JPH0228933A - 半導体装置用バンプ - Google Patents
半導体装置用バンプInfo
- Publication number
- JPH0228933A JPH0228933A JP63179932A JP17993288A JPH0228933A JP H0228933 A JPH0228933 A JP H0228933A JP 63179932 A JP63179932 A JP 63179932A JP 17993288 A JP17993288 A JP 17993288A JP H0228933 A JPH0228933 A JP H0228933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- film
- gold
- shape
- electrode part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のバンプの形状に関するものである
。
。
本発明は半導体のバンプの形状をバンプ配列方向を短辺
とし、この方向と直角方向を長辺とする長方形の平面形
状とすることにより、バンプが高密度化しても、バンプ
密着強度を確保できるようにしたものである。
とし、この方向と直角方向を長辺とする長方形の平面形
状とすることにより、バンプが高密度化しても、バンプ
密着強度を確保できるようにしたものである。
従来、半導体装置のバンプの平面形状は第３図に示す様
に正方形が一般的であった。
に正方形が一般的であった。
しかしながら、このような形状においては、バンプが高
密度化し、バンプピッチが小さくなってくると、バンプ
平面形状も必然的に縮小され、それに伴い、バンプと電
極部の接合面積も小さくなりバンプ密着強度が低下する
という問題があり、半導体装の際、接合不良が発生しや
すいという問題もあった。
密度化し、バンプピッチが小さくなってくると、バンプ
平面形状も必然的に縮小され、それに伴い、バンプと電
極部の接合面積も小さくなりバンプ密着強度が低下する
という問題があり、半導体装の際、接合不良が発生しや
すいという問題もあった。
本発明はこのような問題を解決するためなされたもので
、バンプ平面形状をバンプ配列方向を短辺とし、これと
直交する方向を長辺とした長方形とした。
、バンプ平面形状をバンプ配列方向を短辺とし、これと
直交する方向を長辺とした長方形とした。
このような形状とすることにより、バンプが高密度化し
、バンプピッチが小さくなった場合においても長辺の長
さを調節することにより接合面積を大きくすることが出
来、密着強度の低下を防ぐことができる。
、バンプピッチが小さくなった場合においても長辺の長
さを調節することにより接合面積を大きくすることが出
来、密着強度の低下を防ぐことができる。
以下本発明の実施例について、図面に基づいて説明する
。
。
第１図は、本発明による半導体装置用バンプの一実施例
を示す概略図、第２図（ａｌ〜＋ｄ＋は、本発明による
半導体装置用バンプの製造工程断面図である。
を示す概略図、第２図（ａｌ〜＋ｄ＋は、本発明による
半導体装置用バンプの製造工程断面図である。
１は半導体ウェハであり、電子回路が形成され、更に、
バンド電極部としてのＭ電極部２が形成され、ＰＳＧ膜
、シリコン窒化膜等に代表されるパシベーション膜３が
形成されている。該半導体ウェハｌ上全面に、下地と密
着性の良いクロム、チタン等のバリア膜４．及びめっき
性の良い金等のめっき用導電膜を順次形成する（第２図
（ａｌ） 。
バンド電極部としてのＭ電極部２が形成され、ＰＳＧ膜
、シリコン窒化膜等に代表されるパシベーション膜３が
形成されている。該半導体ウェハｌ上全面に、下地と密
着性の良いクロム、チタン等のバリア膜４．及びめっき
性の良い金等のめっき用導電膜を順次形成する（第２図
（ａｌ） 。
該半導体ウェハｌ上に、フォトレジストによりバンプ形
成部のみ開口しためっきレジスト層を形成する（第２図
山））。
成部のみ開口しためっきレジスト層を形成する（第２図
山））。
この際、Ｍ電極部２及びパシベーション膜３開口部は、
バンプ配列方向（Ａ！電極配列方向）を短辺とし、これ
と直交する方向を長辺とした長方形とした。同時に、バ
ンプ形成部も、前記長方形と同様な長方形の開口とした
。
バンプ配列方向（Ａ！電極配列方向）を短辺とし、これ
と直交する方向を長辺とした長方形とした。同時に、バ
ンプ形成部も、前記長方形と同様な長方形の開口とした
。
次に、金バンプめっきを１５〜３０ミクロン行い、金バ
ンプ６を形成する（第２図（Ｃ））。
ンプ６を形成する（第２図（Ｃ））。
その後、めっきレジスト層６を除去し、前記バリア膜４
及びめっき用導電膜５を除去し、長方形の平面形状の金
バンプ７を有する半導体ウェハ１を作製した（第２図ｃ
ｄ））。
及びめっき用導電膜５を除去し、長方形の平面形状の金
バンプ７を有する半導体ウェハ１を作製した（第２図ｃ
ｄ））。
この金バンプにおいては、従来の正方形面形状の金バン
プと比較しても、製造性等は変わることなく、特に、第
１図に示す様に、バンプが高密度化しても、短辺の減少
を、長辺の増加により、バンプ密着強度の低下を防止す
ることができた。
プと比較しても、製造性等は変わることなく、特に、第
１図に示す様に、バンプが高密度化しても、短辺の減少
を、長辺の増加により、バンプ密着強度の低下を防止す
ることができた。
以上述べてきたように、本発明によれば金バンプ平面形
状を長方形とすることにより、バンプが高密度化し、バ
ンプ配列方向のバンブ長が短かくなっても、これと直交
方向のバンプ長を調節することにより、バンプ強度の低
下を防ぐことができる。
状を長方形とすることにより、バンプが高密度化し、バ
ンプ配列方向のバンブ長が短かくなっても、これと直交
方向のバンプ長を調節することにより、バンプ強度の低
下を防ぐことができる。
またこのようなバンプ形状としても、実装上は何ら問題
がなく、接合が可能であり、バンブ密着強度の低下が防
止できた分、実装不良の発生も低減することができる。
がなく、接合が可能であり、バンブ密着強度の低下が防
止できた分、実装不良の発生も低減することができる。
尚、バンプ形状を長方形とすることは、金バンプに限ら
ず、はんだバンプ、銀バンブなど地金属によるバンプに
応用しても同様な効果を得ることができる。
ず、はんだバンプ、銀バンブなど地金属によるバンプに
応用しても同様な効果を得ることができる。
さらに、長方形の長辺の長さは、バンプピッチにより短
辺がどのようになるかという点と、バンプ強度としてど
のくらい必要かという点から計算上合理的な値で設定で
きることは言うまでもない。
辺がどのようになるかという点と、バンプ強度としてど
のくらい必要かという点から計算上合理的な値で設定で
きることは言うまでもない。
である。
■ ・ ・
２ ・ ・
３ ・ ・
４ ・ ・
５ ・ ・
６ ・ ・
７ ・ ・
半導体ウェハ
Ｍ電極部
パシベーション膜
バリア膜
めっき用導電膜
めっき用レジスト層
金バンブ
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
代理人 弁理士 林 敬 之 助
第１図は本発明による半導体装置用バンプの一実施例を
示す概略図、第２図（ａｌ〜＋ｄｌは本発明による半導
体装置用バンプ製造工程断面図、第３図は従来技術によ
る半導体装置用バンプを示す概略図第１図 第３図 第２図
示す概略図、第２図（ａｌ〜＋ｄｌは本発明による半導
体装置用バンプ製造工程断面図、第３図は従来技術によ
る半導体装置用バンプを示す概略図第１図 第３図 第２図
Claims (1)
- 半導体装置のバンプの形状において、バンプ配列方向を
短辺とし、この方向と直角方向を長辺とする長方形の平
面形状としたことを特徴とする半導体装置用バンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179932A JPH0228933A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置用バンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179932A JPH0228933A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置用バンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228933A true JPH0228933A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16074452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179932A Pending JPH0228933A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置用バンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473197A (en) * | 1993-05-28 | 1995-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having bump electrodes with a trapezoidal cross-section along one axis |
| EP0918355A3 (en) * | 1997-11-24 | 2001-04-25 | Delphi Technologies, Inc. | Solder bump input/output pad for a surface mount circuit device |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179932A patent/JPH0228933A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473197A (en) * | 1993-05-28 | 1995-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having bump electrodes with a trapezoidal cross-section along one axis |
| US5587337A (en) * | 1993-05-28 | 1996-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor process for forming bump electrodes with tapered sidewalls |
| EP0918355A3 (en) * | 1997-11-24 | 2001-04-25 | Delphi Technologies, Inc. | Solder bump input/output pad for a surface mount circuit device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4784972A (en) | Method of joining beam leads with projections to device electrodes | |
| US20050051882A1 (en) | Stacked chip package having upper chip provided with trenches and method of manufacturing the same | |
| KR970053663A (ko) | 반도체 칩 스케일 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| US5478973A (en) | Semiconductor chip contact bump structure | |
| US20020086514A1 (en) | Fabrication method of wiring substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device | |
| JP3119927B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6020626A (en) | Semiconductor device | |
| JP3945380B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH01226160A (ja) | 電子部品接続用の端子装置および端子の製造方法 | |
| JP3457926B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0228933A (ja) | 半導体装置用バンプ | |
| KR0152559B1 (ko) | 솔더 범프의 제조방법 | |
| JP3323091B2 (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
| JPH03101233A (ja) | 電極構造及びその製造方法 | |
| JPH11204677A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP7254602B2 (ja) | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 | |
| JP3213923B2 (ja) | バンプ形成用アンダバリアメタルリボン及びバンプ形成方法 | |
| JPH0685010A (ja) | マルチチップモジュール | |
| JPH10209164A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3101000B2 (ja) | 接合用バンプ形成方法 | |
| JP2882378B2 (ja) | 半導体パッケージ及びリードフレーム | |
| JPS6031245A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20000070491A (ko) | 반도체 웨이퍼상에 일정 구조의 금속을 형성하는 방법 | |
| JP2004063567A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JPH0281446A (ja) | チップキャリア基板 |