JPH0684918A - 高周波用バンプ - Google Patents
高周波用バンプInfo
- Publication number
- JPH0684918A JPH0684918A JP4255690A JP25569092A JPH0684918A JP H0684918 A JPH0684918 A JP H0684918A JP 4255690 A JP4255690 A JP 4255690A JP 25569092 A JP25569092 A JP 25569092A JP H0684918 A JPH0684918 A JP H0684918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- semiconductor element
- layer
- high frequency
- extremely thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値を低くでき、伝送損失を少なくできる
高周波用バンプを提供する。 【構成】 高速動作の要求される半導体素子のバンプ
が、Ｐｂ−Ｓｎバンプの表面に極薄Ｃｕ層が形成されて
なるものであることを特徴とする高周波用バンプ。
高周波用バンプを提供する。 【構成】 高速動作の要求される半導体素子のバンプ
が、Ｐｂ−Ｓｎバンプの表面に極薄Ｃｕ層が形成されて
なるものであることを特徴とする高周波用バンプ。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、高速動作の要求される
半導体素子を、ＴＡＢテープや回路基板に接続する際に
用いる高周波用バンプに関する。
半導体素子を、ＴＡＢテープや回路基板に接続する際に
用いる高周波用バンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より図１に示すようにウェハー１上
に多数区画形成された半導体素子２の周縁部にダイシン
グライン３に沿って配設された電極パッド４上には、図
３に示すようにバリアーメタル層５を介在して半導体素
子２をＴＡＢテープや回路基板に接続する為のバンプ６
が形成されている。ところで、これまでのバンプ６は、
Ｐｂ−Ｓｎバンプが主で、このＰｂ−Ｓｎバンプは抵抗
値が高く、伝送損失が多いという問題があった。
に多数区画形成された半導体素子２の周縁部にダイシン
グライン３に沿って配設された電極パッド４上には、図
３に示すようにバリアーメタル層５を介在して半導体素
子２をＴＡＢテープや回路基板に接続する為のバンプ６
が形成されている。ところで、これまでのバンプ６は、
Ｐｂ−Ｓｎバンプが主で、このＰｂ−Ｓｎバンプは抵抗
値が高く、伝送損失が多いという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、抵抗
値を低くでき、伝送損失を少なくできる高周波用バンプ
を提供しようとするものである。
値を低くでき、伝送損失を少なくできる高周波用バンプ
を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の高周波用バンプは、高速動作の要求される半
導体素子のバンプが、Ｐｂ−Ｓｎバンプの表面に極薄Ｃ
ｕ層が形成されてなるものである。
の本発明の高周波用バンプは、高速動作の要求される半
導体素子のバンプが、Ｐｂ−Ｓｎバンプの表面に極薄Ｃ
ｕ層が形成されてなるものである。
【０００５】
【作用】上記のように本発明の高周波用バンプは、高速
動作の要求される半導体素子のバンプが、Ｐｂ−Ｓｎバ
ンプの表面に、抵抗値の低い極薄Ｃｕ層が形成されてな
るものであるから、高速動作の半導体素子のバンプの表
面を流れる高周波信号は抵抗値が小さく、伝送損失が少
なくなる。
動作の要求される半導体素子のバンプが、Ｐｂ−Ｓｎバ
ンプの表面に、抵抗値の低い極薄Ｃｕ層が形成されてな
るものであるから、高速動作の半導体素子のバンプの表
面を流れる高周波信号は抵抗値が小さく、伝送損失が少
なくなる。
【０００６】
【実施例】本発明の高周波用バンプの一実施例を図によ
って説明すると、図１に示すようにＳｉウェハー１上の
半導体素子２の周縁部にダイシングライン３に沿って配
設された電極パッド４上に、図２に示すようにＣｒ1000
Å／Ｃｕ2000Åのバリアーメタル層５を介在して湿式メ
ッキ法により外径 100μｍ，高さ30μｍのＰｂ−Ｓｎ60
ｗｔ％バンプ６が形成され、そのＰｂ−Ｓｎ60ｗｔ％バ
ンプ６の表面に5000Åの極薄Ｃｕ層７が湿式メッキ法に
より形成されている。尚、図２中の符号８は２μｍのパ
ッシベーション膜（配線保護膜）である。上記のように
実施例の高周波用バンプは、Ｐｂ−Ｓｎ60ｗｔ％バンプ
６の表面に、極薄Ｃｕ層７が形成され、この極薄Ｃｕ層
７は抵抗値が低いので、高速動作の半導体素子のバンプ
６の表面の極薄Ｃｕ層７を流れる高周波信号は抵抗が小
さくなり、伝送損失が少なくなる。またバンプ６の機械
的強度が高くなる。尚、上記実施例では、極薄Ｃｕ層７
を湿式メッキ法により形成したが、スパッタリング法、
蒸着法等により形成しても良いものである。
って説明すると、図１に示すようにＳｉウェハー１上の
半導体素子２の周縁部にダイシングライン３に沿って配
設された電極パッド４上に、図２に示すようにＣｒ1000
Å／Ｃｕ2000Åのバリアーメタル層５を介在して湿式メ
ッキ法により外径 100μｍ，高さ30μｍのＰｂ−Ｓｎ60
ｗｔ％バンプ６が形成され、そのＰｂ−Ｓｎ60ｗｔ％バ
ンプ６の表面に5000Åの極薄Ｃｕ層７が湿式メッキ法に
より形成されている。尚、図２中の符号８は２μｍのパ
ッシベーション膜（配線保護膜）である。上記のように
実施例の高周波用バンプは、Ｐｂ−Ｓｎ60ｗｔ％バンプ
６の表面に、極薄Ｃｕ層７が形成され、この極薄Ｃｕ層
７は抵抗値が低いので、高速動作の半導体素子のバンプ
６の表面の極薄Ｃｕ層７を流れる高周波信号は抵抗が小
さくなり、伝送損失が少なくなる。またバンプ６の機械
的強度が高くなる。尚、上記実施例では、極薄Ｃｕ層７
を湿式メッキ法により形成したが、スパッタリング法、
蒸着法等により形成しても良いものである。
【０００７】
【発明の効果】以上の通り本発明の高周波用バンプは、
バンプ表面を流れる高周波信号の抵抗値が低く、伝送損
失が少ないので、高速動作の要求される半導体素子のバ
ンプとして極めて有用である。またバンプの機械的強度
が高いので、半導体素子をＴＡＢテープや回路基板に接
続する際の作業を安定してできる。
バンプ表面を流れる高周波信号の抵抗値が低く、伝送損
失が少ないので、高速動作の要求される半導体素子のバ
ンプとして極めて有用である。またバンプの機械的強度
が高いので、半導体素子をＴＡＢテープや回路基板に接
続する際の作業を安定してできる。
【図１】ウェハーの上面における半導体素子の電極パッ
ドの配列を示す斜視図である。
ドの配列を示す斜視図である。
【図２】本発明の高周波用バンプの一実施例を示す縦断
面図である。
面図である。
【図３】従来のバンプを示す縦断面図である。
１ ウェハー ２ 半導体素子 ３ ダイシングライン ４ 電極パッド ５ バリアーメタル層 ６ バンプ ７ 極薄Ｃｕ層
Claims (1)
- 【請求項１】 高速動作の要求される半導体素子のバン
プが、Ｐｂ−Ｓｎバンプの表面に極薄Ｃｕ層が形成され
てなるものであることを特徴とする高周波用バンプ。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255690A JPH0684918A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 高周波用バンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4255690A JPH0684918A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 高周波用バンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684918A true JPH0684918A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17282279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4255690A Pending JPH0684918A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 高周波用バンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684918A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964200B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-11-15 | Hitachi, Ltd. | Light source device and display device |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP4255690A patent/JPH0684918A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964200B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-11-15 | Hitachi, Ltd. | Light source device and display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6577008B2 (en) | Metal redistribution layer having solderable pads and wire bondable pads | |
| US6268655B1 (en) | Semiconductor device including edge bond pads and methods | |
| US4613891A (en) | Packaging microminiature devices | |
| JP2988075B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6998711B1 (en) | Method of forming a micro solder ball for use in C4 bonding process | |
| JPS62145758A (ja) | パラジウムを用いる銅製ボンデイングパツドの酸化防止法 | |
| JP3389517B2 (ja) | チップサイズパッケージ及びその製造方法 | |
| US8568822B2 (en) | Apparatus and method incorporating discrete passive components in an electronic package | |
| US20030189261A1 (en) | Under-bump-metallurgy layer | |
| US5442241A (en) | Bump electrode structure to be coupled to lead wire in semiconductor device | |
| JPH0684918A (ja) | 高周波用バンプ | |
| JPS5833705B2 (ja) | タソウハイセンオ ユウスルハンドウタイソウチ | |
| USH208H (en) | Packaging microminiature devices | |
| KR20110114912A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| KR20030066919A (ko) | 반도체 플립칩 패키지를 위한 솔더 범프 구조 및 그 제조방법 | |
| JPS63293930A (ja) | 半導体装置における電極 | |
| JPS63308924A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3645670B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP3213923B2 (ja) | バンプ形成用アンダバリアメタルリボン及びバンプ形成方法 | |
| JP3436595B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58199533A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5929430A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3090414B2 (ja) | はんだバンプの接続方法 | |
| JPH079907B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0228933A (ja) | 半導体装置用バンプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090108 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 |