JPH0682613A - 光学素子及び偏光素子及び検光子及び光ヘッド及び光磁気信号検出手段及び光学素子製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高性能、安価、薄型の偏光素子、検光子を実
現し、小型で安価な光磁気ヘッドを供給し、ｓ／ｎの良
い光磁気信号検出ができ、量産性のある製造方法を実現
する。 【構成】 複数の稜線２０１を有し断面形状がのこぎり
刃状の形状を有する基板２０２に偏光性光学薄膜２０３
を設け、透明物質２０４で満たした。 【効果】 偏光プリズムと同等の高い透過率と消光比が
得られ、しかも従来の偏光板なみに薄い偏光素子が安価
に得られ、複合化された検光子を構成し、小型な光ヘッ
ドが実現できた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的フィルター等の
光学素子、偏光素子、検光子と光記憶装置に用いられる
光ヘッドと光学素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のフィルター等の光学素子は単一の
平面に誘電薄膜あるいは金属膜を設けたものであり、ま
た従来の偏光素子あるいは検光子は単一の平面に偏光性
光学薄膜を設けた偏光プリズムか二色性偏光子か複屈折
プリズムであり、また従来の光ヘッドは偏光プリズムか
二色性偏光子か複屈折プリズムを用いたものであり、本
発明の光学素子、偏光素子、検光子の製造方法は従来な
かった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが従来の光学素
子は、反射あるいは屈折作用が一回しか起こらず機能が
限定されていた。また従来の偏光プリズムは厚さが厚
く、二色性偏光子は透過率が低く、複屈折プリズムは大
きくできなかった。また従来の偏光プリズムの検光子は
検出光の方向が大きく離れてしまい、二色性偏光子は一
つの偏光方向の検出しかできず、複屈折プリズムは高価
であった。また従来の光ヘッドは大きく高価であった。

【０００４】そこで本発明の目的は、多機能な光学素子
と、薄く高透過率で大型化が可能な偏光素子と、一つの
検光子で複数の偏光方向の検出が可能な小型で安価な検
光子と、小型で安価な光ヘッドと、本発明の光学素子、
偏光素子、検光子を効率よく製造する製造方法を提供す
る所にある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の光学素子は、断
面形状がのこぎり刃状の形状を有する基板に誘電薄膜あ
るいは金属膜を設けた事を特徴とする。

【０００６】本発明の偏光素子は、複数の稜線を有し断
面形状がのこぎり刃状の形状を有する基板に偏光性光学
薄膜を設けた事を特徴とする。

【０００７】本発明の検光子は、稜線を有し断面形状が
山形あるいはのこぎり刃状の形状を有する第一の基板部
と、第一の基板部と異なる方向の稜線を有し断面形状が
山形あるいはのこぎり刃状の形状を有する少なくとも第
二の基板部を有し、前記第一及び第二の基板部に偏光性
光学薄膜を設けた事を特徴とする。

【０００８】本発明の検光子は、同一基板内に斜面を４
ヶ所有し、各々の斜面の法線が入射光束の主光線と２０
°以上の角度を持ち、その内２つの斜面は、光線の光軸
と偏光方向を含む面に対し斜面の法線と光線の光軸を含
む面がＡ°、他の２つの面は、光線の光軸と偏光方向を
含む面に対し斜面の法線と光線の光軸を含む面が−Ａ°
となり、その斜面に偏光性光学薄膜を設けた事を特徴と
する。

【０００９】本発明の検光子は、同一基板内に斜面を２
ヶ所有し、一つの斜面に少なくとも２つ以上の光束が入
射し、各々の斜面の法線が入射光束の主光線と２０°以
上の角度を持ち、１つの斜面は、その斜面に入射する全
ての光線の光軸と偏光方向とを含む面に対し斜面の法線
と光軸を含む面がＡ°、他の面は、その斜面に入射する
全ての光線の光軸と偏光方向とを含む面に対し、斜面の
法線と光軸を含む面が−Ａ°となり、その斜面に偏光性
光学薄膜を設けた事を特徴とする。

【００１０】本発明の検光子は、斜面を形成する部分の
頂角を約４５°とする事を特徴とする。

【００１１】本発明の光ヘッドは、光磁気記憶媒体を用
いて情報の記録再生を行う光記憶装置において、光源と
少なくとも二方向に光を分岐する光分岐手段と光検出手
段を有し、前記光分岐手段と光検出手段の間に前記検光
子を有する事を特徴とする。

【００１２】本発明の光ヘッドは、光磁気記憶媒体を用
いて情報の記録再生を行う光記憶装置において、前記検
光子を光分岐手段に透明物質を用いて接着固定した事を
特徴とする。

【００１３】本発明の光ヘッドは、光磁気記憶媒体を用
いて情報の記録再生を行う光記憶装置において、一つの
光学素子の片側に前記検光子を形成し、もう一方の側面
に光分岐手段を形成した事を特徴とする。

【００１４】本発明の光ヘッドは、半導体レーザと光検
出素子を同一のパッケージ内に納めた素子を有し、光分
岐手段を有し、前記検光子を前記光分岐手段に透明物質
を用いて接着固定した素子を前記パッケージに接着固定
した事を特徴とする。

【００１５】本発明の光ヘッドは、光磁気記憶媒体を用
いて情報の記録再生を行う光記憶装置おいて、光源と検
出素子が一つのパッケージ内に収められていること、光
源からの光と記録媒体からの戻り光が同じ光学素子を透
過すること、前記光学素子に少なくとも３つ以上の斜面
を持ち、前記斜面に偏光性光学薄膜を有し、一つの斜面
は光源からの光の透過光路上に有り、斜面に対する光線
の入射角を１０度から８０度に設定し、且つ、入射光線
の偏光方向が斜面の法線と入射光線の光軸を含む面内に
なるように設定（斜面に対しｐ波となるよう設定）した
こと、他の少なくとも２つ以上の斜面に光磁気媒体から
の戻り光を入射させ、斜面に対する光線の入射角を１０
度から８０度に設定し、少なくとも一つの斜面は、光源
からの光線の偏光方向に対し、斜面の法線と入射光線の
光軸を含む面の角度をＡ度とし、他の少なくとも一つの
斜面は、光源からの光線の偏光方向に対し、斜面の法線
と入射光線の光軸を含む面の角度をーＡ度とする事、Ａ
の値は１０度から８０度とする事を特徴とする。

【００１６】本発明の光ヘッドは、前記検光子を光検出
手段に透明物質を用いて接着固定した事を特徴とする。

【００１７】本発明の光ヘッドは、前記検光子を光分岐
手段と光検出手段とに透明物質を用いて接着固定した事
を特徴とする。

【００１８】本発明の光磁気信号検出手段は、光磁気記
憶媒体を用いて情報の記録再生を行う光記憶装置におい
て、前記検光子を有し、光線の光軸と偏光方向を含む面
に対し斜面の法線と光線の光軸を含む面がＡ°となる斜
面を透過した光線を一組のセンサーで受光し、出力の加
算を行う。一方、光線の光軸と偏光方向を含む面に対し
斜面の法線と光線の光軸を含む面が−Ａ°となる他の斜
面を透過した光を別の一組のセンサーで受光し、センサ
ー出力の加算を行い、それぞれの加算出力の差動をとる
事を特徴とする。

【００１９】本発明の光ヘッドは、光磁気記憶媒体を用
いて情報の記録再生を行う光記憶装置において、光源と
少なくとも二方向に光を分岐する光分岐手段と光検出手
段を有し、前記光分岐手段と光検出手段の間に前記偏光
素子を有する事を特徴とする。

【００２０】本発明の光学素子は、偏光性光学薄膜ある
いは金属膜を設けた斜面を有する光学素子の斜面を接着
剤、または、透明樹脂で充填した事を特徴とする。

【００２１】本発明の光学素子は、誘電薄膜あるいは金
属膜を設けた断面形状がのこぎり刃状の面を透明物質で
充填した事を特徴とする。

【００２２】本発明の偏光素子は、偏光性光学薄膜を設
けた断面形状がのこぎり刃状の面を透明物質で充填した
事を特徴とする。

【００２３】本発明の検光子は、偏光性光学薄膜を設け
た断面形状が山形あるいはのこぎり刃状の形状の第一の
基板部及び第二の基板部の面を透明物質で充填した事を
特徴とする。

【００２４】本発明の偏光素子は、のこぎり刃状の断面
形状の山部及び谷部の角度はほぼ９０度である事を特徴
とする。

【００２５】本発明の検光子は、山形あるいはのこぎり
刃状の断面形状の山部、谷部の角度はほぼ９０度である
事を特徴とする。

【００２６】本発明の検光子は、検光子の基準方向に対
して第一の基板部の稜線の方向が＋Ａ度の場合、第二の
基板部の稜線の方向がほぼ−Ａ度である事を特徴とす
る。

【００２７】本発明の検光子は、検光子の基準方向に対
して第一の基板部の稜線の方向がほぼ＋４５度の場合、
第二の基板部の稜線の方向がほぼ−４５度である事を特
徴とする。

【００２８】本発明の光ヘッドは、実質的に光源の偏光
方向に対する第一の基板部の稜線の方向が＋ａ度の場
合、第二の基板部の稜線の方向が−ａ度である事を特徴
とする。

【００２９】本発明の光ヘッドは、実質的に光源の偏光
方向に対する第一の基板部の稜線の方向が＋４５度、第
二の基板部の稜線の方向が−４５度である事を特徴とす
る。

【００３０】本発明の光ヘッドは、光分岐手段は回折手
段である事を特徴とする。

【００３１】本発明の光ヘッドは、光分岐手段はブレー
ズ加工された回折手段である事を特徴とする。

【００３２】本発明の光学素子製造方法は、透明基板に
ホットスタンプ法により山形あるいはのこぎり刃状の形
状を転写し、その上に誘電薄膜あるいは金属膜を蒸着す
る事を特徴とする。

【００３３】本発明の光学素子製造方法は、山形あるい
はのこぎり刃状の形状を表面に有するローラを、基板に
押しつけ回転させる事により、連続的に山形あるいはの
こぎり刃状の形状を転写し、その上に誘電薄膜あるいは
金属膜を蒸着する事を特徴とする。

【００３４】本発明の光学素子製造方法は、樹脂または
ガラスの射出成形、あるいは、モールド成形により山形
あるいはのこぎり刃状の形状、あるいは、少なくとも一
つ以上の斜面を持つ形状を転写し、その上に誘電薄膜あ
るいは金属膜を蒸着する事を特徴とする。

【００３５】

【実施例】

（実施例１）図１（ａ）は本発明の光学素子の平面図、
図１（ｂ）は断面図である。複数の稜線１０１を有し、
図１（ｂ）のごとく断面がのこぎり刃状である。稜線１
０１を有するガラス製の基板１０２に誘電多層膜１０３
を蒸着する事により反射フィルターを構成した。

【００３６】基板はプラスチック、金属等でも可能であ
った。

【００３７】正面からの入射光線１０４ははじめポイン
ト１０５で反射しつぎにポイント１０６で反射する。二
回反射をするためにフィルター特性は自乗となり、強調
されたフィルター特性が得られた。

【００３８】また斜めからの入射光１０７ははじめポイ
ント１０８で反射しつぎにポイント１０９で反射する。
ポイント１０８の反射面に対する入射角とポイント１０
９における入射角は異なり、誘電多層膜における分光特
性は入射角依存性があるから得られるフィルター特性は
ポイント１０８における分光特性とポイント１０９にお
ける分光特性のかけ算となり、複雑な反射特性が得られ
た。

【００３９】さらにのこぎり刃状の形状の山部と谷部の
角度を９０度より小さくし、光学素子への入射角を適当
に選ぶ事により、反射回数をさらに多くする事が可能で
あり、複雑な特性を得る事ができた。

【００４０】稜線と稜線の間隔は数ミクロン以上ならば
良好であった。

【００４１】またピラミッド形状が多数配列した表面形
状のように、いちまつ模様状の多数の稜線を有する基板
を用いるとさらに複雑で美しい特性がえられ、これはデ
ィスプレーや装飾用の素材として利用できる。この場合
も断面形状はのこぎり刃状となる。

【００４２】（実施例２）図２（ａ）は本発明の偏光素
子の平面図、図２（ｂ）は断面図である。複数の稜線２
０１を有し、図２（ｂ）のごとく断面がのこぎり刃状で
ある。稜線２０１を有するプラスチックシートである透
明基板２０２に偏光性光学薄膜２０３を蒸着し、透明樹
脂である透明物質２０４をコーティングする事により偏
光素子を構成した。

【００４３】正面からの入射光線２０５は偏光性光学薄
膜２０３によりＰ偏光成分は透過し、透過光２０６とな
り、Ｓ偏光成分は二回反射し、反射光２０７となる。

【００４４】稜線の方向は偏光素子の外形に対して４５
度としてあり、透過光２０６は素子外形に対して４５度
の偏光となる。この偏光の方向は稜線の方向により任意
に定める事ができた。

【００４５】稜線と稜線の間隔は透明基板２０２の厚み
の二倍以下にすれば良い。

【００４６】透明基板２０２の材質は、アクリル樹脂、
ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、ポリ
スチレン等の使用する光の波長に対して透明な樹脂であ
る。

【００４７】透明物質２０４は、紫外線硬化樹脂、エポ
キシ樹脂、バルサム等の使用する光の波長に対して透明
な樹脂である。

【００４８】このように透明物質２０４を充填させる事
により、透過光２０６の方向を入射光線２０５の方向と
同じとする事ができた。

【００４９】製造のための型は、稜線の間隔が数百ミク
ロン以上と比較的広い場合は機械加工技術、数十ミクロ
ンから数ミクロンの比較的狭い場合はフォトエッチング
技術とブレーズ化技術により製作した。

【００５０】この偏光素子は液晶表示装置、光シャッタ
ー、等に応用できた。

【００５１】（実施例３）図３は本発明の検光子の平面
図である。複数の稜線３０１を有する第一の基板部３０
２と、それと異なる方向の複数の稜線３０３を有する第
二の基板部３０４をＰＭＭＡ樹脂を射出成形により一体
に作成し、稜線のあるのこぎり刃状の面に偏光性光学薄
膜である誘電多層膜を蒸着し、光磁気記憶装置の光ヘッ
ドに使用する検光子を構成した物である。

【００５２】検光子の基準方向である外形の一辺に対す
る稜線３０１の角度は４５度、他の稜線３０３の角度は
−４５度である。

【００５３】稜線の数は、それぞれの基板部に一つずつ
でも良く、その場合断面形状は山形となる。

【００５４】また第一の基板部と第二の基板部は必ずし
も隣接している必要はなく、構造上必要な間隙を設け、
その間を連結しても良い。これはプラスチックの射出成
形で可能である。

【００５５】（実施例４）図１２は本発明の検光子の平
面図である。尚、ここで説明のために、縦方向をｙ方
向、横方向をｘ方向と定める。透明物質で出来た基板１
２０６に斜面部を有する領域１２０２，１２０３，１２
０４，１２０５がある。また、この領域にはそれぞれ、
光線１２０７，１２０８，１２０９，１２１０が入射す
る。この光線の偏光方向は１２０１で示すようにｘ軸に
対し４５°方向に設定されている。

【００５６】図１３（ａ）に領域１２０２，１２０３の
領域のｘ方向の断面図を示す。また、図１３（ｂ）に領
域１２０２，１２０３の領域のｙ方向の断面図を示す。
この様に領域１２０２と１２０３は同じ方向の斜面を持
ち、基板部に対する斜面の角度が約４５°に設定してあ
る。この斜面１２１１には偏光性薄膜を蒸着し、斜面か
ら基板の面までを、透明物質１２１２で充填して有る。
一方、領域１２０４，１２０５は図１４（ａ）にｘ方向
の断面図で、また、図１４（ｂ）にｙ方向の断面図で示
すように、領域１２０２，１２０３とは斜面の方向が９
０°回転した方向つまり、Ｙ方向に設定して有る。領域
１２０４と１２０５は同じ方向の斜面を持ち、基板部に
対する斜面の角度が約４５°に設定してある。また、領
域１２０２，１２０３と同様に、斜面１２１６には偏光
性薄膜を蒸着し、斜面から基板の面までを、透明物質１
２１７で充填して有る。

【００５７】これらの構成では、斜面１２１１ではｐ波
成分は透過しｓ波は反射する。従って領域１２０２，１
２０３に入射する偏光方向１２０１を持つ光線１２１３
は斜面１２１１によりｐ波成分のみを選択して透過す
る。つまり、１２０１方向に偏光している成分の内Ｘ方
向の成分１２１４だけ透過する事になる。一方、斜面１
２１６も同様に、ｐ波成分は透過しｓ波は反射する。従
って、領域１２０４，１２０５に入射する偏光方向１２
０１を持つ光線１２１８は斜面１２１６によりｐ波成分
のみを選択して透過する。しかし、この領域では斜面の
方向が９０゜回転しているため１２０１方向に偏光して
いる成分の内Ｙ方向の成分１２１９だけ透過する事にな
る。

【００５８】この様にして、領域１２０２，１２０３と
領域１２０４，１２０５でお互い土４５゜方向の検波が
できる。

【００５９】土４５°方向の検波は、斜面の方向を偏光
方向に対し絶対値で等しくなるように偏光方向に対し対
称に設定すれば、任意に変化させる事が出来る。つま
り、土Ａ°方向の検波を行うのであれば、偏光方向に対
する斜面の法線と光軸を含む面の角度を、一方の斜面は
＋Ａ°、もう一方の斜面は−Ａ°に設定すればよい。

【００６０】斜面の法線と光線の光軸との角度は、斜面
に設けられた偏光性薄膜によりｐ波を透過し、ｓ波を反
射する機能が達成できる角度ならば如何なる角度でも良
い。この場合、斜面に入射する角度として概ね斜面の法
線に対し２０°以上が望ましい。

【００６１】（実施例５）図１５は本発明の検光子の平
面図である。尚、ここで説明のために、縦方向をｙ方
向、横方向をｘ方向と定める。透明物質で出来た基板１
３０４に斜面部を有する領域１３０２，１３０３，があ
る。また、この領域にはそれぞれ、光線１３０５，１３
０６，１３０７，１３０８が入射する。この光線の偏光
方向は１３０１で示すようにｘ軸に対し４５°方向に設
定されている。

【００６２】図１６（ａ）に領域１３０２，の領域のｘ
方向の断面図を示す。また、図１６（ｂ）に領域１３０
２，の領域のｙ方向の断面図を示す。この様に領域１３
０２はＸ方向の斜面を持ち、基板部に対する斜面の角度
が約４５°に設定してある。この斜面１３０９には偏光
性薄膜を蒸着し、斜面から基板の面までを、透明物質１
３１３で充填して有る。一方、領域１３０３は、図１７
（ａ）にｘ方向の断面図で、また、図１７（ｂ）にｙ方
向の断面図で示すように、領域１３０２とは斜面の方向
が９０°回転した方向、つまりＹ方向に設定して有る。
領域１３０３はＹ方向の斜面を持ち、基板部に対する斜
面の角度が約４５°に設定してある。また、領域１３０
２と同様に、斜面１３１４には偏光性薄膜を蒸着し、斜
面から基板の面までを、透明物質１３１８で充填して有
る。

【００６３】これらの構成では、斜面１３０９ではｐ波
成分は透過しｓ波は反射する。従って領域１３０２，１
３０３に入射する偏光方向１３０１を持つ光線１３０
５，１３０６は斜面１３０９によりｐ波成分のみを選択
して透過する。つまり、１３０１方向に偏光している成
分の内Ｘ方向の成分１３１１だけ透過する事になる。一
方、斜面１３１４も同様に、ｐ波成分は透過しｓ波は反
射する。従って、領域１３０３に入射する偏光方向１３
０１を持つ光線１３０７，１３０８は斜面１３１４によ
りｐ波成分のみを選択して透過する。しかし、この領域
では斜面の方向が９０゜回転しているため１３０１方向
に偏光している成分の内Ｙ方向１３１６の成分だけ透過
する事になる。

【００６４】この様にして、領域１３０２と領域１３０
３でお互い土４５゜方向の検波ができる。

【００６５】土４５°方向の検波は、斜面の方向を偏光
方向に対し絶対値で等しくなるように偏光方向に対し対
称に設定すれば、任意に変化させる事が出来る。つま
り、土Ａ°方向の検波を行うのであれば、偏光方向に対
する斜面の法線と光軸を含む面の角度を、一方の斜面は
＋Ａ°、もう一方の斜面は−Ａ°に設定すればよい。

【００６６】斜面の法線と光線の光軸との角度は、斜面
に設けられた偏光性薄膜によりｐ波を透過し、ｓ波を反
射する機能が達成できる角度ならば如何なる角度でも良
い。この場合、斜面に入射する角度として概ね斜面の法
線に対し２０°以上が望ましい。

【００６７】（実施例６）図４（ａ）は本発明の光ヘッ
ドの側面図、図４（ｂ）は本発明の光ヘッドの平面図で
ある。

【００６８】半導体レーザ４０１から出た光はブレーズ
加工されたホログラフィック素子４０２により反射さ
れ、対物レンズ４０３により光磁気記憶媒体４０４にい
たる。光磁気記憶媒体４０４により反射した光は再び対
物レンズ４０３をへて、ホログラフィック素子４０２に
より二方向へ回折され分岐される。ホログラフィツク素
子４０２は図４（ｂ）のごとく分割線４０７により分割
された二つの領域を有し、それぞれの領域から一つずつ
の光束が生成され、それぞれの光束には極性が逆の非点
収差がホログラフィック素子４０２により付与される。

【００６９】分岐された光は実施例３に示した検光子４
０５により検波され、フォトセンサー４０６により光電
変換される。

【００７０】フォトセンサー４０６は、図５に示す構造
を有している。長方形の６つの受光部５０１、５０２、
５０３、５０４、５０５、５０６を有し、５０１と５０
３、５０４と５０６が結線され、四つの端子５０７、５
０８、５０９、５１０を有している。その上に検光子４
０５が透明樹脂で接着されている。

【００７１】断面を図６に示す。フォトセンサー４０６
に検光子４０５を透明樹脂６０１で接着する事により構
成している。

【００７２】図７に光源の偏光方向７０１と、第一の基
板部の稜線の方向及び第二の基板部の稜線の方向の関係
を示す。本実施例ではａの値を４５度とした。この角度
にすると最も変調振幅を大きくできた。

【００７３】図８にのこぎり刃状の断面形状の山部８０
１及び谷部８０２の角度を示す。本実施例では９０度と
した。この角度とすると不要なＳ偏光成分をもとの入射
方向にもどす事ができ迷光となりにくい。

【００７４】（実施例７）図１８は本発明の光ヘッドの
側面図である。半導体レーザ１４０９から出射した光線
は、前記実施例で示してきた検光子１４０６に入射し、
検光子に接着してあるホログラム素子１４０５を透過
し、対物レンズ１４０２により光磁気記録媒体１４０１
に集光される。尚、ホログラム素子１４０５と検光子１
４０６の接着時に領域１４１８，１４１９の領域に存在
する斜面とホログラム素子との隙間も透明接着剤で充填
する。これにより、光線の通過面の面精度はホログラム
素子の面精度で保証される。光磁気記録媒体に集光され
た光は反射により光磁気信号を得、対物レンズ１４０２
に戻る。対物レンズからの戻り光は、光磁気記録媒体へ
の光路と同じ１４１２の様に集光され、ホログラム１４
０３に入射する。ホログラムによって、回折された土１
次光はそれぞれ１４１３，１４１４に示す光束となり、
光束１４１３は検光子の領域１４１８に、光束１４１４
は検光子の領域１４１９に入射する。検光子１４０６の
平面図を図１９に示す。領域１４１８の斜面の方向は、
半導体レーザからの出射光の偏光方向１４１５に対し斜
面の法線と光軸を含む面の角度が−４５°に設定してあ
り、一方、領域１４１９の斜面の方向は、半導体レーザ
からの出射光の偏光方向１４１５に対し斜面の法線と光
軸を含む面の角度が＋４５°に設定してある。また斜面
１４１８，１４１９は、同じｐ波透過ｓ波反射の偏光性
薄膜が蒸着してある。従って、領域１４１８と領域１４
１９はｐ波の透過方向がそれぞれ１４１６，１４１７と
なり、半導体レーザ出射光の偏光方向１４１５に対し、
それぞれ土４５°の検波が出来る。検波方向が＋４５°
の領域を透過した光束１４１３は、受光素子１４１０に
入射する。

【００７５】また、検波方向が−４５°の領域を透過し
た光束１４１４は、受光素子１４１１に入射する。半導
体レーザ１４０９と受光素子１４１０，１４１１は同一
のパッケージ１４０８に収めてあり、パッケージ１４０
８及びホログラム１４０５と検光子１４０６の接着され
た光学素子によって、封止され湿気等に対する保護も同
時に行っている。また、受光素子１４１０，１４１１は
同一シリコンウエハ上に形成されている。半導体レーザ
１４０９は接合面で発光するタイプでも面発光タイプで
も同様の光ヘッド得られる。

【００７６】（実施例８）図２０は本発明の光ヘッドの
側面図である。半導体レーザ１４０９から出射した光線
は、パッケージを封止しているカバーガラス１５０３を
透過し、半導体レーザ側に検波領域１５０２，１５０４
を持つ面を有し記録媒体側にホログラム面１５０５を持
つ面を有する複合光学素子１５０１を透過し、対物レン
ズ１４０２により光磁気記録媒体１４０１に集光され
る。尚、カバーガラスと複合光学素子１５０１の接着時
に領域１５０２，１５０４の領域に存在する斜面とカバ
ーガラスとの隙間も透明接着剤で充填する。光磁気記録
媒体に集光された光は反射により光磁気信号を得、対物
レンズ１４０２に戻る。対物レンズからの戻り光は、光
磁気記録媒体への光路と同じ１４１２の様に集光され、
ホログラム１５０５に入射する。ホログラムによって、
回折された土１次光はそれぞれ１５０６，１５０７に示
す光束となり、光束１５０６は検光子の領域１５０２
に、光束１５０７は検光子の領域１５０４に入射する。
検光子１５０１の平面図を図２１に示す。領域１５０２
の斜面の方向は、半導体レーザからの出射光の偏光方向
１４１５に対し斜面の法線と光軸を含む面の角度が−４
５°に設定してあり、一方、領域１５０４の斜面の方向
は、半導体レーザからの出射光の偏光方向１４１５に対
し斜面の法線と光軸を含む面の角度が＋４５°に設定し
てある。また斜面１５０２，１５０４は、同じｐ波透過
ｓ波反射の偏光性薄膜が蒸着してある。従って、領域１
５０２と領域１５０４はｐ波の透過方向がそれぞれ１５
０８，１５０９となり、半導体レーザ出射光の偏光方向
１４１５に対し、それぞれ土４５°の検波が出来る。検
波方向が＋４５°の領域を透過した光束１５０６は、受
光素子１４１０に入射する。また、検波方向が−４５°
の領域を透過した光束１５０７は、受光素子１４１１に
入射する。実施例７と同様に半導体レーザ１４０９と受
光素子１４１０，１４１１は同一のパッケージ１４０８
に収めてあり、パッケージ１４０８及び、カバーガラス
１５０３と複合光学素子１５０１の接着された光学素子
によって、封止され湿気等に対する保護も同時に行って
いる。

【００７７】（実施例９）図２２は本発明の光ヘッドの
側面図である。半導体レーザ１６０８はシリコン基板１
６０５上に実装されており、シリコン基板１６０５には
フォトダイオード１６０９，１６１０が形成されてい
る。半導体レーザ１６０８から出射した光線は、検光子
の形成されている基板１６０２に入射する。レーザから
の出射光１４１２は、領域１６０１を透過する。ここ
で、領域１６０１は、偏光方向に平行、垂直方向の断面
図をそれぞれ図２４（ａ），（ｂ）に示すように、斜面
１６０１の法線と光軸を含む面は偏光方向と一致してお
り、光束１４１２はｐ波として１６０１に入射する。１
６０１には偏光性薄膜が蒸着されており、ｐ波透過、ｓ
波反射となる。半導体レーザからの出射光束１４１２は
１４１５方向に偏光しており１６０１領域では、ほぼ損
失がなく透過する。また、検光子１６０２とホログラム
素子１４０５を接着する時、ホログラム素子と１６０
１，１６０３，１６０４の斜面との間を透明接着剤で充
填する。

【００７８】ホログラム素子１４０５を透過した光束１
４１２は、対物レンズ１４０２により光磁気記録媒体１
４０１に集光される。。光磁気記録媒体に集光された光
は反射により光磁気信号を得、対物レンズ１４０２に戻
る。対物レンズからの戻り光は、光磁気記録媒体への光
路と同じ１４１２の様に集光され、ホログラム１４０３
に入射する。ホログラムによって、回折された土１次光
はそれぞれ１６０６，１６０７に示す光束となり、光束
１６０６は検光子の領域１６０３に、光束１６０７は検
光子の領域１６０４に入射する。検光子１６０２の平面
図を図２３に示す。領域１６０３の斜面の方向は、半導
体レーザからの出射光の偏光方向１４１５に対し斜面の
法線と光軸を含む面の角度が−４５°に設定してあり、
一方、領域１６０４の斜面の方向は、半導体レーザから
の出射光の偏光方向１４１５に対し斜面の法線と光軸を
含む面の角度が＋４５°に設定してある。また斜面１６
０１，１６０３，１６０４は、同じｐ波透過ｓ波反射の
偏光性薄膜が蒸着してある。従って、斜面１６０１，１
６０３，１６０４に同じ偏光性薄膜を蒸着する事で、領
域１６０３と領域１６０４はｐ波の透過方向がそれぞれ
１６１１，１６１２となり、半導体レーザ出射光の偏光
方向１４１５に対し、それぞれ土４５°の検波が出来、
しかも、領域１６０１では半導体レーザからの光をほぼ
１００％透過させる事ができる。これにより偏光性薄膜
を蒸着する時の半導体レーザからの出射光の入射領域を
マスクする必要が無くなり、大きくコストダウンする事
が出来た。

【００７９】検波方向が＋４５°の領域を透過した光束
１６０６は、受光素子１６０５に入射する。また、検波
方向が−４５°の領域を透過した光束１６０７は、受光
素子１６１０に入射する。半導体レーザ１６０８と受光
素子１６０９，１６１０は同一のパッケージ１４０８に
収めてあり、パッケージ１４０８及びホログラム１４０
５と検光子１６０２の接着された光学素子によって、封
止され湿気等に対する保護も同時に行っている。また、
受光素子１６０９，１６１０は同一シリコンウエハ上に
形成されており、半導体レーザ１６０８は前記シリコン
ウエハ上に実装されており、シリコンウエハ上に設けら
れた斜面により反射しシリコンウエハと垂直に出射す
る。また面発光タイプの半導体レーザであれば、反射部
材を用い無くともシリコンウエハと垂直にレーザ光を出
射出来る。

【００８０】また、偏光性光学薄膜の蒸着されている斜
面の法線と入射光線のなす角度を４５度より大きくする
事により、より消光比の高い検光子が得られた。

【００８１】一方、偏光性光学薄膜の蒸着されている斜
面の法線と入射光線のなす角度を４５度より小さくする
事により、検光子の厚みをうすく出来、より小型薄型の
検光子と光学ヘッドを得る事ができる。

【００８２】（実施例１０）図２５は本発明の光ヘッド
の受光素子の平面図である。ヘッド光学系は実施例９に
示したものである、半導体レーザ１６０８はシリコン基
板１６０５上に実装されており、シリコン基板１６０５
にはフォトダイオード１７０２，１７０３，１７０４，
１７０５，１７０６，１７０７が形成されている。実施
例５で示した検光子により、半導体レーザの偏光方向に
対し＋４５°方向で検波された光束のセンサー上のスポ
ットを１７０８，１７０９に示す。また、半導体レーザ
の偏光方向に対し−４５°方向で検波された光束のセン
サー上のスポットを１７１０，１７１１に示す。

【００８３】図２６に本発明の光磁気検出回路のブロッ
ク図を示す。フォトダイオード１７０２，１７０３，１
７０４，１７０５，１７０６，１７０７の出力をそれぞ
れ電流電圧変換を行ない、１７０２，１７０３，１７０
４の電流電圧変換出力を加算回路１７０９で加算し、一
方、１７０５，１７０６，１７０７の電流電圧変換出力
を加算回路１７１０で加算する。加算回路１７０９と１
７１０の出力を差動回路１７１１で差動を取る事により
光磁気信号１７１３を得る事が出来る。また、加算回路
１７０９と１７１０の出力を加算回路１７１２で和を取
る事によりプリピット等のＲＯＭ信号１７１４を得る事
が出来る。

【００８４】（実施例１１）図９は本発明の光ヘッドの
他の実施例である。

【００８５】半導体レーザ９０１から出た光はホログラ
フィック素子９０２を透過し、対物レンズ９０３により
光磁気記憶媒体９０４にいたる。光磁気記憶媒体９０４
により反射した光は再び対物レンズ９０３をへて、ホロ
グラフィック素子９０２により二方向へ回折され分岐さ
れる。

【００８６】分岐された光は実施例２に示した偏光素子
９０５、９０６を透過し、フォトダイオード９０７、９
０８により光電変換される。

【００８７】偏光素子９０５、９０６の稜線の方向は光
源の偏光方向に対して＋１５度、−１５度とした。

【００８８】（実施例１２）図１０は本発明の光学素子
製造方法の実施例である。透明基板であるＰＭＭＡのシ
ート１００１にヒータ１００２により高温にした金型１
００３を矢印１００４の方向に動かす事により押しつけ
のこぎり刃状の形状１００５を形成した。

【００８９】そののち誘電薄膜を蒸着した。

【００９０】透明基板は、ガラスのブロックでも良くそ
の場合は金型の温度をさらに高温にした。

【００９１】金型の製造方法は、グラインダーを用いた
機械加工、あるいはフォトエッチング技術を用いて、パ
ターンを作成し、さらにブレーズ化技術により、斜面を
形成した。百ミクロンを越える稜線間隔の場合は機械加
工、それ以下はフォトエッチング技術を用いた。

【００９２】（実施例１３）図１１は本発明の光学素子
製造方法の他の実施例である。透明基板であるプラスチ
ックフィルム１１０１にのこぎり刃状の表面を有するロ
ーラ１１０２を押しつけ、回転させる事により、形状を
転写する。本実施例では方向の違う二つの稜線を一度に
作成した。ローラは加熱しても良い。そののち偏光性光
学薄膜である誘電多層薄膜を蒸着した。その後切断する
事により、本発明の検光子を製作した。

【００９３】ローラは円筒形の金属に直接機械加工によ
りのこぎり刃状の形状をきざんでもよいし、平板に機械
加工あるいはフォトエッチング技術により形状を作り、
その板を円筒に巻き付けても良い。

【００９４】（実施例１４）図２７は本発明の光学素子
製造方法のプラスチック射出成形の実施例である。金属
でできた型１８０１及び１８０２により斜面を持った偏
光素子の形状を規定し、ゲート１８０３から溶融樹脂を
圧力をかけ型内に射出する。型内に射出充填された溶融
樹脂が冷え固まった時点で、型１８０１，１８０２を外
す。その後ゲート部を切断し、本発明の検光子の形状を
得る。斜面を持つ面１８０４に偏光性光学薄膜である誘
電多層薄膜を蒸着し、斜面部に、射出された樹脂とほぼ
同じ屈折率を持つ透明樹脂を充填する事により、本発明
の検光子を製作した。

【００９５】また、金型によりガラスをモールドする事
により同様の形状が得られる。

【００９６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、断面形状
がのこぎり刃状の形状を有する基板に誘電薄膜あるいは
金属膜を設ける事により、複数回の反射、透過を上一つ
の光学素子により実現できるため、フィルター効果の増
強や、複雑な分光特性が得られる光学素子が得られた。

【００９７】また複数の稜線を有し断面形状がのこぎり
刃状の形状を有する基板に偏光性光学薄膜を設ける事に
より、偏光プリズムと同等の高い透過率と消光比が得ら
れ、しかも従来の偏光板なみに薄い偏光素子が安価に得
られた。

【００９８】また稜線を有し断面形状が山形あるいはの
こぎり刃状の形状を有する第一の基板部と、第一の基板
部と異なる方向の稜線を有し断面形状が山形あるいはの
こぎり刃状の形状を有する少なくとも第二の基板部を有
し、前記第一及び第二の基板部に偏光性光学薄膜を設け
る事にり、二つの方向の偏光の検出が一つの素子で行
え、部品点数を減らす事ができ、組立がしやすくでき
た。

【００９９】また、偏光性光学薄膜の蒸着されている斜
面の法線と入射光線のなす角度を４５度より大きくする
事により、より消光比の高い検光子が得られた。

【０１００】また光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再
生を行う光記憶装置において、光源と少なくとも二方向
に光を分岐する光分岐手段と光検出手段を有し、前記光
分岐手段と光検出手段の間に本発明の検光子を使用する
事により大変簡単な構成で小型の光ヘッドが実現でき
た。

【０１０１】また光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再
生を行う光記憶装置において、光源と少なくとも二方向
に光を分岐する光分岐手段と光検出手段を有し、前記光
分岐手段と光検出手段の間に本発明の偏光素子を使用す
る事により簡単な構成の光ヘッドが得られた。

【０１０２】また誘電薄膜あるいは金属膜を設けた断面
形状が山形あるいはのこぎり刃状の面を透明物質で充填
した事により透過光の方向が入射方向と変化しない光学
素子、偏光素子、検光子が得られた。

【０１０３】また請求項３に記載の検光子を光検出手段
に透明物質を用いて接着固定した事により透過光の角度
変化による光の横ずれが発生せずしかも固定が可能で組
立性の良い光ヘッドが得られた。

【０１０４】またの山形あるいはこぎり刃状の断面形状
の山部及、谷部の角度はほぼ９０度である事により、反
射光を入射方向に戻す事ができ、迷光が少ない偏光素
子、検光子が得られた。

【０１０５】また検光子の基準方向に対して第一の基板
部の稜線の方向が＋Ａ度の場合、第二の基板部の稜線の
方向がほぼ−Ａ度とする事により、組立がしやすく、逆
相で振幅の等しい信号が得られる検光子を実現できた。

【０１０６】また検光子の基準方向に対して第一の基板
部の稜線の方向がほぼ＋４５度の場合、第二の基板部の
稜線の方向がほぼ−４５度とする事により、最も信号振
幅を大きくできる検光子が得られた。

【０１０７】また実質的に光源の偏光方向に対する第一
の基板部の稜線の方向が＋ａ度の場合、第二の基板部の
稜線の方向が−ａ度とする事により、逆相で振幅の等し
く、同相雑音を除去できる光ヘッドが得られた。

【０１０８】また実質的に光源の偏光方向に対する第一
の基板部の稜線の方向が＋４５度、第二の基板部の稜線
の方向が−４５度とする事により、最も信号振幅の大き
な光ヘッドが得られた。

【０１０９】また、本発明の検光子用いお互いに＋ａ
度、−ａ度で検波され透過した光をそれぞれ受光素子に
入射させ、同じ方向に検波された光線を受光した受光素
子の出力の加算を取り、それぞれの加算出力の差動をと
ることにより、ｓ／ｎの良い良好な光磁気信号を得られ
た。

【０１１０】また光分岐手段は回折手段、さらにはブレ
ーズ加工された回折手段とした事により、単純な構成で
小型の光ヘッドが得られた。

【０１１１】また透明基板にホットスタンプ法によりの
山形あるいはこぎり刃状の形状を転写し、その上に誘電
薄膜あるいは金属膜を蒸着する事によりかんたんな光学
素子製造方法が得られた。

【０１１２】またの山形あるいはこぎり刃状の形状を表
面に有するローラを、基板に押しつけ回転させる事によ
り、連続的にのこぎり刃状の形状を転写し、その上に誘
電薄膜あるいは金属膜を蒸着する事により大量生産に適
する光学素子製造方法が得られた。

【０１１３】また、本発明の斜面の形状を樹脂の射出成
形、あるいは、モールド成形で行う事により安価で精度
の良い、高い消光比の検光子を製造できる、光学素子製
造方法が得られた。

【０１１４】以上のように本発明は光技術の発展に大き
く貢献するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の光学素子の説明図である。（ａ）が
平面をしめした説明図、（ｂ）が断面をしめした説明図
である。

【図２】 本発明の偏光素子の説明図である。（ａ）が
正面をしめした説明図、（ｂ）が断面をしめした説明図
である。

【図３】 本発明の検光子の平面を示した説明図であ
る。

【図４】 本発明実施例６の光ヘッドの説明図である。
（ａ）が側面をしめした説明図、（ｂ）が平面をしめし
た説明図である。

【図５】 実施例６のフォトセンサーの説明図である。

【図６】 実施例６の検光子とフォトセンサーの断面図
である。

【図７】 実施例６の検光子の方向の説明図である。

【図８】 実施例６ののこぎり刃状の形状の説明図であ
る。

【図９】 実施例１１の光ヘッドの説明図である。

【図１０】 実施例１２の光学素子製造方法の説明図で
ある。

【図１１】 実施例１３の光学素子製造方法の説明図で
ある。

【図１２】 実施例４の検光子の平面図を示した図であ
る。

【図１３】 （ａ）が実施例４の検光子のｘ方向の断面
図を示した図 、（ｂ）がｙ方向の断面図を示した図で
ある。

【図１４】 （ａ）が実施例４の検光子のｘ方向の断面
図を示した図 、（ｂ）がｙ方向の断面図を示した図で
ある。

【図１５】 実施例５の検光子の平面図を示した図であ
る。

【図１６】 （ａ）が実施例５の検光子のｘ方向の断面
図を示した図 、（ｂ）がｙ方向の断面図を示した図で
ある。

【図１７】 （ａ）が実施例５の検光子のｘ方向の断面
図を示した図 、（ｂ）がｙ方向の断面図を示した図で
ある。

【図１８】 実施例７の光ヘッドの側面図を示した図で
ある。

【図１９】 実施例７の光ヘッドの検光子の平面図を示
した図である。

【図２０】 実施例８の光ヘッドの側面図を示した図で
ある。

【図２１】 実施例８の光ヘッドの検光子の平面図を示
した図である。

【図２２】 実施例９の光ヘッドの側面図を示した図で
ある。

【図２３】 実施例９の光ヘッドの検光子の平面図を示
した図である。

【図２４】 実施例９の光ヘッドの検光子の説明図で、
（ａ）がレーザ出射光の偏光方向の断面図を示した図、
（ｂ）が検光子のレーザ出射光の偏光方向と垂直方向の
断面図を示した図である。

【図２５】 実施例１０の受光素子の平面図である。

【図２６】 実施例１０に示す光磁気信号検出手段を示
すブロック図である。

【図２７】 実施例１８の光学素子製造方法の説明図で
ある。

【符号の説明】

１０１ ２０１ ３０１ ３０３ 稜線 １０２ 基板 １０３ 誘電多層膜 １０４ １０７ ２０５ 入射光線 １０５ １０６ １０８ １０９ ポイント ２０２ 透明基板 ２０３ 偏光性光学薄膜 ２０４ 透明物質 ６０１ 透明樹脂 ２０６ 透過光 ２０７ 反射光 ３０２ 第一の基板部 ３０４ 第二の基板部 ４０１ ９０１ 半導体レーザ ４０２ ９０２ ホログラフィック素子 ４０３ ９０３ 対物レンズ ４０４ ９０４ 光磁気記憶媒体 ４０５ 検光子 ４０６ フォトセンサー ４０７ 分割線 ５０１ ５０２ ５０３ ５０４ ５０５ ５０６ 受
光部 ５０７ ５０８ ５０９ ５１０ 端子 ７０１ 光源の偏光方向 ８０１ 山部 ８０２ 谷部 ９０５ ９０６ 偏光板 ９０７ ９０８ フォトダイオード １００１ ＰＭＭＡシート １００２ ヒータ １００３ 金型 １００４ 動き方向 １００５ のこぎり刃状の形状 １１０１ プラスチックフィルム １１０２ ローラ

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 断面形状がのこぎり刃状の形状を有する
   基板に誘電薄膜あるいは金属膜を設けた事を特徴とする
   光学素子。
2. 【請求項２】 複数の稜線を有し断面形状がのこぎり刃
   状の形状を有する基板に偏光性光学薄膜を設けた事を特
   徴とする偏光素子。
3. 【請求項３】 稜線を有し断面形状が山形あるいはのこ
   ぎり刃状の形状を有する第一の基板部と、第一の基板部
   と異なる方向の稜線を有し断面形状が山形あるいはのこ
   ぎり刃状の形状を有する少なくとも第二の基板部を有
   し、前記第一及び第二の基板部に偏光性光学薄膜を設け
   た事を特徴とする検光子。
4. 【請求項４】 同一基板内に斜面を４ヶ所有し、各々の
   斜面の法線が入射光束の主光線と２０°以上の角度を持
   ち、その内２つの斜面は、光線の光軸と偏光方向を含む
   面に対し斜面の法線と光線の光軸を含む面がＡ°、他の
   ２つの面は、光線の光軸と偏光方向を含む面に対し斜面
   の法線と光線の光軸を含む面が−Ａ°となり、その斜面
   に偏光性光学薄膜を設けた事を特徴とする請求項３記載
   の検光子。
5. 【請求項５】 同一基板内に斜面を２ヶ所有し、一つの
   斜面に少なくとも２つ以上の光束が入射し、各々の斜面
   の法線が入射光束の主光線と２０°以上の角度を持ち、
   １つの斜面は、その斜面に入射する全ての光線の光軸と
   偏光方向とを含む面に対し斜面の法線と光軸を含む面が
   Ａ°、他の面は、その斜面に入射する全ての光線の光軸
   と偏光方向とを含む面に対し、斜面の法線と光軸を含む
   面が−Ａ°となり、その斜面に偏光性光学薄膜を設けた
   事を特徴とする請求項３記載の検光子。
6. 【請求項６】 請求項４，５において、斜面を形成する
   部分の頂角を約４５°とする事を特徴とする検光子。
7. 【請求項７】 光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再生
   を行う光記憶装置において、光源と少なくとも二方向に
   光を分岐する光分岐手段と光検出手段を有し、前記光分
   岐手段と光検出手段の間に請求項３、４、５、６に記載
   の検光子を有する事を特徴とする光ヘッド。
8. 【請求項８】 光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再生
   を行う光記憶装置において、請求項３、４、５、６に記
   載の検光子を光分岐手段に透明物質を用いて接着固定し
   た事を特徴とする請求項７に記載の光ヘッド。
9. 【請求項９】 光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再生
   を行う光記憶装置において、一つの光学素子の片側に請
   求項３、４、５、６に記載の検光子を形成し、もう一方
   の側面に光分岐手段を形成した事を特徴とする請求項７
   に記載の光ヘッド。
10. 【請求項１０】 半導体レーザと光検出素子を同一のパ
    ッケージ内に納めた素子を有し、光分岐手段を有し、請
    求項３、４、５、６に記載の検光子を前記光分岐手段に
    透明物質を用いて接着固定した素子を前記パッケージに
    接着固定した事を特徴とする光ヘッド。
11. 【請求項１１】 光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再
    生を行う光記憶装置おいて、光源と検出素子が一つのパ
    ッケージ内に収められていること、光源からの光と記録
    媒体からの戻り光が同じ光学素子を透過すること、前記
    光学素子に少なくとも３つ以上の斜面を持ち、前記斜面
    に偏光性光学薄膜を有し、一つの斜面は光源からの光の
    透過光路上に有り、斜面に対する光線の入射角を１０度
    から８０度に設定し、且つ、入射光線の偏光方向が斜面
    の法線と入射光線の光軸を含む面内になるように設定
    （斜面に対しｐ波となるよう設定）したこと、他の少な
    くとも２つ以上の斜面に光磁気媒体からの戻り光を入射
    させ、斜面に対する光線の入射角を１０度から８０度に
    設定し、少なくとも一つの斜面は、光源からの光線の偏
    光方向に対し、斜面の法線と入射光線の光軸を含む面の
    角度をＡ度とし、他の少なくとも一つの斜面は、光源か
    らの光線の偏光方向に対し、斜面の法線と入射光線の光
    軸を含む面の角度をーＡ度とする事、Ａの値は１０度か
    ら８０度とする事を特徴とする光ヘッド。
12. 【請求項１２】 請求項３、４、５、６に記載の検光子
    を光検出手段に透明物質を用いて接着固定した事を特徴
    とする請求項７に記載の光ヘッド。
13. 【請求項１３】 請求項３、４、５、６に記載の検光子
    を光分岐手段と光検出手段とに透明物質を用いて接着固
    定した事を特徴とする請求項７に記載の光ヘッド。
14. 【請求項１４】 光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再
    生を行う光記憶装置において、請求項４、または５の検
    光子を有し、光線の光軸と偏光方向を含む面に対し斜面
    の法線と光線の光軸を含む面がＡ°となる斜面を透過し
    た光線を一組のセンサーで受光し、出力の加算を行う。
    一方、光線の光軸と偏光方向を含む面に対し斜面の法線
    と光線の光軸を含む面が−Ａ°となる他の斜面を透過し
    た光を別の一組のセンサーで受光し、センサー出力の加
    算を行い、それぞれの加算出力の差動をとる事を特徴と
    する光磁気信号検出手段。
15. 【請求項１５】 光磁気記憶媒体を用いて情報の記録再
    生を行う光記憶装置において、光源と少なくとも二方向
    に光を分岐する光分岐手段と光検出手段を有し、前記光
    分岐手段と光検出手段の間に請求項２に記載の偏光素子
    を有する事を特徴とする光ヘッド。
16. 【請求項１６】 偏光性光学薄膜あるいは金属膜を設け
    た斜面を有する光学素子の斜面を接着剤、または、透明
    樹脂で充填した事を特徴とする光学素子。
17. 【請求項１７】 誘電薄膜あるいは金属膜を設けた断面
    形状がのこぎり刃状の面を透明物質で充填した事を特徴
    とする請求項１に記載の光学素子。
18. 【請求項１８】 偏光性光学薄膜を設けた断面形状がの
    こぎり刃状の面を透明物質で充填した事を特徴とする請
    求項２に記載の偏光素子。
19. 【請求項１９】 偏光性光学薄膜を設けた断面形状が山
    形あるいはのこぎり刃状の形状の第一の基板部及び第二
    の基板部の面を透明物質で充填した事を特徴とする請求
    項３、４、５、６に記載の検光子。
20. 【請求項２０】 のこぎり刃状の断面形状の山部及び谷
    部の角度はほぼ９０度である事を特徴とする請求項２に
    記載の偏光素子。
21. 【請求項２１】 山形あるいはのこぎり刃状の断面形状
    の山部、谷部の角度はほぼ９０度である事を特徴とする
    請求項３に記載の検光子。
22. 【請求項２２】 検光子の基準方向に対して第一の基板
    部の稜線の方向が＋Ａ度の場合、第二の基板部の稜線の
    方向がほぼ−Ａ度である事を特徴とする請求項３に記載
    の検光子。
23. 【請求項２３】 検光子の基準方向に対して第一の基板
    部の稜線の方向がほぼ＋４５度の場合、第二の基板部の
    稜線の方向がほぼ−４５度である事を特徴とする請求項
    ２２に記載の検光子。
24. 【請求項２４】 実質的に光源の偏光方向に対する第一
    の基板部の稜線の方向が＋ａ度の場合、第二の基板部の
    稜線の方向が−ａ度である事を特徴とする請求項７ある
    いは請求項１５に記載の光ヘッド。
25. 【請求項２５】 実質的に光源の偏光方向に対する第一
    の基板部の稜線の方向が＋４５度、第二の基板部の稜線
    の方向が−４５度である事を特徴とする請求項２４に記
    載の光ヘッド。
26. 【請求項２６】 光分岐手段は回折手段である事を特徴
    とする請求項７あるいは請求項１５に記載の光ヘッド。
27. 【請求項２７】 光分岐手段はブレーズ加工された回折
    手段である事を特徴とする請求項７あるいは請求項１５
    に記載の光ヘッド。
28. 【請求項２８】 透明基板にホットスタンプ法により山
    形あるいはのこぎり刃状の形状を転写し、その上に誘電
    薄膜あるいは金属膜を蒸着する事を特徴とする光学素子
    製造方法。
29. 【請求項２９】 山形あるいはのこぎり刃状の形状を表
    面に有するローラを、基板に押しつけ回転させる事によ
    り、連続的に山形あるいはのこぎり刃状の形状を転写
    し、その上に誘電薄膜あるいは金属膜を蒸着する事を特
    徴とする光学素子製造方法。
30. 【請求項３０】 樹脂またはガラスの射出成形、あるい
    は、モールド成形により山形あるいはのこぎり刃状の形
    状、あるいは、少なくとも一つ以上の斜面を持つ形状を
    転写し、その上に誘電薄膜あるいは金属膜を蒸着する事
    を特徴とする光学素子製造方法。