JPH0684902A - 絶縁膜の平坦化方法 - Google Patents
絶縁膜の平坦化方法Info
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- JPH0684902A JPH0684902A JP23714092A JP23714092A JPH0684902A JP H0684902 A JPH0684902 A JP H0684902A JP 23714092 A JP23714092 A JP 23714092A JP 23714092 A JP23714092 A JP 23714092A JP H0684902 A JPH0684902 A JP H0684902A
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- insulation film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】完全に平坦な表面を有する層間絶縁膜が得ら
れ、絶縁膜の表面の凹凸に起因する接続不良や配線の断
線、ショート等を防止することができ、歩留りの向上に
有効な絶縁膜の平坦化方法の提供。 【構成】半導体基板上に形成された層間絶縁膜にメカノ
ケミカルポリシングを施して、層間絶縁膜の表面を平坦
化する方法であって、第１の絶縁膜を形成し、さらに該
第１の絶縁膜の上に、第１の絶縁膜よりもポリシング速
度が遅い第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜と第２
の絶縁膜とからなる層間絶縁膜を構成した後、層間絶縁
膜の一部をメカノケミカルポリシングする工程を有する
絶縁膜の平坦化方法。
れ、絶縁膜の表面の凹凸に起因する接続不良や配線の断
線、ショート等を防止することができ、歩留りの向上に
有効な絶縁膜の平坦化方法の提供。 【構成】半導体基板上に形成された層間絶縁膜にメカノ
ケミカルポリシングを施して、層間絶縁膜の表面を平坦
化する方法であって、第１の絶縁膜を形成し、さらに該
第１の絶縁膜の上に、第１の絶縁膜よりもポリシング速
度が遅い第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜と第２
の絶縁膜とからなる層間絶縁膜を構成した後、層間絶縁
膜の一部をメカノケミカルポリシングする工程を有する
絶縁膜の平坦化方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁膜の平坦化方法に関
し、特に、多層配線を有する半導体装置の製造における
絶縁膜の表面を平坦化することができる方法に関する。
し、特に、多層配線を有する半導体装置の製造における
絶縁膜の表面を平坦化することができる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ技術の急速な進展により、
集積回路の高密度化、微細化が行われており、それに伴
って半導体表面の凹凸が極めて大きくなり、接続不良や
配線の断線、ショートなどを引起して歩留りの低下をき
たす原因となっている。
集積回路の高密度化、微細化が行われており、それに伴
って半導体表面の凹凸が極めて大きくなり、接続不良や
配線の断線、ショートなどを引起して歩留りの低下をき
たす原因となっている。
【０００３】そこで、半導体表面の凹凸を低減し、絶縁
膜表面の平坦化を実現する方法の１つとして、特開昭５
９−１３６９３４号公報等に記載されたメカノケミカル
ポリシング技術がある。
膜表面の平坦化を実現する方法の１つとして、特開昭５
９−１３６９３４号公報等に記載されたメカノケミカル
ポリシング技術がある。
【０００４】ここで、図２（ａ）〜（ｆ）に示す集積回
路の製造工程を例にとり、このメカノケミカルポリシン
グ技術による絶縁膜の平坦化方法について説明すると、 （ａ）まず、半導体基板２１に、選択酸化法により、フ
ィールド酸化膜２２とチャネルストッパー領域２３を形
成した後、ゲート酸化膜２４を熱酸化法によって形成す
る。（図２（ａ）） （ｂ）次に、ゲート電極および配線に用いられるリンを
ドープした多結晶シリコン層２５をＣＶＤ法により形成
した後、フォトリソグラフィーにより微細パターンを形
成する。さらに、イオン注入により砒素等のｎ型不純物
を導入して、ソース、ドレイン領域２６を形成する。
（図２（ｂ）） （ｃ）ＣＶＤ法により、酸化膜を形成して第１層絶縁膜
２７を設け、さらにフォトリソグラフィーによりコンタ
クトホール３０を形成する。次に、スパッタにより０．
８μｍの厚さのアルミニウム層を積層した後、フォトリ
ソグラフィーにより第１層アルミ配線層３１を形成す
る。（図２（ｃ）） （ｄ）さらに、ＣＶＤ法により、第１層アルミ配線層３
１の厚さの約２倍の１．５μｍ程度の厚さに酸化膜を積
層して第２層間絶縁膜３２を形成する。（図２（ｄ）） （ｅ）次に、粒径１００Å以下のシリカ微粉末を弱アル
カリ水溶液に懸濁してなる研磨液を用い、加工圧力１１
０ｇ／ｃｍ2 でメカノケミカルポリシングを行って、第
２層間絶縁膜３２を０．５〜０．７μｍ研磨し、この第
２層間絶縁膜３２の表面を平坦化する。（図２（ｅ）） （ｆ）第１層アルミ配線層３１と接続するビア３３を穿
設した後、アルミニウムを積層して第２層アルミ配線層
３４を形成する。（図２（ｆ）） 以上のように、（ｅ）の工程において、メカノケミカル
ポリシングにより、第２層間絶縁膜を平坦化することに
より、次の工程（ｆ）において、形成される第２層アル
ミ配線層を平坦にすることができ、半導体表面の凹凸の
増大に起因する接続不良や配線の断線、ショートなどの
防止に有効である。
路の製造工程を例にとり、このメカノケミカルポリシン
グ技術による絶縁膜の平坦化方法について説明すると、 （ａ）まず、半導体基板２１に、選択酸化法により、フ
ィールド酸化膜２２とチャネルストッパー領域２３を形
成した後、ゲート酸化膜２４を熱酸化法によって形成す
る。（図２（ａ）） （ｂ）次に、ゲート電極および配線に用いられるリンを
ドープした多結晶シリコン層２５をＣＶＤ法により形成
した後、フォトリソグラフィーにより微細パターンを形
成する。さらに、イオン注入により砒素等のｎ型不純物
を導入して、ソース、ドレイン領域２６を形成する。
（図２（ｂ）） （ｃ）ＣＶＤ法により、酸化膜を形成して第１層絶縁膜
２７を設け、さらにフォトリソグラフィーによりコンタ
クトホール３０を形成する。次に、スパッタにより０．
８μｍの厚さのアルミニウム層を積層した後、フォトリ
ソグラフィーにより第１層アルミ配線層３１を形成す
る。（図２（ｃ）） （ｄ）さらに、ＣＶＤ法により、第１層アルミ配線層３
１の厚さの約２倍の１．５μｍ程度の厚さに酸化膜を積
層して第２層間絶縁膜３２を形成する。（図２（ｄ）） （ｅ）次に、粒径１００Å以下のシリカ微粉末を弱アル
カリ水溶液に懸濁してなる研磨液を用い、加工圧力１１
０ｇ／ｃｍ2 でメカノケミカルポリシングを行って、第
２層間絶縁膜３２を０．５〜０．７μｍ研磨し、この第
２層間絶縁膜３２の表面を平坦化する。（図２（ｅ）） （ｆ）第１層アルミ配線層３１と接続するビア３３を穿
設した後、アルミニウムを積層して第２層アルミ配線層
３４を形成する。（図２（ｆ）） 以上のように、（ｅ）の工程において、メカノケミカル
ポリシングにより、第２層間絶縁膜を平坦化することに
より、次の工程（ｆ）において、形成される第２層アル
ミ配線層を平坦にすることができ、半導体表面の凹凸の
増大に起因する接続不良や配線の断線、ショートなどの
防止に有効である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記絶縁膜３
２が常圧ＣＶＤ法や塗布法によって形成される比較的柔
らかい膜であると、配線と配線の間の溝３５等の凹部に
充填された絶縁膜の箇所で、絶縁膜の表面に凹部３６が
残っていると、メカノケミカルポリシングによって研磨
されてしまうため、絶縁膜３２の表層にも配線と配線の
間の溝３５等の凹部に対応する窪み３７が形成されてし
まい、完全に平坦な絶縁膜を得ることが困難となるとい
う問題があった。
２が常圧ＣＶＤ法や塗布法によって形成される比較的柔
らかい膜であると、配線と配線の間の溝３５等の凹部に
充填された絶縁膜の箇所で、絶縁膜の表面に凹部３６が
残っていると、メカノケミカルポリシングによって研磨
されてしまうため、絶縁膜３２の表層にも配線と配線の
間の溝３５等の凹部に対応する窪み３７が形成されてし
まい、完全に平坦な絶縁膜を得ることが困難となるとい
う問題があった。
【０００６】そこで本発明の目的は、完全に平坦な表面
を有する層間絶縁膜が得られ、絶縁膜の表面の凹凸に起
因する接続不良や配線の断線、ショート等を防止するこ
とができ、歩留りの向上に有効な絶縁膜の平坦化方法を
提供することにある。
を有する層間絶縁膜が得られ、絶縁膜の表面の凹凸に起
因する接続不良や配線の断線、ショート等を防止するこ
とができ、歩留りの向上に有効な絶縁膜の平坦化方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するため、鋭意検討の結果、この絶縁膜が常圧Ｃ
ＶＤや塗布によって形成された比較的脆弱で柔らかい膜
であると、上記のような研磨液の流動による凹部の形成
が顕著に現れることに着目した。そこで、第１の絶縁膜
上に、第１の絶縁膜よりも強くて硬い第２の絶縁膜を形
成して２層構造の絶縁膜を構成することにより、凹部上
の第１の絶縁膜を第２の絶縁膜により保護して、メカノ
ケミカルポリシング時に窪みに溜まった研磨液が流動し
て窪みの研磨が進行するのを防止して、得られる絶縁膜
の表面を平坦化することができることを見出し、本発明
に到達した。
を解決するため、鋭意検討の結果、この絶縁膜が常圧Ｃ
ＶＤや塗布によって形成された比較的脆弱で柔らかい膜
であると、上記のような研磨液の流動による凹部の形成
が顕著に現れることに着目した。そこで、第１の絶縁膜
上に、第１の絶縁膜よりも強くて硬い第２の絶縁膜を形
成して２層構造の絶縁膜を構成することにより、凹部上
の第１の絶縁膜を第２の絶縁膜により保護して、メカノ
ケミカルポリシング時に窪みに溜まった研磨液が流動し
て窪みの研磨が進行するのを防止して、得られる絶縁膜
の表面を平坦化することができることを見出し、本発明
に到達した。
【０００８】すなわち、本発明は、半導体基板上に形成
された層間絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施し
て、層間絶縁膜の表面を平坦化する方法であって、第１
の絶縁膜を形成し、さらに該第１の絶縁膜の上に、第１
の絶縁膜よりもポリシング速度が遅い第２の絶縁膜を形
成して、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とからなる層間絶
縁膜を構成した後、層間絶縁膜の一部をメカノケミカル
ポリシングする工程を有する絶縁膜の平坦化方法を提供
するものである。
された層間絶縁膜にメカノケミカルポリシングを施し
て、層間絶縁膜の表面を平坦化する方法であって、第１
の絶縁膜を形成し、さらに該第１の絶縁膜の上に、第１
の絶縁膜よりもポリシング速度が遅い第２の絶縁膜を形
成して、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とからなる層間絶
縁膜を構成した後、層間絶縁膜の一部をメカノケミカル
ポリシングする工程を有する絶縁膜の平坦化方法を提供
するものである。
【０００９】以下、図１（ａ）〜（ｆ）に示す半導体装
置の製造工程を例に挙げ、これに基づいて本発明の絶縁
膜の平坦化方法（以下、「本発明の方法」という）につ
いて詳細に説明する。
置の製造工程を例に挙げ、これに基づいて本発明の絶縁
膜の平坦化方法（以下、「本発明の方法」という）につ
いて詳細に説明する。
【００１０】まず、図１（ａ）に示すとおり、ｐ型半導
体基板１に、選択酸化法により、フィールド酸化膜２と
チャネルストッパー領域３を形成した後、ゲート酸化膜
４を熱酸化法によって形成する。
体基板１に、選択酸化法により、フィールド酸化膜２と
チャネルストッパー領域３を形成した後、ゲート酸化膜
４を熱酸化法によって形成する。
【００１１】次に、図１（ｂ）に示すとおり、ゲート電
極および配線に用いられるリン等の不純物をドープした
多結晶シリコン層５をＣＶＤ法により形成した後、フォ
トリソグラフィーによりパターンを形成する。さらに、
イオン注入により砒素等のｎ型不純物を導入して、ｎ型
トランジスタのソース、ドレイン領域６を形成する。
極および配線に用いられるリン等の不純物をドープした
多結晶シリコン層５をＣＶＤ法により形成した後、フォ
トリソグラフィーによりパターンを形成する。さらに、
イオン注入により砒素等のｎ型不純物を導入して、ｎ型
トランジスタのソース、ドレイン領域６を形成する。
【００１２】次いで、図１（ｃ）に示すとおり、ＣＶＤ
法により、厚さ０．１〜０．３μｍの酸化膜７および厚
さ０．３〜１．５μｍのＢＰＳＧ膜８を形成し、リフロ
ー処理して第１層絶縁膜９を設け、さらにフォトリソグ
ラフィーによりコンタクトホール１０を形成する。次
に、スパッタにより０．３〜０．６μｍの厚さのアルミ
ニウム層を積層した後、フォトリソグラフィーにより第
１層アルミ配線１１を形成する。
法により、厚さ０．１〜０．３μｍの酸化膜７および厚
さ０．３〜１．５μｍのＢＰＳＧ膜８を形成し、リフロ
ー処理して第１層絶縁膜９を設け、さらにフォトリソグ
ラフィーによりコンタクトホール１０を形成する。次
に、スパッタにより０．３〜０．６μｍの厚さのアルミ
ニウム層を積層した後、フォトリソグラフィーにより第
１層アルミ配線１１を形成する。
【００１３】さらに、図１（ｄ）に示すとおり、ＣＶＤ
法により、第１層アルミ配線１１の厚さの約２〜３倍の
０．６〜１．８μｍ程度の厚さに酸化膜を積層して第１
の絶縁膜１２を形成し、第１層アルミ配線の間１３、お
よび凹部１４等を第１の絶縁膜１２中に埋め込む。この
とき、第１の絶縁膜１２としては、例えば、常圧におけ
るオゾンとＴＥＯＳの熱反応による酸化膜が好適であ
る。
法により、第１層アルミ配線１１の厚さの約２〜３倍の
０．６〜１．８μｍ程度の厚さに酸化膜を積層して第１
の絶縁膜１２を形成し、第１層アルミ配線の間１３、お
よび凹部１４等を第１の絶縁膜１２中に埋め込む。この
とき、第１の絶縁膜１２としては、例えば、常圧におけ
るオゾンとＴＥＯＳの熱反応による酸化膜が好適であ
る。
【００１４】さらにまた、ＣＶＤ法により、第１の絶縁
膜１２の上に１０００Å以上、好ましくは２０００〜５
０００Åの厚さの第２の絶縁膜１５を形成して、第１の
絶縁膜と第２の絶縁膜とからなる層間絶縁膜１６を構成
する。このとき、第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜よ
りも機械的強度が強く、硬い絶縁膜であり、例えば、プ
ラズマＣＶＤによる酸化膜あるいは窒化膜等が挙げられ
る。また、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜のスクラッチ試
験による強度は、通常、０．８〜０．９ｇｆと０．５ｇ
ｆ程度である。
膜１２の上に１０００Å以上、好ましくは２０００〜５
０００Åの厚さの第２の絶縁膜１５を形成して、第１の
絶縁膜と第２の絶縁膜とからなる層間絶縁膜１６を構成
する。このとき、第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜よ
りも機械的強度が強く、硬い絶縁膜であり、例えば、プ
ラズマＣＶＤによる酸化膜あるいは窒化膜等が挙げられ
る。また、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜のスクラッチ試
験による強度は、通常、０．８〜０．９ｇｆと０．５ｇ
ｆ程度である。
【００１５】さらに、本発明の方法において、第２の絶
縁膜の厚さは、通常、２０００〜５０００Å程度であ
り、好ましくは３０００Å程度である。
縁膜の厚さは、通常、２０００〜５０００Å程度であ
り、好ましくは３０００Å程度である。
【００１６】また、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の好ま
しい組合せは、Ｏ3 −ＴＥＯＳ ＳｉＯ2 膜とプラズマ
ＳｉＯ2 膜の組合せである。
しい組合せは、Ｏ3 −ＴＥＯＳ ＳｉＯ2 膜とプラズマ
ＳｉＯ2 膜の組合せである。
【００１７】次に、図１（ｅ）に示すとおり、研磨液を
用いるメカノケミカルポリシングによって、層間絶縁膜
１６を０．１〜０．８μｍポリシングし、この層間絶縁
膜１６の表面を平坦化する。このポリシングに際して、
第２の絶縁膜１５の一部のみがポリシングされるととも
に、第１の絶縁膜１２を全くポリシングしないか、ある
いは一部をポリシングするようにしてもよい。また、第
２の絶縁膜１５の全てがポリシングされ、第１の絶縁膜
１２の一部をポリシングするようにしてもよい。
用いるメカノケミカルポリシングによって、層間絶縁膜
１６を０．１〜０．８μｍポリシングし、この層間絶縁
膜１６の表面を平坦化する。このポリシングに際して、
第２の絶縁膜１５の一部のみがポリシングされるととも
に、第１の絶縁膜１２を全くポリシングしないか、ある
いは一部をポリシングするようにしてもよい。また、第
２の絶縁膜１５の全てがポリシングされ、第１の絶縁膜
１２の一部をポリシングするようにしてもよい。
【００１８】本発明の方法において、メカノケミカルポ
リシングに用いられる研磨液は、弱アルカリ性溶液に研
磨剤を懸濁してなるものである。
リシングに用いられる研磨液は、弱アルカリ性溶液に研
磨剤を懸濁してなるものである。
【００１９】この研磨液として用いられる弱アルカリ性
溶液は、ＫＯＨを、通常、０．１〜１０重量％程度、水
に溶解してなるものである。
溶液は、ＫＯＨを、通常、０．１〜１０重量％程度、水
に溶解してなるものである。
【００２０】用いられる研磨剤としては、特に限定され
ず、例えば、シリカ、ダイヤモンド、ＳｉＣ等が挙げら
れ、また、その粒径は１０〜３００Å程度、好ましくは
５０〜１５０Å程度のものである。
ず、例えば、シリカ、ダイヤモンド、ＳｉＣ等が挙げら
れ、また、その粒径は１０〜３００Å程度、好ましくは
５０〜１５０Å程度のものである。
【００２１】また、研磨液中の研磨剤の懸濁量は、通
常、１〜１０％程度である。
常、１〜１０％程度である。
【００２２】研磨液の温度は、通常、１０〜６０℃程
度、好ましくは１８〜３０℃程度に調整される。
度、好ましくは１８〜３０℃程度に調整される。
【００２３】メカノケミカルポリシングは、１〜１０Ｐ
Ｓｉ程度、好ましくは４〜７ＰＳｉ程度の加工圧力で、
パッドの回転速度４０ｒｐｍ、定盤の回転速度１０〜２
０ｒｐｍ程度で、１００〜２０００Å／ｍｉｎ程度の研
磨量をポリシングして行われる。また、用いられるポリ
シング装置は、常用の装置でよく、特に制限されない。
Ｓｉ程度、好ましくは４〜７ＰＳｉ程度の加工圧力で、
パッドの回転速度４０ｒｐｍ、定盤の回転速度１０〜２
０ｒｐｍ程度で、１００〜２０００Å／ｍｉｎ程度の研
磨量をポリシングして行われる。また、用いられるポリ
シング装置は、常用の装置でよく、特に制限されない。
【００２４】次に、図１（ｆ）に示すとおり、第１層ア
ルミ配線１１と接続するビア１７を穿設した後、アルミ
ニウムを積層して第２層アルミ配線１８を形成する。
（図１（ｆ））
ルミ配線１１と接続するビア１７を穿設した後、アルミ
ニウムを積層して第２層アルミ配線１８を形成する。
（図１（ｆ））
【００２５】以上、２層配線の半導体装置の一連の製造
工程において、第２層間絶縁膜を平坦化する工程を例と
して挙げ、本発明の方法を説明したが、本発明の方法
は、上記例示の製造工程にのみに限定されず、第１層間
絶縁膜、あるいはその他、半導体装置の製造工程におい
て形成される各種の絶縁膜の平坦化に適用できることは
もちろんである。
工程において、第２層間絶縁膜を平坦化する工程を例と
して挙げ、本発明の方法を説明したが、本発明の方法
は、上記例示の製造工程にのみに限定されず、第１層間
絶縁膜、あるいはその他、半導体装置の製造工程におい
て形成される各種の絶縁膜の平坦化に適用できることは
もちろんである。
【００２６】
【発明の効果】本発明の方法によれば、第１の絶縁膜上
に、第１の絶縁膜よりも強くて硬い第２の絶縁膜を形成
して２層構造の絶縁膜を構成することにより、凹部上の
第１の絶縁膜を第２の絶縁膜により保護して、メカノケ
ミカルポリシング時に窪みに溜まった研磨液が流動して
窪みの研磨が進行するのを防止して、得られる絶縁膜の
表面を平坦化することができる。そのため、本発明の方
法によれば、完全に平坦な表面を有する層間絶縁膜が得
られ、絶縁膜の表面の凹凸に起因する接続不良や配線の
断線、ショート等を防止することができ、歩留りの向上
に有効である。
に、第１の絶縁膜よりも強くて硬い第２の絶縁膜を形成
して２層構造の絶縁膜を構成することにより、凹部上の
第１の絶縁膜を第２の絶縁膜により保護して、メカノケ
ミカルポリシング時に窪みに溜まった研磨液が流動して
窪みの研磨が進行するのを防止して、得られる絶縁膜の
表面を平坦化することができる。そのため、本発明の方
法によれば、完全に平坦な表面を有する層間絶縁膜が得
られ、絶縁膜の表面の凹凸に起因する接続不良や配線の
断線、ショート等を防止することができ、歩留りの向上
に有効である。
【図１】 本発明の方法の実施態様を説明する図。
【図２】 半導体装置の製造工程において従来のメカノ
ケミカルポリシング法による絶縁膜の平坦化を説明する
図。
ケミカルポリシング法による絶縁膜の平坦化を説明する
図。
１ 半導体基板 ２ フィールド酸化膜 ３ チャネルストッパー領域 ４ ゲート酸化膜 ５ 多結晶シリコン層 ６ ソース、ドレイン領域 ７ 酸化膜 ８ ＢＰＳＧ膜 ９ 第１層絶縁膜 １０ コンタクトホール １１ 第１層アルミ配線 １２ 第１の絶縁膜 １３ 第１層アルミ配線の間 １４ 凹部 １５ 第２の絶縁膜 １６ 層間絶縁膜 １７ ビア １８ 第２層アルミ配線 ２１ 半導体基板 ２２ フィールド酸化膜 ２３ チャネルストッパー領域 ２４ ゲート酸化膜 ２５ 多結晶シリコン層 ２６ ソース、ドレイン領域 ２７ 第１層絶縁膜 ３０ コンタクトホール ３１ 第１層アルミ配線層 ３２ 第２層間絶縁膜 ３３ ビア ３４ 第２層アルミ配線層 ３５ 接続孔 ３６ 配線と配線の間の溝 ３７ 窪み
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された層間絶縁膜にメ
カノケミカルポリシングを施して、層間絶縁膜の表面を
平坦化する方法であって、第１の絶縁膜を形成し、さら
に該第１の絶縁膜の上に、第１の絶縁膜よりもポリシン
グ速度が遅い第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜と
第２の絶縁膜とからなる層間絶縁膜を構成した後、層間
絶縁膜の一部をメカノケミカルポリシングする工程を有
する絶縁膜の平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23714092A JPH0684902A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 絶縁膜の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23714092A JPH0684902A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 絶縁膜の平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684902A true JPH0684902A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17011003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23714092A Pending JPH0684902A (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 絶縁膜の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837187A (ja) * | 1994-05-19 | 1996-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH09115903A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP23714092A patent/JPH0684902A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837187A (ja) * | 1994-05-19 | 1996-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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