JPH0680413A - 二酸化珪素膜の化学気相成長法 - Google Patents
二酸化珪素膜の化学気相成長法Info
- Publication number
- JPH0680413A JPH0680413A JP27071192A JP27071192A JPH0680413A JP H0680413 A JPH0680413 A JP H0680413A JP 27071192 A JP27071192 A JP 27071192A JP 27071192 A JP27071192 A JP 27071192A JP H0680413 A JPH0680413 A JP H0680413A
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- JP
- Japan
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- chemical vapor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】取り扱いやすぃ原料を用いて、室温に近い低い
基板温度で、二酸化珪素の膜を容易に合成し得る新たな
化学気相成長法を提供する。 【構成】テトラキスジメチルアミノシランをシリコン源
として用い、これに酸素源としてのオゾンあるいは酸素
ガスを加えることにより、被処理物表面に二酸化珪素の
膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法によ
る。
基板温度で、二酸化珪素の膜を容易に合成し得る新たな
化学気相成長法を提供する。 【構成】テトラキスジメチルアミノシランをシリコン源
として用い、これに酸素源としてのオゾンあるいは酸素
ガスを加えることにより、被処理物表面に二酸化珪素の
膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法によ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長方法に関
し、さらに詳しくは、二酸化珪素膜の膜の製造方法に関
する。
し、さらに詳しくは、二酸化珪素膜の膜の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）法は、高性能
膜を量産できる方法として広く実用化されている。二酸
化珪素膜の化学気相成長法のシリコン源としてシランや
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）が用いられている。
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）法は、高性能
膜を量産できる方法として広く実用化されている。二酸
化珪素膜の化学気相成長法のシリコン源としてシランや
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シランは空気
中で発火し、テトラエトキシシランは空気中の水分によ
って加水分解しやすい。また、基板温度もシラン−酸素
系で４００℃以上で、テトラエトキシシラン−オゾン系
でも１００℃以下に下げることはできない。本発明は上
記難点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、取り扱いやすい原料を用いて、室温に近い低い
基板温度で、二酸化珪素の膜を容易に合成し得る新たな
化学気相成長法の提供にある。
中で発火し、テトラエトキシシランは空気中の水分によ
って加水分解しやすい。また、基板温度もシラン−酸素
系で４００℃以上で、テトラエトキシシラン−オゾン系
でも１００℃以下に下げることはできない。本発明は上
記難点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、取り扱いやすい原料を用いて、室温に近い低い
基板温度で、二酸化珪素の膜を容易に合成し得る新たな
化学気相成長法の提供にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】テトラキスジメチルアミ
ノシランをシリコン源として用い、酸素源として、例え
ば、オゾンをシリコン源ガスに加えることにより、室温
に近い低い基板温度で、ガラス、金属、プラスチックな
どの被処理物表面に二酸化珪素の膜を成長させることを
特徴とする化学気相成長方法。
ノシランをシリコン源として用い、酸素源として、例え
ば、オゾンをシリコン源ガスに加えることにより、室温
に近い低い基板温度で、ガラス、金属、プラスチックな
どの被処理物表面に二酸化珪素の膜を成長させることを
特徴とする化学気相成長方法。
【０００５】
【作用】本発明方法によるときは、取り扱い上も安全な
原料を用いて、少ない工程で、低温で、したがって、プ
ラスチックを含むの被処理物表面に、二酸化珪素の膜を
容易に成長させることができる。
原料を用いて、少ない工程で、低温で、したがって、プ
ラスチックを含むの被処理物表面に、二酸化珪素の膜を
容易に成長させることができる。
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１に成膜装置の模式図を示す。シリコン源としてテトラ
キスジメチルアミノシランを用い、これを４０℃に保っ
た気化器内（７）で気化し、窒素ガス（流量３００ｃｍ
３／ｍｉｎ）（１）をキャリアガスとしてノズルに輸送
した。ノズル中で、酸素源としてのオゾンを含んだ酸素
ガス（流量１００ｃｍ３／ｍｉｎ）と混合し、混合ガス
を基板（９）上に吹き付け大気圧下で成膜した。基板
（９）として、硼珪酸ガラスを用いた。基板温度４０℃
で反応させたところ、基板に対する密着性の良い二酸化
珪素の透明膜が成膜速度１０ｎｍ／ｍｉｎで得られた。
図２に４種類の基板温度で合成された薄膜の赤外線透過
スペクトルの例を示す。また、酸素源としてオゾンを含
まない酸素ガス（流量１００ｃｍ３／ｍｉｎ）を用いた
場合、基板温度３００℃以上で、基板に対する密着性の
良い二酸化珪素の透明膜が成膜速度５ｎｍ／ｍｉｎで得
られた。図３に２種類の基板温度で合成された薄模の赤
外線透過スペクトルの例を示す。以上本発明につき好適
な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例
に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範
囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんのことであ
る。
１に成膜装置の模式図を示す。シリコン源としてテトラ
キスジメチルアミノシランを用い、これを４０℃に保っ
た気化器内（７）で気化し、窒素ガス（流量３００ｃｍ
３／ｍｉｎ）（１）をキャリアガスとしてノズルに輸送
した。ノズル中で、酸素源としてのオゾンを含んだ酸素
ガス（流量１００ｃｍ３／ｍｉｎ）と混合し、混合ガス
を基板（９）上に吹き付け大気圧下で成膜した。基板
（９）として、硼珪酸ガラスを用いた。基板温度４０℃
で反応させたところ、基板に対する密着性の良い二酸化
珪素の透明膜が成膜速度１０ｎｍ／ｍｉｎで得られた。
図２に４種類の基板温度で合成された薄膜の赤外線透過
スペクトルの例を示す。また、酸素源としてオゾンを含
まない酸素ガス（流量１００ｃｍ３／ｍｉｎ）を用いた
場合、基板温度３００℃以上で、基板に対する密着性の
良い二酸化珪素の透明膜が成膜速度５ｎｍ／ｍｉｎで得
られた。図３に２種類の基板温度で合成された薄模の赤
外線透過スペクトルの例を示す。以上本発明につき好適
な実施例を挙げて種々説明したが、本発明はこの実施例
に限定されるものではなく、発明の精神を逸脱しない範
囲内で多くの改変を施し得るのはもちろんのことであ
る。
【図１】装置の概略図である。
【図２】酸素源としてオゾンを用いて４種類の基板温度
で合成された膜の赤外線透過スペクトルの例を示す図で
ある。
で合成された膜の赤外線透過スペクトルの例を示す図で
ある。
【図３】酸素源として酸素ガスを用いて２種類の基板温
度で合成された膜の赤外線透過スペクトルの例を示す図
である。
度で合成された膜の赤外線透過スペクトルの例を示す図
である。
１ キャリアガスボンベ ２ 酸素ガスボンベ ３ オゾン発生器 ４ ガス流量制御器 ５ 温度検出器 ６ 電気炉 ７ シリコン源原料 ８ ヒーター ９ 基板（被処理物）
Claims (3)
- 【請求項１】 テトラキスジメチルアミノシランをシリ
コン源として用い、シリコン源に酸素源を加えることに
より、被処理物表面に二酸化珪素の膜を成長させること
を特徴とする化学気相成長方法。 - 【請求項２】 酸素源がオゾンである特許請求範囲第１
項記載の化学気相成長方法。 - 【請求項３】酸素源が酸素ガスである特許請求範囲第１
項記載の化学気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27071192A JPH0680413A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 二酸化珪素膜の化学気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27071192A JPH0680413A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 二酸化珪素膜の化学気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0680413A true JPH0680413A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=17489903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27071192A Pending JPH0680413A (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 二酸化珪素膜の化学気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680413A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002079211A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metalloamide and aminosilane precursors for cvd formation of dielectric thin films |
| US7771534B2 (en) | 1999-12-03 | 2010-08-10 | Asm International N.V. | Method of growing oxide thin films |
| US7795160B2 (en) | 2006-07-21 | 2010-09-14 | Asm America Inc. | ALD of metal silicate films |
| US8501637B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-08-06 | Asm International N.V. | Silicon dioxide thin films by ALD |
| US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
| JP2017523134A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-17 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | モノアミノシラン化合物 |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP27071192A patent/JPH0680413A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7771534B2 (en) | 1999-12-03 | 2010-08-10 | Asm International N.V. | Method of growing oxide thin films |
| US7771533B2 (en) * | 1999-12-03 | 2010-08-10 | Asm International N.V. | Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide |
| US7824492B2 (en) | 1999-12-03 | 2010-11-02 | Asm International N.V. | Method of growing oxide thin films |
| US9514956B2 (en) | 1999-12-03 | 2016-12-06 | Asm International N.V. | Method of growing oxide thin films |
| WO2002079211A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metalloamide and aminosilane precursors for cvd formation of dielectric thin films |
| US6869638B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-03-22 | Advanced Tehnology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same |
| US7795160B2 (en) | 2006-07-21 | 2010-09-14 | Asm America Inc. | ALD of metal silicate films |
| US8501637B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-08-06 | Asm International N.V. | Silicon dioxide thin films by ALD |
| US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
| JP2017523134A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-17 | ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | モノアミノシラン化合物 |
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