面
の前記位相板を通過後のファーフィールド面には多分割
光検出器を配置し、前記検光子を通過した光の光量分布
の変化を検出することにより、前記記録媒体に記録され
た情報ピットのエッジを検出することを特徴とする光磁
気情報再生装置によって達成される。

【００２８】また、本発明の目的は、光磁気記録媒体に
光ビームを照射し、その反射光をもとに記録情報を再生
する光磁気情報再生装置において、前記記録媒体からの
反射光路に光を収束するためのレンズ及び検光子を設
け、この検光子の前面の前記レンズの収束位置には１つ
の多分割光検出器を配置し、前記検光子を通過した光の
光量分布の変化を検出することにより、前記記録媒体に
記録された情報ピットのエッジを検出することを特徴と
する光磁気情報再生装置によって達成される。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の光磁気情報再生装
置の一実施例を示した構成図である。なお、図１では本
発明の要部である再生光学系の構成のみを示している。
図１において、１は再生光学系内に設けられた複屈折を
有する１／４波長板である。この１／４波長板１はその
進相軸または遅相軸が入射直線偏光の方向に一致するよ
うに構成され、Ｐ偏光に対してＳ偏光の位相をπ／２進
めるか、あるいはπ／２遅らせるように機能するもので
ある。１１１は１／２波長板、１１２は集光レンズ、１
１３は偏光ビームスプリッタで、これらはいずれも図１
３に示したものと同じである。２及び３はそれぞれ情報
記録媒体のトラック直交方向に２つに分割された２分割
光検出器である。４は２分割光検出器２の検出片２ａ及
び２ｂの検出信号を差動検出するための差動アンプ、５
は２分割光検出器３の検出片３ａ及び３ｂの検出信号を
差動検出するための差動アンプである。６は差動アンプ
４及び５で得られた差動検出信号を更に差動検出して、
情報ピットのエッジ検出信号を生成するための差動アン
プである。図１ではその他の構成は省略しているが、そ
れ以外は図１３に示したものを用いることができる。従
って、情報記録媒体１０６から反射された光束は対物レ
ンズ１０５、偏光ビームスプリッタ１０４，１０９を経
由して１／４波長板１へ導かれる。

【００３０】図２は情報記録媒体にＰ偏光の直線偏光の
光を入射した場合に、その反射光束の振幅分布、位相分
布、偏光分布を１／４波長板１を通過した後のファーフ
ィールド面、集光レンズ１１２の収束面についてそれぞ
れ示した図である。但し、１／２波長板１１１と検光子
としての偏光ビームスプリッタ１１３の影響はないもの
とする。図２（ａ）は図１５と同様に情報記録媒体の磁
化状態と対物レンズにより絞られた再生用光スポットの
照射位置を（Ａ）〜（Ｄ）の４つのケースで示した図で
ある。（Ａ）は磁化が全て下向きでその１つに光スポッ
トが照射され、（Ｂ）は磁化が全て上向きでその１つに
光スポットが照射されている。また、（Ｃ）は図面上左
側が下向き磁化、右側が上向き磁化で、その境界のピッ
トのエッジに光スポットが照射されている。更に、
（Ｄ）は図面上左側が上向き磁化、右側が下向き磁化
で、その境界のピットのエッジに光スポットが照射され
ている。矢印Ｔ（Ｔ′）は光スポットの走査方向であ
る。

【００３１】図２（ｅ）は上記（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞ
れについて１／４波長板１を通過後のファーフィールド
面での反射光束の分布を示した図である。なお、記録媒
体から反射された位置、１／４波長板１に入射する前の
ファーフィールド面での分布は、図１５（ｂ），（ｃ）
に示したとうりである。まず、（Ａ）の下向き磁化を再
生する場合、記録媒体から反射された位置では図１５
（ｂ）に示したようにＰ偏光、Ｓ偏光の振幅分布は光軸
に対して対称、偏光の分布は左右同じで右回りに回転し
た直線偏光、Ｐ偏光とＳ偏光の位相差は０であった。ま
た、ファーフィールド面で１／４波長板１に入射する前
においても、図１５（ｃ）に示したように光の分布は記
録媒体を反射された位置での分布と変わらない。ところ
が、１／４波長板１を通過したところでは、前述の如く
１／４波長板１の進相軸または遅相軸が入射直線偏光方
向（Ｐ偏光方向）に合わされているために、Ｐ偏光の位
相に対しＳ偏光の位相がπ／２進むか、あるいはπ／２
遅れることになる。ここではπ／２進むように１／４波
長板１の進相軸がＰ偏光方向に合わされているものとす
る。従って、Ｐ偏光及びＳ偏光の振幅分布は（ｅ−
１），（ｅ−２）に示すように図１５（ｂ），（ｃ）の
ときと変わらないが、Ｓ偏光のＰ偏光に対する位相差は
０から（ｅ−３）に示すようにπ／２に変化する。ま
た、Ｐ偏光とＳ偏光にπ／２の位相差が生じたために、
左右の光束の偏光状態は（ｅ−４），（ｅ−５）に示す
ように左右の光束ともＰ偏光方向に長軸を有する左回り
の楕円偏光となる。

【００３２】（Ｂ）の上向き磁化を再生する場合は、記
録媒体を反射された位置、及びファーフィールド面で１
／４波長板１に入射する前では、図１５（ｂ），（ｃ）
に示したようにＰ偏光、Ｓ偏光の振幅分布は光軸に対し
て対称、Ｓ偏光の位相はπ、偏光分布は左右とも左回り
に回転した直線偏光である。ところが１／４波長板１を
通過したところでは、Ｐ偏光、Ｓ偏光の振幅分布は変わ
らないものの、前述の如くＳ偏光の位相がπ／２進むた
めに、Ｓ偏光の位相は（ｅ−３）に示すように３π／２
に変化する。このときの偏光状態は左右の光束とも（ｅ
−４），（ｅ−５）に示すように右回りの楕円偏光とな
る。

【００３３】（Ｃ）の下向き磁化と上向き磁化のエッジ
を再生する場合は、記録媒体を反射されたところでは図
１５（ｂ）に示したようにＰ偏光の振幅分布は光軸に対
して対称、Ｓ偏光の振幅分布は２つに分かれ、その位相
分布は左側が０、右側がπである。このときの偏光状態
は左側が右回りに回転した直線偏光、右側が左回りに回
転した直線偏光となる。これがファーフィールド面の１
／４波長板１に入射する前になると、図１５（ｃ）に示
したようにＰ偏光の振幅分布は左右対称、Ｓ偏光の振幅
分布は２つに分かれたままであるが、Ｓ偏光の位相分布
は左側が−π／２、右側が＋π／２となる。これによ
り、偏光状態は左側が右回りの楕円偏光、右側が左回り
の楕円偏光となる。更に、１／４波長板１を通過したと
ころではＰ偏光、Ｓ偏光の振幅分布は変わらないが、１
／４波長板１によって位相がπ／２進むために、（ｅ−
３）に示すように左側の位相は０、右側の位相はπとな
る。偏光状態は左側が右回りに回転した直線偏光、右側
が左回りに回転した直線偏光となる。

【００３４】（Ｄ）の上向き磁化と下向き磁化のエッジ
を再生する場合は、記録媒体を反射された位置、ファー
フィールド面の１／４波長板１に入射する前では、いず
れも振幅分布、位相分布、偏光分布は（Ｃ）の場合とは
左右が逆となる。ファーフィールド面の１／４波長板１
を通過したところでも、Ｐ偏光、Ｓ偏光の振幅分布は
（Ｃ）の場合に比べて左右が逆となり、Ｓ偏光の位相分
布も（ｅ−３）に示すように（Ｃ）とは逆に左側の位相
はπ、右側の位相は０となる。偏光状態も（Ｃ）とは逆
に左側が左回りに回転した直線偏光、右側が右回りに回
転した直線偏光となる。

【００３５】図２（ｆ）は上記（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞ
れについて集光レンズ１１２の収束面での光束の分布を
示した図である。まず、（Ａ）の下向き磁化を再生する
場合は、図２（ｅ）に示した状態と変わらず、Ｐ偏光、
Ｓ偏光の振幅分布は（ｆ−１），（ｆ−２）に示すよう
に左右対称、Ｓ偏光の位相は（ｆ−３）に示すようにπ
／２のままである。偏光状態も変わらず、（ｆ−４），
（ｆ−５）に示すように左右とも左回りの楕円偏光のま
まである。（Ｂ）の上向き磁化を再生する場合において
も、図２（ｅ）の状態と変わらず、Ｐ偏光、Ｓ偏光の振
幅分布は左右対称、Ｓ偏光の位相は３π／２、偏光状態
は左右とも右回りの楕円偏光である。

【００３６】（Ｃ）の再生位置では、Ｐ偏光の振幅分布
は左右対称、Ｓ偏光の振幅分布は２つに分かれたままで
あるが、Ｓ偏光の位相は左側がπ／２、右側が３π／２
に変化する。また、偏光状態は左側が右回りの楕円偏光
に、右側が左回りの楕円偏光に変化する。更に、（Ｄ）
の再生位置では、（Ｃ）とは左右逆となり、Ｐ偏光の振
幅分布は左右対称、Ｓ偏光の振幅分布は２つに分かれた
ままであるが、Ｓ偏光の位相は左側が３π／２、右側が
π／２となる。偏光状態も左側が右回りの楕円偏光、右
側が左回りの楕円偏光に変化する。

【００３７】図１の実施例では、記録媒体から反射され
た光束が１／２波長板１１１及び検光子としての偏光ビ
ームスプリッタ１１３を通過することで、図１４で説明
したように２つの直線偏光Ｒ₊とＲ_-の違いを光量差と
して検出することができる。ところが、右回りと左回り
の２つの楕円偏光の違いは検出できない。つまり、情報
ピットの位置を示すピット位置信号を検出するために
は、１／４波長板１がない場合の図１５（ｃ）に示した
ファーフィールド面、あるいは図１５（ｄ）に示した集
光レンズ１１２の収束面に光検出器を配置しなければな
らない。一方、ピットエッジを検出するためには、１／
４波長板１がない場合の図１５（ｄ）に示した集光レン
ズの収束面、あるいは１／４波長板１がある場合の図２
（ｅ）に示したファーフィールド面でなければならな
い。また、ピット位置信号とピットエッジ信号の両方を
得るためには、図１６に示したように集光レンズ１１２
の収束位置に多分割光検出器を配置すればよい。更に、
ピットエッジ信号のみ得ればよい場合は、前述のように
１／４波長板１を通過後のファーフィールド面に多分割
光検出器を配置すればよい。

【００３８】本実施例では、こうした考え方の基に２分
割光検出器２及び３を１／４波長板１の通過後のファー
フィールド面に配置したものである。即ち、このファー
フィールド面が集光レンズ１１２の収束位置よりも前方
にあるために、その分２分割光検出器２及び３を偏光ビ
ームスプリッタ１３側へ近づけて配置することを可能と
し、再生光学系を小型化しようというものである。２分
割光検出器２及び３は前述の如くそれぞれトラック直交
方向に分割され、偏光ビームスプリッタ１１３で分離さ
れた光が各々の２分割光検出器２，３で検出される。こ
の２分割光検出器２及び３の位置で得られる光の分布は
図２（ｅ）に示した分布であり、図２の（Ｃ），（Ｄ）
の場合のピットのエッジ位置では偏光状態が左右に向き
の異なる直線偏光となるために、２つの直線偏光Ｒ₊、
Ｒ_-の違いを光量差として検出することができる。即
ち、２分割光検出器２及び３の各検出片２ａと２ｂ及び
３ａと３ｂの検出信号をそれぞれ差動アンプ４及び５で
差動検出し、得られた差動検出信号を更に差動アンプ６
で差動検出することで、図１８に示したように情報ピッ
トのエッジで正または負方向にピークをもつピットエッ
ジ検出信号を得ることができる。

【００３９】このように本実施例では、記録媒体からの
反射光路に複屈折を有する１／４波長板を設けたことに
より、１／４波長板を通過後のファーフィールド面にお
いて２分割光検出器によるピットエッジの検出を行うこ
とができる。従って、従来の検出位置である集光レンズ
の収束面に比べてファーフィールド面はそれよりも前方
にあるために、再生光学系における２分割光検出器まで
の光路長を短くすることが可能となり、再生光学系を小
型化することができる。なお、以上の説明では光学系の
各素子で生じるＰ偏光とＳ偏光の光学系固有の位相差や
記録媒体固有の位相差については無視したが、これらの
固有の位相差は１／４波長板１の厚みを位相差に応じて
変えることにより補正することができる。

【００４０】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。図３は本発明の第２実施例を示した構成図で、１は
１／４波長板、１１１は１／２波長板、１１２は集光レ
ンズである。これらはいずれも図１の実施例のものと同
じである。１／２波長板１１１としては、透過光束に対
して図１４に示した検光子の方向が４５度以上になるよ
うにＳ偏光方向に傾けて配置するのがよい。８は検光子
としての偏光ビームスプリッタ、９はトラック直交方向
に２つに分割された２分割光検出器、１０は差動アンプ
である。偏光ビームスプリッタ８を透過した光は２分割
光検出器９で検出され、その各検出片の検出信号を差動
検出することで、ピットエッジ検出信号が生成される。

【００４１】１１７はハーフプリズム、１１８及び１２
０は２分割光検出器、１１９はナイフエッジ、１２及び
１４は差動アンプである。２分割光検出器１１８はトラ
ック方向に分割され、２分割光検出器１２０はトラック
直交方向に分割されている。偏光ビームスプリッタ８を
反射された光はハーフプリズム１１７で２つに分割さ
れ、一方はナイフエッジ１１９を介して２分割光検出器
１２０で検出される。そして、２分割光検出器１２０の
各検出片の検出信号は差動アンプ１４で差動検出され、
いわゆるナイフエッジ法によるオートフォーカシング制
御のためのフォーカシングエラー信号が生成される。ま
た、ハーフプリズム１１７で分割されたもう一方の光は
２分割光検出器１１８で検出され、その検出片の検出信
号を差動アンプ１２で差動検出することで、プッシュプ
ル法によるオートトラッキング制御のためのトラッキン
グエラー信号が生成される。

【００４２】本実施例では、２分割光検出器９は図１の
実施例と同様に集光レンズ１１２の収束位置よりも前方
に配置され、この２分割光検出器９の２つの検出片の検
出信号を差動アンプ１０で差動検出することにより、ピ
ットエッジ検出信号が生成される。この場合、偏光ビー
ムスプリッタ８を透過した一方の光束のみを用いてピッ
トエッジを検出しているのであるが、２分割光検出器９
により２つの検出片の検出信号を差動検出しているため
に、ノイズが低減された再生信号を得ることができる。
また、偏光ビームスプリッタ８で反射された他方側の光
束を用いてフォーカシングエラー信号及びトラッキング
エラー信号を生成するために、光学系全体を従来に比べ
て大幅に簡単化及び小型化することができる。

【００４３】図４は本発明の第３実施例を示した構成図
である。この実施例は図３に示したハーフプリズム１１
７をなくすことで、更に光学系の小型化を図るようにし
たものである。図４において、１６は検出面がａ〜ｄの
４つの検出片に分割された４分割光検出器である。偏光
ビームスプリッタ８を透過した光束は４分割光検出器１
６で検出され、得られた検出信号に基づいてピットエッ
ジ検出信号及びトラッキングエラー信号が生成される。
即ち、４分割光検出器１６のトラック方向に隣接する検
出片ａ及びｂと検出片ｃ及びｄの検出信号は加算アンプ
１７，１８でそれぞれ加算され、得られた加算信号を差
動アンプ１９で差動検出することでピットエッジ検出信
号が生成される。また、４分割光検出器１６のトラック
直交方向に隣接する検出片ａ及びｃと検出片ｂ及びｄの
検出信号は加算アンプ２１，２２でそれぞれ加算され、
得られた加算信号を差動アンプ２３で差動検出すること
でトラッキングエラー信号が生成される。ここで得られ
たピットエッジ検出信号はハイパスフィルタ（図示せ
ず）を介して、トラッキングエラー信号はローパスフィ
ルタ（図示せず）を介してそれぞれ出力され、４分割光
検出器１６上での光の漏れ込みによる影響を軽減するよ
うになっている。偏光ビームスプリッタ８で反射された
光束は、直接ナイフエッジ１１９を介して２分割光検出
器１２０で検出され、図３の実施例と同様に差動アンプ
１４で２分割光検出器１２０の検出片の信号を差動検出
することでフォーカシングエラー信号が生成される。本
実施例では、４分割光検出器を用いてピットエッジ検出
信号とトラッキングエラー信号を検出することにより、
ハーフプリズムが不要となり、光学系を更に小型化する
ことができる。

【００４４】図５は本発明の第４実施例を示した構成図
である。この実施例は図３の実施例に設けられた１／４
波長板１を削除し、その代わりに２分割光検出器９を集
光レンズ１１２の収束位置に配置した例である。動作は
図３の実施例と同じであるので、説明は省略する。

【００４５】図６は本発明の第５実施例を示した構成図
である。この実施例は図４の実施例の１／４波長板１を
削除し、その代わりに４分割光検出器１６を集光レンズ
１１２の収束位置に配置したものである。動作は図４の
実施例と同じである。以上の第４、第５実施例において
は、２分割光検出器９や４分割光検出器１６を集光レン
ズ１１２の収束面に配置してはいるが、偏光ビームスプ
リッタ８で分離された一方の光束を用いてピットエッジ
を検出し、他方の光束を用いてフォーカシングエラー信
号及びトラッキングエラー信号を検出する構成であるた
めに、第２、第３の実施例と同様に光学系を簡単化及び
小型化することができる。

【００４６】図７は本発明の第６実施例を示した構成図
である。この実施例は、制御光学系の検出方式としてプ
ッシュプル方式と非点収差方式を組み合わせた例であ
る。なお、ここでも１／４波長板１は使用されていな
い。図７において、２５は非点収差を与えるためのシリ
ンドリカルレンズ、２６は検出面が４つの検出片ｅ〜ｈ
に分割された４分割光検出器である。シリンドリカルレ
ンズ２５はその母線がトラック方向に対して４５度の傾
きとなるように配置され、４分割光検出器２６は最小散
乱円となる位置に配置されている。偏光ビームスプリッ
タ８で反射された光はシリンドリカルレンズ２５を介し
て４分割光検出器２６に入射し、それぞれの検出片ｅ〜
ｈで検出される。対角位置同志の検出片ｅとｈ及び検出
片ｆとｇの検出信号はそれぞれ加算アンプ２７，２８で
加算され、得られた加算信号を差動アンプ２９で差動検
出することでフォーカシングエラー信号が生成される。
また、トラック方向に隣接する同志の検出片ｅとｆ及び
検出片ｇとｈの検出信号はそれぞれ加算アンプ３１，３
２で加算され、得られた加算信号を差動アンプ３３で差
動検出することでトラッキングエラー信号が生成され
る。一方、偏光ビームスプリッタ８を透過した光は、図
５の実施例と同様に集光レンズ１１２の収束位置に配置
された２分割光検出器９で検出され、更にその検出信号
を差動アンプ１０で差動検出することでピットエッジ検
出信号が生成される。

【００４７】図８は本発明の第７実施例を示した構成図
である。この実施例は図７の実施例を更に改良してピッ
トエッジ検出信号の品質を高めるようにしたものであ
る。即ち、４分割光検出器２６上の光の分布は図１５
（ｄ）に示したように集光レンズ１１２の収束面での分
布となり、他方の２分割光検出器９も集光レンズ１１２
の収束面に配置されているため、同様の分布となる。そ
こで、偏光ビームスプリッタ８で分離された両方の光束
により得られたピットエッジ検出信号を差動検出するこ
とにより、ピットエッジ検出信号の品質を高めるもので
ある。具体的に説明すると、まず４分割光検出器２６の
トラック直交方向に隣接する同志の検出片ｅとｇ及び検
出片ｆとｈの検出信号は加算アンプ３５，３６でそれぞ
れで加算される。この加算信号は差動アンプ３７で差動
検出された後、差動アンプ３７により更に他方の差動ア
ンプ１０のピットエッジ検出信号と差動検出され、ピッ
トエッジ検出信号が生成される。ここで得られるピット
エッジ検出信号の品質は、図１の実施例のピットエッジ
検出信号と同等である。なお、この実施例では偏光ビー
ムスプリッタ８の方向がＰ偏光方向に対して±４５度と
なるように、１／２波長板１１１が配置されている。ま
た、その他の構成は図７の実施例と同じで、差動アンプ
２９からフォーカシングエラー信号が、差動アンプ３３
からトラッキングエラー信号がそれぞれ出力される。

【００４８】図９は本発明の第８実施例を示した構成図
である。この実施例は１つの４分割光検出器の検出信号
をもとにピットエッジ検出信号とフォーカシングエラー
信号及びトラッキングエラー信号を生成して更に光学系
の小型化を図るものである。図９において、４１は非点
収差を有する集光レンズ、４２は検光子、１６は検出面
が４つの検出片ａ〜ｄに分割された４分割光検出器であ
る。４分割光検出器１６は最小散乱円となる位置に配置
されており、その検出面における光の分布は図１５
（ｄ）に示したような分布となる。４分割光検出器１６
の対角位置同志の検出片ａとｄ及び検出片ｃとｂの検出
信号は加算アンプ４３，４４でそれぞれ加算される。そ
して、得られた加算信号を差動アンプ４５で差動検出す
ることで、非点収差法によるフォーカシングエラー信号
が生成される。また、ピットエッジ検出信号とトラッキ
ングエラー信号については図６の実施例と同じで、４分
割光検出器１６の検出信号をもとに信号処理を行うこと
により、差動アンプ１９，２３からそれぞれピットエッ
ジ検出信号、トラッキングエラー信号が出力される。

【００４９】図１０は本発明の第９実施例を示した構成
図である。この実施例は図９の実施例に使用された検光
子４２をファラデー素子と偏光ビームスプリッタの組み
合わせに置き換えた例である。図１０において、４７は
光が通るごとにその偏光方向が決められた角度回転する
ように構成されたファラデー素子である。４８は偏光ビ
ームスプリッタであり、その特性は例えばＰ偏光に対し
ては６０％透過、４０％反射、またＳ偏光に対しては０
％透過、１００％反射である。従って、以上のファラデ
ー素子４７と偏光ビームスプリッタ４８を組み合わせる
ことにより、検光子４２と同様に機能し、偏光ビームス
プリッタ４８で反射された光束は非点収差を有する集光
レンズ４１を介して４分割光検出器１６に入射する。そ
の他の構成は図９の実施例と同じで、４分割光検出器１
６の検出信号をもとに所定の信号処理を行うことによ
り、差動アンプ４５，１９，２３からそれぞれフォーカ
シングエラー信号、ピットエッジ検出信号、トラッキン
グエラー信号が出力される。

【００５０】以上の実施例は光学系として無限系のもの
であったが、以下の実施例では有限系の例について説明
する。図１１は本発明の第１０実施例を示した構成図
で、図９の実施例を有限系の例として示したものであ
る。ここでは、非点収差を与えるための集光レンズ４１
の代わりにシリンドリカルレンズ２５が設けられてい
る。また、４２は検光子、１６は４分割光検出器であ
る。４分割光検出器１６の検出信号は図９の実施例と同
様に加算アンプや差動アンプで処理され、差動アンプ４
５，１９，２３からそれぞれフォーカシングエラー信
号、ピットエッジ検出信号及びトラッキングエラー信号
が出力される。

【００５１】図１２は本発明の第１１実施例を示した構
成図で、図１０の実施例を有限系の例として示したもの
である。この実施例においても、集光レンズ４１の代わ
りにシリンドリカルレンズ２５が設けられ、またファラ
デー素子４７と偏光ビームスプリッタ４８の組み合わせ
によって検光子４２の代わりを担うように構成されてい
る。４分割光検出器１６の検出信号は図１０の実施例と
同様に処理され、フォーカシングエラー信号、ピットエ
ッジ検出信号、トラッキングエラー信号が出力される。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、光磁気記
録媒体からの反射光路に複屈折を有する位相板を設けた
ことにより、多分割光検出器を位相板を通過後のファー
フィールド面に配置することができる。従って、多分割
光検出器までの光路長を短くできるために、光学系を小
型化することができる。また、検光子を通過した光束を
１つの多分割光検出器で検出し、得られた検出信号をも
とに情報ピットのエッジを検出することにより、光学系
の素子の数を低減でき、光学系を小型化できるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気情報再生装置の一実施例を示し
た構成図である。

【図２】図１の実施例において記録媒体に直線偏光を入
射した場合に、１／４波長板を通過した後のファーフィ
ールド面及び集光レンズの収束面で、それぞれ反射光束
の振幅分布、位相分布、偏光分布を示した図である。

【図３】本発明の第２実施例を示した構成図である。

【図４】本発明の第３実施例を示した構成図である。

【図５】本発明の第４実施例を示した構成図である。

【図６】本発明の第５実施例を示した構成図である。

【図７】本発明の第６実施例を示した構成図である。

【図８】本発明の第７実施例を示した構成図である。

【図９】本発明の第８実施例を示した構成図である。

【図１０】本発明の第９実施例を示した構成図である。

【図１１】本発明の第１０実施例を示した構成図であ
る。

【図１２】本発明の第１１実施例を示した構成図であ
る。

【図１３】従来例の光磁気記録再生装置の光学系を示し
た構成図である。

【図１４】光磁気記録における情報再生の原理を説明す
るための図である。

【図１５】従来の光学系において光磁気記録媒体に直線
偏光を入射した場合に、記録媒体を反射された位置、フ
ァーフィールド面、集光レンズの収束面で、それぞれ反
射光束の振幅分布、位相分布、偏光分布を示した図であ
る。

【図１６】他の従来例の光ヘッドの再生光学系を示した
図である。

【図１７】図１６の再生光学系の情報再生原理を説明す
るための図である。

【図１８】図１６の再生光学系で再生されるピット列と
そのピットエッジ検出信号を示した図である。

【符号の説明】

１１／４波長板２，３２分割光検出器４〜６差動アンプ８偏光ビームスプリッタ９２分割光検出器１６，２６４分割光検出器２５シリンドリカルレンズ４１集光レンズ４２検光子１０１半導体レーザ１０６情報記録媒体１１１１／２波長板１１２集光レンズ１１３偏光ビームスプリッタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者星宏明東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光磁気記録媒体に光ビームを照射し、そ
の反射光をもとに記録情報を再生する光磁気情報再生装
置において、前記記録媒体からの反射光路に光を収束す
るためのレンズ、複屈折を有する位相板及び検光子を設
け、この検光子の前面の前記位相板を通過後のファーフ
ィールド面には多分割光検出器を配置し、前記検光子を
通過した光の光量分布の変化を検出することにより、前
記記録媒体に記録された情報ピットのエッジを検出する
ことを特徴とする光磁気情報再生装置。
【請求項２】前記位相板は進相軸または遅相軸が入射
直線偏光の方向と略一致するように構成された１／４波
長板であることを特徴とする請求項１の光磁気情報再生
装置。
【請求項３】前記検光子は光束を偏光方向に応じて分
離するための偏光ビームスプリッタであって、この偏光
ビームスプリッタで分離された２つの光束をそれぞれ前
記ファーフィールド面に配置された多分割光検出器で検
出し、両方の検出信号に基づいて情報ピットのエッジを
検出することを特徴とする請求項１の光磁気情報再生装
置。
【請求項４】前記検光子は光束を偏光方向に応じて分
離するための偏光ビームスプリッタであって、この偏光
ビームスプリッタで分離されたいずれか一方の光束を前
記ファーフィールド面に配置された多分割光検出器で検
出し、得られた検出信号をもとに情報ピットのエッジを
検出することを特徴とする請求項１の光磁気情報再生装
置。
【請求項５】前記検光子は光束を偏光方向に応じて分
離するための偏光ビームスプリッタであって、この偏光
ビームスプリッタで分離された両方の光束をそれぞれ多
分割光検出器で検出し、得られた検出信号をもとに情報
ピットのエッジ及びフォーカシング制御、トラッキング
制御のためのサーボエラー信号を検出することを特徴と
する請求項１の光磁気情報再生装置。
【請求項６】光磁気記録媒体に光ビームを照射し、そ
の反射光をもとに記録情報を再生する光磁気情報再生装
置において、前記記録媒体からの反射光路に光を収束す
るためのレンズ及び検光子を設け、この検光子の前面の
前記レンズの収束位置には１つの多分割光検出器を配置
し、前記検光子を通過した光の光量分布の変化を検出す
ることにより、前記記録媒体に記録された情報ピットの
エッジを検出することを特徴とする光磁気情報再生装
置。
【請求項７】前記検光子は光束を偏光方向に応じて分
離するための偏光ビームスプリッタであって、この偏光
ビームスプリッタで分離された両方の光束をそれぞれ多
分割光検出器で検出し、得られた検出信号をもとに情報
ピットのエッジ及びフォーカシング制御、トラッキング
制御のためのサーボエラー信号を検出することを特徴と
する請求項６の光磁気情報再生装置。