JPH0689423A - 面内磁気記憶媒体およびその製造方法 - Google Patents
面内磁気記憶媒体およびその製造方法Info
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- JPH0689423A JPH0689423A JP4240585A JP24058592A JPH0689423A JP H0689423 A JPH0689423 A JP H0689423A JP 4240585 A JP4240585 A JP 4240585A JP 24058592 A JP24058592 A JP 24058592A JP H0689423 A JPH0689423 A JP H0689423A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーバライト特性が良好でありかつ媒体雑音
も小さい面内磁気記憶媒体を得ることにある。 【構成】 記録方向の保磁力をＨc（Ｃ） 、媒体面内に
おいて記録方向に直交する方向の保磁力をＨc（Ｒ）お
よび厚み方向における保磁力をＨc（Ｐ） とし、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって得られるＣＲＰ値を指標にしてオーバーライト
特性および媒体雑音を決定している。 【効果】 良好なオーバライト特性をもち、媒体雑音が
小さい面内磁気記憶媒体を確実にかつ容易に得られる。
も小さい面内磁気記憶媒体を得ることにある。 【構成】 記録方向の保磁力をＨc（Ｃ） 、媒体面内に
おいて記録方向に直交する方向の保磁力をＨc（Ｒ）お
よび厚み方向における保磁力をＨc（Ｐ） とし、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって得られるＣＲＰ値を指標にしてオーバーライト
特性および媒体雑音を決定している。 【効果】 良好なオーバライト特性をもち、媒体雑音が
小さい面内磁気記憶媒体を確実にかつ容易に得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、面内磁気記憶媒体に
かかわり、さらに詳しくは、磁気ヘッドを移動しかつデ
ィスクを移動させる形式の磁気ディスク記憶装置におい
て好適な面内磁気記憶媒体に関している。
かかわり、さらに詳しくは、磁気ヘッドを移動しかつデ
ィスクを移動させる形式の磁気ディスク記憶装置におい
て好適な面内磁気記憶媒体に関している。
【０００２】
【従来の技術】従来、面内磁気記憶媒体の磁気特性は、
たとえば電子通信学会磁気記録研究会資料ＭＲ６７−１
８（１９６７年）の第１頁ないし第１６頁において論じ
られているように、記憶媒体の厚みｔm 、磁気ヘッド走
行方向の保磁力Ｈc 、飽和残留磁化Ｍr および角形比Ｓ
q（Ｓq＝Ｍr／Ｍs、Ｍs は飽和磁化である）によって規
定されてきている。
たとえば電子通信学会磁気記録研究会資料ＭＲ６７−１
８（１９６７年）の第１頁ないし第１６頁において論じ
られているように、記憶媒体の厚みｔm 、磁気ヘッド走
行方向の保磁力Ｈc 、飽和残留磁化Ｍr および角形比Ｓ
q（Ｓq＝Ｍr／Ｍs、Ｍs は飽和磁化である）によって規
定されてきている。
【０００３】また、アイイーイーイー・トランザクショ
ン・オン・マグネティクス、ＭＡＧ−２０、ＮＯ．１、
１９８４年１月（IEEE Transaction on Magnetics, MAG
-20,NO.1, JANUARY 1984） の第８１頁ないし第８３頁
では、保磁力における磁化曲線の傾きをあらわす指標Ｓ
＊、残留磁化曲線中の残留保磁力における磁化曲線の傾
きをあらわす指標Ｓ’、微分磁化曲線の半値幅ｈc を保
磁力で規格化した値Δｈc 、あるいは、微分残留磁化曲
線の半値幅ｈr を残留保磁力で規格化した値Δｈr など
の指標が提案されている。これらの特性指標の定義は図
１に示すとおりである。図１において、Ｍは磁化の大き
さ、Ｈは印加磁界、Ｈr はレマネンス保磁力、Ｈs は主
磁化曲線において印加磁界が増大したときの磁化と印加
磁界が減少したときの磁化が一致しはじめるあるいは分
離しはじめる印加磁界の大きさをあらわしている。
ン・オン・マグネティクス、ＭＡＧ−２０、ＮＯ．１、
１９８４年１月（IEEE Transaction on Magnetics, MAG
-20,NO.1, JANUARY 1984） の第８１頁ないし第８３頁
では、保磁力における磁化曲線の傾きをあらわす指標Ｓ
＊、残留磁化曲線中の残留保磁力における磁化曲線の傾
きをあらわす指標Ｓ’、微分磁化曲線の半値幅ｈc を保
磁力で規格化した値Δｈc 、あるいは、微分残留磁化曲
線の半値幅ｈr を残留保磁力で規格化した値Δｈr など
の指標が提案されている。これらの特性指標の定義は図
１に示すとおりである。図１において、Ｍは磁化の大き
さ、Ｈは印加磁界、Ｈr はレマネンス保磁力、Ｈs は主
磁化曲線において印加磁界が増大したときの磁化と印加
磁界が減少したときの磁化が一致しはじめるあるいは分
離しはじめる印加磁界の大きさをあらわしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来技術にお
ける記憶媒体の特性をあらわす指標は、しかしながら、
すべて記録方向のみに関しており、記録再生特性、とく
にオーバライト特性と媒体雑音との相関性がよい記憶媒
体特性を示す指標がわかっていないため、オーバライト
特性が良好であってかつ媒体雑音が小さい高記録密度記
憶媒体を得るための指針を明確にしていない。
ける記憶媒体の特性をあらわす指標は、しかしながら、
すべて記録方向のみに関しており、記録再生特性、とく
にオーバライト特性と媒体雑音との相関性がよい記憶媒
体特性を示す指標がわかっていないため、オーバライト
特性が良好であってかつ媒体雑音が小さい高記録密度記
憶媒体を得るための指針を明確にしていない。
【０００５】オーバライト特性は記憶媒体の磁化がスイ
ッチングしやすいほど良好になる。磁気ヘッド走行方向
の磁化のスイッチングしやすさは、前述のように、記録
方向の保磁力Ｈc（Ｃ） で示すことができるため、従
来、オーバライト特性と記録方向の保磁力Ｈc（Ｃ） と
の関係を調べているケースが多い。しかしながら、磁気
ヘッドをもちいて記録する際には、磁気ヘッドに書き込
み電流を流して、磁界を発生させ、この磁界によって記
憶媒体の磁化をスイッチングさせている。発生磁界は、
磁気ヘッド走行方向に平行な成分だけではなく、媒体面
内における磁気ヘッド走行方向に直角な方向および厚み
方向の成分も存在している。媒体特性を測定すときには
一様な印加磁界をもちいて記録方向の保磁力Ｈc（Ｃ）
を測定している。したがって、ヘッドで記録する際には
媒体の磁化のスイッチングが記録方向の保磁力Ｈc
（Ｃ）の値とかならずしも相関性がよくなるわけではな
い。この結果、記録方向の保磁力Ｈc（Ｃ） が同一の記
憶媒体であっても、オーバライト特性に差異が生じる。
ッチングしやすいほど良好になる。磁気ヘッド走行方向
の磁化のスイッチングしやすさは、前述のように、記録
方向の保磁力Ｈc（Ｃ） で示すことができるため、従
来、オーバライト特性と記録方向の保磁力Ｈc（Ｃ） と
の関係を調べているケースが多い。しかしながら、磁気
ヘッドをもちいて記録する際には、磁気ヘッドに書き込
み電流を流して、磁界を発生させ、この磁界によって記
憶媒体の磁化をスイッチングさせている。発生磁界は、
磁気ヘッド走行方向に平行な成分だけではなく、媒体面
内における磁気ヘッド走行方向に直角な方向および厚み
方向の成分も存在している。媒体特性を測定すときには
一様な印加磁界をもちいて記録方向の保磁力Ｈc（Ｃ）
を測定している。したがって、ヘッドで記録する際には
媒体の磁化のスイッチングが記録方向の保磁力Ｈc
（Ｃ）の値とかならずしも相関性がよくなるわけではな
い。この結果、記録方向の保磁力Ｈc（Ｃ） が同一の記
憶媒体であっても、オーバライト特性に差異が生じる。
【０００６】また、記憶媒体の磁化が磁気ヘッド走行方
向に平行な方向以外の成分をもっていれば、媒体雑音が
この影響でもって増加する。したがって、磁気ヘッド走
行方向だけでなく、磁気ヘッド走行方向に直角な方向お
よび厚み方向においても、記憶媒体における磁化のスイ
ッチングしやすさを考慮した記憶媒体の特性指標を見い
だす必要がある。従来、記憶媒体における磁化の配向を
あらわす指標として、記録方向の角形比Ｓq（Ｃ）、そ
れに、記録方向の角形比Ｓq（Ｃ）と記録方向に直交す
る方向の角形比Ｓq（Ｒ） との比を示すＯＲ、すなわち
ＯＲ＝Ｓq（Ｃ）／Ｓq（Ｒ）が知られている。が、これ
らは、いずれも厚み方向の成分を考慮しておらず、記憶
媒体における磁化のスイッチングしやすさを必ずしも示
しておらない。
向に平行な方向以外の成分をもっていれば、媒体雑音が
この影響でもって増加する。したがって、磁気ヘッド走
行方向だけでなく、磁気ヘッド走行方向に直角な方向お
よび厚み方向においても、記憶媒体における磁化のスイ
ッチングしやすさを考慮した記憶媒体の特性指標を見い
だす必要がある。従来、記憶媒体における磁化の配向を
あらわす指標として、記録方向の角形比Ｓq（Ｃ）、そ
れに、記録方向の角形比Ｓq（Ｃ）と記録方向に直交す
る方向の角形比Ｓq（Ｒ） との比を示すＯＲ、すなわち
ＯＲ＝Ｓq（Ｃ）／Ｓq（Ｒ）が知られている。が、これ
らは、いずれも厚み方向の成分を考慮しておらず、記憶
媒体における磁化のスイッチングしやすさを必ずしも示
しておらない。
【０００７】また、アイイーイーイー・トランザクショ
ン・オン・マグネティクスにおいて提示されている記憶
媒体の特性をあらわす指標も、オーバライト特性および
媒体雑音と記憶媒体特性との対応が十分よいとはいえ
ず、ときには全く対応がとれない。なお、他の記憶媒体
特性を表す指標として、主磁化曲線において、印加磁界
が増大したときの磁化と印加磁界が減少したときの磁化
が一致しはじめる、あるいは分離しはじめる印加磁界の
大きさＨs もあるが、これは前述の電子通信学会磁気記
録研究会資料ＭＲ６７−１８（１９６７年）第１頁〜第
１５頁に論じられているように記録起磁力との相関のみ
が検討されている。
ン・オン・マグネティクスにおいて提示されている記憶
媒体の特性をあらわす指標も、オーバライト特性および
媒体雑音と記憶媒体特性との対応が十分よいとはいえ
ず、ときには全く対応がとれない。なお、他の記憶媒体
特性を表す指標として、主磁化曲線において、印加磁界
が増大したときの磁化と印加磁界が減少したときの磁化
が一致しはじめる、あるいは分離しはじめる印加磁界の
大きさＨs もあるが、これは前述の電子通信学会磁気記
録研究会資料ＭＲ６７−１８（１９６７年）第１頁〜第
１５頁に論じられているように記録起磁力との相関のみ
が検討されている。
【０００８】本発明の目的は、オーバライト特性と媒体
雑音について相関性が良い記憶媒体特性を示す指標を見
い出して、この指標を最適化することによって、オーバ
ライト特性が良好でありかつ媒体雑音も小さい面内磁気
記憶媒体を確実にかつ容易に得られるようにすることに
ある。
雑音について相関性が良い記憶媒体特性を示す指標を見
い出して、この指標を最適化することによって、オーバ
ライト特性が良好でありかつ媒体雑音も小さい面内磁気
記憶媒体を確実にかつ容易に得られるようにすることに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録方向の保
磁力をＨc（Ｃ） 、媒体面内において記録方向に直交す
る方向の保磁力をＨc（Ｒ）および厚み方向の保磁力を
Ｈc（Ｐ） とし、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって得られるＣＲＰ値にもとづいて、面内磁気記憶
媒体のオーバライト特性および媒体雑音を決定している
ことを特徴としている。
磁力をＨc（Ｃ） 、媒体面内において記録方向に直交す
る方向の保磁力をＨc（Ｒ）および厚み方向の保磁力を
Ｈc（Ｐ） とし、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって得られるＣＲＰ値にもとづいて、面内磁気記憶
媒体のオーバライト特性および媒体雑音を決定している
ことを特徴としている。
【００１０】
【作用】ＣＲＰ値が減少するにしたがい、記録方向の保
磁力Ｈc（Ｃ） が同一であるにもかかわらず、オーバラ
イト特性が向上し、しかも、媒体雑音が減少した面内磁
気記憶媒体を得られる。したがって、記録方向の保磁力
Ｈc（Ｃ） 、媒体面内における記録方向に直交する方向
の保磁力Ｈc（Ｒ） および厚み方向の保磁力Ｈc（Ｐ）
を測定して、これらの値をもちいてＣＰＲ値を求め、こ
れを記憶媒体特性の指標とすることによって、良好なオ
ーバライト特性をもちかつ媒体雑音が小さい面内磁気記
憶媒体を得られる。これらの関係は記憶層が磁性粉を主
成分としている磁性塗料を支持体に塗布することによっ
て形成されている面内磁気記憶媒体にたいして、さらに
記憶層が磁性材を物理蒸着法によって支持体に形成され
ている面内磁気記憶媒体にたいして一般に成立する。
が、磁性粉を主成分とする磁性塗料を支持体に塗布する
ことによって記憶層を形成されている磁気記憶媒体では
ＣＲＰ値を０．５以下に、また、磁性材を支持体に物理
蒸着することによって記憶層を形成されていする面内磁
気記憶媒体ではＣＲＰ値に０．１以下にさせることによ
って、より好ましい結果を得られる。
磁力Ｈc（Ｃ） が同一であるにもかかわらず、オーバラ
イト特性が向上し、しかも、媒体雑音が減少した面内磁
気記憶媒体を得られる。したがって、記録方向の保磁力
Ｈc（Ｃ） 、媒体面内における記録方向に直交する方向
の保磁力Ｈc（Ｒ） および厚み方向の保磁力Ｈc（Ｐ）
を測定して、これらの値をもちいてＣＰＲ値を求め、こ
れを記憶媒体特性の指標とすることによって、良好なオ
ーバライト特性をもちかつ媒体雑音が小さい面内磁気記
憶媒体を得られる。これらの関係は記憶層が磁性粉を主
成分としている磁性塗料を支持体に塗布することによっ
て形成されている面内磁気記憶媒体にたいして、さらに
記憶層が磁性材を物理蒸着法によって支持体に形成され
ている面内磁気記憶媒体にたいして一般に成立する。
が、磁性粉を主成分とする磁性塗料を支持体に塗布する
ことによって記憶層を形成されている磁気記憶媒体では
ＣＲＰ値を０．５以下に、また、磁性材を支持体に物理
蒸着することによって記憶層を形成されていする面内磁
気記憶媒体ではＣＲＰ値に０．１以下にさせることによ
って、より好ましい結果を得られる。
【００１１】
【実施例】本発明の面内磁気記憶媒体およびその製造方
法の実施例は、以下に、図２〜図９を参照して説明す
る。
法の実施例は、以下に、図２〜図９を参照して説明す
る。
【００１２】面内磁気記憶媒体におけるオーバライト特
性は、下記式に示すように、最初に書き込まれた低周波
信号の基本波成分Ｅ1fi と、その上に高周波信号Ｅ2fで
もって重ね書きをおこなったときのＥ1fi の残留分Ｅ
1fr との比で定義される。
性は、下記式に示すように、最初に書き込まれた低周波
信号の基本波成分Ｅ1fi と、その上に高周波信号Ｅ2fで
もって重ね書きをおこなったときのＥ1fi の残留分Ｅ
1fr との比で定義される。
【００１３】ＯＷn'n ＝−２０ｌｏｇ（Ｅ1fr／Ｅ1fi） これによれば、ＯＷn'n の値が小さいほど、オーバライ
ト特性が良好となる。
ト特性が良好となる。
【００１４】本発明者たちは、面内磁気記憶媒体におけ
る記憶層の保磁力Ｈc について、記録方向の保磁力Ｈc
（Ｃ） だけでなく、媒体面内における記録方向に直交
する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） 、それに厚み方向の保磁力
Ｈc（Ｐ） を測定する実験を重ね、オーバライト特性と
媒体雑音との相関関係について検討した。
る記憶層の保磁力Ｈc について、記録方向の保磁力Ｈc
（Ｃ） だけでなく、媒体面内における記録方向に直交
する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） 、それに厚み方向の保磁力
Ｈc（Ｐ） を測定する実験を重ね、オーバライト特性と
媒体雑音との相関関係について検討した。
【００１５】検討は、まず、磁性粉を含む磁性塗料を基
板上に塗布することによって記憶層を形成した磁気記憶
媒体を準備し、記憶媒体にたいする磁気ヘッドの書き込
み電流値を測定することによっておこなった。準備され
た面内磁気記憶媒体は、六方晶系フェライ酸化物の粉末
を主成分とする磁性塗料を支持体に塗布することによっ
て記憶層を形成された面内磁気記憶媒体で、記憶層の厚
みおよび磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ） は同じ
であるが、記憶層にたいする磁場配向の仕方がそれぞれ
異なっている。測定された磁気ヘッドの書き込み電流値
はＯＷn'n の値が−２６ｄＢとなる値である。このＩw
（−２６ｄＢ） 値は同一のオーバライト特性を得るた
めに必要な磁気ヘッドの起磁力をあらわしており、オー
バライト特性はＩw（−２６ｄＢ） 値が小さくなるほど
良好になる。面内磁気記憶媒体の各々における、Ｉ
w（−２６ｄＢ） 値と磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc
（Ｃ） と媒体面内における磁気ヘッド走行方向に直交
する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） と厚み方向の保磁力Ｈ
c（Ｐ） とのあいだの関係を追及し、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 からＣＲＰ値を得て、各々の面内磁気記憶媒体のＣＲＰ
値とＩw（−２６ｄＢ）値との相関関係を追及したとこ
ろ、磁気ヘッドの走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ） が同一で
あっても、ＣＲＰ値が減少するにしたがって、Ｉw（−
２６ｄＢ） 値も減少する関係にあることを、つまり、
ＣＲＰ値が小さくなるほど、良好なオーバライト特性が
よくなることを確認した。つぎに、これらの面内磁気記
憶媒体におけるＣＲＰ値と媒体雑音との相関関係につい
ても追及したところ、ＣＲＰ値が小さくなるにしたがっ
て、媒体雑音Ｎd を孤立波再生出力の値Ｅ0 で除した規
格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0も減少することを確認した。
板上に塗布することによって記憶層を形成した磁気記憶
媒体を準備し、記憶媒体にたいする磁気ヘッドの書き込
み電流値を測定することによっておこなった。準備され
た面内磁気記憶媒体は、六方晶系フェライ酸化物の粉末
を主成分とする磁性塗料を支持体に塗布することによっ
て記憶層を形成された面内磁気記憶媒体で、記憶層の厚
みおよび磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ） は同じ
であるが、記憶層にたいする磁場配向の仕方がそれぞれ
異なっている。測定された磁気ヘッドの書き込み電流値
はＯＷn'n の値が−２６ｄＢとなる値である。このＩw
（−２６ｄＢ） 値は同一のオーバライト特性を得るた
めに必要な磁気ヘッドの起磁力をあらわしており、オー
バライト特性はＩw（−２６ｄＢ） 値が小さくなるほど
良好になる。面内磁気記憶媒体の各々における、Ｉ
w（−２６ｄＢ） 値と磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc
（Ｃ） と媒体面内における磁気ヘッド走行方向に直交
する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） と厚み方向の保磁力Ｈ
c（Ｐ） とのあいだの関係を追及し、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 からＣＲＰ値を得て、各々の面内磁気記憶媒体のＣＲＰ
値とＩw（−２６ｄＢ）値との相関関係を追及したとこ
ろ、磁気ヘッドの走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ） が同一で
あっても、ＣＲＰ値が減少するにしたがって、Ｉw（−
２６ｄＢ） 値も減少する関係にあることを、つまり、
ＣＲＰ値が小さくなるほど、良好なオーバライト特性が
よくなることを確認した。つぎに、これらの面内磁気記
憶媒体におけるＣＲＰ値と媒体雑音との相関関係につい
ても追及したところ、ＣＲＰ値が小さくなるにしたがっ
て、媒体雑音Ｎd を孤立波再生出力の値Ｅ0 で除した規
格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0も減少することを確認した。
【００１６】さらに、このような支持体上に磁性粉を塗
布することによって記憶媒体を形成された面内磁気記録
媒体だけでなく、磁性材を物理蒸着法によって支持体に
記憶層を形成した面内磁気記憶媒体、具体的には、Ｃｏ
系合金の薄膜からなる記憶層をもっているが、記憶層が
形成されている下地層の形成速度のみがそれぞれ異なっ
ているものを準備し、オーバライト特性とＣＲＰ値との
相関関係および媒体雑音とＣＲＰ値との相関関係につい
ても追及したところ、磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc
（Ｃ） が同一であるにもかかわらず、ＣＲＰ値が小さ
くなるにしたがって、Ｉw（−２６ｄＢ） 値および規格
化媒体雑音Ｎd／Ｅ0が減少している、いいかえればＣＲ
Ｐ値が小さいほど良好なオーバライト特性をもちかつ媒
体雑音が小さい面内磁気記憶媒体を得られることも確認
した。
布することによって記憶媒体を形成された面内磁気記録
媒体だけでなく、磁性材を物理蒸着法によって支持体に
記憶層を形成した面内磁気記憶媒体、具体的には、Ｃｏ
系合金の薄膜からなる記憶層をもっているが、記憶層が
形成されている下地層の形成速度のみがそれぞれ異なっ
ているものを準備し、オーバライト特性とＣＲＰ値との
相関関係および媒体雑音とＣＲＰ値との相関関係につい
ても追及したところ、磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc
（Ｃ） が同一であるにもかかわらず、ＣＲＰ値が小さ
くなるにしたがって、Ｉw（−２６ｄＢ） 値および規格
化媒体雑音Ｎd／Ｅ0が減少している、いいかえればＣＲ
Ｐ値が小さいほど良好なオーバライト特性をもちかつ媒
体雑音が小さい面内磁気記憶媒体を得られることも確認
した。
【００１７】さらにまた、好ましいＣＲＰ値についても
追及したところ、磁性塗料を塗布することによって記憶
層を形成された面内磁気記憶媒体ではＣＲＰ≦０．５、
記憶層を物理蒸着法によって形成された面内磁気記憶媒
体ではＣＲＰ≦０．１であることを確認した。
追及したところ、磁性塗料を塗布することによって記憶
層を形成された面内磁気記憶媒体ではＣＲＰ≦０．５、
記憶層を物理蒸着法によって形成された面内磁気記憶媒
体ではＣＲＰ≦０．１であることを確認した。
【００１８】この種の記憶媒体では、厚み方向の保磁力
Ｈc（Ｐ） が磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ） お
よび媒体面内における磁気ヘッド走行方向に直交する方
向の保磁力Ｈc（Ｒ） よりも小さく、しかも磁気ヘッド
走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ）が媒体面内における磁気ヘ
ッド走行方向に直交する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） よりも
大きいことが必要である。そこで、磁気ヘッド走行方向
の保磁力Ｈc（Ｃ） と媒体面内における磁気ヘッド走行
方向に直交する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） と厚み方向の保
磁力Ｈc（Ｐ） とのあいだには、 Ｈc（Ｐ）≦Ｈc（Ｒ）≦Ｈc（Ｃ） の関係が成立する。Ｈc（Ｒ）／Ｈc（Ｃ）≦１、Ｈ
c（Ｐ）／Ｈc（Ｃ）≦１であるから、ＣＲＰは ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2
≦１ であることが好ましいことになる。しかしながら、テス
ト結果によれば、磁性塗料を塗布することによって記憶
層を形成された面内磁気記憶媒体の場合、ＣＲＰが０．
５以下になると、また、記憶層を物理蒸着法によって形
成された面内磁気記憶媒体の場合、ＣＲＰが０．１以下
になると、オーバライト特性の向上および媒体雑音の減
少が顕著になっており、ＣＲＰ値に着目して従来の面内
磁気記憶媒体のＣＲＰ値を調べてみると、記憶層を磁性
塗料を塗布することによって形成された面内磁気記憶媒
体におけるＣＲＰ値は０．８前後、記憶層を物理蒸着に
よって形成されてた面内磁気記憶媒体におけるそれは
０．３前後のものが多いところからも、磁性塗料を塗布
することによって記憶層が形成されている面内磁気記憶
媒体場合にＣＲＰ≦０．５、記憶層が物理蒸着法によっ
て形成されている面内磁気記憶媒体の場合にＣＲＰ≦
０．１が好ましい値であることをあきらかである。この
関係は記録層の厚みが薄いほど効果的である。とくに記
録層厚みが３０ｎｍ以下においてより効果的である。
が、１０ｎｍ未満の厚みでは磁気特性にばらつきが生じ
やすくなる。
Ｈc（Ｐ） が磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ） お
よび媒体面内における磁気ヘッド走行方向に直交する方
向の保磁力Ｈc（Ｒ） よりも小さく、しかも磁気ヘッド
走行方向の保磁力Ｈc（Ｃ）が媒体面内における磁気ヘ
ッド走行方向に直交する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） よりも
大きいことが必要である。そこで、磁気ヘッド走行方向
の保磁力Ｈc（Ｃ） と媒体面内における磁気ヘッド走行
方向に直交する方向の保磁力Ｈc（Ｒ） と厚み方向の保
磁力Ｈc（Ｐ） とのあいだには、 Ｈc（Ｐ）≦Ｈc（Ｒ）≦Ｈc（Ｃ） の関係が成立する。Ｈc（Ｒ）／Ｈc（Ｃ）≦１、Ｈ
c（Ｐ）／Ｈc（Ｃ）≦１であるから、ＣＲＰは ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2
≦１ であることが好ましいことになる。しかしながら、テス
ト結果によれば、磁性塗料を塗布することによって記憶
層を形成された面内磁気記憶媒体の場合、ＣＲＰが０．
５以下になると、また、記憶層を物理蒸着法によって形
成された面内磁気記憶媒体の場合、ＣＲＰが０．１以下
になると、オーバライト特性の向上および媒体雑音の減
少が顕著になっており、ＣＲＰ値に着目して従来の面内
磁気記憶媒体のＣＲＰ値を調べてみると、記憶層を磁性
塗料を塗布することによって形成された面内磁気記憶媒
体におけるＣＲＰ値は０．８前後、記憶層を物理蒸着に
よって形成されてた面内磁気記憶媒体におけるそれは
０．３前後のものが多いところからも、磁性塗料を塗布
することによって記憶層が形成されている面内磁気記憶
媒体場合にＣＲＰ≦０．５、記憶層が物理蒸着法によっ
て形成されている面内磁気記憶媒体の場合にＣＲＰ≦
０．１が好ましい値であることをあきらかである。この
関係は記録層の厚みが薄いほど効果的である。とくに記
録層厚みが３０ｎｍ以下においてより効果的である。
が、１０ｎｍ未満の厚みでは磁気特性にばらつきが生じ
やすくなる。
【００１９】図２は本発明の面内磁気記憶媒体におけ
る、磁性塗料を基板に塗布することによって記憶層を形
成した磁気ディスク記憶装置にたいするディスク形記憶
媒体の一例を示している。
る、磁性塗料を基板に塗布することによって記憶層を形
成した磁気ディスク記憶装置にたいするディスク形記憶
媒体の一例を示している。
【００２０】このディスク形磁気記憶媒体は、基板１０
の片面に下地層１１、記憶層１２および潤滑層１３を、
反対面に下地層１１’、記憶層１２’および潤滑層１
３’をそれぞれ順次に形成されている。基板２１は強化
ガラス、セラミックス、Ｎｉ-Ｐメッキを施したＡｌ合
金、合成樹脂、グラッシーカーボン、Ｔｉ合金などの非
磁性材料からなっている。記憶層１２、１２’は磁性
粉、バインダ、添加剤などからなる磁性塗料を下地層に
塗布することによって形成されている。磁性粉はγ−Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、バリウムフェ
ライトなどの六方晶系フェライト酸化物、Ｆｅ3Ｏ4など
である。バインダは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂ある
いはこれらの混合物などで、たとえば、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、ポ
リエステル樹脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂、セルロ
ース誘導体、アクリル酸あるいはメタクリル酸の重合体
もしくはこれらの共重合体、あるいはナイロン樹脂、ア
ルキッド樹脂、尿素樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、
もしくはこれらの樹脂の混合物である。が、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂の混合物はとくにこの
種のバインダとしてすぐれている。添加剤は、各種の界
面活性剤やカップリング剤などの磁性粉の分散剤、塗膜
のレベリング剤、アルミナ粒子などの補強材、架橋剤、
その他の改質剤などである。潤滑層１３、１３’はパー
フロオロポリエーテル系潤滑剤あるいは高級脂肪酸エス
テルからなっている。
の片面に下地層１１、記憶層１２および潤滑層１３を、
反対面に下地層１１’、記憶層１２’および潤滑層１
３’をそれぞれ順次に形成されている。基板２１は強化
ガラス、セラミックス、Ｎｉ-Ｐメッキを施したＡｌ合
金、合成樹脂、グラッシーカーボン、Ｔｉ合金などの非
磁性材料からなっている。記憶層１２、１２’は磁性
粉、バインダ、添加剤などからなる磁性塗料を下地層に
塗布することによって形成されている。磁性粉はγ−Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ｃｏ−γ−Ｆｅ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、バリウムフェ
ライトなどの六方晶系フェライト酸化物、Ｆｅ3Ｏ4など
である。バインダは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂ある
いはこれらの混合物などで、たとえば、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、ポ
リエステル樹脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂、セルロ
ース誘導体、アクリル酸あるいはメタクリル酸の重合体
もしくはこれらの共重合体、あるいはナイロン樹脂、ア
ルキッド樹脂、尿素樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、
もしくはこれらの樹脂の混合物である。が、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ビニル樹脂の混合物はとくにこの
種のバインダとしてすぐれている。添加剤は、各種の界
面活性剤やカップリング剤などの磁性粉の分散剤、塗膜
のレベリング剤、アルミナ粒子などの補強材、架橋剤、
その他の改質剤などである。潤滑層１３、１３’はパー
フロオロポリエーテル系潤滑剤あるいは高級脂肪酸エス
テルからなっている。
【００２１】が、ここでは、磁性層はバリウムフェライ
ト粉末、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルブ
チラート（ＰＶＢ）樹脂などからなる磁性塗料によって
構成されている。製造は、まず、磁性塗料を準備するこ
とによってなされる。磁性塗料は、保磁力が９００（Ｏ
e） のバリウムフェライトからなる磁性粉が６０重量
部、バインダとしてエポキシ樹脂が１４重量部、フェノ
ール樹脂が１４重量部、ポリビニルブチラート（ＰＶ
Ｂ）樹脂が１２重量部、それに、溶剤としてシクロヘキ
サノンが４００重量部からなる組成物をボールミルによ
ってミリングすることによってつくられる。この磁性塗
料は、熱硬化後の磁性塗料膜の厚みが０．５μｍとなる
ように、直径５．２５インチ（約１３０ｍｍ）のアルミ
ニウムディスクに塗布する。塗布はディスクを回転させ
ながらスピンコーティングすることによっておこない、
スピンコーティングの際に磁場配向をおこなう。
ト粉末、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルブ
チラート（ＰＶＢ）樹脂などからなる磁性塗料によって
構成されている。製造は、まず、磁性塗料を準備するこ
とによってなされる。磁性塗料は、保磁力が９００（Ｏ
e） のバリウムフェライトからなる磁性粉が６０重量
部、バインダとしてエポキシ樹脂が１４重量部、フェノ
ール樹脂が１４重量部、ポリビニルブチラート（ＰＶ
Ｂ）樹脂が１２重量部、それに、溶剤としてシクロヘキ
サノンが４００重量部からなる組成物をボールミルによ
ってミリングすることによってつくられる。この磁性塗
料は、熱硬化後の磁性塗料膜の厚みが０．５μｍとなる
ように、直径５．２５インチ（約１３０ｍｍ）のアルミ
ニウムディスクに塗布する。塗布はディスクを回転させ
ながらスピンコーティングすることによっておこない、
スピンコーティングの際に磁場配向をおこなう。
【００２２】図４および図５は磁場配向をおこなうため
の手段を示している。この手段はディスク４１を保持し
回転させる機構およびディスク形記憶媒体１０の両面に
配置された永久磁石群を具備している。ディスク形記憶
媒体１０の片側に配置されている磁石群は、四個の小型
永久磁石３１および一個の大型永久磁石３２からなって
いると共に移動台に支持され、移動台をうごかすことに
よって、ディスク形記憶媒体上の磁性塗膜との間隔を変
化させられようにさせられている。ディスク形記憶媒体
１０の反対面に配置されている磁石群も四個の小型永久
磁石および一個の大型永久磁石からなっており、図５に
示すように小型永久磁石３１’はディスク形記憶媒体２
０をはさんで永久磁石３１に対面しているように配置さ
れ、大型永久磁石もディスク形記憶媒体１０をはさんで
大型永久磁石３２に対面しているように配置されている
と共に、移動台に支持され、移動台をうごかすことによ
って、ディスク形記憶媒体上の磁性塗膜との間隔を変化
させられようにさせられている。永久磁石自体はＳｍ−
Ｃｏ系のものから、あるいはＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系のものか
らなっている。磁場配向は、各々のディスク形記憶媒体
ごとに、磁性塗膜と永久磁石との間隔を最大１.５ｍｍ
から最小０.５ｍｍのあいだで変化させることによって
おこない、ＣＲＰ値が異なる六種類のディスクを得るよ
うにしている。磁場配向における永久磁石の種類、永久
磁石と磁性塗膜との間隔およびＣＲＰ値はつぎの表１の
とおりである。
の手段を示している。この手段はディスク４１を保持し
回転させる機構およびディスク形記憶媒体１０の両面に
配置された永久磁石群を具備している。ディスク形記憶
媒体１０の片側に配置されている磁石群は、四個の小型
永久磁石３１および一個の大型永久磁石３２からなって
いると共に移動台に支持され、移動台をうごかすことに
よって、ディスク形記憶媒体上の磁性塗膜との間隔を変
化させられようにさせられている。ディスク形記憶媒体
１０の反対面に配置されている磁石群も四個の小型永久
磁石および一個の大型永久磁石からなっており、図５に
示すように小型永久磁石３１’はディスク形記憶媒体２
０をはさんで永久磁石３１に対面しているように配置さ
れ、大型永久磁石もディスク形記憶媒体１０をはさんで
大型永久磁石３２に対面しているように配置されている
と共に、移動台に支持され、移動台をうごかすことによ
って、ディスク形記憶媒体上の磁性塗膜との間隔を変化
させられようにさせられている。永久磁石自体はＳｍ−
Ｃｏ系のものから、あるいはＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系のものか
らなっている。磁場配向は、各々のディスク形記憶媒体
ごとに、磁性塗膜と永久磁石との間隔を最大１.５ｍｍ
から最小０.５ｍｍのあいだで変化させることによって
おこない、ＣＲＰ値が異なる六種類のディスクを得るよ
うにしている。磁場配向における永久磁石の種類、永久
磁石と磁性塗膜との間隔およびＣＲＰ値はつぎの表１の
とおりである。
【００２３】 表１ 試料番号 磁石の種類 磁石と塗膜との間隔 ＣＲＰ値 １ Ｓｍ−Ｃｏ系 １．５ｍｍ ０．９８ ２ Ｓｍ−Ｃｏ系 １．０ｍｍ ０．７０ ３ Ｓｍ−Ｃｏ系 ０．５ｍｍ ０．４０ ４ Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系 １．５ｍｍ ０．６０ ５ Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系 １．０ｍｍ ０．１８ ６ Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系 ０．５ｍｍ ０．０６ このようにして磁場配向のおわったディスクは、すべて
が熱硬化された磁性塗膜を表面加工され、最終的に記憶
層の厚さを０．３５μｍにさせる。表面加工のなされた
ディスク形記憶媒体をテストベッドに順次に組み込ん
で、ギャップ長が０．４μｍの磁気ヘッドをもちいて記
録再生特性の測定をおこなった。高周波に相当する線記
録密度は３０ｋＦＣＩである。各々のディスク形記憶媒
体のＣＲＰ値、オーバライト特性をあらわす指標として
のＩw（−２６ｄＢ） 値、それに、規格化媒体雑音Ｎd
／Ｅ0は以下の表２のとおりである。
が熱硬化された磁性塗膜を表面加工され、最終的に記憶
層の厚さを０．３５μｍにさせる。表面加工のなされた
ディスク形記憶媒体をテストベッドに順次に組み込ん
で、ギャップ長が０．４μｍの磁気ヘッドをもちいて記
録再生特性の測定をおこなった。高周波に相当する線記
録密度は３０ｋＦＣＩである。各々のディスク形記憶媒
体のＣＲＰ値、オーバライト特性をあらわす指標として
のＩw（−２６ｄＢ） 値、それに、規格化媒体雑音Ｎd
／Ｅ0は以下の表２のとおりである。
【００２４】 表２ 試料番号 ＣＲＰ値 Ｉw（−２６ｄＢ） 値 規格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0 （ｍＡpp） （μＶrms／μＶpp） １ ０．９８ ２３．８ ０．０１４１ ２ ０．７０ １９．０ ０．０１３５ ３ ０．４０ １３．５ ０．０１１４ ４ ０．６０ １７．８ ０．０１２９ ５ ０．１８ ８．８ ０．０１１２ ６ ０．０６ ６．０ ０．０１０２ 図６におけるライン４１は各々のディスク形記憶媒体の
ＣＲＰ値とオーバライト特性をあらわす指標としてのＩ
w（−２６ｄＢ） との関係を、図７におけるライン４３
はＣＲＰ値と規格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0との関係をそれぞ
れ示している。これらの図は、ＣＲＰ値がＣＲＰ≦０．
５の条件において、オーバライト特性の改善と媒体雑音
の減少とが顕著になることをあきらかにしている。
ＣＲＰ値とオーバライト特性をあらわす指標としてのＩ
w（−２６ｄＢ） との関係を、図７におけるライン４３
はＣＲＰ値と規格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0との関係をそれぞ
れ示している。これらの図は、ＣＲＰ値がＣＲＰ≦０．
５の条件において、オーバライト特性の改善と媒体雑音
の減少とが顕著になることをあきらかにしている。
【００２５】また、これらのディスク形記憶媒体のう
ち、ＣＲＰ値がＣＲＰ≦０．０６のディスク形面内磁気
記憶媒体によって磁気ディスク記憶装置を構成させたと
ころ、オーバライト特性が良好でありかつ媒体雑音が低
いため、高いＳ／Ｎでもって信号検出が可能となり、従
来の磁気ディスク記憶装置と同じＳ／Ｎにさせると、面
内記録密度が１.５倍以上になった。
ち、ＣＲＰ値がＣＲＰ≦０．０６のディスク形面内磁気
記憶媒体によって磁気ディスク記憶装置を構成させたと
ころ、オーバライト特性が良好でありかつ媒体雑音が低
いため、高いＳ／Ｎでもって信号検出が可能となり、従
来の磁気ディスク記憶装置と同じＳ／Ｎにさせると、面
内記録密度が１.５倍以上になった。
【００２６】図８および図９はこの磁気ディスク記憶装
置の構成を示している。ディスク形記憶媒体１０は、ス
ペーサ５１と交互にスピンドル５２に挿入され、クラン
プによってスピンドル５２に固定されている。スピンド
ル５２は、容器５３にある軸受に保持され、容器外部に
あるモータ５４によって、ディスク形記憶媒体１０とい
っしょに回転される。スイングアーム５５は、回転軸５
６を容器５３にある軸受に保持され、アクチュエータ５
７によって、回転軸５６を中心に旋回するようになって
いる。磁気ヘッド５８は薄膜形磁気ヘッド、あるいはＭ
ＩＧ形磁気ヘッドあるいは書き込みのための薄膜形磁気
ヘッドと読み取りのための磁気抵抗効果素子とを一体化
したデュアル形磁気ヘッドおよびスライダからなってお
り、ジンバルを介在してロードアームに取り付けられて
いる。ロードアームはスイングアーム５５に支持されて
いて、ディスク形記憶媒体１０の回転およびスイングア
ーム５５の旋回によって、磁気ヘッド５８をディスク形
記憶媒体上の任意の位置に移動されている。
置の構成を示している。ディスク形記憶媒体１０は、ス
ペーサ５１と交互にスピンドル５２に挿入され、クラン
プによってスピンドル５２に固定されている。スピンド
ル５２は、容器５３にある軸受に保持され、容器外部に
あるモータ５４によって、ディスク形記憶媒体１０とい
っしょに回転される。スイングアーム５５は、回転軸５
６を容器５３にある軸受に保持され、アクチュエータ５
７によって、回転軸５６を中心に旋回するようになって
いる。磁気ヘッド５８は薄膜形磁気ヘッド、あるいはＭ
ＩＧ形磁気ヘッドあるいは書き込みのための薄膜形磁気
ヘッドと読み取りのための磁気抵抗効果素子とを一体化
したデュアル形磁気ヘッドおよびスライダからなってお
り、ジンバルを介在してロードアームに取り付けられて
いる。ロードアームはスイングアーム５５に支持されて
いて、ディスク形記憶媒体１０の回転およびスイングア
ーム５５の旋回によって、磁気ヘッド５８をディスク形
記憶媒体上の任意の位置に移動されている。
【００２７】図３は本発明の面内磁気記憶媒体の他の実
施例を示している。この面内磁気記憶媒体は記憶媒体を
物理蒸着によって形成した磁気ディスク記憶装置にたい
するディスク形記憶媒体である。ディスク形記憶媒体自
体は、基板２１の片面に非磁性の下地層２２、記憶層２
３および保護層２４を順次に物理蒸着法によって形成さ
れ、さらに潤滑層２５を保護層２４の表面に形成されて
いると共に、反対面に非磁性の下地層２２’、記憶層２
３’および保護層２４’を順次に物理蒸着法によって形
成され、潤滑層２５が保護層２５’の表面に形成されて
いる。
施例を示している。この面内磁気記憶媒体は記憶媒体を
物理蒸着によって形成した磁気ディスク記憶装置にたい
するディスク形記憶媒体である。ディスク形記憶媒体自
体は、基板２１の片面に非磁性の下地層２２、記憶層２
３および保護層２４を順次に物理蒸着法によって形成さ
れ、さらに潤滑層２５を保護層２４の表面に形成されて
いると共に、反対面に非磁性の下地層２２’、記憶層２
３’および保護層２４’を順次に物理蒸着法によって形
成され、潤滑層２５が保護層２５’の表面に形成されて
いる。
【００２８】基板２１は強化ガラス、セラミックス、Ｎ
ｉ-Ｐメッキを施されたＡｌ合金、合成樹脂、グラッシ
ーカーボン、Ｔｉ合金などの非磁性材料からなってい
る。下地層２２、２２’はたとえばＣｒを主成分とする
ものから、記憶層２３、２３’はＣｏ−１０ａｔ．％Ｃ
ｒ−４ａｔ．％ＴａあるいはＣｏ−３０ａｔ．％Ｎｉ−
７．５ａｔ．％ＣｒあるいはＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−
１３ａｔ．％ＰｔあるいはＣｏ−３５ａｔ．％Ｎｉ−５
ａｔ．％ＺｒあるいはＣｏ−３０ａｔ．％Ｎｉ−８ａ
ｔ．％Ｐｔなどのコバルト系磁性合金から、そして、保
護層２４、２４’はＣ、ＷＣ、（ＷＭｏ）Ｃ、Ｂ4Ｃ 、
水素含有カーボンなどからなっている。潤滑層２５、２
５’はたとえばパーフルオロアルキルポリエーテルであ
る。物理蒸着は直流マグネトロンスパッタ方式、通常の
高周波スパッタ方式、高周波マグネトロンスパッタ方
式、対向ターゲット式スパッタ法、真空蒸着法などによ
っておこなわれている。マグネトロンスパッタ法による
物理蒸着は、永久磁石によるものだけでなく、電磁石を
もちいたものも含まれる。
ｉ-Ｐメッキを施されたＡｌ合金、合成樹脂、グラッシ
ーカーボン、Ｔｉ合金などの非磁性材料からなってい
る。下地層２２、２２’はたとえばＣｒを主成分とする
ものから、記憶層２３、２３’はＣｏ−１０ａｔ．％Ｃ
ｒ−４ａｔ．％ＴａあるいはＣｏ−３０ａｔ．％Ｎｉ−
７．５ａｔ．％ＣｒあるいはＣｏ−１２ａｔ．％Ｃｒ−
１３ａｔ．％ＰｔあるいはＣｏ−３５ａｔ．％Ｎｉ−５
ａｔ．％ＺｒあるいはＣｏ−３０ａｔ．％Ｎｉ−８ａ
ｔ．％Ｐｔなどのコバルト系磁性合金から、そして、保
護層２４、２４’はＣ、ＷＣ、（ＷＭｏ）Ｃ、Ｂ4Ｃ 、
水素含有カーボンなどからなっている。潤滑層２５、２
５’はたとえばパーフルオロアルキルポリエーテルであ
る。物理蒸着は直流マグネトロンスパッタ方式、通常の
高周波スパッタ方式、高周波マグネトロンスパッタ方
式、対向ターゲット式スパッタ法、真空蒸着法などによ
っておこなわれている。マグネトロンスパッタ法による
物理蒸着は、永久磁石によるものだけでなく、電磁石を
もちいたものも含まれる。
【００２９】しかし、ここでは、基板２１はＡｌ−Ｍｇ
合金、下地層２２、２２’はＣｒを主成分とするものか
ら、そして記憶層２３、２３’はＣｏ−１２ａｔ．％Ｃ
ｒ−２ａｔ．％Ｔａからなっている。製造は、まず、外
径が９５ｍｍのＡｌ−Ｍｇ合金からなる基板を準備し、
この基板の両表面にＮｉ-Ｐを１２μｍメッキし、それ
から、テクスチャ加工をおこなう。テクスチャ加工は基
板のメッキ表面にたいしてほぼ同心円状に微細溝を中心
線平均粗さで５ｎｍでもって形成することによっておこ
なう。テクスチャ加工された基板は洗浄される。洗浄さ
れた基板は、真空中で加熱され、基板温度を２００℃、
Ａｒガス圧力を２ｍＴｏｒｒ、Ａｒガス流量を２００Ｃ
ＣＭでもって、ＤＣマグネトロンスパッタ法によってＣ
ｒを主成分とする下地層を厚み５０ｎｍに形成される。
このときに、基板搬送速度と下地膜の膜厚は一定とし、
シールドマスク板の幅を変化させながら、投入電力密度
を変化させて下地層を形成する。各々のディスク形記憶
媒体の下地層形成速度、磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈ
c（Ｃ）、媒体面内における磁気ヘッド走行方向に直交
する方向の保磁力をＨc（Ｒ）および厚み方向における
保磁力をＨc（Ｐ）、それに、ＣＲＰ値は以下の表３の
とおりである。
合金、下地層２２、２２’はＣｒを主成分とするものか
ら、そして記憶層２３、２３’はＣｏ−１２ａｔ．％Ｃ
ｒ−２ａｔ．％Ｔａからなっている。製造は、まず、外
径が９５ｍｍのＡｌ−Ｍｇ合金からなる基板を準備し、
この基板の両表面にＮｉ-Ｐを１２μｍメッキし、それ
から、テクスチャ加工をおこなう。テクスチャ加工は基
板のメッキ表面にたいしてほぼ同心円状に微細溝を中心
線平均粗さで５ｎｍでもって形成することによっておこ
なう。テクスチャ加工された基板は洗浄される。洗浄さ
れた基板は、真空中で加熱され、基板温度を２００℃、
Ａｒガス圧力を２ｍＴｏｒｒ、Ａｒガス流量を２００Ｃ
ＣＭでもって、ＤＣマグネトロンスパッタ法によってＣ
ｒを主成分とする下地層を厚み５０ｎｍに形成される。
このときに、基板搬送速度と下地膜の膜厚は一定とし、
シールドマスク板の幅を変化させながら、投入電力密度
を変化させて下地層を形成する。各々のディスク形記憶
媒体の下地層形成速度、磁気ヘッド走行方向の保磁力Ｈ
c（Ｃ）、媒体面内における磁気ヘッド走行方向に直交
する方向の保磁力をＨc（Ｒ）および厚み方向における
保磁力をＨc（Ｐ）、それに、ＣＲＰ値は以下の表３の
とおりである。
【００３０】 表３ 試料番号 下地層形成速度 Ｈc(Ｃ） Ｈc(Ｒ） Ｈc(Ｐ） ＣＲＰ値 （ｎｍ／秒） （Ｏe） （Ｏe） （Ｏe） １ １．１ １１３４ １０９７ ６６８ ０．５７ ２ ２．２ １１３０ １０５０ １８２ ０．１５ ３ ３．５ １１２５ １０３２ ９６ ０．０８ ４ ４．０ １１２０ １０２５ ６１ ０．０５ ５ ７．０ ８６０ ８６０ ６５０ ０．７６ それから、このようにして下地層を形成されたディスク
形記憶媒体の各々は、下地層上にＣｏ−１２ａｔ．％Ｃ
ｒ−２ａｔ．％Ｔａからなる磁性合金の記憶層をＤＣマ
グネトロン法によって厚さ２５ｎｍを形成され、さら
に、記憶層上に水素含有カーボンからなる保護層を厚さ
２０〜３５ｎｍを形成される。そして、この保護層の上
には厚み５ｎｍの潤滑層が形成される。
形記憶媒体の各々は、下地層上にＣｏ−１２ａｔ．％Ｃ
ｒ−２ａｔ．％Ｔａからなる磁性合金の記憶層をＤＣマ
グネトロン法によって厚さ２５ｎｍを形成され、さら
に、記憶層上に水素含有カーボンからなる保護層を厚さ
２０〜３５ｎｍを形成される。そして、この保護層の上
には厚み５ｎｍの潤滑層が形成される。
【００３１】得られたディスク形記憶媒体の各々は、テ
ストベッドに順次に組み込まれ、ギャップ長０．４μｍ
磁気ヘッドをもちいて、高周波に相当する線記録密度が
３０ｋＦＣＩでもって記録再生特性の測定をおこなっ
た。各々のディスク形記憶媒体のＣＲＰ値、オーバライ
ト特性をあらわす指標としてＩw（−２６ｄＢ） 値、規
格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0は以下の表４のとおりである。
ストベッドに順次に組み込まれ、ギャップ長０．４μｍ
磁気ヘッドをもちいて、高周波に相当する線記録密度が
３０ｋＦＣＩでもって記録再生特性の測定をおこなっ
た。各々のディスク形記憶媒体のＣＲＰ値、オーバライ
ト特性をあらわす指標としてＩw（−２６ｄＢ） 値、規
格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0は以下の表４のとおりである。
【００３２】 表４ 試料番号 ＣＲＰ値 Ｉw（−２６ｄＢ） 値 規格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0 （ｍＡpp） （μＶrms／μＶpp） １ ０．５７ ９．５ ０．００７５ ２ ０．１５ ７．８ ０．００６９ ３ ０．０８ ６．５ ０．００６５ ４ ０．０５ ４．８ ０．００５５ ５ ０．７６ １１．０ ０．００８０ 図６のライン４２はこれらのディスク形記憶媒体におけ
るＣＲＰ値とオーバライト特性をあらわす指標としての
Ｉw（−２６ｄＢ） との関係を、図７のライン４４はＣ
ＲＰ値と規格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0との関係をそれぞれ示
している。これらの図から明らかなように、ＣＲＰ値が
ＣＲＰ≦０．１の条件において、オーバライト特性の改
善と媒体雑音の減少とが顕著になっている。また、具体
例１と同様にして、得られたＣＲＰ≦０．１のディスク
形記憶媒体によって磁気ディスク記憶装置を構成させた
ところ、オーバライト特性が良好でありかつ媒体雑音が
低く、高いＳ／Ｎでもって信号検出が可能であるため、
従来の磁気ディスク記憶装置のディスクにおける面内磁
気記憶媒体と同じＳ／Ｎに維持させると、面内記録密度
が１.５倍以上の磁気ディスク記憶装置を得ることがで
きた。
るＣＲＰ値とオーバライト特性をあらわす指標としての
Ｉw（−２６ｄＢ） との関係を、図７のライン４４はＣ
ＲＰ値と規格化媒体雑音Ｎd／Ｅ0との関係をそれぞれ示
している。これらの図から明らかなように、ＣＲＰ値が
ＣＲＰ≦０．１の条件において、オーバライト特性の改
善と媒体雑音の減少とが顕著になっている。また、具体
例１と同様にして、得られたＣＲＰ≦０．１のディスク
形記憶媒体によって磁気ディスク記憶装置を構成させた
ところ、オーバライト特性が良好でありかつ媒体雑音が
低く、高いＳ／Ｎでもって信号検出が可能であるため、
従来の磁気ディスク記憶装置のディスクにおける面内磁
気記憶媒体と同じＳ／Ｎに維持させると、面内記録密度
が１.５倍以上の磁気ディスク記憶装置を得ることがで
きた。
【００３３】
【発明の効果】本発明の面内磁気記憶媒体は、以上説明
したように、良好なオーバライト特性をもちかつ媒体雑
音が小さくすることができるので、たとえば磁気ディス
ク記憶装置のディスク形磁気記憶媒体として採用したと
きに、信号検出を高いＳ／Ｎでもっておこなえ、Ｓ／Ｎ
を従来の磁気ディスク記憶装置と同じにさせることによ
って、記録密度の増大をおこなうことができ、大容量の
磁気ディスク記憶装置とさせることができる。
したように、良好なオーバライト特性をもちかつ媒体雑
音が小さくすることができるので、たとえば磁気ディス
ク記憶装置のディスク形磁気記憶媒体として採用したと
きに、信号検出を高いＳ／Ｎでもっておこなえ、Ｓ／Ｎ
を従来の磁気ディスク記憶装置と同じにさせることによ
って、記録密度の増大をおこなうことができ、大容量の
磁気ディスク記憶装置とさせることができる。
【図１】面内磁気記憶媒体の磁気特性をあらわす指標を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】本発明の面内磁気記録媒体の一実施例としての
記憶層を磁性塗料によって形成されている磁気ディスク
記憶装置のディスク形記憶媒体の断面を示す説明図であ
る。
記憶層を磁性塗料によって形成されている磁気ディスク
記憶装置のディスク形記憶媒体の断面を示す説明図であ
る。
【図３】本発明の面内磁気記録媒体の他の実施例として
の記憶層を物理蒸着法によって形成されている磁気ディ
スク記憶装置のディスク形記憶媒体の膜の断面を示す説
明図である。
の記憶層を物理蒸着法によって形成されている磁気ディ
スク記憶装置のディスク形記憶媒体の膜の断面を示す説
明図である。
【図４】図２の記録媒体における磁場配向をおこなうた
めの手段の構成を示す説明図である。
めの手段の構成を示す説明図である。
【図５】図５に示す手段における磁石と記憶媒体と配置
関係を示す説明図である。
関係を示す説明図である。
【図６】ＣＲＰ値とオーバライト特性との関係を示す図
である。
である。
【図７】ＣＲＰ値と媒体雑音との関係を示す図である。
【図８】本発明の面内磁気記憶媒体を記憶媒体としてい
る磁気ディスク記憶装置の構成を示す説明図である。
る磁気ディスク記憶装置の構成を示す説明図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線にそう断面図である。
１２、１２’、２４、２４’…記憶層
Claims (7)
- 【請求項１】 磁性粉を主成分とする磁性塗料を支持体
に塗布することによって記憶層を形成され、記録方向の
保磁力をＨc（Ｃ） 、媒体面内において記録方向に直交
する方向の保磁力をＨc（Ｒ）および厚み方向の保磁力
をＨc（Ｐ）としたときに、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって得られるＣＲＰ値が０．５以下からなっている
ことを特徴とする面内磁気記憶媒体。 - 【請求項２】 磁性層が六方晶系フェライト酸化物の粉
末を主成分とする磁性塗料からなる請求項１に記載の面
内磁気記憶媒体。 - 【請求項３】 磁性材を支持体に物理蒸着することによ
って記憶層を形成され、記録方向の保磁力をＨc（Ｃ）
、媒体面内において記録方向に直交する方向の保磁力
をＨc（Ｒ）および厚み方向の保磁力をＨc（Ｐ） とし
たときに、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって求められるＣＲＰ値が０．１以下からなってい
ることを特徴とする面内磁気記憶媒体。 - 【請求項４】 磁性層がコバルト系合金からなる請求項
３に記載の面内磁気記憶媒体。 - 【請求項５】 記録方向の保磁力をＨc（Ｃ） 、媒体面
内において記録方向に直交する方向の保磁力をＨ
c（Ｒ） および厚み方向の保磁力をＨc（Ｐ） としたと
きに、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって得られるＣＲＰ値にもとづいてオーバライト特
性および媒体雑音を決定していることを特徴としている
面内磁気記憶媒体の製造方法。 - 【請求項６】 磁性粉を主成分とする磁性塗料を基板に
塗布することによって記憶層を形成するステップと、記
憶層の磁場配向を操作することによって、磁気ヘッド走
行方向の保磁力をＨc（Ｃ） 、媒体面内における磁気ヘ
ッド走行方向に直交する方向の保磁力をＨc（Ｒ） およ
び厚み方向の保磁力をＨc（Ｐ） としたときに、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって求められるＣＲＰ値を０．５以下にさせるステ
ップとを含んでいることを特徴とする面内磁気記憶媒体
の製造方法。 - 【請求項７】 磁気ヘッド走行方向の保磁力をＨ
c（Ｃ） 、媒体面内における磁気ヘッド走行方向に直交
する方向の保磁力をＨc（Ｒ） および厚み方向の保磁力
をＨc（Ｐ） としたときに、 ＣＲＰ＝［Ｈc（Ｒ）×Ｈc（Ｐ）］／［Ｈc（Ｃ）］2 によって求められるＣＲＰ値が０．１以下なる下地層を
物理蒸着によってかつ形成速度を操作することによって
支持体に形成するステップと、磁性材を下地層に物理蒸
着することによって記憶層を形成しているステップとを
含んでいることを特徴とする面内磁気記憶媒体の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24058592A JP3204548B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 面内磁気記憶媒体およびその製造方法 |
| US08/117,330 US5443879A (en) | 1992-09-09 | 1993-09-07 | Longitudinal magnetic recording medium exhibiting various coercivitiy relationships |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24058592A JP3204548B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 面内磁気記憶媒体およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000393808A Division JP3204655B2 (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 磁気ディスク記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689423A true JPH0689423A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3204548B2 JP3204548B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=17061706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24058592A Expired - Fee Related JP3204548B2 (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 面内磁気記憶媒体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5443879A (ja) |
| JP (1) | JP3204548B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8741217B2 (en) | 2005-12-28 | 2014-06-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Titanium alloy for corrosion-resistant materials |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3439532B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2003-08-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5256481A (en) * | 1986-03-20 | 1993-10-26 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP24058592A patent/JP3204548B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-09-07 US US08/117,330 patent/US5443879A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8741217B2 (en) | 2005-12-28 | 2014-06-03 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Titanium alloy for corrosion-resistant materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3204548B2 (ja) | 2001-09-04 |
| US5443879A (en) | 1995-08-22 |
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