JPH0677311U - 面実装型多層基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 誘電体共振器を有する多層基板をマザー基板
に対して強固に固着する。 【構成】 多層基板３の最下層２５の側面に複数の溝３
９〜４１を設ける。この溝３９〜４１に接続端子導体層
３３を延在させる。多層基板３の最下層２５の上の主体
層３ａには最下層２５の溝３９〜４１よりも大きい溝４
４を設ける。これにより、最下層２５に突出部４２、４
３が生じる。溝３９〜４１及び突出部４２、４３は半田
の付着性を良くする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、ＴＥＭモード誘電体共振器を使用した高周波フィルタに好適な面実 装型多層基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】

基板上に第１及び第２の誘電体共振器を配置し、入力端子と第１の誘電体共振 器との間に入力結合キャパシタンスを設け、出力端子と第２の誘電体共振器との 間に出力結合キャパシタンスを設け、第１及び第２の誘電体共振器の相互間に相 互結合用キャパシタンスを設けた構成のフィルタは公知である。 また、本件出願人は、入力結合キャパシタンス、出力結合キャパシタンス、相 互結合キャパシタンスを多層基板で構成することを提案した。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、多層基板が小さい場合には、これを面実装方法でマザー基板（回路 基板）に固着する際に、固着不良が発生することがあった。

【０００４】 そこで、本考案の目的は、回路基板に対する固着を良好に達成することができ る面実装型多層基板を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するための本考案は、表面に接続導体層を有する回路基板に対 して導電性接合材で固着するための面実装型多層基板において、前記多層基板の 表面から裏面に向って延びる複数の溝が前記多層基板の側面の少なくとも裏面近 傍に設けられており、前記複数の溝の間に突出部が生じており、前記複数の溝の 壁面に接続端子導体層が延在していることを特徴とする面実装型多層基板に係わ るものである。 なお、上記目的を達成するために溝に棚状部分を設けることができる。

【０００６】

【考案の作用及び効果】

請求項１の考案によれば、複数の溝によって凹凸が生じ、多層基板の側面の接 続端子導体層に対する半田等の導電性接合材の付着性即ち乗りが良くなり、回路 基板に多層基板を確実に固着することができる。 また、請求項２の考案によれば、回路基板の導体層の上から棚状部分の上に延 びるように半田等の導電性接合材を十分に付着させることが可能になり、回路基 板に対する多層基板の固着を確実に達成することができる。

【０００７】

【実施例】

次に、図１〜図９を参照して本考案の実施例に係わるＴＥＭモード誘電体共振 器を使用した高周波バンドパスフィルタを説明する。

【０００８】 このバンドパスフィルタは図１に示すように第１及び第２の誘電体共振器１、 ２と、キャパシタンス（コンデンサ）のための導体層及びグランド導体層等を有 する多層基板３との組み合わせによって構成されている。第１及び第２の誘電体 共振器１、２は、図１〜図３から明らかなように比誘電率が約８８の柱状又は円 筒状磁器から成る第１及び第２の誘電体４、５と、第１及び第２の共振孔６、７ 内に設けられた第１及び第２の内導体８、９と、誘電体４、５の外周面１０、１ １に設けられた外導体１２、１３とから成る。なお、第１及び第２の内導体８、 ９に連続的に第１及び第２の接続導体１４、１５が設けられている。これ等の第 １及び第２の接続導体１４、１５は誘電体４、５の一方の端面を通って外周面１ ０、１１まで延在している。また、第１及び第２の誘電体４、５の他方の端面上 には第１及び第２の内導体８、９を第１及び第２の外導体１２、１３に接続する ための第１及び第２の短絡導体１６、１７が設けられている。第１及び第２の誘 電体共振器１、２は実質的に同一に構成されているので、図３に第１の誘電体共 振器１のみを詳しく示し、第２の誘電体共振器２の詳しい図示は省略する。なお 、内導体８、９と、外導体１２、１３と、接続導体１４、１５と、短絡導体１６ 、１７は夫々銀ペーストを塗布して焼き付けた導電体膜から成り、図１では厚み を省略して説明的に示されている。

【０００９】 このバンドパスフィルタを得るために同軸型ＴＥＭモード誘電体共振器１、２ には、図９のように入力結合キャパシタンスＣa と出力結合キャパシタンスＣb と相互結合キャパシタンスＣc とが接続される。入力結合キャパシタンスＣa は 信号入力端子Ｔ1 と第１の共振器１の一端との間に接続され、出力結合キャパシ タンスＣb は第２の共振器２の一端と出力端子Ｔ2 との間に接続され、相互結合 キャパシタンスＣc は第１及び第２の共振器１、２の一端の相互間に接続されて いる。第１及び第２の共振器１、２の他端即ち外導体１２、１３はグランドに接 続されている。

【００１０】 第１及び第２の共振器１、２を取付けるため及びキャパシタンスＣa 、Ｃb 、 Ｃc を設けるための多層基板３は図３及び図４〜図８に示すように構成されてい る。即ち、多層基板３は図２で破線で区分して示すように５つの層２１、２２、 ２３、２４、２５を有し、この表面２６上には図４に示すようにグランド導体層 ２７と第１及び第２の接続導体層２８、２９とが設けられている。グランド導体 層２７は第１及び第２の共振器１、２の外導体１２、１３に対応する部分を有し 、更に表面２６の多くの部分を覆うように形成され、ここには図２に示すように 半田３０によって第１及び第２の共振器１、２の外導体１２、１３が夫々固着さ れている。第１及び第２の接続導体層２８、２９は第１及び第２の共振器１、． ２の第１及び第２の接続導体１４、１５に対応するように配置され、これ等が半 田（図示せず）で夫々固着されている。多層基板３の裏面３１には図７に示すよ うにグランド導体層（接地電極ランド）３２と、第１及び第２の接続導体層（入 出力電極ランド）３３、３４とが設けられている。なお、図１、図４、図６及び 図７では各導体層３２、３３、３４が厚みを省略して示され、他の部分と区別す るためにこれ等に点々が付けられている。

【００１１】 多層基板３の内部には、図２に示すようにキャパシタンスＣa 、Ｃb 、Ｃc 用 の導体層３５、３６、３７、３８、３９、４０が設けられ、更にこれ等を接続す る導体層（図示せず）及びヴィアホールとこの導体（図示せず）が設けられ、図 ９に示す回路が形成されている。図７における第１及び第２の接続端子導体層３ ３、３４は図９の端子Ｔ1 、Ｔ2 に対応し、ここには図２のキャパシタンス用導 体層３６、３７がヴィアホール導体を介して接続されている。図２のキャパシタ ンス用導体層３５は図４の表面２６上の第１の接続導体層２８にヴィアホール導 体を介して接続されていると共に図２のキャパシタンス用導体層３９に接続され ている。図２のキャパシタンス用導体層３７は図４の第２の接続導体層２９にヴ ィアホール導体を介して接続されていると共に図２のキャパシタンス用導体層４ ０に接続されている。

【００１２】 多層基板３は第１〜第５の誘電体層２１〜２５を得るためのグリーンシート（ 未焼成磁器シート）に導電性ペーストを所定パターンに夫々塗布して積層し、焼 成したものであり、焼成後においては第１〜第５の誘電体層２１〜２５は一体化 されているが、ここでは説明の都合上第５の層２５を図６及び図７に分離して示 す。なお、第１〜第４の層２１〜２４をまとめて主体層３ａと言い、第５の層２ ５を補助層と言うことにする。

【００１３】 補助層２５には図６及び図７に示すように第１、第２、第３及び第４の端子部 ３５、３６、３７、３８が設けられている。第１及び第２の端子部３５、３６は 第１及び第２の接続端子導体層３３、３４が設けられた部分であり、第３及び第 ４の端子部３７、３８はグランド導体層３２が延在している部分である。４つの 端子部３５、３６は実質的に同一構造であるので、第１の端子部３５を次に詳し く説明し、第２〜第４の端子部３６〜３８の説明は省略する。

【００１４】 端子部３５は、３つの溝３９、４０、４１と、これ等の間に生じた２つの突出 部４２、４３を有する。溝３９、４０、４１は補助層２５の表面から裏面に向う 方向に延びるように半円状に設けられている。図７に示す裏面３１のグランド導 体層３２に対して電気的に分離された第１の接続端子導体層３３は溝３９、４０ 、４１の中に延在し更に図６の表面側にも延在している。

【００１５】 主体層３ａの側面には第１〜第４の端子部３５〜３８に対応して表面から裏面 に延びるように半円状の溝４４がそれぞれ設けられている。この半円状の溝４４ の大きさは図５において２つの突出部４２、４３が含まれるように設定されてい る。この結果、補助層２５が主体層３ａの溝４４の中に棚状部分のように配置さ れている。

【００１６】 共振器１、２を有する多層基板３を回路基板即ちマザー基板４６に面実装方法 で固着する時には多層基板３をマザー基板４６の上に配置し、半田浸漬方法又は 半田リフロー方法によってマザー基板４６の導体層４７に半田４８によって図８ に示すように固着する。多層基板３の最下層である補助層２５の側面は平坦面で なく、３つの溝３９、４０、４１と２つの突出部４２、４３を有するので、半田 ４８の付着性即ち乗りが良い。また、補助層２５の棚状部分の接続端子導体層３ ３の上にも半田４８が付着し、多層基板３をマザー基板４６に強固に固着するこ とができる。なお、マザー基板４６のグランド導体層４９に対する多層基板３の グランド導体層３２の固着及び多層基板３の第２の接続端子導体層のマザー基板 ４６に対する固着も同様に行われる。 入出力用の第１第２の端子部３５、３６とグランド用第３及び第４の端子部３ ７、３８との間は溝３９に隣接して生じる凸部によって分離されているので、マ ザ−基板に半田付けする際に、相互の干渉が少なくなる。この結果、第１及び第 ２の端子部３５、３６と第３及び第４の端子部との間隔を狭くして小形化を達成 することができる。 また、この実施例では多層基板３の表面のグランド導体層２７及び接続導体層 ２８、２９が基板３の縁から離れているので、多層基板３をマザ−基板に半田付 けする時に多層基板３の表面側と裏面側との短絡が発生しにくい。

【００１７】

【変形例】

本考案は上述の実施例に限定されるものではなく、例えば次の変形が可能なも のである。 （１） 補助層２５の端子部３５〜３８の溝の数を増減することができる。 （２） 主体層３ａの溝４４の一部又は全部に導体層を設け、これを主体層３ ａを構成する第１〜第４の層２１〜２４の間の電気的接続に使用することができ る。 （３） 補助層２５を主体層３ａとは別体とし、これを主体層３ａに接着材で 固着することができる。 （４） 第１〜第４の端子部３５〜３８にスル−ホ−ルを設け、表面側と裏面 側の導体層３２、３３、３４をスル−ホ−ルの導体で強固に接続してもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例に係わる高周波フィルタを示す
斜視図である。

【図２】図１のフィルタをマザー基板に取付けた状態を
図１の中央縦断面に相当する部分で示す図である。

【図３】図１の誘電体共振器を示す断面図である。

【図４】図１の多層基板を示す斜視図である。

【図５】図４の一部を拡大して示す平面図である。

【図６】図４の補助層の平面図である。

【図７】図４の補助層の底面図である。

【図８】図５のＡ−Ａ′線拡大断面図である。

【図９】図１の高周波フィルタの等価回路図である。

【符号の説明】

１ 第１の誘電体共振器 ２ 第２の誘電体共振器 ３ 多層基板 ３９〜４１ 溝 ４２、４３ 突出部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 伊藤 光由 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に接続導体層を有する回路基板に対
   して導電性接合材で固着するための面実装型多層基板に
   おいて、 前記多層基板の表面から裏面に向って延びる複数の溝が
   前記多層基板の側面の少なくとも裏面近傍に設けられて
   おり、前記複数の溝の間に突出部が生じており、前記複
   数の溝の壁面に接続端子導体層が延在していることを特
   徴とする面実装型多層基板。
2. 【請求項２】 表面に接続導体層を有する回路基板に対
   して導電性接合材で固着するための面実装型多層基板に
   おいて、 前記多層基板の表面から裏面に向って延びる溝が前記多
   層基板の側面に設けられており、前記溝の裏面近傍に棚
   状部分が設けられており、前記棚状部分の表面及び裏面
   に接続端子導体層が設けられていることを特徴とする面
   実装型多層基板。